JPS60207338A - プラズマ反応装置チヤツク組立体 - Google Patents

プラズマ反応装置チヤツク組立体

Info

Publication number
JPS60207338A
JPS60207338A JP60046337A JP4633785A JPS60207338A JP S60207338 A JPS60207338 A JP S60207338A JP 60046337 A JP60046337 A JP 60046337A JP 4633785 A JP4633785 A JP 4633785A JP S60207338 A JPS60207338 A JP S60207338A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
cassette
wafer
vacuum
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60046337A
Other languages
English (en)
Inventor
ダグラス・エツチ・ウオーレンバツク
トーマス・エム・ラツシユマン
ニンコ・テイー・ミルコビツチ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CollabRx Inc
Original Assignee
CollabRx Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CollabRx Inc filed Critical CollabRx Inc
Publication of JPS60207338A publication Critical patent/JPS60207338A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、一般的には自動化物品処理機械用のチャック
組立体(二関する。更に詳しく云うと、本発明は自動化
プラズマ処理機械におけるプラズマ反応装置の電極とし
ての役目をするととも1:ワ工へ転送機能を行うチャッ
ク組立体に関する。
発明の背景 プラズマエツチング、反応性イオンエツチングおよび歩
留りの必要性は、より高度に自動化され(2) たプラズマ処理機械の開発および実施を推進してきた。
同時に、半導体デバイス製造I:おける高い固定原価は
信頼性が高く保守が容易な機械を要求している。更に、
そのような機械はいくつかの標準的ウェハサイズを共通
に用いて取換えるように適合できることが望ましい。
単一ウニへ、手段電極型のプラズマ処理機械は、反応装
置のローディングおよびアンローディングにおけるウニ
へ保持段として反応装置電極の一般に用いている◎ この型の処理機械は反応装置およびチャックの保守容易
性に欠けており、相異なるウェハサイズおよび/又は工
程に適応するためC二容易に再構成酸できなかった。
発明の要約 従って、本発明の目的は、単一クエ21、平板電極プラ
ズマ処理機械に用いるための改良されたチャック組立体
を提供することである。
本発明のもう1つの目的は、相異なるウェハサイズに適
応するため保守容易性および再構成を可(6) 能にする単一ウェハ、平板電極型の改良されたプラズマ
処理機械を提供することである。
本発明の特定の実施例は自動化プラズマ処理機械C二用
いるためのチャック組立体を含む。真空輸送機構に接近
できる位置までプラズマ反応装置から離して下降させる
ことができるチャック組立体は、その完全に上昇した位
置g二ある時には真空格納システムの上部板に密着され
る。プラズマ反応装置の残りの部分もまたこの上部仮I
:密着される。
プラズマ反応装置が使用のため密封板から離れている間
は、この密封装置(zaajb)の特定の設計によりチ
ャックは真空輸送機構の真空保全状態を維持するのC:
役立つ封止物としての役目なする。更に、チャックがそ
の完全に上昇した位置I:ある間に、チャック装置の電
極部分を取りはづして交換することかでき、このことも
また相異なるウェハサイズおよび/又は工程に適応する
ための保守性および再構成を容易弧二する。
本発明のこれらの、およびその曲の目的および利点は、
図面とともに詳細な説明から当業者には(4) 明らかになるであろう。
3、発明の詳細な説明 半導体デバイスの製造は通常はウニ八レベルで行われる
。即ち、比較的多数の個々のデバイスを含む半導体材料
のディスク状ウェハは、マイクロプロセッサなどの単一
のデバイスをそれぞれ含む個々のダイに分離される前に
全体としているいろな製造工程を通って処理が進められ
る。歩留りがより高い製造工程に対する必要性から、毎
時、より多数のクエへを処理できる一層高度区:自動化
されたウェハ処理機械およびより清浄な環境でクエへを
処理する機械が作られるようになる。第1図は先行技術
以上(二多数の改良を具体化したそのようなウェハ処理
機械の詳細な斜視図である。第1図に示されているこの
特定の機械はヘッド(A−αd)が2つあるプラズマ処
理装置である。即ち、この機械は2つのプラズマ処理ス
テーション(JPtation)を有する。実際のクエ
へ処理はtlfllおよび第2プラズマ反応装置(r−
αctor) 11および12において行われる。反応
装置11および12にはRF電源(RF(5) power 5upply ) cよりRF電力(RF
 power )が供給され、真空マニホルド(二よっ
て排気される。この図では見えない追加のシステムが反
応性ガスを反応装置11および12C二与える。処理さ
れるウニへはエレベータ15上にロードされている多重
クエへカセツ)l二よって機械内にロードされる。そこ
からクエへは真空ロードロック16内の内部多重クエへ
カセット(二転送される。真空輸送システム17は処理
のためウニへンロードロック16から反応装置11およ
び12内へ移動させる。処理が完了すると、真空輸送シ
ステム17はクエへを第20−ドロツク18に移動させ
、ウニへは最終的には取り除かれ℃エレベータ19上の
多重クエへカセット内に入れられる。ウェハ処理機械の
残りの部分は、反応性ガスの流れを監視し跋えるための
複数の電子上ジュール20および制御装置21を含む。
更シニ、表示装置22が一般に備えられているので、オ
ペレータは機械の全体的状態を監視できる。技術上予想
されるよう(:、このような複雑な機械は、固定論理C
二よってではなく、表示装置22を容易に調節する1つ
又は複数のマイクロプロセッサによって一般に制御され
る。
下記の図面の各々(=関連して詳細(二説明されている
ようr:、第1図1−示されているクエへ処理機械の全
体的設計思想はモジュール方式である。例えば、この機
械は全体的レイアワト又はウェハ輸送方法を著しく変更
せず(二1つ、2つ又はそれ以上のプラズマ反応装置を
用いて構成できる。更に、エレベータ15および19お
よびそれに関連したウェハ転送装置は、機械の入力端と
出力端の両方が1つ又は2つのエレベータを有するよう
に設計される。第1図に示しであるウェハ処理機械の種
々のその他の側面および改良は図面および説明の残りの
部分から明らかであろう。
さて第2因を参照すると、全体的ウェハ輸送システムが
簡易平面図で示されている。多重フェノ1カセツトがエ
レベータ15上でシステム内に入れられる。多重クエへ
カセットは技術上よく知られており、一般に3側面は閉
じられており、4番目の側面か開いている。ウェハは開
