JPS60208706A - 導波路レンズ - Google Patents
導波路レンズInfo
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- JPS60208706A JPS60208706A JP6485584A JP6485584A JPS60208706A JP S60208706 A JPS60208706 A JP S60208706A JP 6485584 A JP6485584 A JP 6485584A JP 6485584 A JP6485584 A JP 6485584A JP S60208706 A JPS60208706 A JP S60208706A
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- JP
- Japan
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- film
- waveguide
- monomolecular
- photopolymerizable
- substrate
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
- G02B6/29304—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating
- G02B6/29316—Light guides comprising a diffractive element, e.g. grating in or on the light guide such that diffracted light is confined in the light guide
- G02B6/29325—Light guides comprising a diffractive element, e.g. grating in or on the light guide such that diffracted light is confined in the light guide of the slab or planar or plate like form, i.e. confinement in a single transverse dimension only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
- G02B6/1245—Geodesic lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光重合性化合物からなる導波路レンズに関する
。更に詳しくは、光重合性オレフィン系化合物の重合単
分子累積膜からなる導波路レンズに関する。
。更に詳しくは、光重合性オレフィン系化合物の重合単
分子累積膜からなる導波路レンズに関する。
近年、光集積回路の発達に伴って、高精度でかつ効率の
よい導波レンズの開発が望まれている。
よい導波レンズの開発が望まれている。
まづ、導波路レンズについて図面を参照して説明する。
第１図ないし第８図は導波路レンズの概略図である。こ
こで第１図（ａ） 、 （ｂ）は内部収光型グレーティ
ングレンズを示し、（−）はツレネル型、（ｂ）はブラ
ッグ回折型の斜視図である。第２図（ａ） 、 （ｂ）
は外部収光型グレーティングレンズを示し、（ｍｌは概
略平面図、（ｂ）はその断面図である。また第８図（ａ
） 、 （ｂ） 、 ｌｃｊ ｄ訃はモード・インデッ
クス・レンズを示す。
こで第１図（ａ） 、 （ｂ）は内部収光型グレーティ
ングレンズを示し、（−）はツレネル型、（ｂ）はブラ
ッグ回折型の斜視図である。第２図（ａ） 、 （ｂ）
は外部収光型グレーティングレンズを示し、（ｍｌは概
略平面図、（ｂ）はその断面図である。また第８図（ａ
） 、 （ｂ） 、 ｌｃｊ ｄ訃はモード・インデッ
クス・レンズを示す。
これらの図において、２は基板であって例えば、ガラス
、プラスチック又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂｏｓ）
