JPS60205178A - イメ−ジ炉 - Google Patents

イメ−ジ炉

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JPS60205178A
JPS60205178A JP5981784A JP5981784A JPS60205178A JP S60205178 A JPS60205178 A JP S60205178A JP 5981784 A JP5981784 A JP 5981784A JP 5981784 A JP5981784 A JP 5981784A JP S60205178 A JPS60205178 A JP S60205178A
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JP
Japan
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sample
furnace
lamp
light
specific wavelength
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JP5981784A
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文雄 山本
孝夫 横田
栄 北城
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Furnace Details (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はフローティングゾーン法Gこよる単結晶の製造
等に用いられるイメージ炉の被加熱物の温度の計測を可
能にする構造に関するものである。
(従来技術とその問題点) イメージ炉は回転楕円面鎗から成る反射鏡の一方の焦点
に熱光源をおき、もう一方の焦点に試料をおいて熱光源
から出た光(輻射線)を試料側の焦点−こ集光し、試料
を加熱するものである。この装置には反射鏡を1個の回
転楕円面のみで構成する単種円型、反射鏡が2個の回転
楕円面の組み合わせで構成される双楕円型、更に反射鏡
を3個以上の回転楕円面の組合わせで構成する多槽内型
とがある。
次lこ従来のイメージ炉の構造及び欠点を単種円型の装
置を一例として図憂こ従って説明する。
第1図は従来構造を有する単種円型のイメージ炉の加熱
灯の部分を示す断面図である。
図において、101は反射炉であり、102は反射鏡の
取外し可能な部位であり、これらの反射鏡面103.1
04はFI II 2を焦点とする楕円をX軸上ζこ回
転させた回転楕円面で構成される。105は焦点F1 
Ftこおかれた熱光源ランプとしてのハロゲンランプで
あり、フィラメント106とこれを覆う石英ガラス製の
ランプ管107とから構成される。
108は上側試料であり、上側シャフト1091こ固定
された上側試料ホルダ110から釣下げられている。
111は下側試料であり、下側シャツl−112iこ下
側試料ホルダ113を介して固定されている。才た11
4は加熱溶融された溶1漣域(モルテンゾーン)であり
、115は透明石英ガラスでできた炉心管である。炉心
管115は加熱された試料からの蒸発ガスで反射鏡が汚
染されるのを避けるために挿入される。116は反射−
102+こ開けられた小窓であり、レンズ1171こよ
って赤熱発光している溶ト、′4域114の像がスクリ
ーン118に投影される。
次−こフローティングゾーン法醗こよる単結晶の成長を
行なう場合−こついてこの炉の動作を説明する。
イメージ炉はハロゲンランプ105を点灯することによ
り、これから発する熱幅射線が共有焦点F。
上に集光され、F7点を加熱することかでさる。
従ってフローティングゾーン法の単結晶成長を行なう場
合には下側試料111として種結晶を上側試料108と
して結晶素材でできた焼結棒を使用し両者の間をハロゲ
ンランプ105の点灯により、加熱溶槽して溶融域(モ
ルテンゾーン)]14を形成させる。溶融域114はハ
ロゲンランプからの輻射熱量により、その大きさが決定
され、この輻射熱量を多くすると溶融域は大きくなり、
遂憂こは確液が流れ落ちてしまいまた少くすると溶rj
A城は小さくなり遂には無くハっでしまう。こυりため
、イメージ炉におけるII熱制御は、スクリーン118
)こ写し出される溶融域114のノに状を硅測しながら
、1溶姻域の大きさが適正にISるようtこハロゲンラ
ンプへの入力電力を手!jlI調竪する方法が用いられ
る。
ところでこのような従来構造のイメージ炉では、元が充
満し1こ反射鏡の中φこ試料があるため、例えば溶融域
の温度を非接触で測定することは困難であり、わずかに
スクリーンに写し出されたW4fJli域の形状から適
正な加熱条件を判V「するCとしかできなかった。すな
わち、LII昌射工不ルキーの強度から温度測定を行な
う輻射温度計ては、溶融域からの輻射エネルギ1こハロ
ゲンランフ′の元のエネルギが加わった状態で測定する
ことになるため、実際の温度をめることは不可能であっ
た。
このことは例えばフローティングゾーン法による結晶成
長以外の加熱用途、例えば小片試料を規定の温度で加熱
する用途などにイメージ炉が適用し難いことになり、イ
メージ炉の太きt欠点であった。
(発明の目的) 本発明の目的はこのような欠点を除去するため、溶融域
の温度あるいは被加熱試料のlfi度に関する情報が検
出可能な構造を肩するイメージ炉を提供することにある
。以下図向に従って詳細に説明する。
(発明のff<+a) 本発明によれば1個または複数個の回転楕円面から戸る
反射蝉の一方の焦点lこ熱光源ランプを配し、他の一方
の焦点に配した試料に光を集中して加熱するイメージ炉
であって、前記熱光源ランプのランプ管が特定波長λの
光に対し吸収帯を有するカラスから成るとともζこ試料
の周囲を覆う炉心管が前記特定波長λの近傍憂こ吸収帯
を持たないガラスから成り、反射鏡憂こ開けられた窓に
前記特定波長λの狭帯域バンドパス光学フィルタを有す
ることを特徴とするイメージ炉が得られる。
(実施例) 以下図面−こ従って詳細に説明する。
第2図は本発明の一実施例である単極円型のイメージ炉