いている側面を介しく7) て除去され交換され、5つの閉じた側面土で支持される
。スパチュラ24はエレベータ15上のカセットから個
々のウェハを除去し、それらのウェハをロードロック1
6内の内部カセリトンニ入れる。技術上よく知られてい
るようC:、スパチュラ24は水平方向C二のみ移動し
、ウェハはエレベータ15オよび内部カセットの垂直運
動によってスパチュラ24上に置いたりスパチュラ24
から除去する。例えば、内部カセットが垂直に置かれる
ので、クエへを運ぶスパチュラ24は適当なウェハスロ
ット内C;移動スル。ヒトたびスパチュラ24がそのよ
うな位置にくると、内部カセットは少し上方へ位置合せ
され(irLdex)、スパチュラ24からクエへを拾
い上げる。
次(ニスパテニラ24が除去され、ウェハが内部カセッ
ト内に残される。ひとたび内部カセットがロードされる
と、ロードロック装置16が循環する。即ち、ロードロ
ック16は閉じられ密封され、そこから空気が除去され
、次にロードロック16が真空輸送システム17との接
続部に対して開かれる。
真空輸送システム17は系内レール27上を水平(8) 方向に移動する第1および第2シヤトル板25および2
6、およびそれぞれクエへ取扱構成における役目とプラ
ズマ反応装置11および12における下部電極としての
役目をするチャック2日および29を含む。動作すると
、シャトル板25はその最左端の位置C二移動し、ロー
ドロック16内の内部カセットからのつエムはタイン(
tinge) 30上に置かれる。機械的カプラアーム
31の故C:、シャトル板26も同時l二その最左端の
位置にまで移動し、チャック28上に置かれたクエへが
あるとそれをタイン32上にのせる。同様(二、チャッ
ク29上にウェハが置かれていると、そのウェハはタイ
ン65上(二のせられる。次の動作段階では、シャトル
板25および26がその最右端の位置(二移動し、それ
C二よってタイン62上のウェハはチャック29の上C
装置かれ、タイン55上のウェハは出口−ドロック(O
μtyoirbyload 1ock )18内C;入
れられる。次C:シャトル板25および26が第1図に
示す位置に移動させられる。次(;チャック2Bおよび
29が持ちあげられてそれぞれのクエへをプラズマ反応
室内へ運び込み、プラズマ処理が行われる。最後に、チ
ャック28および29は下げられ、真空輸送システム1
7は新たなりエムを処理される位置にまで移動させる。
丁べてのウェハが出口−ドロック18に転送されると、
そのロードロックは循環し、スパチュラ54はクエへを
出エレベータ19上の多重フェノ1カセツトへ除去する
ウェハ処理機構をヘッド1個の機械として構成した場合
には、第2図の装置は破線の右側の全部とカブラアーム
617に除去する以外は全く同じものとなる。、そのよ
うなシステムC二おいては、ウェハ輸送方法は比較的簡
単である。ひとたびウェハがロードロック16に入ると
、それらのウェハは連続的Cニシャトル板25シニよっ
て除去され、処理され、ロードロック161=戻される
。従ってこの構成においては、ロードロック16および
エレベータ15は入力機能と出力機能の両方をはたす。
第2図(二示しであるヘッドが2つある構成においては
、最も右方のシャトル板26は2セツトのタイン52お
よび55ヲ保持しているが、最も左側のシャトル板25
は1セツトのタイン50 Lか保持していない。この関
係は全体的輸送構成に影響を与えずに逆にすることがで
きる。
$5図A〜第5図Hは第1図および第2図に示しである
2ヘツド構成に用いられるウェハ輸送方法を概略的C二
示す。最初に、処理される6枚のウニ八がエレベータ1
5上の多重ウニへカセット内に入れられる(第3図A)
。ウェハ転送およびロードロック循環ステップの後に、
ウェハ1〜6はロードロック16内の内部カセットに入
り、真空輸送システムによって処理可能となる。真空輸
送システムが1回循環する(即ち完全に左方へ移動しそ
の後完全C二右方へ移動する)と、ウェハ/161はチ
ャック28上に移動し、ウェハ/162〜/l667に
:ロードロツク16に残す(第6図C)。真空輸送シス
テムがもう1回循環すると、ウニ八/161はチャック
29上C二移動し、ウニ八/i62はチャック28上(
二移動する。この時点C:おいて、チャック28オよび
29はプラズマ反応装置近くに持ち上げられ、プラズマ
処理が行われる(第6図D)。次にチャック28および
29が下方へ下げられ、真空輸送システムが1回循環さ
せられる。この結果ウェハ/i61はロードロック18
へ転送され、ウェハ/162はチャック29へ転送され
、ウェハ/I63はチャック28へ転送され、ウニ八7
164〜/I66はロードロック16に残る(第3図E
)。真空輸送システムがもう1回循環すると、ウニ八/
I62はロードロック1日に入り、ウェハ/I66はチ
ャック29上に置かれ、ウェハ/I64はチャック28
上に置かれる。再びチャック28および29が持ち上げ
られ、プラズマ処理が行われる(第6図F)。第3因に
示されていないステップにおいて、ウニ八/i63およ
び/I64はロードロック18内に移動し、ウェハ/1
65および/I66はチャック28および29上に移動
して処理され、その後ロードロック18内I:移動する
。このことは6枚のウニ八全部をロードロック18に残
すことになり(第3図G)、これはウェハ/161〜/
I66を出力カセット19へ除去する前に循環される(
第6図H)。
上述したウニ八輸送構成は、モジュールウェハ処理機械
に特に役立つものである。各チャックヲ輸送動作中にウ
ニ八保持台として用いることができるので、各チャンバ
C二おける部分的ウニ八処理を更シニ複雑化せずCニラ
インシステムC:おいて多重ヘッドを使用できる。この
構成を6ヘソドウ工ハ処理機械C:拡張することは容易
である。主な差違は、真空輸送システムの5循環が各処
理ステップの間に割り込むという点である。
こ\に説明しているような複雑な電気機械的機械ぽ二お
いては、機械が動作している最中のある時点(二おける
電源故障又は同様な事故から回復する困難が生じること
がある。即ち、システムの輸送モータ、空気圧弁および
その他のデバイスの各々の機能を制御するマイクロプロ
セッサは、これらの各デバイスが処理の途中で再び動作
を始める時に各デバイスの状態を知らねばならない。こ
の問題は、種々の電気機械的、気圧式およびその他のシ
ステムが機械的C:相互償続していない、即ち次の機械
状態へ簡単に進むことができないという事実によって複
雑なものになる。第4図は必要な情報を与える方法の概
略図である。主マイクロプロセラf40がエレベータを
移動させたりチャックを持ち上げるような1つの動作を
完了させる度毎(二、カウンタ42を1だけ増分させる
信号がモータ41へ遂時C:機械がおかれていた状態を
独自に識別する。
電力が回復すると、機械のオペレータがカウンタ421
4示された数字をキーで打ち込むと、その数字はマイク
ロプロセッサ40がその状態′Ik1M定し処理を続行
するのに用いられる。機械の状態を測定する問題C二対
するこの見かけによらない簡単な解決、法は、移動可能
な各成分ごと(二1個又は複数のセン97に必要とする
システムよりはるかシー優れている。カウンタ42を機
械で読取ることができるようC;することも勿論可能で
あるので、パワーアップ時C二機械の状態を識別するた
めCニオペレータが介入する必要はない。
さてs5図を参照すると、装置のエレベータロードロッ
