JPS60201630A - 検査パタ−ンの生成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ワークピースのパターン例えば光学マスクを
電子ビーム検査するだめの検査パターンの生成方法に係
る。

〔従来技術〕

集積回路（ＩＣ）の製造に於て、ＩＣの上に形成した放
射線に対して感度を有する層に対してパターンを露光す
るためにフォトマスクを用いる事は公知の技術である。

フォトマスクのパターン自体は、集結された電子ビーム
もしくは他の選択的放射源による選択的放射によって形
成し得る。この場合、光もしくは他の適当な放射をフォ
トマスクを介してＩＣ上の放射線感光層へ投射し、該層
にフォトマスク・パターンの像を形成する。ＩＣチップ
のだめのフォトマスク・パターンは最近ますます複雑化
している。よってマスクに於ける欠陥は、歩留と信頼性
の低下に大きく影響する。従って、フォトマスクの欠陥
検査が必要である。

直接書込型の電子ビーム・リングラフィを用いるフォト
マスクの検査技術が、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｆ　Ｉｎｔ
ｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　ｆｒＯｐｔｉ
ｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ、、Ｖｏｌ、３３４　
＋Ｐ、Ｐ、　２３０〜２３７，１９．８２０Ｒ，Ａ。

Ｓｉｍｐｓｏｎ等の論文”　Ｄｅｔｅｃｔｉｎｇ　Ｓｕ
ｂｍｉｃｒ。

Ｐａｔｔｅｒｎ　Ｄｅｆｅｃｔｓ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａ
ｌＰｈｏｔｏｍａｓｋｓ　Ｕｓｉｎｇ　ａｎ　Ｅｎｈａ
ｎｃｅｄＥＬ−３Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｗ　Ｌｉｔ
ｈｏｇｒａｐｈｙＴｏｏｌ　”並びに米国特許第４３６
５１６３号明細書に開示されている。マスク・パターン
を検査するために文字認識もしくはパターン認識を用い
る必要がない様にマスク・パターン自体から検査パター
ンを生成する技術が開示されている。検査パターンは、
マスク・パターンを作るために用いたオリジナルの設計
データからソフトウェアを用いて発生させる事ができる
。開示される様に、マスク・パターンを検査するのに透
明及び不透明の検査パターンが必要である。固定寸法の
オーバシップした即ち重なった電子ビーム・スポットを
、検査パターンによって再成された通りにマスク上に歩
進させると共に、後方散乱電子から生じた信号をモニタ
してマスク・パターンの欠陥を検出する。

指摘されている様に、透明な及び不透明な検査パターン
はマスク・パターンのポジ及びネガ型の実質的に収縮し
た形状のものであって、その収縮形状体はマスク及び系
の公差が偽信号を発生しない様にするガード・バンド（
ｇｕａｒｄ　ｂａｎｄ　）即ち保護帯域を生じる。更に
指摘される様に、複数の検査スポットは適当な欠陥検出
確率を呈する様にオーバラップしなければならない。

上記の検査パターンの２つの要件（ガード・バンド及び
オーバラップ）によって、マスク・パターン設計データ
からこれらの検査パターンを有効に生成するのが困難に
なる。マスク・パターン設計データは一連の基本的形状
（例えば一連の矩形）として表現されるのが普通である
。マスク・パターンが離隔した（当接していない）基本
形状を用いて表現される場合、ウインデイツジ（Ｗｉｎ
ｄａｇｅ）と称せられる公知の方法によって所要のガー
ド・バンドを与えるのが容易である。正のウインデイツ
ジは成る形の各寸法を拡張する操作であり、負のウイン
デイツジはその形の各寸法を収縮させる操作である。よ
って基本形状の外側及び内側に所要のガード・バンドを
呈するｉができる。しかしながら、典型例として、基本
形状が相互に当接している場合、マスク・パターンを定
義する事が必要である。例えば、マスク・パターンが多
角形である場合、これは一連の当接する三角形として記
述されねばならない。従って、ガード・バンドをうるだ
めには負のウインディッジを適用して、基本形状部相互
間に空隙ができる様に基本形状部を離隔させる事が必要
である。そしてこの空隙は検査されない。

