JPS60202974A - 分布帰還形半導体レ−ザ - Google Patents
分布帰還形半導体レ−ザInfo
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- JPS60202974A JPS60202974A JP58193472A JP19347283A JPS60202974A JP S60202974 A JPS60202974 A JP S60202974A JP 58193472 A JP58193472 A JP 58193472A JP 19347283 A JP19347283 A JP 19347283A JP S60202974 A JPS60202974 A JP S60202974A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、分布帰還形半導体レーザの改良に関するもの
である。
である。
光通信システムの根幹である光フアイバ通信用光源とし
て半導体レーザが開発されて以来、長期安定で為性能の
光源として使用できるように種々の改良がなされ、特に
近年は単一波長の動作が可能な分布帰還形半導体レーザ
（以下ＤＦＢレーザと略す）が脚光を浴びている。
て半導体レーザが開発されて以来、長期安定で為性能の
光源として使用できるように種々の改良がなされ、特に
近年は単一波長の動作が可能な分布帰還形半導体レーザ
（以下ＤＦＢレーザと略す）が脚光を浴びている。
ＤＦＢレーザは、光通信用光源として広く応用できる点
において優れた効果を有しているが、現在のところ高信
頼の光通信用光源として使用できる＃１どに安定なりＦ
Ｂレーザは開発されていない。
において優れた効果を有しているが、現在のところ高信
頼の光通信用光源として使用できる＃１どに安定なりＦ
Ｂレーザは開発されていない。
第１図は、従来のＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ ／ ＩｎＰ系
化合物半導体から成る埋込みストライプ構造のＤＦＢレ
ーザであシ、（〜が横断面図、（ｈが縦断面図を示した
ものである。同図において、ｎ形１ｎＰ基板１上にｎ形
ＩｎＧａＡａＰ導波路層２ 、 ＩｎＧａＡｓＰ発光層
３．ｐ形ＩｎＧａＡｓＰバッファ一層４．ｐ形ＩｎＰク
ラ、ド層５をまず積層した後、メサ状のストライプが形
成され、ついでプレーナ埋込み成長技術により、ｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層５．ｎ形ＩｎＰ層１３．ｐ形ＩｎＰ層５
及びｎ形Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐキャップ層１４が積層さ
れたものである。結晶成長後、５ｉ０２絶縁膜マスク１
６を介して、亜鉛拡散領域１５が形成され、電極９゜１
０が施されている。周期Δ“の周期的な凹凸７はこの場
合、発光層に隣接するｎ形Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ導波路
層２に設けられている。
化合物半導体から成る埋込みストライプ構造のＤＦＢレ
ーザであシ、（〜が横断面図、（ｈが縦断面図を示した
ものである。同図において、ｎ形１ｎＰ基板１上にｎ形
ＩｎＧａＡａＰ導波路層２ 、 ＩｎＧａＡｓＰ発光層
３．ｐ形ＩｎＧａＡｓＰバッファ一層４．ｐ形ＩｎＰク
ラ、ド層５をまず積層した後、メサ状のストライプが形
成され、ついでプレーナ埋込み成長技術により、ｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層５．ｎ形ＩｎＰ層１３．ｐ形ＩｎＰ層５
及びｎ形Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐキャップ層１４が積層さ
れたものである。結晶成長後、５ｉ０２絶縁膜マスク１
６を介して、亜鉛拡散領域１５が形成され、電極９゜１
０が施されている。周期Δ“の周期的な凹凸７はこの場
合、発光層に隣接するｎ形Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ導波路
層２に設けられている。
レーザ領域すなわち発光層３が存在する領域の長手方向
の長さがＡｄであり、発光層に比べて大なる禁制帯幅で
小なる屈折率のＩｎＰ半導体層からなる長さｔｗの窓領
域がレーザ領域の延長に設けられており、もう一方のレ
ーザ領域の端はへき開面となっている。このようなりＦ
Ｂレーザでは、λＢ＝２ｎ６．４で表わされるプラ、り
波長付近で発振が起る。たたし、ｎｅはレーザ領域の等
測的な屈折率である。このようにＤＦＢ、レーザは、レ
ーザの両端面の反射によるファプリーベローモード発振
とは異なり、窓領域が導波路構造となっていないために
反射が著しく抑制され、周期的な凹凸構造によるＤＦＢ
モードだけが発振する。
