JPS60204878A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS60204878A JPS60204878A JP6070884A JP6070884A JPS60204878A JP S60204878 A JPS60204878 A JP S60204878A JP 6070884 A JP6070884 A JP 6070884A JP 6070884 A JP6070884 A JP 6070884A JP S60204878 A JPS60204878 A JP S60204878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- processed
- sputtering target
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタリングターゲットに係わシ。
特にターゲツト材の構造に関するものでおる。
従来１例えば高周波スパッタ法による薄膜形成方法にお
いて、薄膜の母材として用いるスパッタリングターゲッ
トを、同一のものを用いて長期間にわたりて薄膜形成を
行なうと、スパッタリングターゲットに消耗が発生する
ことが知られている。
いて、薄膜の母材として用いるスパッタリングターゲッ
トを、同一のものを用いて長期間にわたりて薄膜形成を
行なうと、スパッタリングターゲットに消耗が発生する
ことが知られている。
すなわち、第１図に断面図で示すように高周波電極１上
に装着されたターゲツト２０周辺角部２１゜特１／Ｃ７
−スシールド３近傍に電場が集中するので。
に装着されたターゲツト２０周辺角部２１゜特１／Ｃ７
−スシールド３近傍に電場が集中するので。
ターゲット２はスパッタリングの繰シ返しで第２図に示
すように一様に消耗されず１円弧状に変形する。この結
果、スパッタリング中にターゲット２から飛散する粒子
の飛散方向４が変化し、これによって被着された薄膜の
膜厚分布の一様性が低下するという問題があった。
すように一様に消耗されず１円弧状に変形する。この結
果、スパッタリング中にターゲット２から飛散する粒子
の飛散方向４が変化し、これによって被着された薄膜の
膜厚分布の一様性が低下するという問題があった。
したがって本発明の目的は、ターゲットの長期間のスパ
ッタに対して一様な膜厚分布が得られる薄膜を形成する
ことのできるスパッタリングターゲットを提供すること
を目的としている。
ッタに対して一様な膜厚分布が得られる薄膜を形成する
ことのできるスパッタリングターゲットを提供すること
を目的としている。
このような目的を達成するために本発明は、ターゲット
を、断面が台形形状を有しかり長辺側が被加工面側と対
向するよう釦装置したものでおる。
を、断面が台形形状を有しかり長辺側が被加工面側と対
向するよう釦装置したものでおる。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図線本発明によるスパッタリングターゲットの一例
を示す要部断面構成図でアシ。前述の図と同一部分は同
一符号を付す。同図において、ターゲット２′は被ｉｎ
工面と対向する面が長辺を有し。
を示す要部断面構成図でアシ。前述の図と同一部分は同
一符号を付す。同図において、ターゲット２′は被ｉｎ
工面と対向する面が長辺を有し。
高周波電極１に鋏着される面が短辺を有してその断面が
台形形状をなして構成されている。つｔ、ｂこの場合、
このターゲット２′は高周波電極１側の面に対して被加
工面側の面が大きな表面積を有している。また、このタ
ーゲット２′は断面形状でみて長辺と短辺とで形成され
る角部２１′の角度θが約１５度ないし約６０度の範囲
に設定して構成されている。
台形形状をなして構成されている。つｔ、ｂこの場合、
このターゲット２′は高周波電極１側の面に対して被加
工面側の面が大きな表面積を有している。また、このタ
ーゲット２′は断面形状でみて長辺と短辺とで形成され
る角部２１′の角度θが約１５度ないし約６０度の範囲
に設定して構成されている。
このような構成によれば、スパッタリング時には電場は
同図に示す周辺角部２ａ’に集中するので、スパッタリ
ングの繰シ返しによシ消耗が進行しても第４図に示すよ
うにターゲット２′の被加工面側は従来の如く円弧状と
はならず、長期間にわたって常に平坦度を維持すること
ができた。ｔた。ターゲット２′の周辺角部２１′の角
度θと、被加工面の膜厚が一様に得られるスパッタリン
グ回数との関係を測定すると、第５図に示すような結果
が得られた。すなわち、同図において、ターゲット２′
の周辺角部２′の角度θを初期に約１５度ないし約５０
度の範囲に設定しておくことによシ、従来（約０度）に
比べて約３倍の期間にわたって膜厚の一様性を保持する
ことができた。
同図に示す周辺角部２ａ’に集中するので、スパッタリ
ングの繰シ返しによシ消耗が進行しても第４図に示すよ
うにターゲット２′の被加工面側は従来の如く円弧状と
はならず、長期間にわたって常に平坦度を維持すること
ができた。ｔた。ターゲット２′の周辺角部２１′の角
度θと、被加工面の膜厚が一様に得られるスパッタリン
グ回数との関係を測定すると、第５図に示すような結果
が得られた。すなわち、同図において、ターゲット２′
の周辺角部２′の角度θを初期に約１５度ないし約５０
度の範囲に設定しておくことによシ、従来（約０度）に
比べて約３倍の期間にわたって膜厚の一様性を保持する
ことができた。
以上説明したように本発明によるスパッタリングターゲ
ットによれば、従来と比較して同一ターゲットで数倍の
期間にわたって薄膜の膜厚一様性を保持することができ
るので、製造歩留を大幅に向上させることがで自るとい
う極めて優れた効果が得られる。
