JPS6020172A - 放射性ガス注入量モニタ装置 - Google Patents
放射性ガス注入量モニタ装置Info
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- JPS6020172A JPS6020172A JP12814183A JP12814183A JPS6020172A JP S6020172 A JPS6020172 A JP S6020172A JP 12814183 A JP12814183 A JP 12814183A JP 12814183 A JP12814183 A JP 12814183A JP S6020172 A JPS6020172 A JP S6020172A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radioactive gas
- emitted
- gamma rays
- scintillator
- incidence
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/28—Measuring radiation intensity with secondary-emission detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は放射性ガスを固定する部材に固定された放射性
ガスの状態を検出する放射性ガス注入量モニタ装置にｒ
ｊＡ′する。
ガスの状態を検出する放射性ガス注入量モニタ装置にｒ
ｊＡ′する。
し発明の技術的背景］
第１図はＫｒ −８５のような放射性ガスを固定化する
放射性ガス固定化装置を示すもので、この放射性ガス固
定化装置では、Ｋｒ −８５を）９人する配管１と、銅
またはニッケル等の金属で構成された中心電極２と、こ
の中心電極２を同軸状に取り囲む円周電極３とからなる
１１Ｎ、電チェンバーが形成されている。なお、図にお
いて符号２ａは中心電極２を冷却する冷却配管を、符号
３８は放電チエンバー内を減圧する減圧配管を示してい
る。
放射性ガス固定化装置を示すもので、この放射性ガス固
定化装置では、Ｋｒ −８５を）９人する配管１と、銅
またはニッケル等の金属で構成された中心電極２と、こ
の中心電極２を同軸状に取り囲む円周電極３とからなる
１１Ｎ、電チェンバーが形成されている。なお、図にお
いて符号２ａは中心電極２を冷却する冷却配管を、符号
３８は放電チエンバー内を減圧する減圧配管を示してい
る。
このにうな放射性ガス固定化装置では、第２図に示−！
Ｊにうに、中心電極２がアース電位に円周電極３が−４
ｋＶ程度の高電圧に保持され、放電によりＫｒ−８５が
イオン化され、Ｋｒ −８５イオン４になり、このＫｒ
’−８５イオン４は電界によって加速され、円周電極３
の内側に打ち込まれて固定化される。
Ｊにうに、中心電極２がアース電位に円周電極３が−４
ｋＶ程度の高電圧に保持され、放電によりＫｒ−８５が
イオン化され、Ｋｒ −８５イオン４になり、このＫｒ
’−８５イオン４は電界によって加速され、円周電極３
の内側に打ち込まれて固定化される。
しかしながら、このような方法で放射性ガスを固定化す
る場合には、ある時間がたっとＫｒ −（３５イオン４
が円周電極３に打ち込まれて固定化する割合と、Ｋｒ
−８５イオン４により円周電極３に固定化されたＫｒ
−８５がたたき出される割合が平衡に達してＫｒ −８
５の固定化が限度に達する。
る場合には、ある時間がたっとＫｒ −（３５イオン４
が円周電極３に打ち込まれて固定化する割合と、Ｋｒ
−８５イオン４により円周電極３に固定化されたＫｒ
−８５がたたき出される割合が平衡に達してＫｒ −８
５の固定化が限度に達する。
そこで、この時、第３図に示すように、中心電極２に−
４ｋＶ程度の電圧が印加され、円周電極３がアースされ
る。この結果、Ｋｒ −８５イオン４は中心電極２にぶ
つかりこの中心電極２の金属原子６がスパッタされ、円
周電極３の内周に沈着され、円周電極３にたたきこまれ
たＫｒ −８５ガス５が固定化される。そしである程度
の厚さまで金属層が沈着されると第２図に示す状態に戻
され、Ｋｒ−８５イオン４が再度円周電極３の内面に打
ち込まれる。
４ｋＶ程度の電圧が印加され、円周電極３がアースされ
る。この結果、Ｋｒ −８５イオン４は中心電極２にぶ
つかりこの中心電極２の金属原子６がスパッタされ、円
周電極３の内周に沈着され、円周電極３にたたきこまれ
たＫｒ −８５ガス５が固定化される。そしである程度
の厚さまで金属層が沈着されると第２図に示す状態に戻
され、Ｋｒ−８５イオン４が再度円周電極３の内面に打
ち込まれる。
すなわち、以上のように構成された放射性ガス固定化装
置では、このような動作を繰り返し、Ｋｒ−８５ガスが
入り込んでいる沈着層７を順次成長さぜ、Ｋｒ −８５
ガスが固定化される。
置では、このような動作を繰り返し、Ｋｒ−８５ガスが
入り込んでいる沈着層７を順次成長さぜ、Ｋｒ −８５
ガスが固定化される。
［背景技術の問題点］
しかしながら、従来のこのような方法により放射性ガス
を固定化する場合には、Ｋｒ−８５の沈着層７の厚さを