の長さがＡｄであり、発光層に比べて大なる禁制帯幅で
小なる屈折率のＩｎＰ半導体層からなる長さｔｗの窓領
域がレーザ領域の延長に設けられており、もう一方のレ
ーザ領域の端はへき開面となっている。このようなりＦ
Ｂレーザでは、λＢ＝２ｎ６．４で表わされるプラ、り
波長付近で発振が起る。たたし、ｎｅはレーザ領域の等
測的な屈折率である。このようにＤＦＢ、レーザは、レ
ーザの両端面の反射によるファプリーベローモード発振
とは異なり、窓領域が導波路構造となっていないために
反射が著しく抑制され、周期的な凹凸構造によるＤＦＢ
モードだけが発振する。
第２図はそのＤＦＢモードの例を示しこものであシ、黒
丸印および白丸印がＤＦＢモードである。横軸は波長２
であり、縦軸は発振しきい値利得αｔｈを示している。
丸印および白丸印がＤＦＢモードである。横軸は波長２
であり、縦軸は発振しきい値利得αｔｈを示している。
白丸印と黒丸印とはへき開面となっているレーザ領域の
端面における凹凸の位相が異なる２つの場合を示してお
り、図から明らかなように端面における凹凸の位相によ
ってＤＦＢモードが大きく変化する。
端面における凹凸の位相が異なる２つの場合を示してお
り、図から明らかなように端面における凹凸の位相によ
ってＤＦＢモードが大きく変化する。
例えば、黒丸印の場合には最も小さな発振しきい値利得
αｔｈを有するモードが存在し、次に低いと モート入の間にある程度の発振しきい僅差があるために
最も小さなαｔｈを有する波長において単一波長動作が
実現される。
αｔｈを有するモードが存在し、次に低いと モート入の間にある程度の発振しきい僅差があるために
最も小さなαｔｈを有する波長において単一波長動作が
実現される。
一方、白丸印の場合は最も小さなαｔｈを有するモード
が２つ存在するために２波長発振となる。
が２つ存在するために２波長発振となる。
従って、常に単一波長動作を行なわせるには端面におけ
る凹凸の位相を制御する必要がある。端面をへき開とい
う手法で作る場合は論外であるが、化学エツチングや他
の精密エツチング法を用いたとしても、周期Ａの大きさ
が１ミクロン以下であることを考慮すると凹凸の位相を
合わせることは極めて困難である。
る凹凸の位相を制御する必要がある。端面をへき開とい
う手法で作る場合は論外であるが、化学エツチングや他
の精密エツチング法を用いたとしても、周期Ａの大きさ
が１ミクロン以下であることを考慮すると凹凸の位相を
合わせることは極めて困難である。
従って、第１図のようなりＦＢレーザでは単一波長動作
となる場合も多いが２波長同時発振の場合もあシ、１だ
単一波長動作が外部に露出した端面に依存しているので
は、長期に動作させた時の安定性が問題となる可能性も
ある。
となる場合も多いが２波長同時発振の場合もあシ、１だ
単一波長動作が外部に露出した端面に依存しているので
は、長期に動作させた時の安定性が問題となる可能性も
ある。
一方、へき開面を外部に露出させないために、第１囚の
ようなりＦＢレーザにおいて窓領域を両側に設け、両端
面の影響を除いた構造にすると理論的には常に２波長発
振となる。
ようなりＦＢレーザにおいて窓領域を両側に設け、両端
面の影響を除いた構造にすると理論的には常に２波長発
振となる。
第３図は、第１図のＤＦＢレーザを改良し安定な単一波
長動作をするように、周期的な凹凸の位相をレーザ領域
の中央部付近で１８００反転させた従来例であり、ｐ形
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６以外は第１図のＤＦＢレー
ザと同じ層構造である。このような凹凸の位相反転領域
８を中央部付近に設けたＤＦＢレーザにおいては、両端
面１１及び１２の反射率が零であると仮定した場合には
第４図に示すごとくブラック波長λＢで最低しきい値の
モードが存在し、かつ次に低いモードとの間の利得差も
大きいことから、極めて安定な単一波長動作が得られる
。
長動作をするように、周期的な凹凸の位相をレーザ領域
の中央部付近で１８００反転させた従来例であり、ｐ形
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６以外は第１図のＤＦＢレー
ザと同じ層構造である。このような凹凸の位相反転領域
８を中央部付近に設けたＤＦＢレーザにおいては、両端
面１１及び１２の反射率が零であると仮定した場合には
第４図に示すごとくブラック波長λＢで最低しきい値の
モードが存在し、かつ次に低いモードとの間の利得差も
大きいことから、極めて安定な単一波長動作が得られる
。
しかし、両端面１１および１２に通常のへき開面のよう
な大きな反射率が存在すると第４図のように理想的なモ
ードとはならず、第２図と同様に端面の位相によって単
一波長あるいは２波長動作となる。従って、第３図のよ
うなりＦＢレーザでは両端面１１及び１２の反射率を極