ットによれば、従来と比較して同一ターゲットで数倍の
期間にわたって薄膜の膜厚一様性を保持することができ
るので、製造歩留を大幅に向上させることがで自るとい
う極めて優れた効果が得られる。
第１図および第２図は従来のスパッタリングターゲット
の一例を説明するための要部断面図、第３図および第４
図は本発明によるスパッタリングターゲットの一例を説
明するための要部断面図。 第５図はターゲットの周辺角部の角度と膜厚一様性の持
続期間との関係を示す図でめる。 １・・・・高周波電極、２′・・・・ターゲット。 ２ ａ／・・・・周辺角部、３・・・・アースシールド
、４・・・・粒子。 第１図 第２図 第３図
の一例を説明するための要部断面図、第３図および第４
図は本発明によるスパッタリングターゲットの一例を説
明するための要部断面図。 第５図はターゲットの周辺角部の角度と膜厚一様性の持
続期間との関係を示す図でめる。 １・・・・高周波電極、２′・・・・ターゲット。 ２ ａ／・・・・周辺角部、３・・・・アースシールド
、４・・・・粒子。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、被加工面と対向するスパッタリング面側が断面形状
からみて長辺を有し、電極装着面側が短辺となる台形形
状に構成したことを特徴とするスパッタリングターゲッ
ト。 ２、前記台形形状のスパッタリング面側の角部を、１５
度ないし５０度の範囲に設定したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6070884A JPS60204878A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6070884A JPS60204878A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60204878A true JPS60204878A (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=13150054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6070884A Pending JPS60204878A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60204878A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63238269A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Mitsubishi Metal Corp | マグネトロンスパツタリング用タ−ゲツト |
| US5404256A (en) * | 1992-12-07 | 1995-04-04 | White; James W. | Transverse and negative pressure contour gas bearing slider |
| US5726831A (en) * | 1992-12-07 | 1998-03-10 | White; James W. | Methods for operating a gas bearing slider |
| KR100328134B1 (ko) * | 1993-05-19 | 2002-06-20 | 조셉 제이. 스위니 | 스퍼터링율의균등성을증가시키기위한스퍼터증착장치및방법 |
| US6620296B2 (en) * | 2000-07-17 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Target sidewall design to reduce particle generation during magnetron sputtering |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6070884A patent/JPS60204878A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63238269A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Mitsubishi Metal Corp | マグネトロンスパツタリング用タ−ゲツト |
| US5404256A (en) * | 1992-12-07 | 1995-04-04 | White; James W. | Transverse and negative pressure contour gas bearing slider |
| US5726831A (en) * | 1992-12-07 | 1998-03-10 | White; James W. | Methods for operating a gas bearing slider |
| KR100328134B1 (ko) * | 1993-05-19 | 2002-06-20 | 조셉 제이. 스위니 | 스퍼터링율의균등성을증가시키기위한스퍼터증착장치및방법 |
| US6620296B2 (en) * | 2000-07-17 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Target sidewall design to reduce particle generation during magnetron sputtering |
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