ク部分がその分解斜視図で説明されている。自動化ウニ
八処理機械においては、機械のこの部分は一般シ二送出
/受入れ装置(ponder/receiver un
it )と云われる。第5図−二示す構成は2つのエレ
ベータ45および46を有する。エレベータ45および
46は第5図I:おいては簡略(ニされた形で示されて
おり、第6図Aおよび第6図BI=更に詳細C二置され
ている。一般(;各エレベータはフレーム47.1対の
案内レール48、親ねじ49、親ねじ49C;結合した
モータ50、案内レール48に支えられていて親ねじ4
9によって動くキャリヤ51オよびカセット台52を含
む。モータ50は正確に予め決められたステップで回転
できる型のものである。従って、カセット台52の垂直
位置はきわめて正確(;制御できる。これは多重ウェハ
カセットとスパチュラ24の間のウェハ転送を行うのi
二必要である。キャリヤ51は片持式(0αnti1g
varfazh番on)にカセット台52t/支えるの
で、エレベータ45が完全に上昇した位置(二ある時に
は、それはスパチュラ装置55を妨害しない。この特徴
により、前後c (front−to−baOk )に
配置され1個のスパテユラシ;よって補助される多数の
エレベータを用いることができるよう(:なる。!J5
図には示されていないが、カセット台は多重カセットの
位置決めを助けて正確なローディングおよびアンローデ
ィングが確実に行うためピン、溝および/又はレールを
含む。
明確(ニするためその通常の位置から離して示しである
スパチュラ装置53はフレーム55.1対の案内レール
56、親ねじ57、フレーム55I=取付けられ親ねじ
57に結合されたモータ58、案内レール56によって
導かれ親ねじ57によって動かされるキャリヤ59、お
よびキャリヤ59に取付けられたス″チュラを含むOス
パチュラ装置56のフレーム55はエレベータ45およ
び46のフレーム47がら機械の反対側の壁に乗るよう
(:スパチュラ24とキャリヤ59との間の片持式配置
は行われている。
エレベータが1個又は2個の構成に対して十分なゆとり
がとれるようにするためI:、スパチュラ装置55はエ
レベータが2個の構成−二使えるの孟二十分な長さにし
である。エレベータが1個の構成では、スパチュラ装置
53を更5二後方の位置C二取付けるだけでよい。エレ
ベータが1個の構成からエレベータが2個の構成C二液
えるには、第2エレベータをボルトでとめ、スパチュラ
装置を前方へ移動させ、マイクo ]oセッ夛制御装置
のグミグラミングを変えるだけでよい。
ロードロック装置16は隔壁61、デュアルモーション
の機械的フィードスルー装置62.61体65、密封板
64、下部ガラス鐘65、この図では見ることができな
い上部ガラス鐘、およびこれもまた第5図では見えない
内部パススルーカセットを含む。
各隔壁61のスロットは上部ガラス鐘が持ち上げられる
とロードロック16と真空輸送りステノとの間の通路を
提供する。真空ロードロック装置16はモジュールウニ
へ処理機械の入力又は出力端で機能するようC二設計さ
れているので、密封板64は使用されていないスロット
ヲ密封するのC二置いられる。ロードロック装置16の
更に詳しい説明は第7図に関連して下記に述べである。
概略的C二置うと、第5図の装置は下記のよう(:なる
。多重ウェハカセットが各エレベータ台の上装置かれる
。エレベータの1つ、例えばエレベータ45カスハチニ
ラ24 t−第1ウエへの下に71人できる位置に下げ
られる。また上部ガラス鐘が下げられて真空輸送システ
ムを封止し、下部ガラス鐘65が下げられ、内部パスス
ルーカセットが下げられる。下記の説明から明らかなよ
うに、デュアルモーションフィードスルー62がこれら
の各動きを駆動させる。スパチュラ24がカセット内の
第1クエへの下に挿入され、エレベータ45がごく僅か
な距離だけ下方へ移動してウェハをスバtニラ24の上
C二重く。次(;スパチュラ24が後方に移動してウェ
ハを内部カセット内に入れる。次に内部カセットはごく
僅かな距離だけ上方へ移動し、ウェハをスパチュラ24
から持ち上げる。このウニへ輸送動作は、内部パススル
ーカセットの利用可能なスロットの各々が満たされるま
で反復される。次に、内部カセットは下部ガラス鐘65
と同様に持ち上げられ、ロードロック装置16を完全(
二密封し、この装置は真空輸送システムとはソ同じ真空
レベルにまでポンプダウン(Pμmp down )さ
れる。
次(二、上部ガラス鐘が上昇して真空輸送システムに内
部カセットへの通路を与える。この時点C二おいて、処
理ヘッドへの転送および処理が開始できる。
第6図Aおよび第6図Bはそれぞれ特定のエレベータ装
置68の平面図および側面図である。第6図Aおよび第
6図Bのいづれ(二おいても、多重ウニへカセットヲ保
持するカセット台はその下の細部な示すため(;取り除
かれている。エレベータ装置68のフレームは下部取付
板69.’i36図ACは示されていない上部取付板7
0、第6図B(二は示されていない覆い板71.1対の
案内レール72オよび親ねじ73を含む。覆い板71は
下部取付板69と上部取付板70の間C二延びていて、
エレベータ68の粒子ま胤機構馨ウェハから隔離する役
目をしている。モータ74は下部取付板69に取付けら
れ、親ねじ75 に結合されている。親板(carr*
arplate ) 75は案内レール72の上にのっ
ていて親ねじ75によって駆動される。親板75の片持
部分76は覆い板71のPal二延びていて、ピボット
ビン77のための取付点を与える。台キャリヤ(pla
tformcarrier) 78はその前線において
ピボットビン77上C:ピボットで回転するように支え
られている。
即ち親板78がピボットビン77に取付けられている親
板78の縁はロードロック装置に而している縁である。
カム79が覆い板71に取付けられており、カムフォロ
ア80が台キャリヤ78c:取付けられている。最後に
、スプリング81が親板78ヲ水平位置にバイアスさせ
る。
親板75がモータ74オよび親ねじ75によってその最
も高い位置に移動されると、カムフォロア80がカム7
9Cm触し、台キャリヤ78を後方に傾いた位置C:す
る。勿論親板75がカムフォロア80がカム79と接触
していない位置にある場合には、スプリング81は台キ
ャリマフ8ヲ水平位置−二維持する。エレベータ68の
この自動傾斜機構はクエハ破損の可能性を著しく小さく
する。多重ウニへカセットが従来のエレベータにロート
サしつつある時には、ウニへをはソ垂直なカセットから
押し出して破損するのは比較的容易である。しかしエレ
ベータ68を用いた場合l二は、多重ウニへカセットが
ロードされつつある時、即ちエレベータ68がその最も
高い位置C二ある時C二は、カセット台は後方C;傾斜
した位置にある。従って、オペレータは多重ウニへカセ
ットを後方へ傾け、ウニへがカセットの開いた前面から
押し出されないよう(ニジなければならない。カセット
台は傾斜した位置にあるカセット台上のカセットの安定
度を増丁ための安全装置を一般C;含んでいる。第6図
Aおよび第6図Bに示しであるエレベータのもう1つの
主要な特徴は、駆動機構とエレベータ台との間の片持関
係である。上述したように、この特徴ζ二よりスパチュ
ラ装置をエレベータが2つある配置C二おける第1エレ
ベータの下に通すことができる。
第7図は第5図(二示しであるロードロツタ装置16の
詳細な断面図である。第5図ぽ二関連して説明したよう
