JPS60206185A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS60206185A JPS60206185A JP59062743A JP6274384A JPS60206185A JP S60206185 A JPS60206185 A JP S60206185A JP 59062743 A JP59062743 A JP 59062743A JP 6274384 A JP6274384 A JP 6274384A JP S60206185 A JPS60206185 A JP S60206185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- lead frame
- resin body
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に光透過性液樹脂を
封止材料として用いた光半導体素子を製造する装置に係
わる。
封止材料として用いた光半導体素子を製造する装置に係
わる。
従来、光半導体素子例えば発光ダイオード（以下、ＬＥ
Ｄと称す）は１例えば第１図（ａ）〜（Ｃ）に示すよう
（二製造されている。
Ｄと称す）は１例えば第１図（ａ）〜（Ｃ）に示すよう
（二製造されている。
まず、鉄または銅等からなるリードフレーム１の先端部
に導電性エポキシ層２を介して半導体−＜ンット３を固
着するとともに、このペレット３の先端面とリードフレ
ーム１の他端部とを金やアルミニウムＡＪなどのデンデ
ィングワイヤ４で接続する。つづいて１例えば銅製の金
属枠５（１成型により固定された例えばポリプロピレン
からなる樹脂型６に、ビスフェノール系の液状の光透過
性エポキシ樹脂７を注入する（第１図（ａ）図示）。次
いで、リードフレーム１の先端部を前記エポキシ樹脂７
の中に浸漬する。しかる後、この状態で樹脂型６及びリ
ードフレーム１をオーブンの中に入れ、所定の条件下で
キュアし、２時間程経過した後、エポキシ樹脂型６から
離型する。この結果、第１図（ｂ）に示す如く、ペレッ
ト３．ビンディングワイヤ４を封止する樹脂体８が形成
される。更に、この状態で再度オーブンに入れてキュア
した後、リードフレームを適宜所定の箇所を切断し、リ
ード９，９を有したＬＥＤを製造する（第１図（Ｃ）図
示）。
に導電性エポキシ層２を介して半導体−＜ンット３を固
着するとともに、このペレット３の先端面とリードフレ
ーム１の他端部とを金やアルミニウムＡＪなどのデンデ
ィングワイヤ４で接続する。つづいて１例えば銅製の金
属枠５（１成型により固定された例えばポリプロピレン
からなる樹脂型６に、ビスフェノール系の液状の光透過
性エポキシ樹脂７を注入する（第１図（ａ）図示）。次
いで、リードフレーム１の先端部を前記エポキシ樹脂７
の中に浸漬する。しかる後、この状態で樹脂型６及びリ
ードフレーム１をオーブンの中に入れ、所定の条件下で
キュアし、２時間程経過した後、エポキシ樹脂型６から
離型する。この結果、第１図（ｂ）に示す如く、ペレッ
ト３．ビンディングワイヤ４を封止する樹脂体８が形成
される。更に、この状態で再度オーブンに入れてキュア
した後、リードフレームを適宜所定の箇所を切断し、リ
ード９，９を有したＬＥＤを製造する（第１図（Ｃ）図
示）。
しかしながら、前述した光半導体素子の製造方法Ｃ二よ
れば、樹脂体８の先端部が細くなっているものや、若干
のチー・や一部をもったもの（二対しては有効的である
が、第２図（ａ） （ｂ） Ｉ＝示す如く、樹脂体１０
の側面に突状のレンズ１１を有した例えばレンズ付発光
ダイオードなどの光半導体素子の場合、離型時、１Ｇ↑
脂休１ｏを樹脂型から引き抜くことができないという欠
点を有する。
れば、樹脂体８の先端部が細くなっているものや、若干
のチー・や一部をもったもの（二対しては有効的である
が、第２図（ａ） （ｂ） Ｉ＝示す如く、樹脂体１０
の側面に突状のレンズ１１を有した例えばレンズ付発光
ダイオードなどの光半導体素子の場合、離型時、１Ｇ↑
脂休１ｏを樹脂型から引き抜くことができないという欠
点を有する。
このようなことから、従来、かかる構造の光半導体水子
のり造には、トランスファーモルトによる成型が用いら
れてきた。しかしながら、かかるトランスファーモール
ドは、モールドのためのゾノス機やモールド後のパリ取
り等のため種々な附属設備を必要とし、コスト高を招く
とともｉ１広いスペースを特徴とする特に、透明樹脂の
トランスファーモールドは樹脂内Ｃニジリカ粉末などの
フィラーを混入、充填する事ができないため、パリが非
常に発生し易く、上訴の欠点がより顕著となる。
のり造には、トランスファーモルトによる成型が用いら
れてきた。しかしながら、かかるトランスファーモール
ドは、モールドのためのゾノス機やモールド後のパリ取
り等のため種々な附属設備を必要とし、コスト高を招く
とともｉ１広いスペースを特徴とする特に、透明樹脂の
トランスファーモールドは樹脂内Ｃニジリカ粉末などの
フィラーを混入、充填する事ができないため、パリが非
常に発生し易く、上訴の欠点がより顕著となる。
本発明は上記事情（＝鑑みてなされたもので、側面に突
状のレンズ等の突起部を有した樹脂体を樹脂型から容易
に引き抜くことができるとともに、低コストでかつ広い
スペースを必要としない半導体製造装置を提供すること
を目的とするものである。