等の透明基板又はシリコン、セラミックス等の不透明基
板が用いられる。基板２の表面に先導波路１が配設され
る。光導波路１は基板２よりも屈折率が高いものが用い
られる。例えば、ニオブ酸リチウムを基板として用いる
場合には、その表面にチタン（Ｔｉ）を熱拡散すること
によりＣｏ、５〜５μ程度の膜厚の光導波路１が得られ
る。
、プラスチック又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂｏｓ）
等の透明基板又はシリコン、セラミックス等の不透明基
板が用いられる。基板２の表面に先導波路１が配設され
る。光導波路１は基板２よりも屈折率が高いものが用い
られる。例えば、ニオブ酸リチウムを基板として用いる
場合には、その表面にチタン（Ｔｉ）を熱拡散すること
によりＣｏ、５〜５μ程度の膜厚の光導波路１が得られ
る。
或いは、屈折率が１．５のガラスを基板として用いる場
合には、その表面に屈折率が１．５５（波長６８２８Ａ
）のガラス（例えば、コーニング社商品名Ｃ−７０５９
）をスパッタリングにより膜厚０．５〜５μ程度に成膜
し光導波路１を得る。８はグレーティング（第１．２図
）であって、通常ピッチ０．８〜１μ、深さ０．１〜０
．２μである。このように構成された導波路レンズの光
導波路１内を導波光４が全反射により伝播し、グレーテ
ィング８によって回折され射出光５が収束ないし発散す
る。第８図において、６は凸状または凹状の光導波路１
内設けられたモード・インデックスレンズで、この場合
もモード・インデックスレンズ６により導波光４は収束
ないし発散する射出光５が得られる。
合には、その表面に屈折率が１．５５（波長６８２８Ａ
）のガラス（例えば、コーニング社商品名Ｃ−７０５９
）をスパッタリングにより膜厚０．５〜５μ程度に成膜
し光導波路１を得る。８はグレーティング（第１．２図
）であって、通常ピッチ０．８〜１μ、深さ０．１〜０
．２μである。このように構成された導波路レンズの光
導波路１内を導波光４が全反射により伝播し、グレーテ
ィング８によって回折され射出光５が収束ないし発散す
る。第８図において、６は凸状または凹状の光導波路１
内設けられたモード・インデックスレンズで、この場合
もモード・インデックスレンズ６により導波光４は収束
ないし発散する射出光５が得られる。
従来より光重合性有機化合物を薄膜にして導波路として
用いる導波路レンズが知られている。そのつくり方は、
まず、光重合性有機化合物の溶液を回転塗布機などを用
いて、ガラス、プラスチック、半導体、誘電体等の基板
上に塗布し薄膜を形成する。次に、マスキングして紫外
線等を照射し選択的に重合させ、未露光部分を除去して
グレーティング等を作り、導波路レンズとして使用され
る。
用いる導波路レンズが知られている。そのつくり方は、
まず、光重合性有機化合物の溶液を回転塗布機などを用
いて、ガラス、プラスチック、半導体、誘電体等の基板
上に塗布し薄膜を形成する。次に、マスキングして紫外
線等を照射し選択的に重合させ、未露光部分を除去して
グレーティング等を作り、導波路レンズとして使用され
る。
しかしながら該かる従来法では薄膜の分子配向が不規則
であるため、微視的にみた場合、次のような弊害が生ず
る。即ち、どんなに解像力の良Ｃ・光重合性有機化合物
を用いても、微小領域では鋭いエッヂを得ることができ
ずそのため光集積回路の製作に不可欠な高性能の導波路
レンズか得られないといった欠点があった。該かる点に
鑑みて本発明は微小化容易で高性能の導波路レンズを提
供することを目的とする。
であるため、微視的にみた場合、次のような弊害が生ず
る。即ち、どんなに解像力の良Ｃ・光重合性有機化合物
を用いても、微小領域では鋭いエッヂを得ることができ
ずそのため光集積回路の製作に不可欠な高性能の導波路
レンズか得られないといった欠点があった。該かる点に
鑑みて本発明は微小化容易で高性能の導波路レンズを提
供することを目的とする。
本発明の目的は導波路レンズの光導波路を光重合性オレ
フィン化合物の単分子累積−によって構成することによ
り達成される。また本発明の目的は、分子内に親水基、
疎水基および少な（とも１個の不飽和結合を有する光重