理論上、マスク・パターン設計データに於ける全ての当
接する基本形状部を探索し、次にウィンデイツジを行っ
たのち、基本形状部を幾分か伸長させてそれらを結合す
るために分類を行う技術を用いることができる。その様
な探索及び優良技術はコンピュータ時間からして極めて
時間を浪費する方法である。何故ならば、その方法には
、当接する形状部を探索するために各基本形状部と全て
の他の基本形状部の比較が含まれるからである。

更にその様な探索及び伸長を用いる技術に於ては、基本
形状部が当接する所要の検査スポットのオーバラップを
保証するために、当接する基本形状部の間のオーバラッ
プを生ぜしめる必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来ハワークビースのパターンから検査パターンを生成
するに際して当接する基本形状部を再結合及びオーバラ
ップさせるために探索及び分類を用いる技術を採用して
いたが、この方法の場合コンピュータの使用時間が長く
、不経済であった。

本発明は上記の様な探索及び分類の技術を用いる事なく
所要のオーバラップ及びガード拳バンドを呈する検査パ
ターンを生成するだめの経済的な方法を提供するもので
ある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明の目的とする問題点は、ワークピースのパターン
に第１の正のウィンディッジを適用し、第１の正のウイ
ンデイツジを行ったワークピースのパターンを反転し、
反転した第１の正のウインデイソジを行ったワークピー
ス・パターンに対して更に第２の正のウインデイツジを
適用する事によって解決される。上記の３つのステップ
は、基本形状部が当接しているか否かに関係なく、ワー
クピース・パターン設計データよシなる基本形状部の全
てについて実施され、所要のガード・バンド及びオーバ
ラップを呈する全ワークピース検査バター／を生じる。

ガード・バンド及びオーバラップの量は第１及び第２の
ウインデイツジの相対量によって制御する事ができる。

、本発明の実施例に於て、ワークピースのパターンは一
連の矩形（そのうちのいくつかが多角形を成す様に当接
している）として説明される。各矩形に対して第１の正
のウインデイツジを適用し、よってウインデイツジ値に
よって各矩形の各辺の長さを増加させ次に第１の正のウ
インデイツジを行ったワークピース・パターンを反転子
る。即ち、パターンのネガを形成し、パターンの中にあ
った領域がパターンの外になる（逆の場合も同様）。

反転は、パターンの内側にめった領域がパターンの外に
なる（逆電同様）相補的パターンの形成と類似している
。次に反転した正のウィンディッジを実施したパターン
に対して第２の正のウインデイツジを行う。生成された
一連の矩形が検査パターンとなる。

本発明はフォトマスクに関して詳細に説明したが、本発
明は他のパターン状のワークピースを検査するため、即
ち、半導体ＩＣ１プリント回路板もしくは他のＩＣパッ
ケージング基板上の導体及びその他のパターンを検査す
るためにも用いうる事を理解されたい。更に、検査のた
めに可視光線、赤外線、Ｘ線もしくは他の放射線を用い
る事ができる事を理解されたい。

本発明に従って生成された検査パターンは整形スポット
電子ビームｅコラムの偏向ジェネレータに印加される。

検査すべきマスクをターゲット領域に配置する。整形し
たオーバラップ書スポットを検査パターンによって画成
されるパターンに従ってマスク上を歩進させる。後方散
乱電子によって生じた信号を、米国特許第４３＜Ｓ５１
６３号明細書等に示される様にして欠陥を検出するため
にモニタする。

〔実施例〕

まず、第２Ａ図ないし第２Ｃ図を参照する。第２Ａ図は
簡略化したフォトマスク・パターンの例を示し、夫々第
２Ｂ図及び第２Ｃ図には第２Ａ図のマスク・パターンを
検査するのに必要な外側及び内側検査パターンを示して
いる。第２Ａ図のフォトマスク・パターンは所定のフォ
トマスク・サブフィールド１２内の３つの多角形から成
シ立つ。