状のレンズ等の突起部を有した樹脂体を樹脂型から容易
に引き抜くことができるとともに、低コストでかつ広い
スペースを必要としない半導体製造装置を提供すること
を目的とするものである。
〔発明の１概要〕
本発明は、通常用いられている主型の外に。
この主型内（二形成しようとする光半導体素子の樹脂体
の外形に対応して凹部を有する補助型を設けたことを特
徴とするものである。
の外形に対応して凹部を有する補助型を設けたことを特
徴とするものである。
具体的には、ベレット等を封止する樹脂体の側面に突起
部を有したものは、第１図ｆａ）〜（ｃ）で述べたよう
な製造方法では樹脂体を樹脂型から離型することができ
ない。従って、本発明は前記突起部に対応する部分がこ
れに対応して浬んだ凹部な有した補轄型を、主型ととも
に用いることによって、例えば樹脂体の大部分を主型か
ら離型させかつ面脂体の少なくとも突起部を補助型から
離型させて、前記目的を達成しようとした。
部を有したものは、第１図ｆａ）〜（ｃ）で述べたよう
な製造方法では樹脂体を樹脂型から離型することができ
ない。従って、本発明は前記突起部に対応する部分がこ
れに対応して浬んだ凹部な有した補轄型を、主型ととも
に用いることによって、例えば樹脂体の大部分を主型か
ら離型させかつ面脂体の少なくとも突起部を補助型から
離型させて、前記目的を達成しようとした。
以下、本発明の一実施例を第３図（ａ） （ｂ）を参照
して説明する。なお、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
して説明する。なお、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）
は同図（ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
図中の２１は、プレスなどで打ち抜いた窓を有する例え
ば銅製の金属枠である。この金属枠２ノの窓には、箱状
の主型２２が複数設けられている。この主型２２の利質
は、エポキシ樹脂に対して離型性の良い例えばポリゾロ
ピレンである。前記主７！ｌ！！２２・・・の内部には
、板状の補助型２３が着脱自在に設けられている。この
補助型２３の内壁には、形成丁べき光半導体素子の樹脂
体の突起部に対応する所に半球状の凹部２４・・・が設
けられている。
ば銅製の金属枠である。この金属枠２ノの窓には、箱状
の主型２２が複数設けられている。この主型２２の利質
は、エポキシ樹脂に対して離型性の良い例えばポリゾロ
ピレンである。前記主７！ｌ！！２２・・・の内部には
、板状の補助型２３が着脱自在に設けられている。この
補助型２３の内壁には、形成丁べき光半導体素子の樹脂
体の突起部に対応する所に半球状の凹部２４・・・が設
けられている。
こうした構造の半導体製造装置を用いて例えはレンズ付
き発光ダイオード（レンズ付キＬＥＤ）乞・構造するに
は、第４図（ａ）〜（ｄ）のように行なう。
き発光ダイオード（レンズ付キＬＥＤ）乞・構造するに
は、第４図（ａ）〜（ｄ）のように行なう。
まず、主型２２・・・に補助型２３をセットした後、従
来と同様Ｃ二先端部Ｃ二半導体ペレット３・・・、ポン
ディングワイヤ４・・・を取り付けたリードフレーム１
を先端部が下側にくるよう（二前記主型２２・・・等の
上にセットする（第４図（ａ）図示）。
来と同様Ｃ二先端部Ｃ二半導体ペレット３・・・、ポン
ディングワイヤ４・・・を取り付けたリードフレーム１
を先端部が下側にくるよう（二前記主型２２・・・等の
上にセットする（第４図（ａ）図示）。
つづいて、主型２２・・・内に例えばビスフェノール系
の液状の光透過性エポキシ樹脂２５を２に人した後、こ
のエポキシ樹脂２５の中にリードフレーム１の先端部を
浸漬する（第４図（ｂ）図示）。
の液状の光透過性エポキシ樹脂２５を２に人した後、こ
のエポキシ樹脂２５の中にリードフレーム１の先端部を
浸漬する（第４図（ｂ）図示）。
しかる後、この状態で主型２２・・・、補助型２３及び
リードフレーム１をオーブン中に中に入れ。
リードフレーム１をオーブン中に中に入れ。
１００〜１５０℃の熱処理を所定時間行なってエポキシ
樹脂２５を砂化し、固化させて樹脂体２６を形成する。
樹脂２５を砂化し、固化させて樹脂体２６を形成する。
この際、樹脂体２６の側面には、半球状のレンズ２７が
形成された。更に、リードフレーム１と補助型２３を主
型２３・・・がら引き抜く（第４図（ｃ）図示）。ひき
つづき、補助型２３をリードフレーム１から取り外した
後。
形成された。更に、リードフレーム１と補助型２３を主
型２３・・・がら引き抜く（第４図（ｃ）図示）。ひき
つづき、補助型２３をリードフレーム１から取り外した
後。
リードフレーム１を適宜所定の箇所を切断し、９−ド９
を有し、かつ樹脂体２６の（１１１４面に半球状のレン
ズ２７を有したレンズ付きり、 Ｉｔ： Ｄを製造１−
る（第４図Ｆｄ１図示）。
を有し、かつ樹脂体２６の（１１１４面に半球状のレン
ズ２７を有したレンズ付きり、 Ｉｔ： Ｄを製造１−
る（第４図Ｆｄ１図示）。
しかして、本発明によれば、主型２２・・・の外、この
主型２２・・・内に着脱自在に設けられ、内壁に形成す
べきレンズ付きＬＥＤの樹脂体２６の側面のレンズ２７
に対応して半球状の凹部２４・・・を設けた補助型２３
を有した構造となっているため、レンズ付きＬＥＤのよ
うに樹脂体２５の側面にレンズ２６を設けた構造の光半