正確に計測する適当な手段がなく、また円周電極３に固
定化されたＫｒ−８５ガスの濃度分布を計測する適当な
手段がないという問題がある。
を固定化する場合には、Ｋｒ−８５の沈着層７の厚さを
正確に計測する適当な手段がなく、また円周電極３に固
定化されたＫｒ−８５ガスの濃度分布を計測する適当な
手段がないという問題がある。
すなわち、円周電極３に固定化されたＫｒ −８５量お
よびこのＫｒ−８５の状態が不明であり、固定化の安全
性および信頼性を保証することができないという問題が
あった。
よびこのＫｒ−８５の状態が不明であり、固定化の安全
性および信頼性を保証することができないという問題が
あった。
［発明の目的］
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
放射性ガスの邑およびその沈着状態を容易に判別するこ
とができ、放射性ガス廃棄物処理の安全性および信頼性
を向上することのできる放射性ガス注入ｍモニタ装置を
提供しようとするものである。
放射性ガスの邑およびその沈着状態を容易に判別するこ
とができ、放射性ガス廃棄物処理の安全性および信頼性
を向上することのできる放射性ガス注入ｍモニタ装置を
提供しようとするものである。
［発明の概要］
すなわち本発明は、一定間隔をおいて平行に配設される
複数のコリメータと、これらのコリメータの間にそれぞ
れ配設され放射性ガスを固定された放射性ガス固定部材
から放出されるγ線を検出する放射線検出器と、これら
の放射線検出器で検出された信号をそれぞれ増幅する増
幅器と、これらの増幅器で増幅された信号をそれぞれ前
記コリメータと前記放射性ガス固定部材との位置関係と
ともに記憶する記憶装置と、この記憶装置に記憶された
情報を入力し前記放射性ガス固定部材に固定される放射
性ガスの断面分布を構成する演算装置とを備えたことを
特徴とする放射性ガス注入量モニタ装置である。
複数のコリメータと、これらのコリメータの間にそれぞ
れ配設され放射性ガスを固定された放射性ガス固定部材
から放出されるγ線を検出する放射線検出器と、これら
の放射線検出器で検出された信号をそれぞれ増幅する増
幅器と、これらの増幅器で増幅された信号をそれぞれ前
記コリメータと前記放射性ガス固定部材との位置関係と
ともに記憶する記憶装置と、この記憶装置に記憶された
情報を入力し前記放射性ガス固定部材に固定される放射
性ガスの断面分布を構成する演算装置とを備えたことを
特徴とする放射性ガス注入量モニタ装置である。
［発明の実施例］
以下本発明の詳細を図面に示づ一実施例について説明す
る。
る。
第４図は本発明の一実施例の放射性ガス注入量モニタ装
置を示すしので、図において符号９は、例えばタングス
テン、モリブデン、タンタル等の重金属からなるコリメ
ータを示しており、このコリメータはほぼ平行に等間隔
に配設されている。
置を示すしので、図において符号９は、例えばタングス
テン、モリブデン、タンタル等の重金属からなるコリメ
ータを示しており、このコリメータはほぼ平行に等間隔
に配設されている。
これ等のコリメータ９の間には、例えばビスマスジャー
マネイｌ−（ＢＧＯ）、Ｎａ Ｌ Ｃ８Ｉ、Ｃｄ Ｗ
０４等からなるシンチレータ１ｏが配設されている。シ
ンチレータ１０の背面には前面が透明とされる真空容器
１８が配設されており、この真空容器１８内には多数の
例状の光電面１２、マイクロチャンネルプレート１４お
よびマルチアノード１６とからなる検出系が封入されて
いる。
マネイｌ−（ＢＧＯ）、Ｎａ Ｌ Ｃ８Ｉ、Ｃｄ Ｗ
０４等からなるシンチレータ１ｏが配設されている。シ
ンチレータ１０の背面には前面が透明とされる真空容器
１８が配設されており、この真空容器１８内には多数の
例状の光電面１２、マイクロチャンネルプレート１４お
よびマルチアノード１６とからなる検出系が封入されて
いる。
なおマルチアノード１６はシンチレータ１ｏおよび光電
面１２の間隔と等しいピッチで配列されている。図にお
いて符号１７はマルヂアノード１６からの出力信９を増
幅しパルスイｔ＠に変操す゛るアンプ群を示しており、
また符号２３は、このアンプ群１７の出力をコリメータ
９と円周電極３との位置関係とともに計数記憶する記憶
装置であるスケーラメモリを示している。符号２４はス
ケーラメモリ２３に記憶された多数のデータを処理し放
射性ガスの断面分布を構成するコンピュータを示してお
り、また符号２５はこのコンピュータ２４で処理された
データを画像表示するＣＲＴを示している。
面１２の間隔と等しいピッチで配列されている。図にお
いて符号１７はマルヂアノード１６からの出力信９を増
幅しパルスイｔ＠に変操す゛るアンプ群を示しており、
また符号２３は、このアンプ群１７の出力をコリメータ
９と円周電極３との位置関係とともに計数記憶する記憶
装置であるスケーラメモリを示している。符号２４はス
ケーラメモリ２３に記憶された多数のデータを処理し放
射性ガスの断面分布を構成するコンピュータを示してお
り、また符号２５はこのコンピュータ２４で処理された
データを画像表示するＣＲＴを示している。
以上のように構成された放射性ガス注入ｍ七二タ装置で