しかしながら典型的なフォトマスク・パターンは第２Ａ
図のパターンよりもずっと複雑である事を理解されたい
。多角形１１の内側の領域は透明ないし不透明のマスク
領域のいずれでもよい。第２Ｂ図に於て、内側検査パタ
ーン１３はフォトマスク・パターン１１の収縮パターン
である。その収縮パターンは不整列もしくは装置の不具
合が偽信号を生じない様にするためのガード・バンド（
保護帯域）を生じる。第２Ｃ図に於て、外側検査パター
ン１４がガード・バンドを与えるフォト・マスク・パタ
ーン１１の拡張されたパターンである事が理解できる。

マスクパターンの完全な検査のためには内側及び外側検
査パターンの生成が必要である。

第３図を参照する。フォトマスクを検査するために１検
査パターンによって画成される領域上の固定寸法のオー
バラップする電子ビーム・スポットの歩進状態が示され
る。複数の検査スポットの組に於て、少くとも１つのス
ポットが成る欠陥の面積とほぼ一致し、期待される信号
レベルからの大きなずれを生じる様にスポットをオーバ
ラップさせる。代表的なフォトマスク・パターン１１に
関して、内側検査パターン１５によって画成される領域
の上を複数の電子ビーム・スポット１６をして歩進させ
る。同様にして、一連のオーバラップ・スポット１７が
外側検査パターン１４によって画成される領域上の歩進
を行う。第３図に示す様に、スポット１６及び１７はオ
ーバラップし且つ所要のガード・バンド１８を生じなけ
ればならない。

次に、第４八図ないし第４Ｃ図を参照する。マスク・パ
ターンから検査パターンを生成する際の問題が示される
。問題はマスク・パターン設計データが一連の当接する
基本形状体として表わされる場合に生じる。第４Ａ図に
於てフォトマスク・パターンの一部を示す。フォトマス
クの部分は当接する矩形部２１及び２２よ９成るＬ字形
状部１９である。矩形部２１及び２２の内側の領域を検
査するのに所要のガード・バンドを生せしめるために、
矩形部２１及び２２に対して負のウインデイツジを実施
する。第４Ｂ図に示す様に、結果として得られた負のウ
インデイツジを行った矩形部２６及び２４は、それらの
間に間隙２６を有する。検査パターン２３及び２４は固
定寸法の電子ビーム・スポットでもって歩進させるべき
領域を画成するので、上記間隙２６は検査されない。

第４Ｃ図は上記の問題の１つの解決法を示す。

この解決寸法は、フォトマスク・パターンに於ける全て
の当接する基本形状部を探索し、そして負のウインデイ
ツジを行ったのち、基本形状部を拡張してそれらの形状
部を結合させる探索及び分類アルゴリズムを含む。前記
の様に、探索及び拡張法は各基本形状部と全ての他の基
本形状部との比較を行う点で極めて時間を浪費する方法
である。

複た、検査パターンが２７に於てオーバラップする事と
、歩進された電子ビーム・スポットが基本形状部の当接
する個所に於てオーバラッグする事とを保証するために
何等かの手段を用いなければならない。

第１図は本発明に従ってマスク・パターンから検査パタ
ーンを生成するプロセスを示す。第１図の方法はフォト
マスク・パターン（ブロック２８）について実施される
。フォトマスク・パターンは一連の基本形状、例えば一
連の矩形で表わされる。

各矩形は第６図に関連して示す様に下方左手の隅のＸ−
Ｙ座標グラス長さ及び幅によって表現される。本発明の
方法は電子ビーム・カラムのだめのディジタル制御プロ
セサもしくは汎用データ・プロセサニ於ケるコンピュー
タープログラムによって実施しうる。本発明に従い、コ
ンピュータ・プログラムは基本形状に基いて一連の検査
パターンを生成する様に実行される。検査パターンは所
要の一連のオーバラップ検査スポットを呈する様に偏向
ゼネレータもしくは電子ビーム装置のビム制御装置へ与
えられる。