導体素子Ｃも賢易に樹脂成形することができる。
主型２２・・・内に着脱自在に設けられ、内壁に形成す
べきレンズ付きＬＥＤの樹脂体２６の側面のレンズ２７
に対応して半球状の凹部２４・・・を設けた補助型２３
を有した構造となっているため、レンズ付きＬＥＤのよ
うに樹脂体２５の側面にレンズ２６を設けた構造の光半
導体素子Ｃも賢易に樹脂成形することができる。
また、樹脂体２６を、主型２２・・・円へのエポキシＩ
ＬＪ Ｉｉ’ａ ２５の注入、熱処理及び主型２２・・
・、補助型２３からの離型と比軟的簡単な工程で形成し
得るため、トランスファーモールドの如く、パリ族り等
のための種々な附属設備を必要としない。従つ−Ｃ，）
ランスファーモールドの場合と比べ低コストＣス綬−ス
もあまり必要としない。
ＬＪ Ｉｉ’ａ ２５の注入、熱処理及び主型２２・・
・、補助型２３からの離型と比軟的簡単な工程で形成し
得るため、トランスファーモールドの如く、パリ族り等
のための種々な附属設備を必要としない。従つ−Ｃ，）
ランスファーモールドの場合と比べ低コストＣス綬−ス
もあまり必要としない。
なお、上記実施例では、主型の材質としてポリ２°ロビ
ンンを用いたが、これに限らず、成型用の樹脂（例えば
工号？キシ樹脂）に対して離型性の良いものなら何でも
よい。
ンンを用いたが、これに限らず、成型用の樹脂（例えば
工号？キシ樹脂）に対して離型性の良いものなら何でも
よい。
また、上記実施例では、補助型として板状のものを１個
用いる場合について述べたが、これに限らず、２個以上
用いてもよい。具体的には、各主型に対応して夫々１つ
ずつ複数個用いてもよいし、あるいは１つの主型に対し
て２個以上の補助型を組み合わせて用いてもよい。
用いる場合について述べたが、これに限らず、２個以上
用いてもよい。具体的には、各主型に対応して夫々１つ
ずつ複数個用いてもよいし、あるいは１つの主型に対し
て２個以上の補助型を組み合わせて用いてもよい。
更に、上記実施例では、レンズ付きＬＥＤの場合につい
て述べたが、これに限らず、樹脂体の１１ＩＩ面に突起
部が設けられた全ての光半導体素子にも同様に適用でき
る。
て述べたが、これに限らず、樹脂体の１１ＩＩ面に突起
部が設けられた全ての光半導体素子にも同様に適用でき
る。
Ｕ上、１゛「述した如く本発明によれば、側面に突起部
を有した樹脂体を樹脂型から容易に引き抜くことができ
、スペースもあまり必要としない低コストのレンズ付き
ＬＥＤ等の光半導体素子をＨＩＱ造し得る半導体製造装
置を提供できるものである。
を有した樹脂体を樹脂型から容易に引き抜くことができ
、スペースもあまり必要としない低コストのレンズ付き
ＬＥＤ等の光半導体素子をＨＩＱ造し得る半導体製造装
置を提供できるものである。
第１図（ａ１〜（Ｃ）は従来のＬＥＤの製造方法を工程
順に示す断面図、第２図ｆａ）はレンズ付きＬＥＤの斜
視図、同図ｆｂ）は同図（、）の正面図、＄３図（ａ）
は本イご明の一実施例に係る半導体製造装置の斜視図、
同図（ｂ）’ｃま同図ｆａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図、
第４図（ａ）〜（ｄ）は同装置を用いてレンズ付きＬＥ
Ｄを製造する方法を工程順に示す説明図である。 １・・・リードフレーム、２・・・４電性工ポキシ層、
３・・・半導体ペレット、４・・・？ンディングワイヤ
。 ９・・・リード、２１・・・金属枠、２２・・・主型、
２３・・・補助型、２４・・・凹部、２５・・・エポキ
シ樹脂。 ２６・・・樹脂体、２７・・・レンズ 出１１１１Ｑ人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦（ｂ）
１（Ｃ） 第２ （ｂ） （ｂ） ３
順に示す断面図、第２図ｆａ）はレンズ付きＬＥＤの斜
視図、同図ｆｂ）は同図（、）の正面図、＄３図（ａ）
は本イご明の一実施例に係る半導体製造装置の斜視図、
同図（ｂ）’ｃま同図ｆａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図、
第４図（ａ）〜（ｄ）は同装置を用いてレンズ付きＬＥ
Ｄを製造する方法を工程順に示す説明図である。 １・・・リードフレーム、２・・・４電性工ポキシ層、
３・・・半導体ペレット、４・・・？ンディングワイヤ
。 ９・・・リード、２１・・・金属枠、２２・・・主型、
２３・・・補助型、２４・・・凹部、２５・・・エポキ
シ樹脂。 ２６・・・樹脂体、２７・・・レンズ 出１１１１Ｑ人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦（ｂ）
１（Ｃ） 第２ （ｂ） （ｂ） ３
Claims (1)
- 先端部にペレットがマウントされたリードフレームを浸
漬すべき液状樹脂が収容される主型と、この主型内に着
脱自在に設けられ、形成すべき光半導体素子の樹脂体の
外形（二対窓して内壁Ｃ二凹部な有する補助型とを具備
することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062743A JPS60206185A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062743A JPS60206185A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206185A true JPS60206185A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13209174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062743A Pending JPS60206185A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60206185A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
| US5444726A (en) * | 1990-11-07 | 1995-08-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| EP0865122A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package with power monitoring system |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59062743A patent/JPS60206185A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444726A (en) * | 1990-11-07 | 1995-08-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
| EP0865122A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package with power monitoring system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5893723A (en) | Manufacturing method for semiconductor unit | |
| US3981074A (en) | Method for producing plastic base caps for split cavity type package semi-conductor units | |
| US6033933A (en) | Method for attaching a removable tape to encapsulate a semiconductor package | |
| US4812420A (en) | Method of producing a semiconductor device having a light transparent window | |
| JPH07283441A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS60206185A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS61237485A (ja) | 発光表示体の製法 | |
| KR940001333A (ko) | 수지봉합형 고체촬상소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH0653554A (ja) | 光半導体デバイス | |
| JP3473231B2 (ja) | ベアチップの封止方法および封止装置 | |
| JPS611066A (ja) | プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法 | |
| SE7408909L (ja) | ||
| EP0562388B1 (de) | Herstellverfahren und Herstellvorrichtung für Trägerelemente mit IC-Bausteinen in Ausweiskarten | |
| JPH098357A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JPH01152676A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
| CN101752465B (zh) | 大功率发光二极管透镜封装方法 | |
| JPH04329680A (ja) | 発光装置 | |
| JPS63129680A (ja) | 発光ダイオ−ドの樹脂封止方法 | |
| JPS59143334A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2617236B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6386484A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH0466381B2 (ja) | ||
| JPS591253Y2 (ja) | 半導体発光表示装置 | |
| JPS5917274A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3769325B2 (ja) | 樹脂パッケージの製造方法 |