JPS60201968A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS60201968A JPS60201968A JP5792384A JP5792384A JPS60201968A JP S60201968 A JPS60201968 A JP S60201968A JP 5792384 A JP5792384 A JP 5792384A JP 5792384 A JP5792384 A JP 5792384A JP S60201968 A JPS60201968 A JP S60201968A
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- JP
- Japan
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- conductor
- bonding terminal
- individual
- bonding
- conductors
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100425597 Solanum lycopersicum Tm-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、サーマルへ、ドに関し、とくにその導電体の
形状に関するものでおる。
形状に関するものでおる。
以下、従来例を図面を参照して説明する。第１図はライ
ンプリンタ用サーマルヘッドの要部平面図例を示す。同
図において、単一のドライバ用ＩＣに接続される発熱抵
抗体几ｓ−Ｒ，，は、共通電極Ｏから短冊形に分岐した
導電体Ｏ１−〜に接続して形成される。抵抗体の他端に
は多数の個別導電体Ｌ１〜Ｌｍが接続され、これらの個
別導電体は■０のポンディング端子Ｔ、〜Ｔｍまで延長
して形成される。個別導電体上には、絶縁層を介して破
肪で示すＩＣが搭載される０本構造を基本形として基板
上に多数配置したものがラインプリンタ用サーマルへ、
ドである。
ンプリンタ用サーマルヘッドの要部平面図例を示す。同
図において、単一のドライバ用ＩＣに接続される発熱抵
抗体几ｓ−Ｒ，，は、共通電極Ｏから短冊形に分岐した
導電体Ｏ１−〜に接続して形成される。抵抗体の他端に
は多数の個別導電体Ｌ１〜Ｌｍが接続され、これらの個
別導電体は■０のポンディング端子Ｔ、〜Ｔｍまで延長
して形成される。個別導電体上には、絶縁層を介して破
肪で示すＩＣが搭載される０本構造を基本形として基板
上に多数配置したものがラインプリンタ用サーマルへ、
ドである。
さて、総抵抗体本数が１７２８本であり、解像度が８本
／澗であるＡ４版サーマルヘッド金−例として説明する
。単一の工０が３２本の抵抗体全駆動する場合（即ちｍ
＝３２）には、そのＩＣは４、０ ｍｓのど、チで合計
５４個基板上に配置される。
／澗であるＡ４版サーマルヘッド金−例として説明する
。単一の工０が３２本の抵抗体全駆動する場合（即ちｍ
＝３２）には、そのＩＣは４、０ ｍｓのど、チで合計
５４個基板上に配置される。
また、ｍ＝５４の場合には、ＩＣは８．０ｍのピッチで
合計２７個基板上に配置される。
合計２７個基板上に配置される。
ここでｍ、、＝３２とし、抵抗体几、〜Ｒｍのバタン幅
を各々０．１１５ｍとし、抵抗体の間隔ｉ０．０１ｍｍ
とすると、′ａ′で示す距離は３．９９ｗａ＊となる。
を各々０．１１５ｍとし、抵抗体の間隔ｉ０．０１ｍｍ
とすると、′ａ′で示す距離は３．９９ｗａ＊となる。
また、′ｂ′で示す距離は、隣接したＩＣのボンディン
グ端子との間隔ｆ ０．１ ｍｍとすると、３．９０ｍ
＋となる。ところでボンディング端子Ｔ１〜Ｔｍの寸法
（２／として、望ましくは０．５ｍが必要とされるので
、′Ｓ′で示す領域の個別導電体Ｌ１〜Ｌｍのバタン幅
は（３，９＋ｍ−０，５ｍＸ２ ）÷３２中０．０９１