に、スロット66のある隔a61は真空輸送システムC
二対する取付および接近を与える。
デュアルモーションの機械的−フィードスルー62はロ
ードロック装置の内部部品を起動させる一方で、真空封
止を行う。ロードロック自体は下部ガラス鐘65.固定
密封板92および上部ガラス鐘93を含む。下部ガラス
鐘65は図示されているような隣下した位置から上昇し
た位置に移動し、その上昇した位置では下部ガラス鐘は
アクチュエータ90によって密封板92まで封止する。
アクチュエータ90は例えば空気圧シリンダおよびピス
トンでもよい。アクチュエータ90を下部ガラス鐘65
に結合させている取付装置65は、下部ガラス鐘65が
第7図の平面に対して垂直の方向区;滑らかに移動でき
るようシニ配置されている。この機構により破損したク
エへの破片を取り除くためC二下部ガラス鐘65を容易
に取りはずTことができる。
長い寿命の間にわたって十分な密封を行うためステンレ
ススチールで作るのが有利である密封板92は、パスス
ルーカセット94の通過を可能にするため一般シ;矩形
のアパーチャを有する。複数の穴97がこのアパーチャ
の内周C;沿って配置されている。下部ガラス鐘65お
よび上部ガラス鐘93の両方が密封板92に密着した時
Cニロードロックをポンプダウンできるようにするため
に、穴97は真空システムに結合されている。
上昇した位置C二おいて示されている上部ガラス鐘95
は下部ガラス鐘65とはソ同様である。上部ガラス鐘9
3は密封板92に密着するためOリング98を含む。
第8図Aおよび第8図B+二関連して下記に更に詳しく
説明しである内部パススルーカセット94は、多数の処
理されていないウェハをエレベータ上のカセットから受
けとり、それらのウェハが真空輸送システム(二よって
回収されるまで保持する役目をする。ウニ八処理機械の
出力端でバネスルーカセット94は、真空輸送システム
から処理されたウェハを回収し、それらのウェハが出方
カセットに転送されるまで保持する役目’&Tる。
上部ガラス鐘96′sよびパススルーカセット94はい
づれもデュアルモーションのフィードスルー装置62に
よって垂直方向C二移動させられる。図から明らかなよ
うに、第7@に示しである下部ガラス鐘65および上部
ガラス鐘95の位置はロードロック装置の通常の動作で
は決して同時C二は発生しない。上部ガラス鐘96が図
示されているようC二上昇した位置にある時(二は、下
部ガラス鐘65は密封板92C:密着している。このこ
とは真空輸送システムC二おける真空状態を維持し、ス
ロット66ヲ介してパススルーカセット94内のウェハ
への接近を可能にする。他方、下部ガラス鐘65が図示
されているように下降した位置C二ある時C二は、上部
ガラス鐘93が密封板92に密着し、パススルーカセッ
ト94もまた密着板92より下の位置に下っている。こ
の位置においては、上部ガラス鐘96は真空輸送システ
ムにおける真空状態を維持しており、パススルーカセッ
ト94はスパチュラによってロードおよび/又はアンロ
ードすることができる。
ロードロックの第6の通常の位置は、上部ガラス鐘95
と下部ガラス鐘65の両方が密封板92に密着している
場合である。この位置(二おいては、ロードロックは真
空輸送システムの真空レベルおよび大気圧へ、又はその
真空レベルおよび大気圧から循環できる。上述したよう
に、密封板92の穴はこの循環を行うシステムに結合さ
れている。当業者には明らかなよう(二、ロードロック
が完全に閉鎖された状態C二ある場合(二いくつかの製
造工程をロードロックCニオいて行うことも可能である
換言すると、穴97は反応性ガスを閉鎖されたロードロ
ック内シニ出すことができる。ひとたび所望する工程が
完了したら、穴97を通じてロードロック内のガスは排
出される。この能力C:より2つ以上の工程Y1つの機
械内で行い、それば二より全体的なスループットを改善
し製造原価を下げることができる。
さてデュアルモーションの機械的フィードスルー装置6
2についてみると、これは外部アクチュエータ1008
よび内部アクチュエータ101を参照すること(二よっ
て最も容易に説明される。外部アクチュエータ100は
上部ガラス鐘93ヲその上昇した位置と下降した位置と
の間で移動させ、また内部アクチュエータ1011’′
支えている。内部アクチュエータ101はパススルーカ
セット94を上下させる。従って、外部アクチュエータ
100が上部ガラス鐘93ヲ降下させつつある時(:は
、内部アクチュエータ101 ′Mよびパススル−カセ
ット94全体もまた下降しつつある。
外部アクチュエータ100は本質的には空気圧シリンダ
およびピストン配置である。エンドキャップ103およ
び104を含むシリンダ102はピストン105ヲ含む
。エンドキャップ103オよび104のそれぞれの空気
人口106および107は、ピストン105を動かすの
に必要なピストン105C二対する差圧を与える空気制
御システムシ;結合されている。更(二、エンドキャッ
プ105および104に固定されておりその上をピスト
ン105が滑る案内ビン108はピストン105とシリ
ンダ102との間の心のずれを回避する役目をする。エ
ンドキャップ105に取付けられているストップ109
はピストン105が下方へ動くのを制限する役目なする
。外部スリーブ110はピストン105(二固定されて
いて、スリーブ110がエンドキャップ103および1
04ヲ通過する所でそれぞれOリング111および11
2によって封止されている。外部スリーブ110はブロ
ック115およびカラー114によって上部ガラス鐘9
5−=機械的に結合されている。従って空気入口107
における空気圧が空気人口1061:おける空気圧より
大である場合には、ピストン105は外部スリーブ11
0および上部ガラス鐘95に運んで下方へ移動する。同
様電装、空気入口106Cおける圧力が空気入口107
Iニオける圧力より大である場合には、ピストン105
は外部スリーブ110および上部ガラス鐘95を運んで
上方へ移動する。内部アクチュエータ101は外部スリ
ーブ110内において運ばれるので、その動きもピスト
ン105の動き(二従う。
内部アクチュエータ101はモータ115、親ねじ11
6、ナツト117およびスライダ118 、119 ′
sよび120を含む。モータ115は親ねじ116を回
転させ、この親ねじ116は線運動をカット117に与
える。
ナツト117はスライダ118に機械的(二結合されて
おり、スライダ118はスライ′y119および120
 C結合されている。従って、親ねじ116の回転運動
はスライダ118 、119および120の線運動シニ
変えられる。スライダ120はパヌス3ルーカセツトに
機械的に結合されている。スライダ118 、119お
よび120は外部スリーブ110内において運ばれる内
部スリーブ121内をスライドする。内部スリーブ12
1は外部スリーブ110と一緒に動く。上述した配fi
l二よりモータ115はクエハの輸送に必要なよう(:
パススルーカセット94の位置を正確にきめることがで
きる。
外部アクチュエータ100および内部アクチュエータ1
01は上部ガラス鐘95およびパススルーカセット94
に必要な運動を与えるが、必要な真空封止は密封装置1
25Cよって与えられる。密封装置125は主として下
部の板126、カラー127およびダイアフラム12B
および129ヲ含む。図から明らかなようシニ、下部の
板126は筺体63および隔壁61を介して真空輸送シ