力小さくすることが極めて重要である。その簡単な構成
として無反射コーティングが考えられるが、反射率を零
にすることは非常に困難であり、通常数チの反射率が残
りかつその再現性も必ずしも良いとは言い難い。特に、
端面における凹凸の位相が問題となるＤＦＢレーザでは
、数チの反射率がＤＦＢモードに与える影響は大きく、
少なくとも反射率を０．１％以下に押える必要があるが
、現在のところこの条件は満足されていない。このよう
に、従来のＤＦＢレーザでは常に安定な単一波長動作を
させることが困難であった。
な大きな反射率が存在すると第４図のように理想的なモ
ードとはならず、第２図と同様に端面の位相によって単
一波長あるいは２波長動作となる。従って、第３図のよ
うなりＦＢレーザでは両端面１１及び１２の反射率を極
力小さくすることが極めて重要である。その簡単な構成
として無反射コーティングが考えられるが、反射率を零
にすることは非常に困難であり、通常数チの反射率が残
りかつその再現性も必ずしも良いとは言い難い。特に、
端面における凹凸の位相が問題となるＤＦＢレーザでは
、数チの反射率がＤＦＢモードに与える影響は大きく、
少なくとも反射率を０．１％以下に押える必要があるが
、現在のところこの条件は満足されていない。このよう
に、従来のＤＦＢレーザでは常に安定な単一波長動作を
させることが困難であった。
本発明の目的は、上述したような従来の欠点を解消する
ために、凹凸の位相反転領域を有するＤＦＢレーザとレ
ーザ領域の両側に窓領域を有するＤＦＢレーザとを組み
合わせて改善することによシ、単一波長動作の安定化お
よび製作が容易なりＦＢレーザを提供することにある。
ために、凹凸の位相反転領域を有するＤＦＢレーザとレ
ーザ領域の両側に窓領域を有するＤＦＢレーザとを組み
合わせて改善することによシ、単一波長動作の安定化お
よび製作が容易なりＦＢレーザを提供することにある。
以下に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第５図は本発明の一実施例を示しだものであり、長さ向
のレーザ発振領域の両側に、ＩｎＧａＡｓＰ発光層４に
比べて大なる禁制帯幅でかつ小なる屈折率の半導体のｐ
形ＩｎＰ層５およびｎ形ＩｎＰ層１３から成る窓領域を
崩し、かつ周期的な凹凸の位相が約１８０度反転する位
相反転領域８および窓領域の両端面に無反射コーティン
グ１７が施された構造となっている。
のレーザ発振領域の両側に、ＩｎＧａＡｓＰ発光層４に
比べて大なる禁制帯幅でかつ小なる屈折率の半導体のｐ
形ＩｎＰ層５およびｎ形ＩｎＰ層１３から成る窓領域を
崩し、かつ周期的な凹凸の位相が約１８０度反転する位
相反転領域８および窓領域の両端面に無反射コーティン
グ１７が施された構造となっている。
本実施例の特徴は、レーザ発振領域から出射された光１
８は窓領域で広がるため、端面で反射されて再び発光層
４に戻る割合が著しく低下する。すなわち、両端面の実
質的な反射率が著しく低下する構造となっている。特に
、端面の反射率と窓領域の長さｔｗとの関係に注目し、
窓領域内においてレーザ出力光の実質的な反射が起こら
ないように窓領域の長さｔｗを制限し、単一波長でかつ
効率的に光を取り出せる構造となっている。
８は窓領域で広がるため、端面で反射されて再び発光層
４に戻る割合が著しく低下する。すなわち、両端面の実
質的な反射率が著しく低下する構造となっている。特に
、端面の反射率と窓領域の長さｔｗとの関係に注目し、
窓領域内においてレーザ出力光の実質的な反射が起こら
ないように窓領域の長さｔｗを制限し、単一波長でかつ
効率的に光を取り出せる構造となっている。
第７図は埋込みストライプ構造を例にとり、反射率Ｒが
実質的に低下する割合を窓領域の長さｔｗの関数として
表わした計算例である。同図の反射率比は窓領域がある
場合の実効的な反射率Ｒ（４）を同窓領域がない場合の
反射率Ｒ（ｏ）で割ったものである。
実質的に低下する割合を窓領域の長さｔｗの関数として
表わした計算例である。同図の反射率比は窓領域がある
場合の実効的な反射率Ｒ（４）を同窓領域がない場合の
反射率Ｒ（ｏ）で割ったものである。
同図から明らかなように、１０μｍ程度の窓領域を設け
るだけで反射率が約２桁低減される。従って、通常のへ
き開面の反射率が３０％程度あったとしても、窓領域を
１０μｍ設けることにより約０３チに低減することがで
きる。また、へき開面に無反射コーティングを施しだ場
合には、反射率が数チから１００分の数％まで低減され
ることから、無反射コーティングを施した数μｍの窓領
域を設けることによシ、端面の反射率の影響は無視でき
るほどに低減することができる。
るだけで反射率が約２桁低減される。従って、通常のへ
き開面の反射率が３０％程度あったとしても、窓領域を
１０μｍ設けることにより約０３チに低減することがで
きる。また、へき開面に無反射コーティングを施しだ場