ｍ以下となる。即ちバタン間隔ｉ０．０１＋ｏａとす
れば、バタン幅は凡そ０．０８ ｍｓとなバ抵抗体ｌＬ
、 −ａｍと接する領域の個別導電体幅０．１１５關の
７０％程度となる。ボンディング端子Ｔｐｅ Ｔ ＋ａ
＋ ’ｌ”ｇ ｋ Ｔａ ｙ ＋Ｔｍ ｆ Ｔ３１
とすると、導電体幅の狭い領域ゝＳ′は’ｒｔａ及びＴ
８．が最も長く、Ｔ１及びＴ８．が最も短かくなり、従
ってＬｌ、Ｌ３１の導体抵抗はＬ１６．Ｌｌ７の導体抵
抗よりも数オーム程低い値となる。例えば、ここで導体
抵抗の差を５Ωとし、■モ、〜Ｒｍの抵抗値上３００Ω
とすると、電源電圧１２Ｖの定格動作において５Ωの抵
抗偏差は０．ＯＩＷの電力偏差となり、サーマルへ、ド
の印字記録濃度に周期性の濃度偏差をもたらす。即ち５
４個のＩＯの端子’ｒｐ、’ｒｇに相当する部分に接続
された抵抗体によって記録された印字濃度は最も低く、
Ｔｌ１ＴＩｎに相当する部分に接続された抵抗体によっ
て記録された印字濃度は最も高くなる。
グ端子との間隔ｆ ０．１ ｍｍとすると、３．９０ｍ
＋となる。ところでボンディング端子Ｔ１〜Ｔｍの寸法
（２／として、望ましくは０．５ｍが必要とされるので
、′Ｓ′で示す領域の個別導電体Ｌ１〜Ｌｍのバタン幅
は（３，９＋ｍ−０，５ｍＸ２ ）÷３２中０．０９１
ｍ以下となる。即ちバタン間隔ｉ０．０１＋ｏａとす
れば、バタン幅は凡そ０．０８ ｍｓとなバ抵抗体ｌＬ
、 −ａｍと接する領域の個別導電体幅０．１１５關の
７０％程度となる。ボンディング端子Ｔｐｅ Ｔ ＋ａ
＋ ’ｌ”ｇ ｋ Ｔａ ｙ ＋Ｔｍ ｆ Ｔ３１
とすると、導電体幅の狭い領域ゝＳ′は’ｒｔａ及びＴ
８．が最も長く、Ｔ１及びＴ８．が最も短かくなり、従
ってＬｌ、Ｌ３１の導体抵抗はＬ１６．Ｌｌ７の導体抵
抗よりも数オーム程低い値となる。例えば、ここで導体
抵抗の差を５Ωとし、■モ、〜Ｒｍの抵抗値上３００Ω
とすると、電源電圧１２Ｖの定格動作において５Ωの抵
抗偏差は０．ＯＩＷの電力偏差となり、サーマルへ、ド
の印字記録濃度に周期性の濃度偏差をもたらす。即ち５
４個のＩＯの端子’ｒｐ、’ｒｇに相当する部分に接続
された抵抗体によって記録された印字濃度は最も低く、
Ｔｌ１ＴＩｎに相当する部分に接続された抵抗体によっ
て記録された印字濃度は最も高くなる。
このような欠点を除去する手法として、例えば特願昭５
８−１８５４２８にある如く、４屯体Ｌ１〜Ｌｍの導体
抵抗を均一化する方法が一般に用いられる。即ち、抵抗
体Ｉｔ、〜Ｈ，ｍに接続される個別導電体Ｉ’１−Ｌｔ
ｎに、抵抗部と接するバタン幅（例えば、引例した０、
１１５ ｖｒａｎ ）よりも小さい幅の導体抵抗補正領
域ゝｎ′會設けるものであり、′ｎ ／の領域のバタン
幅は、例えば上記例の０．０８ ｍｍとすることができ
る。このゝｎ′の領域を、例えばＴ１及びＴｍと接続す
る個別導電体Ｌ１及びＬＩｌｌの場合には最も長くとり
％ＴＩまたはＴｍからＴｐまたはＴｇに近づくにつれて
順次単Ｊ１１に短かくシ、Ｔｐ及びＴｇの場合には最も
短かくとることにより、１固別導電体Ｌ１〜Ｌｍの導体
抵抗偏差ｔｉΩ以下と均一化することができる。
８−１８５４２８にある如く、４屯体Ｌ１〜Ｌｍの導体
抵抗を均一化する方法が一般に用いられる。即ち、抵抗
体Ｉｔ、〜Ｈ，ｍに接続される個別導電体Ｉ’１−Ｌｔ
ｎに、抵抗部と接するバタン幅（例えば、引例した０、
１１５ ｖｒａｎ ）よりも小さい幅の導体抵抗補正領
域ゝｎ′會設けるものであり、′ｎ ／の領域のバタン
幅は、例えば上記例の０．０８ ｍｍとすることができ
る。このゝｎ′の領域を、例えばＴ１及びＴｍと接続す
る個別導電体Ｌ１及びＬＩｌｌの場合には最も長くとり
％ＴＩまたはＴｍからＴｐまたはＴｇに近づくにつれて
順次単Ｊ１１に短かくシ、Ｔｐ及びＴｇの場合には最も
短かくとることにより、１固別導電体Ｌ１〜Ｌｍの導体
抵抗偏差ｔｉΩ以下と均一化することができる。
しかしながらｍ＝５４．即ち単一のＩＣが６４本の抵抗