ステムに密着している。カラー127はその一端が下部
の板126に密着し、そのもう一方の端が外部スリーブ
110に密着している。ダイアフラム128はその外縁
が下部の板126とカラー127との間C二捕えられて
いる。ダイアフラム128はその内縁がブロック115
とカラー114の間に捕えられている。従って、ダイア
フラム128は上部ガラス鐘95’lk:動かす装置を
真空密封する。
ダイアフラム129はその外縁がカラー114と内部ス
リーブ121の間C二捕えられている。ダイアフラム1
29はその内縁がスライダ119とスライダ120の間
C二捕えられている。従ってダイアフラム129はパス
スルーカセット94を動かす装置を真空密封する。空気
人口150およびブリード穴151は、ダイアフラム1
28および129の上側C二価かな正圧ン与えてそれら
の形を保つのC二相いられる。
s8図ANよび第8図Bはそれぞれパススル、−カセッ
ト94の底面図および側面図である。パススルーカセッ
ト94な以前のつ円バカセットから区別する主な特徴は
、パススルーカセット94は垂直方向(二動くウニへ輸
送機構に接近できなければならないという点である。即
ち、ウニへをエレベータ上のカセットからパススルーカ
セット94へ転送するスパチュラは一方向(二動作し、
真空輸送システムははソ垂直の方向C@作する。このた
めにクエハはパススルーカセット94の四隅からのみ支
えられる必要が生じる。この目的のために、カセット9
4のウニ八運搬段はその各々がアーム156を保持する
四隅の柱155を含む。アーム136は隅柱155から
カセット94の中心の方向I:延びている。アーム15
6はその内側の端の方−一向って段がつけられていて力
士ット94内のクエへの心が大きくずれないようシーな
っている。各隅柱135はその上の隅柱に結合されてお
り、最終的にはねじ又はその他の適当な手段によって上
板(top plata)157に結合されている。こ
の方法によりパススルーカセット94を簡単な部品で容
易−二組立て、柱165およびアーム166の別の層を
加えるだけで所!iiTるだけの多数のウニへを運ぶこ
とができる。
勿論ロードロック内で利用できる余地によりカセット9
4の大きさの上限が決められる。
第9図はヘッドが1つのウニへ処理機械として碑成した
場合の真空輸送システムの分解斜視図である。真空輸送
システム17は3つの主要成分力らなる。第1に格納槽
140は主要な真空格納容器としての役目をする。第2
 C1磁気で駆動される輸送システム141はウェハを
パススルーカセット94からチャックに運ぶ役目をする
。最後(二、チャック組立体142はウェハを輸送シス
テム141から除去しそれらのウェハを処理される位置
C二まで持ちあげる役目をする。更に、チャック組立体
141の一部はプラズマ処理室の下部電極としての役目
をする。
格納容器140は主として箱145および上部板146
を含む。箱145はその両端シ:隔壁147ヲ有し、両
端において機械の構成要素に結合している。例えば、ヘ
ッドが1つの構成Cニオいては、一番左の隔壁147は
ロードロック16の隔壁61に結合され、−it右の隔
壁147は密封板148C二よって封止される。箱14
5はまた輸送システム141の粒子発生部分tウェハか
ら隔離する役目をするバッフル(baffles)14
9を含む。
ウェハ輸送システム141は同じ運動を確実に行うよう
にするためCニ一般に機械的に結合されている1対の駆
動モータ1501箱145円でバッフル149の後にあ
る1対のレール27、レール27に乗っている1対のス
ライダ152、およびスライダ152に取付けられたシ
ャトル板25を含む。第9図から明らかなようI:、レ
ール27の各々は太いレールと細いレールとからなる。
しかし、細いレールはシステムの機1械的剛性(mae
hani cal 、 rz 1tdnazz)を改善
する役目をするにすぎず、キれ以上の目的のため(:は
無視してもよい。下記の@10図の説明により更舊二明
らかになるように、モータ150は外側の箱145(:
取付けられている。シャトル板25は、パススルーカセ
ット94内に入ってそこからウェハを運ぶ1対のタイン
50を保持している。
チャック組立体142はデュアルモーションの機械的フ
ィードスルー155、取付ベル156およびチャック2
8を含む。下記・の第11因の説明により明らかI:な
るよつ1:、デュアルモーションの機械的フィードスル
ー155はロードロック16に用いられているフィード
スルー62とはゾ同じである。この同一性は製造原価を
大幅C二低下させ、在車として保有しなければならない
部品の数を減少させる。
取付ベル156は箱145の底に取付けられており、チ
ャック28は箱145の中に置かれている。ビン157
はデュアルモーションフィードスルー1551:よって
チャック28の上部表面より高い位置ぽ;まで上げるこ
ともできるし、その表面より低い位置C二まで下(デる
こともできる。タイン30によって運ばれるウェハはビ
ン157の上C装置かれるが、それらのビンはチャック
28の表面より下I:下げられる。次Cニビン157は
上方へあげられてウェハをタイン50から持ちあげる。
ビン157はタイン50が取り除かれた後に一般5二下
げられて、ウェハがチャック28の上部表面上C:載っ
ていることができるようにする。この時点でチャック2
8はデュアルモーションフィードスルー155によって
持ち上げられて上部板146と密着し、ウェハをプラズ
マ処理室内C二人れる。全工程が逆C二行ってウェハを
処理室から除去する。勿論多数のヘッドのある構成(二
おいては、ウェハは処理後タイン30C;よって持ち上
げられずに、隣接するシャトル板から箱145のなかに
達するタインによって持ち上げられる。
第9図Aはタイン50とビン157との間のウェハ輸送
機構を更に容易(二示す第9図の装置の部分断面図であ
る。第9図Aの平面はシャトル板25の運動方向に対し
て直角をなしている。タイン50はシャトル板25より
や\低くなっており、ビン157(二よってタイン50
から持ち上げられたウェハ154がタイン30とVヤト
ル板25との間を通過できるような方法でそこから支え
られている。換言すると、ウェハ154がビン157の
上に支えられている時(:シャトル板25およびタイン
60はウェハ154の周りを通る。この機構(二よって
ウェハ転送を行うのi;必要なシャトル板25の水平運
動量が最小となる。
第10図は磁気駆動システム141の一部分の詳細な断
面図である。壁158は箱145の端壁である。
管159は一般的には輸送システムの太い方のレールの
うちの1本を含むステンレススチール管である。両方の
太いレールはこの型のものである。管159は壁158
において密封されていて真空シス゛テムの保全状態を保
っている。従って管159の内部は真空システムに支障
を与えずに大気に対して開くことができる。親ねじ16
0は管159と同軸であり、一端において軸受けl5I
I:取付けられており、もう一方の端に滑車を有してい
てそれを゛モータ1500) 1つ(二結合させている
。1対の案内ワイヤ166が管159の内側に親ねじ1
60の傍に固定されている。ナツト164は親ねじ16
0によって駆動され、案内ワイヤ166によって案内さ
れる。1対のトロイダル磁石165がナラ)164によ
って運ばれる。磁石165はナツト164の両側C:配
置されている。スライダ152は管159の外側に乗っ
ており、即ち真空システムの内側(二あり、トロイダル