本発明の方法は内側及び外側検査パターンを生成するた
めに用いられる。もしもフォトマスク・パターン・デー
タがり一リアな即ち透明なマスク領域を表わチならば、
内側検査パターンは透明マスク領域を検査するために用
いられ、外側検査パターンは不透明なマスク領域走査す
るために用いられる。一方もしも内側フォトマスク・パ
ターン・データが不透明マスク領域を表わすならば、不
透明マスク領域を走査するために内側検査パターンが用
いられ、外側領域を走査するために外側検査パターンが
用いられる。

内側検査パターン（ブロック２９）を生成するために、
外側検査パターンの生成のステップに付加的なステップ
が必要である。この付加的ステップはブロック３１に示
す反転ステップである。反転オペレーションはパターン
のネガを生成する事によってオペレーションが行われて
いるデータの補数を与える。反転プロセスの細部は第８
図、第９Ａ図ないし第９Ｄ図に関連して説明する。

内側検査パターンのための反転ステップ（ブロック６１
）に続いて、第１の正のウインデイツジ（ブロック６２
）がフオストマスク拳パターン（もしくは反転したフォ
トマスク・パターン）の全てについて実施される。正の
ウインデイツジを実施するための方法は第７図に関連し
て説明する。

次に、第１のウインデイツジを行ったフォトマスク・パ
ターンを反転させる（ブロック３３）。次に第２の正の
ウインデイツジ（ブロック６４）を行う。第１の正のウ
インデイツジ、反転及び第２の正のウインデイツジ等の
スラップによって得られる結果は、フォトマスク・パタ
ーンの内側もしくは外側領域を検査するために用いられ
る一連の検査パターン（ブロック３６）である。

第５Ａ図ないし第５Ｅ図は第１図の方法がどの様にして
第５Ａ図のＬ字状フォトマスク・パターンに対して実行
されるかを示す。第５Ｂ図は内側検ｆパターンを生成す
るだめの第１図のブロック６１に対応する反転を示す。

第５Ｃ図は第１図のブロック６２に対応する第１の正の
ウインデイツジの実施を示す図である。第５Ｄ図は第１
図のブロック３６に対応する反転を示す図である。第５
Ｅ図は第１図のブロック６４に対応する第２の正のウイ
ンデイツジの適用を示す図である。第５Ｅ図に示される
生成された検査パターンは所要のガード・バンド３７並
びに基本形状部の相互に当接する所要のオーバラップ部
３８を含んでいる。第５Ｅ図に対応する矩形データは、
前述の様にしてオーバラップした方形状のスポットをマ
スク上に於て歩進させるために、電子ビーム・カラムの
偏向ゼネレータ（発生器）に与えられる。焦結され□　
た光線、Ｘ線、イオン其他のビムも同様に用いる事がで
きる。

本発明に従い、オーバラップ及びガード・バンドの量は
第１及び第２の正のウインデイツジの量を変える事によ
って独立して変東する事ができる。

所要のガード・バンド及びオーバラップに基づくウイン
デイツジ値の計算式は以下の通シである。

Ｗｉｎｄａｇｅ　１＝Ｇｕａｒｄ　Ｂａｎｄ＋（０，５
）（Ｏｖｅｒｌａｐ）（１）Ｗｉｎｄａｇｅ　２　＝：
（０，５）　（Ｏｖｅ　ｒｌａｐ）　（２）ここでＷｉ
ｎｄａｇｅ　１は第１図のブロック３２に示す各矩形の
辺に対して適用した第１の正つインデイツジの量で；Ｉ
）９．Ｗｉｎｄａｇｅ　２は第１図のブロック３４に示
す各矩形の辺に対して適用した第２の正つインデイツジ
の量である。ＧｕａｒｄＢａｎｄは所要のガード・バン
ドの量であり、０ｖｅｒｌａｐ　は所要のオーバラップ
量である。