の加熱炉の部分を示す断面図である。
図において201は反射鏡であり、202は反射鋳の取
外し可能な部位であり、これらの反射鏡面203.20
4はp、 / 、p、 / を焦点とする楕円をX′軸
上fこ回転させた回転楕円面で構成される。205は焦
点F、/上昏こおかれた熱光源ランプとしてのハロゲン
ランプであり、フィラメント206が特定波長λに吸収
帯を有する透明ガラス性のランプ管207で覆われた構
造を有する。208は上側試料であり、上側シャツ)2
094こ固定された上II試料ホルダ210から釣下げ
られている。211は下側試料であり、下側シャツl−
212に下側試料ホルダ213を介して固定されている
。また214は加熱溶融された溶融域(モルテンゾーン
)であり、215は前記特定波長λに吸収帯をもたない
透明ガラスでできた炉心管である。216は反射鏡20
2に開けられた小窓であり、レンズ2171こよりて赤
熱発光している溶融域214の像がスクリーン218に
投影される。
219は反射鏡202ζこ開けられた別の小窓であり、
前記特定波長λの輻射光のみを通す狭帯域バンドパス光
学フィルター220が設けられている。
第3図は第2図の実施例において、小片試料の加熱を行
なう時の試料の設置状態を示す加熱炉部分の断面図であ
り、第2図の状態から上側試料208を除去するととも
に下側試料211の替わりに、試料台221ヲこ載せた
小片試料222を取りつけである。他の構成は、第2図
七同−である。
次に本発明の原理について第2図及び第3図の51!施
例1こより説明する。第2図及び第3図1こおいてハロ
ゲンランプ205を点灯し、溶融域214を形成あるい
は小片試料222を加熱しているとする。
この場合ハロゲンランプのフィラメント206からの輻
射光は第4図に示す黒体輻射のスペクトルに近い発光ス
ペクトルを有しているが、ランプ管207を通ってくる
元はランプ管207によって特定波長λの輻射光が除去
されたスペクトルとなる。
一方角熱溶融された溶融域214あるいは加熱された試
料222からはその材料lこ特有の連続スペクトルの輻
射があり、前記特定波長λの輻射光も含すれている。従
って前記特定波長λの光のみを通すバンドパス光学フィ
ルタ220を通り反射@、202の外側に出る光からは
、λの波長を通す炉心管を通り抜けた溶融域214ある
いは試料222からの輻射光が検出できるが、λの波長
の欠落した/Xロゲンランプの光は含まれない。すなわ
ち、光学フィルタ220の外側では溶融域214あるい
は試料222からの輻射光の情報をハロゲンランプの光
の影響を取り除いた形で検出できる。従って光学フィル
タ220の外側から前記特定波長λ−こ感度を有する測
定器で溶祷域214または試料222の表面の輻射量の
測定を行なえば特定波長λの輻射量を知ることができ、
特定波長λにおける試料の輻射率を考慮することで溶融
域214あるいは試料222の1M度を知るこさができ
る。
ここで光学フィルタ220を取付けである窓2191ま
第2図及び第3図の実施例では反射@202に開けであ
るが、溶融域214あるいは試料222を覗ける位置で
あれは、反射@ 201または202のどの位置でも良
いことは明らかである。
次にランプ管及び炉心管の材質lこ関する例を説明する
第5図をこ東芝セラミツ/ハ鉢式会社の2棟の石英カラ
スT−1000と’l’−2030の透過率のスペクト
ルを例として示す。’1’−1oooでは2.5〜3.
0μmの聞−こOH基の存在ζこ起因する吸収帯がある
が、T−2(130ではOH基を無くすことでこの吸収
帯を無くしている。従ってハロゲンランプのランプ管2
07にT−1000を、炉心管◆こT −2030を使
用すれは本発明の効果が得られる。T−1000とI’
−2030の石英カラスの組合わせを用いた場合をこは
、光学フィルタ220として2.8μmのバンド定でき
、試料の輻射率及び輻射スペクトルを考慮することで溶
融域214あるい(ま試料222の温度をめることがで
きる。
ここでランプ管及び炉心管の材′ばとしては、第5図の
例以外lこも他の種類のガラスを使用しても、ランプ管
を特定波長λに11シ吸収帯を有するガラスで構敗し、
炉心管の材質を特定波長λの部分に吸収帯のないカラス
を用いる限り、本発明の効果を得ることができる。
(発明の効果) このようをこ本発明によれば熱元碗ランプの光の影響を
受けないで溶融域あるいは試料からの特定波長λの輻射
光の強さを非接触で測定することが可能となり、溶融域
あるいは試料の温度を非接触にて反射鏡の外1111か
ら検出することが可能となる。
このため従来イメージ炉の使用が困蝿であつ1こ小片試
料の規定温度での加熱等の用途−こ対し十分適用できる
イメージ炉を提供することかでさ名。
また本発明によればフローティングゾーン法による結晶
成長を行Yi’>ta合lこも溶融域の温度のモニタが
可能となり、加熱電力の自動制御に適用可能なイメージ
炉を提供することができる。。
なお、ここでは熱光源ランプとしてハロゲンランプを使
用した場合について説明したが、熱光源ランプとして例
えはキセノンランプ、水銀ランプのような放電ランプを
使用する場合基こも本発明が適用でき、第2図の実施例
上同様の効果が19られることは明白である。
またここでは単楕用型のイメージ炉について説明したが
双楕円型あるいは多相円型のイメージ炉についても本発
明が適用でき、同様の効果を生じること(ま明らかであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来構造を有する単槽円型のイメージ炉の加熱
炉の部分を示す断面図で、第2図1ま本発明の一実施例
である単槽円型のイメージ炉の加熱炉の部分を示す断面
図、第3図は第2図の実施例において小片試料の加熱を
行なう時の試料の設置状態を示す加熱炉部分の断面図で
、第4図は黒体輻射のスペクトルの特性曲線図′、第5
肉は本発明に適用するガラス材料の例としての2種の石
英ガラスの透過率スペクトルの特性曲線図である。 図において、201.202は反射鋼、205はハロゲ
ンランプ、207はランプ管、208は上試料、211
は下試料、214は溶融域、215は炉心管、219は
窓、220は光学フィルタ、222は小片試料である。 一