磁石166を運ぶ。磁石165および166の磁界は、
磁石166が磁石165の間のはゾ中夫にとどまるよう
に配置されている。携って親ねじ160が管159の長
さに沿って164を動かすにつれて、スライダ152が
管159の外側に沿って移動する。この配置によって駆
動機構の主要な粒子生産部分を真空格納容器システムの
外側に配置することができる。またこの配置によりサー
ビスを容易にするためにモータ150を真空格納容器の
外側に配置することができる。
第11図はデュアルモーションフィードスルー155お
よびチャック28の詳細な側面図である。比較してみる
と明らかなよう(二、フィードスルー155は第7図の
フィードスルー62とはy同じである。同一部品を識別
するため1:第11図と第7図電:は同じ参照数字が用
いられている。簡単C装置うと、外部アクチュエータ1
00はエンドキャップ103および104およびピスト
ン105す有する空気圧シリンダ102ヲ含む。空気人
口106および107は空気圧制御#!をアクチュエー
タ100I=結合させている。ピストン105C機械的
C二結合されている外部スリーブ110はそれがエンド
キャップ105を通過する個所でそれぞれOリング11
1および112C二よって密封されている。案内ビン1
08はピストン105がシリンダ102内でコツキング
(cooking) Lないようにする役目なする。デ
ュアルモーションフィードスルーのこの実施例直装おい
ては、ピストン105の運動を制限するストップはない
(第7図のストップ109を参照)。外部スリーブ11
0はブロック151およびカラー168を介してチャッ
ク28に結合されている。従ってピストン105の運動
はチャック128の運動に変えられる。
内部アクチュエータ101はモータ115、親ねじ11
6、ナツト117およびスライダ118 、119およ
び169を含む。スライダ169は仮172を介してビ
ン157に結合されている。スライダ118 、119
および169は外側スリーブ110とともC二連ばれる
内部スリーブ内をスライドする。従ってモータ115区
=よって駆動される親ねじ116の回転運動はビンの垂
直運動に変えられる。上述したようにビン157はウニ
へをシャトル仮25のタイン30およびチャック28へ
、またそれらから転送する役目をする。
真空密封装置125はカラー127、密封ベル156の
一部である底板170、外部ダイアフラム128、内部
ダイアフラム129、空気人口160およびブリード穴
131を含む。外部ダイアプラム128および内部ダイ
アフラム129はそれぞれ外部アクチュエータ連動10
0および内部アクチュエータ101のためg二真空封止
を行う役目なする。空気人口130およびブリード穴1
61はそれぞれダイアフラム128および129の背後
の正圧を維持する役目をする。
(67) 密封ベル156の一部であるストップ171はチャック
28は下方への運動を制限し、それによりその完全に降
下した位置を正確に決める役目をする。
これはシャトル仮とビンの間でクエへの転送を行うのに
必要である。
真空封止カップリング173はチャック28に必要なR
Fパワー(powgr)を与える。この側面図では見え
ない同じような1セツトの真空封止カップラがチャック
28に一冷却水を与える。
一連のOリング174 、175および176はチャッ
ク装置142に必要な封止を行う。Oリング174は密
封ベル156と真空格納箱145との間の封止を行う。
Oリング175はチャック28が完全に上昇した位置に
ある時にチャック2Bと真空格納容器140の上部仮1
56との間の封止を行う。Oリング176はチャック2
8の電極部分177と第11図には示されていないプラ
ズマ反応装置の底との間の封止を行う。これは下記に第
12図および第13図に関連して更に詳細に説明されて
いる。チャック28の電極部分177はその用圓の複数
のボルト178によって(68) チャック28に固定されている。このことは電極部分1
77の互換性を可能にし、システムの残りめ部分を大幅
に変えることなしに特定の工程にとってチャック装置1
42をより良く構成することができる。
第12図はチャック28、真空格納容器140の上部仮
146およびプラズマ室180の間の封止配置の1実施
例を示す簡易断面図である。密封弁156およびデュア
ルモーションフィードスルー155は、チャック装置が
通る真空格納箱145の底のアパーチャに必要な封止を
行う。Qyソング75はチャック28が完全に上昇した
位置にある時にチャック28と上部仮146の間の封止
を行う。Oリング176はチャック28と反応装置18
0の底板182の間の封止を行う。0リング181は底
板182と上部仮146の間の封止を行う。反応装置1
80の側壁部分183をチャック28の電極部分から電
気的に絶縁するために、底板182は一般にセラミック
スはその他の絶縁材料でできている。チャック28が第
12図(2示すように完全に上昇した位置にある時孟二
は、プラズマ反応装置180は真空輸送システムの真空
を乱さずに役に立つため(二上郡板146から除去でき
る。
このために真空輸送システムを空気で汚染することなし
に反応装置180に対するサービス、チャック28の電
極部分177の交換および同様な措置をとることができ
る。Oリング176はプラズマ反応装置180内の反応
性ガスが処理中(二真空輸送システム内に引き込まれる
のt防ぐのに必要である。
Oリング181はウニ八を輸送するためにチャック28
が下げられた時にシステム全体の真空を保つの(二必要
である。
第15図は第12図シ:関連して説明したサービス密封
配置の代わりの実施例の尺度を拡大した断面図である。
この場合(二は、Oリング175およびそれを保持する
のi二必要な段(5tep )はチャック28から取り
除かれている。上部板146内に保持されている膨張式
i/ −A/ (1nflatabla zeal )
 18は板146とチャック28との間の必要な封止を
与える。
09ング176および181および電極177は第12
図に示したものとはソ同じである。サービス密封配置の
この代わりの実施例の主要な目的は、チャック28の総
体的直径を維持する一方でより大きな電極を備えること
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、モジュールウェハ処理機械の斜視図である。 第2図は、第1図に示したような機械シー用いるための
ウニ八輸送システムの簡易平面図である。 第6図A−第6図Hは、第1図および第2図C示したよ
うな機械C二おけるウニ八輸送方法を示す一連の概略図
である。 第4図は、第1図に示したような機械C装用いるための
機械状態カウンタの概略図である。 第5図は、第1図に示したような機械に用いるためのエ
レベータおよびロードロックシステムの分解斜視図であ
る。 第6図Aおよび第6図Bは、それぞれ第1図に示したよ
うな機械に用いるためのカセットエレベータの平面図お
よび側面図である。 第7図は、第1図(2示したような機械に用いる(41
) だめのロードロック装置の断面図である。 第8図Aおよび第8図Bは、それぞれ第7図に示したロ
ードロック装置に用いるためのパススルーカセットの平
面図および側面図である。 第9図は、第1図C二本したような機械の真空輸送部分
の分解斜視図である。 第9図Aは、第9図の真空輸送システムの部分断面図で
ある。 第10図は、第9図に示したような真空輸送システムに