Ｗｉｎｄａｇｅ　１、Ｗｉｎｄａｇｅ　２、Ｇｕａｒｄ
　Ｂａｎｄ及び０ｖｅｒｌａｐ　は夫々距離の単位、例
えばミクロンで表わされる。従って、ガード・バンドも
オーバラップも夫々独立に制御する事ができる。

第１図の方法は基本形状が矩形である様なフォトマスク
・パターンに関連して説明した。しかしながら、本発明
は円、平行四辺形などの他の基本形状にも適用しうる。

ベクトル走査矩形ゼネレータではない選択的放射偏向ゼ
ネレータも、ガード・バンドを含む部分的にオーバラッ
プした検査パターンが必要であるので、本発明の方法を
必要とするであろう。例えば、連続掃引、丸型スポット
、シスター走査を用いる偏向ゼネレータのための検査走
査データは、ラスター掃引に垂直な方向にシスタの線間
の分離を維持するために必要な所要のガード・バンド及
びオーバラップ並びに掃引の方向に於て掃引の連続性を
維持するために必要なオーバラップを与える関数から成
っている。オーバラップは方向が異なると異なった値に
なる事にも注目されたい。

第６図は所定の矩形部に対してウインデイツジを施す例
を示す。矩形部３９はその下方左隅のＸ−Ｙ座標プラス
その幅（Ｗ）及び高さくＨ）で指定される。正もしくは
負のウインデイツジを実施するための式を以下に示す。

Ｗｉｎｄａｇｅ＝±Ａ Ｘ＝Ｘ　１−　（±Ａ） ｙ＝ｙ　１−　（±Ａ） Ｗ＝’Ｗ１＋２（±Ａ） １（＝Ｈ１＋２（±Ａ） 矩形の辺あたり夫々Ａユニットを加えるか引く事によっ
て定義される所定の正のウンイデイツジ（矩形４１）も
しくは負のつ１ンデイツジ（矩形４２）を実施するため
に、ウインデイツジを施した矩形パラメータ（Ｘ、　Ｙ
、　Ｗ、　Ｈ）が用いられる。

矩形は他の方法を用いて、例えば隣接しない隅部のＸ−
Ｙ座標を与える事によって指定する事が出来並びにそれ
、に従ってウインデイツジを行った矩形のパラメータを
計算しうる事は言うまでもない。

第７図は正のウインデイツジ（第１図のブロック３２も
しくは３４）を実施するステップの詳細を示す。まず矩
形データの入力ファイルから成る形状部が読取られる（
ブロック４３）。正のウインデイツジを施す（ブロック
４４）。次に正のウインデイツジを行った形状パラメー
タを出力ファイルへ書込む（ブロック４６）。最後の矩
形が処理されてしまうまで順次矩形を読取シ、処理する
（ブロック４７）。

第８図は、第９八図ないし第９Ｄ図に示す幾何学的な例
に関連した反転（第１図のブロック６１及び３３に相当
）を実施する方法の詳細を説明する図である。しかしな
がら、本発明に関連して反転を実施するために他の方法
を用いうる事は言う迄もない事である。第９Ａ図ないし
第９Ｄ図は、夫々パラメータ（ｘｉ、Ｙｌ、Ｗｌ、Ｈｌ
）及び（Ｘ２、Ｙ２、Ｒ２、Ｒ２）を有する矩形パター
ンＤＩ、Ｄ２よりなるＬ字型の形状（第９Ａ図）の反転
を説明する図である。なお着目している全領域ＲＯのパ
ラメータは（ＸＯｌＹＯｌＷＯｌＨ〔である（第９Ｂ図
）。反転は全領域の矩形ＲＯの座標を入力する事によっ
て開始される（第８図のブロック４７及び第９Ｂ図）。

次に第１のパターンである矩形Ｄ１を読取る（ブロック
４８）。第１の領域（ＲＯ）がインデックスされ（ブロ
ック４９）、この現在の領域及びその矩形パターンがオ
ーバラップするかどうかを判定する（ブロック５１）。