は、高圧電源２０．２１．２２により高電圧がそれぞれ
マイクロチャンネルプレート１４に印加され、また光電
面１２には高圧電源１９により負の高電圧が印加される
。
は、高圧電源２０．２１．２２により高電圧がそれぞれ
マイクロチャンネルプレート１４に印加され、また光電
面１２には高圧電源１９により負の高電圧が印加される
。
そして、このような放射性ガス注入量モニタ装置では、
Ｋｒ−８５からのγ線８がシンチレータ１０のうちの１
つに入射するとシンチレータ１０の作用により光子１１
が放出される。この光子１１は前面が透明の真空容器１
８を通過し光電面１２に入則し、この光子１１により光
電面１２からは光電子１３が放出される。この光電子１
３は周囲の電界に加速され、マイクロチ１アンネルプレ
ート１４に入射する。
Ｋｒ−８５からのγ線８がシンチレータ１０のうちの１
つに入射するとシンチレータ１０の作用により光子１１
が放出される。この光子１１は前面が透明の真空容器１
８を通過し光電面１２に入則し、この光子１１により光
電面１２からは光電子１３が放出される。この光電子１
３は周囲の電界に加速され、マイクロチ１アンネルプレ
ート１４に入射する。
このマイクロチャンネルプレート１４は、例えば内径１
０〜２０μｍのＩＩいガラス管（チャンネル）を多数束
ね、厚さ０．５〜１龍程度の円板にしたもので、チャン
ネル内壁は適当な抵抗値を持つ２次電子放出材料でコー
ティングされており、チャンネル１本１本が独立した連
続２次電子増倍器を形成している。従って、光電子１３
がこのマイクロチャンネルプレート１４に入射すると、
光電子１３がチャンネル内壁にぶつかり２次電子が放出
され、この放出された２次電子が次々とチャンネル内に
ぶつかり２次電子が増イ８して放出される。
０〜２０μｍのＩＩいガラス管（チャンネル）を多数束
ね、厚さ０．５〜１龍程度の円板にしたもので、チャン
ネル内壁は適当な抵抗値を持つ２次電子放出材料でコー
ティングされており、チャンネル１本１本が独立した連
続２次電子増倍器を形成している。従って、光電子１３
がこのマイクロチャンネルプレート１４に入射すると、
光電子１３がチャンネル内壁にぶつかり２次電子が放出
され、この放出された２次電子が次々とチャンネル内に
ぶつかり２次電子が増イ８して放出される。
このようにして増倍された２次電子１５は、入射した光
電子１３の数の１０６倍程度になる。この２次電子１５
はマルチアノード１６にＪ：り収集され、マルチアノー
ド１６からパルス幅約１０１１３ｅｃＰｉ！度の電荷パ
ルスが発生される。この電荷パルスは高速のアンプ群１
７により増幅パルス成形され、スケーラメモリ２３に記
憶される。
電子１３の数の１０６倍程度になる。この２次電子１５
はマルチアノード１６にＪ：り収集され、マルチアノー
ド１６からパルス幅約１０１１３ｅｃＰｉ！度の電荷パ
ルスが発生される。この電荷パルスは高速のアンプ群１
７により増幅パルス成形され、スケーラメモリ２３に記
憶される。
このようにしである１方向からのγ線強度の空間分布が
計測され記憶される。この後、放電チェンバーの円周電
極３が軸を中心に微小角度例えば矢符Ａ方向に回転され
、他の方向からのγ線強度の空間分布が順次計測され記
憶される。
計測され記憶される。この後、放電チェンバーの円周電
極３が軸を中心に微小角度例えば矢符Ａ方向に回転され
、他の方向からのγ線強度の空間分布が順次計測され記
憶される。
このようにして円周電極３のあらゆる角度方向からのγ
線強度の空間分布データが得られたならば、この空間分
布に基づいてコンピュータ２４により画像再構成処理が
行なわれる。そして、コンピュータ２４によりめられた
円周電極３のＫｒ−８５の２次元断面分布の画像がＣＲ
Ｔ ２５上に表示される。
線強度の空間分布データが得られたならば、この空間分
布に基づいてコンピュータ２４により画像再構成処理が
行なわれる。そして、コンピュータ２４によりめられた
円周電極３のＫｒ−８５の２次元断面分布の画像がＣＲ
Ｔ ２５上に表示される。
［発明の効果１
以上述べたように本発明の放射性ガス注入ｍ七二タ装置
によれば、円周電極内に形成される沈着層の２次元分布
状態を容易に画像表示することができ、放射性ガスの遍
在による発熱事故やトラブルを未然に防止することがで
きる。従って、放射性ガス廃棄物処理の安全性および信
頼性を従来にり大幅に向上することができる。
によれば、円周電極内に形成される沈着層の２次元分布
状態を容易に画像表示することができ、放射性ガスの遍
在による発熱事故やトラブルを未然に防止することがで
きる。従って、放射性ガス廃棄物処理の安全性および信
頼性を従来にり大幅に向上することができる。
なお以上述べた実施例では、放射性ガスとしてクリプト
ンを使用した例について説明したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものではなく、キセノン、ヘリウム、
１−リチウム等の放射性ガスにも適用できることは勿論
である。
ンを使用した例について説明したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものではなく、キセノン、ヘリウム、