合には、反射率が数チから１００分の数％まで低減され
ることから、無反射コーティングを施した数μｍの窓領
域を設けることによシ、端面の反射率の影響は無視でき
るほどに低減することができる。
一方、窓領域の長さ４．を長くしていけば反射率も低減
され、窓領域の長さがある値になると反射は＃１とんど
なくなるが、第６図に示すごとく出射光１８の一部が上
部電極９にあたり、レーザ出力光を効率的に取り出すこ
とができなくなってしまう。
され、窓領域の長さがある値になると反射は＃１とんど
なくなるが、第６図に示すごとく出射光１８の一部が上
部電極９にあたり、レーザ出力光を効率的に取り出すこ
とができなくなってしまう。
従って、反射率が最も低減され、かつ、出力光を効率的
に取り出すには窓領域の長さ〜を制限する必要がある。
に取り出すには窓領域の長さ〜を制限する必要がある。
すなわち、窓領域内で実質的な反射が起こらないように
するためには、同窓領域の長さ７ｗｔ ＋ ＬＷ２≦４
ｔａ （９０−θ）ノ条件カ必要テする。但し、４は発
光層３の中心から上部電極９までの厚みである。例えば
、通常レーザ出射光１８が窓領域に出射される角度θは
１０〜２０度であり、ｔａは約５μｍ程度でちるので、
ここでθ＝１０度、！＠＝５μｍとすれば〜＋ ＋ １
ｘｙｔ２は約２８．４μｍ以下となり、θ＝２０度、ｔ
ａ＝Ｓμｍの場合は約１３．７μｍ以下となる。
するためには、同窓領域の長さ７ｗｔ ＋ ＬＷ２≦４
ｔａ （９０−θ）ノ条件カ必要テする。但し、４は発
光層３の中心から上部電極９までの厚みである。例えば
、通常レーザ出射光１８が窓領域に出射される角度θは
１０〜２０度であり、ｔａは約５μｍ程度でちるので、
ここでθ＝１０度、！＠＝５μｍとすれば〜＋ ＋ １
ｘｙｔ２は約２８．４μｍ以下となり、θ＝２０度、ｔ
ａ＝Ｓμｍの場合は約１３．７μｍ以下となる。
従って、窓領域の長さｔ７をこれらの上限値近くにすれ
ば、第７図のように端面の反射率を低減できるとともに
、窓領域内での実質的な反射を無くすことができる。よ
って、本発明では、凹凸の位相反転領域を有するＤＦＢ
レーザに長さを制限した窓領域を両側に設けることによ
り、極めて安定な単一波長動作が可能となる。更に、窓
領域の両面に無反射コーティングを施せばより一層の効
果が得られることは言うまでもない。
ば、第７図のように端面の反射率を低減できるとともに
、窓領域内での実質的な反射を無くすことができる。よ
って、本発明では、凹凸の位相反転領域を有するＤＦＢ
レーザに長さを制限した窓領域を両側に設けることによ
り、極めて安定な単一波長動作が可能となる。更に、窓
領域の両面に無反射コーティングを施せばより一層の効
果が得られることは言うまでもない。
また、両端面はへき開面である必要はなく光学的になめ
らかな面であれば良く、平坦であっても凸レンズ状にな
っていても差支えない。従って、化学エツチング、スパ
ッタエツチング、プラズマエツチング等の工業的な製法
でも作製可能となり、かつレーザ領域は端面から離れて
いるため、仮に端面に欠陥が生じてもレーザ特性への影
響はほとんどなくなる。このように、レーザ領域が完全
に半導体で囲まれた構造になっていることは、長期間に
わたる信頼性においても好結果をもたらすと考えられる
。
らかな面であれば良く、平坦であっても凸レンズ状にな
っていても差支えない。従って、化学エツチング、スパ
ッタエツチング、プラズマエツチング等の工業的な製法
でも作製可能となり、かつレーザ領域は端面から離れて
いるため、仮に端面に欠陥が生じてもレーザ特性への影
響はほとんどなくなる。このように、レーザ領域が完全
に半導体で囲まれた構造になっていることは、長期間に
わたる信頼性においても好結果をもたらすと考えられる
。
上述の説明では、半導体材料としてＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系の化合物半導体を例に取ったが、ＡｌＧａＡｓ
／、 Ｇａ Ａｓ系やＡｔＧａ Ｉｎ Ａｓ ／ Ｉｎ
Ｐ系など他の半導体材料においても同様の構造のＤＦＢ
レーザが実現されることは言うまでもない。また、周期
的な凹凸の周期Ａが導波路内発振波長の％の場合を想定
して説明したが、半波長の整数倍のＡでも同様である。
ＩｎＰ系の化合物半導体を例に取ったが、ＡｌＧａＡｓ
／、 Ｇａ Ａｓ系やＡｔＧａ Ｉｎ Ａｓ ／ Ｉｎ
Ｐ系など他の半導体材料においても同様の構造のＤＦＢ
レーザが実現されることは言うまでもない。また、周期
的な凹凸の周期Ａが導波路内発振波長の％の場合を想定
して説明したが、半波長の整数倍のＡでも同様である。
まだ、レーザ発振領域のストライプ構造は埋込みストラ
イプ構造だけでなく、溝付基板ストライプ構造などへも
適用できる。
イプ構造だけでなく、溝付基板ストライプ構造などへも
適用できる。
以上説明したように２本発明のＤＦＢレーザは従来のＤ
ＦＢレーザに比べて実用化素子として極めて安定な単一