もしもこれらがオーバラップするならば、Ｒに関するリ
ストから第１のＲを削除し、Ｄの中にないＲの領域をカ
バーする新規な矩形がセーブされる（ブロック５２）。

このオベレー７ヨンが第９Ｃ図に示される。ＲＯが削除
され、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ６及びＲ４がセーブされる。

Ｒ２：Ｘ０１Ｙ　１　＋Ｈ１、ＷＯｌＨｏ−（Ｙｌ−１
４１）Ｒ２：ＸＯ，Ｙｌ、Ｘｌ−ＸＯｌ）ＩＩＲ３：Ｘ
０１ＹＯ１ＷＯ１Ｙ１−ＹＯ Ｒ４：　Ｘ１＋Ｗ１、Ｙｌ、ｗ□−（ｗ１＋（ｘｌ−ｘ
ｏ））、Ｈｌよって、Ｄｌが除去された事になる。次に
ブロック５６に於て、ステップは次の領域Ｒへ指向され
る（但しこの場合は次の領域Ｒは存在しない）。

全ての領域Ｒが処理されてしまうと（ブロック５４）、
第１パターンの矩形Ｄ１について説明したプロセスの様
に次の矩形パターンＤが処理される（ブロック５６）。

第９Ｄ図に示される様に、第２回目のバスに於てＤ２が
除去され、Ｒ５及びＲ６が生成され、Ｒ４が除去される
。

Ｒ１：Ｘ０１Ｙ１＋Ｈ１、ＷＯｌＨＯ−（Ｙ１十Ｈ１）
Ｒ２：Ｘ０１Ｙ１、Ｘｌ−ＸＯ１Ｈ１ Ｒ３：Ｘ０１ＹＯ１ＷＯ１Ｙ１−ＹＯ Ｒ５：　Ｘ１＋Ｗ１゜Ｙ１＋Ｈ２、ｗｏ−（ｗ１＋（ｘ
ｌ−ｘｏ））１−Ｒ２ Ｒ６：　Ｘ２＋Ｗ２、Ｙｌ、ＷＯ−（Ｗ１＋（Ｘｌ−Ｘ
２））　−Ｒ２プロセスの最後の段階（ブロック５７）
に於て、全ての矩形パターンＤが消去され、領域Ｒが反
転された領域として出力される。従って反転オペレーシ
ョンの結果として元の矩形の組によって含まれない領域
・全体を構成する一連の矩形が得られる。

本発明に於て、フォトマスク・パターン２８（第１図）
は、ディジタル信号処理に於ける如く、一連の基本形状
として表現される事を理解されたい。もしもそうでない
ならば、複雑なフォトマスク・パターンは基本形状に変
換しなければならない。例えば、もしもフォトマスク・
パターンが多角形を用いて表現されるならば、多角形を
一連の矩形に変換するために、垂直結合オペレーション
が実施される。垂直結合によって成る多角形の各隅部が
調べられ、多角形の内部を横切る最も近い辺まで隅部が
垂直に伸長される。第１０Ａ図は多角形のフォトマスク
・パターンを、第１０Ｂ図は垂直結合を行う事によって
生成された一連の矩形を示している。水平その他による
結合技術を用いてもよい事を理解されたい。同様に、も
しも反転オペレーションの結果が一連の矩形として表わ
されないならば、反転後即ち第１図のブロック３１及び
３２の間並びにブロック３３及び３４の間に多角形−矩
形変換ステップを挿入しなければならない。

本発明は多種の他のパターン状のワークピースに関して
用い得る事、検査のために電子ビーム以外の手段を用い
得る事を理解されたい。即ち、可視光、赤外光、Ｘ線等
を用いる事が可能である。

更に透過性の及び反射性のワークピースを用いる事も可
能である。更に検査装置は露光のために用いたものと異
なる放射線を用いてもよい。例えば検査用に反射電子ビ
ームを用い、露光のために透過性の光学ビームを用いる
事ができる。