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1個または複数個の回転楕円面からなる反射鏡の一方の
    焦点に熱光源ランプを配し、他の一方の焦点に配した試
    料に光を集中して加熱するイメージ炉であって、前記熱
    光源ランプのランプ管が特定波長λの光φこ対し吸収帯
    を有するガラスから成るととも擾こ試料の周囲を覆う炉
    心管が前記特定波長λの近傍に級収帯を持たないガラス
    から成り、反射鏡に開けられた窓に前記特定波長λの狭
    帯域バンドパス光学フィルタを有することを特徴とする
    イメージ炉。
JP5981784A 1984-03-28 1984-03-28 イメ−ジ炉 Granted JPS60205178A (ja)

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JP5981784A JPS60205178A (ja) 1984-03-28 1984-03-28 イメ−ジ炉

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JP5981784A JPS60205178A (ja) 1984-03-28 1984-03-28 イメ−ジ炉

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Publication Number Publication Date
JPS60205178A true JPS60205178A (ja) 1985-10-16
JPH0527029B2 JPH0527029B2 (ja) 1993-04-19

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ID=13124153

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JP5981784A Granted JPS60205178A (ja) 1984-03-28 1984-03-28 イメ−ジ炉

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011037640A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Canon Machinery Inc 単結晶育成装置及び単結晶育成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011037640A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Canon Machinery Inc 単結晶育成装置及び単結晶育成方法

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JPH0527029B2 (ja) 1993-04-19

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