用いるための磁気駆動装置の断面図である。 第11図は、第9図C二本したような真空輸送システム
区;用いるための組合せられたウニへ段および反応装置
磁極の断面図である。 第12図は、第1図に示したような機械に用いるための
サービスシール配置の簡易断面図である。 第16図は、代わりのチービスシール配置の拡大した簡
易断面図である。 特許出願人 チーガル・コーポレーション代理人 弁理
士 玉蟲久五部 (A9) F’IG、 1 F’IC,2 F’lに:、4 く ω Q 0 IJJLC!F 工 F’l″G、5

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.7′パーチヤを有する上部仮、およびウェハ輸送機
    構を有する真空格納槽と、 前記アパーチャの周囲において前記上部仮C二封着する
    ように適合されたプラズマ反応装置と、 前記真空格納容器内ζ二下降して前記ウェハ輸送機構と
    インタフェースし、上昇して前記上部仮に封着するよう
    に適合されたチャックとを含む プラズマ処理機械。 2、 チャックは、更に、 クエへをウェハ輸送機構から受けとりウェハ輸送機構へ
    送るように適合された電極と、前記チャックをプラズマ
    反応装置に封着させる9Ai封着手段ζ。 (1) チャックを真空格納容器の上部仮に封着させる′i!&
    2封看手段封着含む、 特許請求の範囲第1項l二よるプラズマ処理機械。 3、 前記チャックが前記上部仮に封着されている間に
    前記電極を取りはずして交換可能とした前記特許請求の
    範囲第2項によるプラズマ処理機械。
JP60046337A 1984-03-09 1985-03-08 プラズマ反応装置チヤツク組立体 Pending JPS60207338A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/588,031 US4547247A (en) 1984-03-09 1984-03-09 Plasma reactor chuck assembly
US588031 1984-03-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60207338A true JPS60207338A (ja) 1985-10-18

Family

ID=24352184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60046337A Pending JPS60207338A (ja) 1984-03-09 1985-03-08 プラズマ反応装置チヤツク組立体

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4547247A (ja)
JP (1) JPS60207338A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62109449U (ja) * 1985-12-27 1987-07-13

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3413001A1 (de) * 1984-04-06 1985-10-17 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen
JPS61105853A (ja) * 1984-10-30 1986-05-23 Anelva Corp オ−トロ−ダ−
US4624728A (en) * 1985-06-11 1986-11-25 Tegal Corporation Pin lift plasma processing
US4810242A (en) * 1985-09-26 1989-03-07 Alcon Laboratories Inc. Surgical cassette proximity sensing and latching apparatus
US4790816A (en) * 1985-09-26 1988-12-13 Allon Laboratories, Inc. Surgical cassette proximity sensing and latching apparatus
US4685999A (en) * 1985-10-24 1987-08-11 Texas Instruments Incorporated Apparatus for plasma assisted etching
US4842680A (en) * 1985-10-24 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Advanced vacuum processor
US5102495A (en) * 1986-04-18 1992-04-07 General Signal Corporation Method providing multiple-processing of substrates
US4715921A (en) * 1986-10-24 1987-12-29 General Signal Corporation Quad processor
US5308431A (en) * 1986-04-18 1994-05-03 General Signal Corporation System providing multiple processing of substrates
CA1331163C (en) * 1986-04-18 1994-08-02 Applied Materials, Inc. Multiple-processing and contamination-free plasma etching system
US6103055A (en) * 1986-04-18 2000-08-15 Applied Materials, Inc. System for processing substrates
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
JPH0834205B2 (ja) * 1986-11-21 1996-03-29 株式会社東芝 ドライエツチング装置
US5882165A (en) * 1986-12-19 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Multiple chamber integrated process system
EP0272141B1 (en) * 1986-12-19 1994-03-02 Applied Materials, Inc. Multiple chamber integrated process system
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US5292393A (en) * 1986-12-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Multichamber integrated process system
US4842686A (en) * 1987-07-17 1989-06-27 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus and method