体を駆動する場合には、′ｎ′で示す寸法が長くなり、
ひいてはサーマルへ、ドの基板中が広くなり、製造され
るサーマルヘッドは原価高となるものであった。例えば
、隣接した抵抗体間の％ ｎ ／の寸法差’ｅ ０．３
ｖａｎとすると、ｍ＝３２の場合の１１７寸法は０．
３ｍＸ（３２／２ １）中４．５ｆｌ程度となるのに対
し、ｍ＝６４の場合の１０１寸法は０．３ｗ＋ｎＸ （
６４／２−１ ）中９．３ｍｍ程度と大巾に広くなるも
のでめった。
体を駆動する場合には、′ｎ′で示す寸法が長くなり、
ひいてはサーマルへ、ドの基板中が広くなり、製造され
るサーマルヘッドは原価高となるものであった。例えば
、隣接した抵抗体間の％ ｎ ／の寸法差’ｅ ０．３
ｖａｎとすると、ｍ＝３２の場合の１１７寸法は０．
３ｍＸ（３２／２ １）中４．５ｆｌ程度となるのに対
し、ｍ＝６４の場合の１０１寸法は０．３ｗ＋ｎＸ （
６４／２−１ ）中９．３ｍｍ程度と大巾に広くなるも
のでめった。
従って本発明は上記の欠点を除去するためなされたもの
でるり、導電体Ｌ１〜Ｌ＋ｎの導体抵抗全均一化し、も
ってサーマルへ、ドの記録印字濃度を均一化するととも
に、小型で廉価なサーマルヘッドを提供するものである
。
でるり、導電体Ｌ１〜Ｌ＋ｎの導体抵抗全均一化し、も
ってサーマルへ、ドの記録印字濃度を均一化するととも
に、小型で廉価なサーマルヘッドを提供するものである
。
以下図面にそって本発明の一実施例を説明する。
第２図は抵抗体几、〜ＲＪｎ （ｍ＝６４ ）に接続さ
れる個別導電体幅、〜Ｌｍの曳ｎＩの領域において、Ｔ
、またはＴａｎからＴｐまたはＴｇに近づくにつれてゝ
ｎ′の寸法を順次単調に短かくするのではなく、局所的
に寸法を長くする領域を設けたものであり、かつその領
域に相対応する個別導電体に接続されるボンディング端
子部金階段状又は単調にＩＣのセンター側へ短かくした
ものである。
れる個別導電体幅、〜Ｌｍの曳ｎＩの領域において、Ｔ
、またはＴａｎからＴｐまたはＴｇに近づくにつれてゝ
ｎ′の寸法を順次単調に短かくするのではなく、局所的
に寸法を長くする領域を設けたものであり、かつその領
域に相対応する個別導電体に接続されるボンディング端
子部金階段状又は単調にＩＣのセンター側へ短かくした
ものである。
即ち′ａ′で示す距離は、上記例のＲ１〜Ｉ（、ｍのバ
タン幅を各々０．１１５ｍｍとすると、７．９９ｍとな
る。
タン幅を各々０．１１５ｍｍとすると、７．９９ｍとな
る。
また、ボンディングに所要とする端子長の寸法を各々０
．５鱈とし、−５′領域の個別導電体ピッチ全０．０９
ｍとすると、′ｂ′で示す距離はＴＩ及びＴａｎ部にお
いてはｂ中（０，０９１鴎Ｘ６４＋０．５闘×２）中６
．８ ｖｍ ト’ｘ ルａ ｔ ７’ｃ ’ｒｐ （Ｐ
＝ ３２ ） ＋ ”ｇ （ｇ＝３３）部においては
′ｂ″で示す距離は、ＩＣの幅ｔ２ｍとするとｂ′中（
２Ｉ＋１ＩＩＩ＋〇、５閣Ｘ２）＝３ｍとなる。従って
川からＴｐ部へ、あるいはＴｍからＴｇ部へ個別導電体
が移行するにつれて、即ち搭載工０のセンタ側へ個別導
電体が近づくにつれて、ボンディング端子の距離はｃ＝
（ｂ−ｂ’）／２＝（６，８３）＋ｍ／２＝１．９籠程
度短かくすることができる。このようにボンディング端
子金短かくすると、個別導電体Ｌ３〜ＬＩ１１−２の導
体抵抗は実質的に低くなり、従って％ ｎ ／の導体抵
抗補正領域の寸法は導体抵抗の均一化のために部分的に
長くする必要が生じる。「例えばＴ、からＴ、へ、ある
いはＴ＋ｎ−１からＴｍ−２へ個別導電体が移行すると
、Ｔ３及びＴｍ−ｚの端子はＴ、及びＴｍ−１よシも０
．４叫程度短かくすることができる。この場合には個別
導電体Ｌ３及びＬｍ−２の導体抵抗がり、及びＬｍ−１
よりも低くなりすぎるために、導体抵抗補領域ゝｎ′の
寸法はＬ３及びＬｌｌｌ−２個別導電体においてはｓＬ
２及びＬｌｌｌ−１個別導電体よりも０．２關程度長く
する必要が生じる。