波長動作が可能であシ、かつレーザ発振領域が外部に露
出していないた、めレーザ端面をエツチング等の工業的
手法により製作ができるとともに高信頼化が達成できる
。従って、本発明のＤＦＢレーザは高性能光フアイバ通
信等に応用可能でその効果は極めて大である。
ＦＢレーザに比べて実用化素子として極めて安定な単一
波長動作が可能であシ、かつレーザ発振領域が外部に露
出していないた、めレーザ端面をエツチング等の工業的
手法により製作ができるとともに高信頼化が達成できる
。従って、本発明のＤＦＢレーザは高性能光フアイバ通
信等に応用可能でその効果は極めて大である。
第１図（→（ｈは従来の均一な周期的凹凸を有するＤＦ
Ｂレーザの横断面図及び縦断面図、第２図は第１′図の
ＤＦＢレーザの発振モードを示す特性図、第３図は周期
的凹凸の位相の反転領域を有するＤＦＢレーザの例を示
す縦断面図、第４図は第３図で両端面の反射がない場合
の発振モードをそれぞれ示す特性図、第５図は本発明の
一実施例を示す縦断面図、第６図は窓領域長が長過ぎる
場合の例を示す縦断面図、第７図は窓領域の長さに対す
る反射率比を示す特性図である。 １− ｎ形ＩｎＰ基板、２ ・−・ｎ形Ｉｎ Ｇａ Ａ
ｓ Ｐ 導波路層、３ ・ＩｎＧａＡｓＰ発光層、４−
ｐ形Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰバッファ一層、５・・・ｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層、６・・・ｐ形Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐギ
ヤ２１層、７・・・周期的凹凸、８・・・凹凸の位相反
転領域、９．１０・・・電極、１１ 、１２・・・端面
、１３−ｎ形ＩｎＰ層、１４ ・ｎ形ＩｎＧａ Ａｓ
Ｐギヤ２１層、１５・・・亜鉛拡散領域、１６・・・５
ｉ０２絶縁膜マスク、１７・・・無反射コーティング、
１８・・・出射光。 特許出願人 国際電信電話株式会社 代理人 大塚 学 外１名 第５凹 熟６図 第７図 響領域Ｅ １カ （Ａｍ） 手続補正書（自発） 昭和５８年１２月１４日 特許庁長官 若杉和夫°殿 １、事件の表示 特願昭５８−１９３４７２号 ２、発明の名称 分布帰還形半導体レーザ ３ 補正をする者 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１ ６、補正の内容 第５頁、第７行〔へき開面〕を〔発光層〕Ｋ言Ｊ正する
。 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−−１９３４７２号２、発
明の名称 分布帰還形半導体レーザ３、補正をする者 事件との関係 出願人 （１２１） 国際電信電話株式会社 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１ 昭和６０年 ３月２６日（発送） ６、補正の対象 図面
Ｂレーザの横断面図及び縦断面図、第２図は第１′図の
ＤＦＢレーザの発振モードを示す特性図、第３図は周期
的凹凸の位相の反転領域を有するＤＦＢレーザの例を示
す縦断面図、第４図は第３図で両端面の反射がない場合
の発振モードをそれぞれ示す特性図、第５図は本発明の
一実施例を示す縦断面図、第６図は窓領域長が長過ぎる
場合の例を示す縦断面図、第７図は窓領域の長さに対す
る反射率比を示す特性図である。 １− ｎ形ＩｎＰ基板、２ ・−・ｎ形Ｉｎ Ｇａ Ａ
ｓ Ｐ 導波路層、３ ・ＩｎＧａＡｓＰ発光層、４−
ｐ形Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰバッファ一層、５・・・ｐ形Ｉ
ｎＰクラッド層、６・・・ｐ形Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐギ
ヤ２１層、７・・・周期的凹凸、８・・・凹凸の位相反
転領域、９．１０・・・電極、１１ 、１２・・・端面
、１３−ｎ形ＩｎＰ層、１４ ・ｎ形ＩｎＧａ Ａｓ
Ｐギヤ２１層、１５・・・亜鉛拡散領域、１６・・・５
ｉ０２絶縁膜マスク、１７・・・無反射コーティング、
１８・・・出射光。 特許出願人 国際電信電話株式会社 代理人 大塚 学 外１名 第５凹 熟６図 第７図 響領域Ｅ １カ （Ａｍ） 手続補正書（自発） 昭和５８年１２月１４日 特許庁長官 若杉和夫°殿 １、事件の表示 特願昭５８−１９３４７２号 ２、発明の名称 分布帰還形半導体レーザ ３ 補正をする者 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１ ６、補正の内容 第５頁、第７行〔へき開面〕を〔発光層〕Ｋ言Ｊ正する
。 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−−１９３４７２号２、発
