JPS60202610A - 化合物超電導線の製造方法 - Google Patents

化合物超電導線の製造方法

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JPS60202610A
JPS60202610A JP59057307A JP5730784A JPS60202610A JP S60202610 A JPS60202610 A JP S60202610A JP 59057307 A JP59057307 A JP 59057307A JP 5730784 A JP5730784 A JP 5730784A JP S60202610 A JPS60202610 A JP S60202610A
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JP
Japan
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superconductor
superconducting wire
composite
vapor deposition
rod
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Application number
JP59057307A
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English (en)
Inventor
穣 山田
堀上 徹
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発BAは、蒸着法で得られる化合物超電導体を利用し
た超電導線の製造方法に関するものである。
〔従来技術とその問題点〕
現在までに優れた特性を持つ超電導材料が作成されてい
る。例えばA15型化合物のNb3Geは、23.2に
の臨界温度、37Tの臨界磁場をもつっ同じ<Bl型化
合物のNbN、シェブレル型化合物のPbMooSsも
50T以上の臨界磁場をもつことが報告されている。以
上はごく一部の例であるが、これらの材料はいずれも蒸
着法で作成されており、また蒸着法でしか高い特性は得
られない。こζで蒸着法とはスパッタリング法、真空蒸
着法、化学気相蒸着法、または液相からの急冷法など気
相または液相から膜状または粒状の析出物を得る方法を
言う。
蒸着法で得られる超電導材料の一般的形状全示せば第1
図の様になる。■はステンレス、ハステロイ、銅、アル
ミナ、サファイアなどの基板であり、2はNb aGe
など超電導化合物の薄膜である。
この上にさらに鋼、アルミニウムなど高導性の物質を安
定化材として蒸着させることもある。
この様にして得られる蒸着超電導体は従来種々報告され
ている様に高い臨界温度、臨界磁場、臨界電流密度を示
す。しかし、いずれの報告も実験室規模のものでちゃ、
例えば、第1図の試料の基板の大きさは、厚さ数μm〜
数百μm1幅1鋼、長さ数副程度である。実用的には、
超電導マグネッ)k巻くために少くとも数百mの長尺化
が必要である。ごく一部の報告で、化学気相蒸着法によ
り長さ数mの試料が作成されているが長さ方向に超′]
11導特Nuの大きなバラツキが生じる。優れた特性が
得られる蒸着超電導体の実用化において、最大の116
点はこうした長尺化であった。蒸着装置内のガス圧、ガ
ス流骨、基板温度等の条件全長時間にわたり一定に保つ
のは極めて難しい。このため蒸着法による超電導体の実
用化即ち、長尺化がはばまれでいた。
〔発明の目的〕
本発明は、こうした点に鑑み、超電導特性の良い蒸着法
による化合物超電導体の長尺化を可能とする製造方法を
提供するものである。
〔発明の概要〕
本発明は、蒸着法によって得られる、超電導体と基板か
らなる複合体を単層または複層にして一端を軸に巻き上
げ、これを金属又は金属性の管に挿入し棒状体を得1機
械加工により線状体とした後熱処理する化合物超電導体
の製造方法にあり、複合体の超電導体をアモルファスま
たIdbcc相で形成する。又、棒状体の金属性の管内
部が、多層、並列なる複合体の集合体であり、得られた
線状体をさらに複数本束ねて使用し、又、 Cu、At
、ステンレス鋼などの常電導金属を並用することにある
〔発明の効果〕
以上の様に本発明によれば、蒸着法超電導材料の長尺化
が可能となり、従来得ることのできなかった特性が得ら
れる。また、上述の様に製造工程も単純であるためコス
トも大幅に低下する。
〔発明の実施例〕
本発明の方法は、次の通りである。まず、後の加工を容
易にするため、超電導体2の結晶構造がアモルファス丑
たはbccとなる条件で蒸着する。
この条件は各物質によって異なるが、A15相が生じる
基板温度(例えばNb aGeなら900℃)よシも低
温で蒸着すればよい。こうして得られた超電導体2と基
板1の複合体3を第2図に示す様に巻き上げ、第3図に
示す様に金属性物質からなる管4に挿入し棒状体5をつ
くる。この後機械加工によシ、断面減少させて細線化し
長尺の線状体を得る。この段階でも依然超電導体2はア
モルファスまたはbccであるから、次忙熱処理によシ
良好な超電導特性を示すA15相を得る。
棒状体5ff:得る仙の例として第4.5.6図の方法
も考えられる。第4図は複合体3を適当な幅に調節し複
層に重ねて棒状体5としたものである。
第5図は、より幅の小さい複合体3を用いた場合である
。第6図は、第3.4.5図で得られた棒状体5を再度
金属性の管4に挿入したもので、これにより一層の長尺
化がなされる。また、いずれの場合も個々の複合体3の
間に全1肩性線状体または板状体を共に挿入できる。C
uやktを用いれば熱伝導が向上し安定化材の役目を果
し、ステンレスを用いれば補強材となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は蒸着法で得られる複合体の構造を示す斜視図、 図である。 1・・・基板。 2−・・超電導体、 3・・・複合体、 4・・−金属性の管、 5・・・棒状体。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)蒸着法によって得られる超電導体と基板からなる
    複合体を単層捷たは複層にして一端を軸に巻き上げ、こ
    れを金属又は金属性の管に挿入し、棒状体を得、機械加
    工により線状体とした後、熱処理することを特徴とする
    化合物超電導線の製造方法っ
  2. (2)複合体の超電導体がアモルファスまたはbcc相
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化
    合物超電導線の製造方法。
  3. (3)棒状体の金属性の管内部が、多層、並列なる複合
    体の集合体であることを特徴とする特許請求の範ill
    第1項記載の化合物超電導体の製造方法。
  4. (4)得られた線状体をさらに複数本束ねて使用するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の化合物超電
    導線の製造方法。
  5. (5) Cu 、At、ステンレス鋼などの常電導金属
    を並用することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の化合物超電導線の製造方法。
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