．５鱈とし、−５′領域の個別導電体ピッチ全０．０９
ｍとすると、′ｂ′で示す距離はＴＩ及びＴａｎ部にお
いてはｂ中（０，０９１鴎Ｘ６４＋０．５闘×２）中６
．８ ｖｍ ト’ｘ ルａ ｔ ７’ｃ ’ｒｐ （Ｐ
＝ ３２ ） ＋ ”ｇ （ｇ＝３３）部においては
′ｂ″で示す距離は、ＩＣの幅ｔ２ｍとするとｂ′中（
２Ｉ＋１ＩＩＩ＋〇、５閣Ｘ２）＝３ｍとなる。従って
川からＴｐ部へ、あるいはＴｍからＴｇ部へ個別導電体
が移行するにつれて、即ち搭載工０のセンタ側へ個別導
電体が近づくにつれて、ボンディング端子の距離はｃ＝
（ｂ−ｂ’）／２＝（６，８３）＋ｍ／２＝１．９籠程
度短かくすることができる。このようにボンディング端
子金短かくすると、個別導電体Ｌ３〜ＬＩ１１−２の導
体抵抗は実質的に低くなり、従って％ ｎ ／の導体抵
抗補正領域の寸法は導体抵抗の均一化のために部分的に
長くする必要が生じる。「例えばＴ、からＴ、へ、ある
いはＴ＋ｎ−１からＴｍ−２へ個別導電体が移行すると
、Ｔ３及びＴｍ−ｚの端子はＴ、及びＴｍ−１よシも０
．４叫程度短かくすることができる。この場合には個別
導電体Ｌ３及びＬｍ−２の導体抵抗がり、及びＬｍ−１
よりも低くなりすぎるために、導体抵抗補領域ゝｎ′の
寸法はＬ３及びＬｌｌｌ−２個別導電体においてはｓＬ
２及びＬｌｌｌ−１個別導電体よりも０．２關程度長く
する必要が生じる。
従ってボンディング端子が同一の端面をもつ個別導電体
においては、例えばＬｌからり、へ、あるいはＬ８から
Ｌ４へ個別導電体が移行すると、相対応するゝｎ′の領
域の寸法は各々０．３Ｗ程度短かくなる。しかしボンデ
ィング端子が短かくなるり。
においては、例えばＬｌからり、へ、あるいはＬ８から
Ｌ４へ個別導電体が移行すると、相対応するゝｎ′の領
域の寸法は各々０．３Ｗ程度短かくなる。しかしボンデ
ィング端子が短かくなるり。
からＬ３へ、あるいはＬ４からＬｌｌへ個別導電体が移
行すると、導体抵抗補正領域′ｎ／の寸法はＬ３及びり
３部においてはり、及びり５部よシも０．２關程度逆に
長くする必要が生じる。
行すると、導体抵抗補正領域′ｎ／の寸法はＬ３及びり
３部においてはり、及びり５部よシも０．２關程度逆に
長くする必要が生じる。
ｍ＝６４のとき、ボンディング端子Ｔ１〜Ｔｐ ｔたは
Ｔｇ −Ｔｍ ｆ ５段階に短かくすると導体抵抗補正
領域の寸法は０．３ Ｘ （６４／２−５ ） −０，
２Ｘ４＝７．３ｓ＋ｍ程度とすることができる。即ちサ
ーマルヘッドの基板中ｔ−２５ｍ程度とすると、本発明
のサーマルへ、ドは８チ程度基板巾寸法金小さくし、も
って均一な印字記録濃度を提供できるものである。
Ｔｇ −Ｔｍ ｆ ５段階に短かくすると導体抵抗補正
領域の寸法は０．３ Ｘ （６４／２−５ ） −０，
２Ｘ４＝７．３ｓ＋ｍ程度とすることができる。即ちサ
ーマルヘッドの基板中ｔ−２５ｍ程度とすると、本発明
のサーマルへ、ドは８チ程度基板巾寸法金小さくし、も
って均一な印字記録濃度を提供できるものである。
（ｎ／の領域の形状は第２図のような直交形に特に限定
されるものではなく、例えば斜交形管任意の形状とする
ことができまたバタン幅も当然のことながら任意の値と
することができる。
されるものではなく、例えば斜交形管任意の形状とする
ことができまたバタン幅も当然のことながら任意の値と
することができる。
本発明は、導体幅を小さくして記録の解像度を高めた９
個別導電体の膜厚を小さくした場合、即ち単位長さ当り
の導体抵抗が高くなった場合に効果が顕著となる。
個別導電体の膜厚を小さくした場合、即ち単位長さ当り
の導体抵抗が高くなった場合に効果が顕著となる。
本発明が上記の効果を呈する以上、個別導電体の材質や
膜厚、バタン幅、単一のＩＣが駆動できる抵抗体本数、
ボンディング端子金短かくするステ、プ数、あるいは短
かくする方法（階段状あるいは単調減少）１発熱抵抗体
の解像度等、何ら制約されるものではないことは当然で