明の名称 分布帰還形半導体レーザ３、補正をする者 事件との関係 出願人 （１２１） 国際電信電話株式会社 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１ 昭和６０年 ３月２６日（発送） ６、補正の対象 図面
Claims (1)
- 発光層あるいは該発光層に隣接する層に光の進行方向に
沿う周期的な凹凸を有し、前記発光層にキャリアを注入
することによりレーザを発振せしめる分布帰還形半導体
レーザにおいて、レーザ領域の中央部付近で前記周期的
な凹凸の位相が約１８０度変化する領域と、レーザ発振
領域の両方の延長上に前記発光層に比べて大なる禁制帯
幅で小なる屈折率の半導体から成る窓領域を有し、かつ
該窓領域の長さが前記窓領域内においてレーザ出力光の
実質的な反射が起こらないように制限されていることを
特徴とする分布帰還形半導体レーザ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193472A JPS60202974A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| US06/660,934 US4648096A (en) | 1983-10-18 | 1984-10-15 | Distributed feedback semiconductor laser |
| GB08426325A GB2148595B (en) | 1983-10-18 | 1984-10-18 | Distributed feedback semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193472A JPS60202974A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 分布帰還形半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202974A true JPS60202974A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH0468798B2 JPH0468798B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=16308576
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP58193472A Granted JPS60202974A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 分布帰還形半導体レ−ザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS60202974A (ja) |
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| JP2005353761A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
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Citations (1)
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| JPS58105586A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
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-
1983
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-
1984
- 1984-10-15 US US06/660,934 patent/US4648096A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-18 GB GB08426325A patent/GB2148595B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
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| GB2148595A (en) | 1985-05-30 |
| US4648096A (en) | 1987-03-03 |
| JPH0468798B2 (ja) | 1992-11-04 |
| GB8426325D0 (en) | 1984-11-21 |
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