〔発明の効果〕

本発明によって、探索及び分類を用いる技術を採用する
事なく所望のオーバラップ及びガード・バンドを呈する
ワークピースのパターンヲ検査するための検査パターン
の単純且つ経済的な生成方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法に従ってフォトマスク・パターン
から検査パターンを生成するプロセスを説明する図、第
２図はフォトマスク・パターンを示す図、第２Ｂ図は内
側検査パターンを示す図、第２Ｃ図は外側検査パターン
を示す図、第３図はオーバラップする検査スポットの配
置を説明する図、第４Ａ図ないし第４Ｃ図はマスクのパ
ターンから検査パターンを生成する場合の問題点を説明
する図、第５Ａ図ないし第５Ｅ図は第１図のステップを
説明する図、第６図はウインデイツジ・オペレーション
を説明する図、第７図はウインデイツジを実施するステ
ップを示す図９、第８図は反転を実施するステップを示
す図、第９Ａ図ないし第９Ｄ図は反転ステップをより具
体的に説明する図、第１０Ａ図及び第１０Ｂ図は垂直結
合オペレーションを説明する図である。 １１・・・・多角形、１２・・・・フォトマスク・サブ
フィールド、１３・・・・内側検査パターン、１４・・
・・外側検査パターン 出願人インターナショナノービジネス・マシーンズ・コ
ーポレーション代理人　弁理士　岡　１）　次　生 （外１名） 第１図 第２Ａ図　第２Ｂ図 第２Ｃ図 噌唱 第３図 第４Ａ図 第４Ｂ図 第４Ｃ図 第１０Ａ図　第１０Ｂ図 第１頁の続き ０発　明　者　ジャン・ロゴスキー　アメズ、 ＠発明者　ロパート・アーサー・　アメシンプソン　ズ
、 ０発　明　者　ニドワード・ビクタ　アメ−、ウニ、＜
−ヒル リカ合衆国ニューヨーク州ワッピンジャーズ・ホールマ
ーラービル・ロード１７番地 リカ合衆国ニューヨーク州ワッピンジャーズ拳ホールヒ
ルトップ・ドライブ３幡地 リカ合衆国ニューヨーク州ポーキプシー、ラウンド・・
ロード６幡地 手続補正書（昼） 昭和６０年　４月／Ｑ日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示 昭和５９年　特許願　第２５０６６８号２、発明の名称 検査パターンの生成方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 発明の詳細な説明の欄第２頁第１行の［［従来技術］」
ないし第３頁第６行の［・・・書に開示されている。」
までの記載を下記の様に補正する。 ［［従来技術］ 集積回路（ＩＣ）の製造に於て、ＩＣの上に・形成した
放射線に対して感度を有する層に対してパターンを露光
するためにフォトマスクを用いる事は公知の技術である
。フォトマスクのパターン自体は、焦結された電子ビー
ムもしくは他の選択的放射源による選択的放射によって
形成し得る。この場合、光もしくは他の適当な放射をフ
ォトマスクを介してＩＣ上の放射線感光層へ投射し、該
層にフォトマスク・パターンの像を形成する。ＩＣチッ
プのためのフォトマスク・パターンは最近ますます複雑
化している。 よってマスクに於ける欠陥は、歩留りと信頼性の低下に
大きく影響する。従って、フォトマスクの欠陥検査が必
要である。 直接書き込み型の電子ビーム・リソグラフィを用いるフ
ォトマスクの検査技術が、プロシーティンゲス・オブ・
インターナショナル・ソサエティ・フォア・オプティカ
ル・エンジニアリング（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ
　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　５ｏｃｉｅｔｙｆｏｒ
　０ｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）Ｖｏｌ、
　３３４　、１９８２のＰ、Ｐ、２３０〜２３７におけ
るＲ、Ａ、Ｓｉｍｐｓｏｎ等の論文並びに米国特許第４
３６５１６３号明細書に開示されている。」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ワークピースのパターンに対して第１の正のウインデイ
   ツジを実施し、 上記ウインデイツジによって生じたパターンを反転し、 上記反転によって生じたパターンに対して第２の正のウ
   インデイツジを実施する事を特徴とする検査パターンの
   生成方法。