１−リチウム等の放射性ガスにも適用できることは勿論
である。
第１図はｔｌｉ躬性方性ガス固定化装置す縦断面図、第
２図および第３図は第１図に示す放射性ガス固定化装置
の横断面図、第４図は本発明の一実施例の放射性ガス注
入量モニタ装置を示すブロック図である。 ２・・・・・・・・・・・・中心電極 ３・・・・・・・・・・・・円周電極 ７・・・・・・・・・・・・沈着層 ９・・・・・・・・・・・・コリメータ１０・・・・・
・・・・・・・シンチレータ１２・・・・・・・・・・
・・光電而 １４・・・・・・・・・・・・マイクロチャンネルプレ
ート１６・・・・・・・・・・・・マルチアノード１７
・・・・・・・・・・・・アンプ群２３・・・・・・・
・・・・・スケーラメモリ２４・・・・・・・・・・・
・コンピュータ２５・・・・・・・・・・・・ＣＲＴ 代理人弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２区 第３図
２図および第３図は第１図に示す放射性ガス固定化装置
の横断面図、第４図は本発明の一実施例の放射性ガス注
入量モニタ装置を示すブロック図である。 ２・・・・・・・・・・・・中心電極 ３・・・・・・・・・・・・円周電極 ７・・・・・・・・・・・・沈着層 ９・・・・・・・・・・・・コリメータ１０・・・・・
・・・・・・・シンチレータ１２・・・・・・・・・・
・・光電而 １４・・・・・・・・・・・・マイクロチャンネルプレ
ート１６・・・・・・・・・・・・マルチアノード１７
・・・・・・・・・・・・アンプ群２３・・・・・・・
・・・・・スケーラメモリ２４・・・・・・・・・・・
・コンピュータ２５・・・・・・・・・・・・ＣＲＴ 代理人弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２区 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１〉一定Ｍ隔をおいて平行に配設される複数のコリメ
ータと、これらのコリメータの間にそれぞれ配設され放
射性ガスを固定された放射性ガス固定部材から放出され
るγ線を検出する放射線検出器と、これらの放射線検出
器で検出された信号をそれぞれ増幅する増幅器と、これ
らの増幅器で増幅された信号をそれぞれ前記コリメータ
と前記放射性ガス固定部材との位置関係とともに記憶す
る記憶装置と、この記憶装置に記憶された情報を入力し
前記放射性ガス固定部材に固定される放射性ガスの断面
分布を構成する演算装置とを備えたことを特徴とする放
射性ガス注入量モニタ装置。 （２）放射線検出器は、γ線の入射により光子を放出す
るシンチレータと、このシンチレータから放出される前
記光子の入射により光電子を放出づ゛る光電面と、この
光電面から放出される前記光電子の入射により２次電子
を放出するマイクロチャンネルプレートと、このマイク
ロチ１１ンネルプレートから放出される前記２次電子を
収集し電荷パルスを発生づるマルチアノードとからなる
特許請求の範囲第１項記載の放射性ガス注入量モニタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814183A JPS6020172A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 放射性ガス注入量モニタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12814183A JPS6020172A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 放射性ガス注入量モニタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020172A true JPS6020172A (ja) | 1985-02-01 |
Family
ID=14977409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12814183A Pending JPS6020172A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 放射性ガス注入量モニタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339531U (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-16 |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP12814183A patent/JPS6020172A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339531U (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-16 |
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