JPS6020585A - シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキ−バリア・ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6020585A JPS6020585A JP58128968A JP12896883A JPS6020585A JP S6020585 A JPS6020585 A JP S6020585A JP 58128968 A JP58128968 A JP 58128968A JP 12896883 A JP12896883 A JP 12896883A JP S6020585 A JPS6020585 A JP S6020585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal electrode
- barrier diode
- guard ring
- barrier metal
- periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はショットキーバリア・ダイオードの高速スイッ
チング特性の改良に関する。
チング特性の改良に関する。
（ロ）従来技術
ショットキーバリア・ダイオードは第１図に示す如く、
Ｎ型のシリコン半導体基板（１）にリング状にＰ＋型の
ガードリング（２）を設け、表面σ）シリコン酸化膜（
３）に設けたコンタクト孔を介してバリアメタル電極（
４）を形成している。バリアメタル電極（４）はＭｏ
、 Ｎ ｉおよび半田を積層して形成し、その周縁はガ
ードリング（２）のほぼ中央に位置している。
Ｎ型のシリコン半導体基板（１）にリング状にＰ＋型の
ガードリング（２）を設け、表面σ）シリコン酸化膜（
３）に設けたコンタクト孔を介してバリアメタル電極（
４）を形成している。バリアメタル電極（４）はＭｏ
、 Ｎ ｉおよび半田を積層して形成し、その周縁はガ
ードリング（２）のほぼ中央に位置している。
斯る構造に依れば、ガードリング（２）はバリアメタル
電極（４）の周縁で発生する電界集中を低減させてリー
ク電流を小さくさせている。
電極（４）の周縁で発生する電界集中を低減させてリー
ク電流を小さくさせている。
近年スイッチングレギュレータ等の普及によりそれに用
いる出力ダイオードは高周波スイッチング特性を要求さ
れてきた。斯る用途にスイッチングタイムの小さく、ス
イッチングロスの非常に少いショットキーバリア・ダイ
オードが利用されている。上述したガードリング（２）
はショットキーバリア・ダイオードの高耐圧化には寄与
するが、反面ガードリング（２）の接合容量のためにス
イッチングタイムが増加する欠点がある。
いる出力ダイオードは高周波スイッチング特性を要求さ
れてきた。斯る用途にスイッチングタイムの小さく、ス
イッチングロスの非常に少いショットキーバリア・ダイ
オードが利用されている。上述したガードリング（２）
はショットキーバリア・ダイオードの高耐圧化には寄与
するが、反面ガードリング（２）の接合容量のためにス
イッチングタイムが増加する欠点がある。
（ハ）発明の目的
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、従来の欠点を大
ｒｊＪに改善した高周波スイッチング特性の良好なショ
ットキーバリアーダイオードを提供するものである。
ｒｊＪに改善した高周波スイッチング特性の良好なショ
ットキーバリアーダイオードを提供するものである。
に）発明の構成
本発明は第２図に示す如く、−導電型の半導体基板（１
］）と基板００表面と接触するバＩＪ ’ｆメタル電極
α４）と逆導電型のガードリングα渇とを具備するショ
ットキーバリア・ダイオードにおいて、ガードリンクα
乃とバリアメタル電極０４）の周縁を離間させてガード
リングα鎧の接合容量をバリアメタル電極α沿より分離
する様に構成される。
］）と基板００表面と接触するバＩＪ ’ｆメタル電極
α４）と逆導電型のガードリングα渇とを具備するショ
ットキーバリア・ダイオードにおいて、ガードリンクα
乃とバリアメタル電極０４）の周縁を離間させてガード
リングα鎧の接合容量をバリアメタル電極α沿より分離
する様に構成される。
（ホ）実施例
本発明によるショットキーバリア・ダイオードは第２図
の如く、Ｎ型のシリコン半導体基板αυを用意し、基板
α０表面にシリコン酸化膜α■を形成した後、ポロンの
選択拡散により基板（ＩＩ）表面にリング状のＰ＋型の
ガードリンクα湯を形成する。半導体基板０】）の比抵
抗は形成するショットキーバリア・ダイオードの耐圧に
よって選び、５０Ｖ系では１．５Ωα、１００■系では
４Ω歯のものを使用する。バリアメタル電極（１４１は
シリコン酸化膜（１３）ヲ選択的に除去してコンタクト
孔（１つを設け、ＭＯ，Ｎｉ。
の如く、Ｎ型のシリコン半導体基板αυを用意し、基板
α０表面にシリコン酸化膜α■を形成した後、ポロンの
選択拡散により基板（ＩＩ）表面にリング状のＰ＋型の
ガードリンクα湯を形成する。半導体基板０】）の比抵
抗は形成するショットキーバリア・ダイオードの耐圧に
よって選び、５０Ｖ系では１．５Ωα、１００■系では
４Ω歯のものを使用する。バリアメタル電極（１４１は
シリコン酸化膜（１３）ヲ選択的に除去してコンタクト
孔（１つを設け、ＭＯ，Ｎｉ。
Ａｌの順にスパッタリングてより積層して形成する。
本発明の最大の特徴はバリアメタル電極０４）の基板接
触部分の周縁とガードリング０２とを離間させているこ
とにある。即ちガードリンク０２はバリアメタル電極α
沿の周縁より外側にＯ〜１０μ程度離間させている。こ
の離間距離りはショットキーバリア・ダイオードの耐圧
により選択され、３０Ｖ系では少し離間させ、１５０Ｖ
系では１０μ程度離間させる。
触部分の周縁とガードリング０２とを離間させているこ
とにある。即ちガードリンク０２はバリアメタル電極α
沿の周縁より外側にＯ〜１０μ程度離間させている。こ
の離間距離りはショットキーバリア・ダイオードの耐圧
により選択され、３０Ｖ系では少し離間させ、１５０Ｖ
系では１０μ程度離間させる。
斯上した本発明の構造に依ればショットキーバリア・ダ
イオードに逆バイアスを印加して空乏層によりガードリ
ンク０渇と接続されてバリアメタル電極α荀の周縁での
電界の集中は発生せず従来と同様の耐圧を得られる。ま
たガードリング（１２１のＰＮ接合容量はバリアメタル
電極（Ｉ４）と接続されないので接合容量による高周波
スイッチング特性の劣化を防止できる。
イオードに逆バイアスを印加して空乏層によりガードリ
ンク０渇と接続されてバリアメタル電極α荀の周縁での
電界の集中は発生せず従来と同様の耐圧を得られる。ま
たガードリング（１２１のＰＮ接合容量はバリアメタル
電極（Ｉ４）と接続されないので接合容量による高周波
スイッチング特性の劣化を防止できる。
具体的には半導体基板０】）として８Ωαのシリコンを
用い、直径２朋のバリアメタル電極αａを形成した１５
０Ｖ系のショットキーバリア・ダイオードでは、従来構
造ではスイッチングタイムが１．８ｎｓであったが、本
発明の構造でＬを１０μで設計するとスイッチングタイ
ムが１．１ｎｓまで向上できた。
用い、直径２朋のバリアメタル電極αａを形成した１５
０Ｖ系のショットキーバリア・ダイオードでは、従来構
造ではスイッチングタイムが１．８ｎｓであったが、本