US5683072A (en) * 1988-11-01 1997-11-04 Tadahiro Ohmi Thin film forming equipment
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
US5248371A (en) * 1992-08-13 1993-09-28 General Signal Corporation Hollow-anode glow discharge apparatus
ES2090893T3 (es) * 1993-01-28 1996-10-16 Applied Materials Inc Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada.
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US5870526A (en) * 1997-07-17 1999-02-09 Steag-Ast Inflatable elastomeric element for rapid thermal processing (RTP) system
US6050216A (en) * 1998-08-21 2000-04-18 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode for plasma processing
AU6763000A (en) * 1999-08-11 2001-03-05 Multilevel Metals, Inc. Load lock system for foups
JP5165825B2 (ja) * 2000-01-10 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 分割された電極集合体並びにプラズマ処理方法。
US6170432B1 (en) 2000-01-24 2001-01-09 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode assembly for plasma processing
US6237528B1 (en) 2000-01-24 2001-05-29 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode assembly for plasma processing
JP4021125B2 (ja) * 2000-06-02 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 ウェハ移載装置の装置ユニット接続時に用いられるレールの真直性保持装置
US10571069B2 (en) * 2017-09-14 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gimbal assembly for heater pedestal
CN115404470B (zh) * 2022-08-24 2023-06-30 江苏天芯微半导体设备有限公司 一种密封内衬、半导体设备平台及维护方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
JPS5681533U (ja) * 1979-11-27 1981-07-01
US4341582A (en) * 1980-12-22 1982-07-27 The Perkin-Elmer Corporation Load-lock vacuum chamber
US4340462A (en) * 1981-02-13 1982-07-20 Lam Research Corporation Adjustable electrode plasma processing chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62109449U (ja) * 1985-12-27 1987-07-13

Also Published As

Publication number Publication date
US4547247A (en) 1985-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60207338A (ja) プラズマ反応装置チヤツク組立体
JP2516584B2 (ja) 物品処理方法及びウエハ処理方法
US4632624A (en) Vacuum load lock apparatus
US4619573A (en) Article transport apparatus
US4861222A (en) Cassette elevator for use in a modular article processing machine
US5833426A (en) Magnetically coupled wafer extraction platform
US6860965B1 (en) High throughput architecture for semiconductor processing
KR100235917B1 (ko) 진공처리장치
EP0367488A2 (en) Platen assembly for a vacuum processing system
US4923584A (en) Sealing apparatus for a vacuum processing system
US5019233A (en) Sputtering system
US5613821A (en) Cluster tool batchloader of substrate carrier
CN1329948C (zh) 晶片机
US6083566A (en) Substrate handling and processing system and method
US5751003A (en) Loadlock assembly for an ion implantation system
KR100267617B1 (ko) 진공처리장치 및 진공처리방법
US5607276A (en) Batchloader for substrate carrier on load lock
US8377210B2 (en) Film forming apparatus
EP0244951B1 (en) Method and apparatus for handling and processing wafer like materials
KR100789461B1 (ko) 반도체처리모듈과 장치
US6120229A (en) Substrate carrier as batchloader
CN100359634C (zh) 用于半导体材料处理系统的一体化机架
US4727993A (en) Wafer cassette having multi-directional access
EP0367425A2 (en) Wafer handling apparatus
US6025602A (en) Ion implantation system for implanting workpieces