あり、本発明のサーマルへ、ドの用途も特に限定される
べきものではなく、ラインへ、ド、シリアルへ、ド等に
用いることも当然できる。また、ボンディング端子面を
同一とし、ボンディングワイヤを順次短かくシ、実効的
に湘ンディング端子面を短かくして本発明を実施するこ
ともできる。更にまた、ボンディング端子が短かく形成
されたために生じた間隙（０部）には、発熱抵抗体に流
れた記録電流を接地するための導電体を任意の形状に設
けることもできる。
膜厚、バタン幅、単一のＩＣが駆動できる抵抗体本数、
ボンディング端子金短かくするステ、プ数、あるいは短
かくする方法（階段状あるいは単調減少）１発熱抵抗体
の解像度等、何ら制約されるものではないことは当然で
あり、本発明のサーマルへ、ドの用途も特に限定される
べきものではなく、ラインへ、ド、シリアルへ、ド等に
用いることも当然できる。また、ボンディング端子面を
同一とし、ボンディングワイヤを順次短かくシ、実効的
に湘ンディング端子面を短かくして本発明を実施するこ
ともできる。更にまた、ボンディング端子が短かく形成
されたために生じた間隙（０部）には、発熱抵抗体に流
れた記録電流を接地するための導電体を任意の形状に設
けることもできる。
第１図は従来のサーマルヘッドの要部を示す平面図。第
２図は本発明の一実施例によるサーマルへ、ドの要部を
示す平面図。 １・・・・・・Ｃ（ａ、〜Ｏｎ ）共通電極、２・・・
・・・几、〜Ｒｍ （発熱抵抗体ハ ３・・・・・・Ｌ
、〜Ｌｍ （個別導電体）、４・・・・・・Ｔ１−Ｔｍ
（ボンディング端子）、５・・・・・・Ｓ領域（導電
体幅の狭い領域）、６・・・・・・ｎ領域（導体抵抗補
正領域） め ／ 図 第 ｚ 圀
２図は本発明の一実施例によるサーマルへ、ドの要部を
示す平面図。 １・・・・・・Ｃ（ａ、〜Ｏｎ ）共通電極、２・・・
・・・几、〜Ｒｍ （発熱抵抗体ハ ３・・・・・・Ｌ
、〜Ｌｍ （個別導電体）、４・・・・・・Ｔ１−Ｔｍ
（ボンディング端子）、５・・・・・・Ｓ領域（導電
体幅の狭い領域）、６・・・・・・ｎ領域（導体抵抗補
正領域） め ／ 図 第 ｚ 圀
Claims (1)
- 発熱抵抗体に接続され、かつＩＯのボンディング端子ま
で延長して形成され、バタン幅を抵抗体と接する部分よ
ｐも狭くした導体抵抗補正領域を有する個別導電体にお
いて、前記ポンディング端子の端面を搭載されるべきＩ
Ｃの中央部側へ実効的に短かく形成した個別導電体にお
いては隣接した実効的に長いボンディング端子を有する
個別導電体上シも導体抵抗補正領域の寸法を長く形成し
たことを特徴とするサーマルへ、ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5792384A JPS60201968A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5792384A JPS60201968A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201968A true JPS60201968A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13069517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5792384A Pending JPS60201968A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201968A (ja) |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5792384A patent/JPS60201968A/ja active Pending
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