発明の構造でＬを１０μで設計するとスイッチングタイ
ムが１．１ｎｓまで向上できた。
（へ）効果
本発明に依ればガードリンク（１２をバリアメタル電極
α４）の周縁より耐圧に応じた距離りだけ離間させるこ
とによりショットキーバリアーダイオードの高耐圧特性
を維持したままで高周波スイッチング特性を改善できる
利点を有する。この結果スイッチングレギュレータ等の
高周波化をめられる用途への利用を図れ、スイッチング
ロス低減に寄与する。
α４）の周縁より耐圧に応じた距離りだけ離間させるこ
とによりショットキーバリアーダイオードの高耐圧特性
を維持したままで高周波スイッチング特性を改善できる
利点を有する。この結果スイッチングレギュレータ等の
高周波化をめられる用途への利用を図れ、スイッチング
ロス低減に寄与する。
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本発明を説
明する断面図である。 （Ｉ］）は半導体基板、 （１２１はガードリング、
０３）はシリコン酸化膜、 （１４）はバリアメタル電
極、（２）はコンタクト孔である。 第１図 を 一一一
明する断面図である。 （Ｉ］）は半導体基板、 （１２１はガードリング、
０３）はシリコン酸化膜、 （１４）はバリアメタル電
極、（２）はコンタクト孔である。 第１図 を 一一一
Claims (1)
- （１） −導電型の半導体基板と該基板表面に接触する
バリアメタル電極と該電極の周縁に対応して設けられた
逆導電壓のガードリングとを具備するショットキーバリ
ア・ダイオードに於（１て、前記ガードリングとバリア
メタル電極の周縁とを離間させて前記ガードリングの接
合容量を前記）（リアメタル電極より分離することを特
徴とするショットキーバリア・ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128968A JPS6020585A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128968A JPS6020585A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020585A true JPS6020585A (ja) | 1985-02-01 |
Family
ID=14997859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128968A Pending JPS6020585A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | シヨツトキ−バリア・ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5081510A (en) * | 1988-11-11 | 1992-01-14 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
| US5418185A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of making schottky diode with guard ring |
| FR2755794A1 (fr) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Int Rectifier Corp | Diode schottky de puissance pour haute tension, ayant un metal de barriere fait d'aluminium et ecarte du premier anneau diffuse |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5121747A (ja) * | 1974-08-16 | 1976-02-21 | Hitachi Ltd | Koteideetahatsuseihoshiki |
| JPS57126172A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-05 | Toshiba Corp | Schottky barrier diode |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58128968A patent/JPS6020585A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5121747A (ja) * | 1974-08-16 | 1976-02-21 | Hitachi Ltd | Koteideetahatsuseihoshiki |
| JPS57126172A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-05 | Toshiba Corp | Schottky barrier diode |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5081510A (en) * | 1988-11-11 | 1992-01-14 | Sanken Electric Co., Ltd. | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication |
| US5418185A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of making schottky diode with guard ring |
| US5539237A (en) * | 1993-01-21 | 1996-07-23 | Texas Instruments Incorporated | Schottky diode with guard ring |
| FR2755794A1 (fr) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Int Rectifier Corp | Diode schottky de puissance pour haute tension, ayant un metal de barriere fait d'aluminium et ecarte du premier anneau diffuse |
| JPH10178186A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-06-30 | Internatl Rectifier Corp | 高電圧ショットキーダイオード |
| US5859465A (en) * | 1996-10-15 | 1999-01-12 | International Rectifier Corporation | High voltage power schottky with aluminum barrier metal spaced from first diffused ring |
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