合性七ツマ−からなる光記録媒体用化合物の使用により
達成される。
フィン化合物の単分子累積−によって構成することによ
り達成される。また本発明の目的は、分子内に親水基、
疎水基および少な（とも１個の不飽和結合を有する光重
合性七ツマ−からなる光記録媒体用化合物の使用により
達成される。
本発明の光重合性七ツマ−は、基板上に単分子膜または
単分子層累積膜を形成し得る。基板上に形成された単分
子層累積膜に光を照射して、照射部位において重合反応
を生じさせ非照射部位の未重合部分を現像除去して導波
路レンズを形成する。
単分子層累積膜を形成し得る。基板上に形成された単分
子層累積膜に光を照射して、照射部位において重合反応
を生じさせ非照射部位の未重合部分を現像除去して導波
路レンズを形成する。
本発明に用いる光重合性七ツマ−としては、分子内に親
水基、疎水基および少なくとも１個の不飽和結合を有す
る光重合性モノマーであれば広、＜ １１ ＜、＋、
１使うことができる。
水基、疎水基および少なくとも１個の不飽和結合を有す
る光重合性モノマーであれば広、＜ １１ ＜、＋、
１使うことができる。
この様な光重合性七ツマ−は、一般式（Ｉｌａ） 。
（ｕｂ） で表わすことができる。
Ｒ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒｆｆｉ （Ｉ［ａ）Ｒ，−ＣＨ＝
ＣＨ−Ｒ，−ＣＨ＝ＣＨ−鳥 （ｎｂ）上式（Ｉ［ａ）
Ｒｔ部或いは、鳥及び４部に親水性部位と疎水性部位
の両者が存在するか、若しくは、Ｒ１は島との関係にお
いて疎水性であり、鳥はＲ１との関係において親水性で
ある。上式（ｎｂ ） において、Ｒ１−Ｒ１またはＲ
８部のいずれかに親水性部位と疎水性部位の両者が存在
するか、若しくはｇ、、Ｒ１および８３部のいずれかが
他の部との関係において疎水性であり、残りの部のいず
れかは親水性である。特に炭素原子数ｌθ〜８０の長鎖
アルキル基をＲ１部或いは、Ｒ，及び４部、若しくはＲ
，、Ｒ，またはＲ３部の少なくともいずれかに有する光
重合性モ 。
ＣＨ−Ｒ，−ＣＨ＝ＣＨ−鳥 （ｎｂ）上式（Ｉ［ａ）
Ｒｔ部或いは、鳥及び４部に親水性部位と疎水性部位
の両者が存在するか、若しくは、Ｒ１は島との関係にお
いて疎水性であり、鳥はＲ１との関係において親水性で
ある。上式（ｎｂ ） において、Ｒ１−Ｒ１またはＲ
８部のいずれかに親水性部位と疎水性部位の両者が存在
するか、若しくはｇ、、Ｒ１および８３部のいずれかが
他の部との関係において疎水性であり、残りの部のいず
れかは親水性である。特に炭素原子数ｌθ〜８０の長鎖
アルキル基をＲ１部或いは、Ｒ，及び４部、若しくはＲ
，、Ｒ，またはＲ３部の少なくともいずれかに有する光
重合性モ 。
ツマ−が望ましい。
本発明の光重合性七ツマ−の具体的な例としては以下の
化合物が例示される。
化合物が例示される。
しΦ０−ＣＩ（＝ＣＨ−＠−ＣＨ＝ＣＨ−０Ｑ ・Ｘｏ
ｔ％■−ＣＨ＝Ｃ）Ｉ−＠ −ＣＨ＝ＣＨ−＠Ｎ（％
−２ｘｅ前記の光重合性上ツマ−は、長鎖アルキル基を
新たに導入した点を除けば、それ自体公知（文献基；化
学と工業第８２巻第１０号７６８〜７６５頁）であるか
、又は、それに類似した構造を持つ化合物である。故に
公知の方法により合成することができる。例えば、炭素
原子数１８の長鎖アルキル基（ｎ−オクタデカノイル基
）を有する光重合性オレフィンモノマーである過塩素酸
１．４−ｉ：ｔ −ｎ−オクタデカノイル−２，５−ジ
スチリルピラジンＡは以下の方法により合成することが
できる。
ｔ％■−ＣＨ＝Ｃ）Ｉ−＠ −ＣＨ＝ＣＨ−＠Ｎ（％
−２ｘｅ前記の光重合性上ツマ−は、長鎖アルキル基を
新たに導入した点を除けば、それ自体公知（文献基；化
学と工業第８２巻第１０号７６８〜７６５頁）であるか
、又は、それに類似した構造を持つ化合物である。故に
公知の方法により合成することができる。例えば、炭素
原子数１８の長鎖アルキル基（ｎ−オクタデカノイル基
）を有する光重合性オレフィンモノマーである過塩素酸
１．４−ｉ：ｔ −ｎ−オクタデカノイル−２，５−ジ
スチリルピラジンＡは以下の方法により合成することが
できる。
Δ
１０．８ｇ２．５−ジメチルピラジンと４４．５，９
ｐ−クロルベンゼンスルホン酸−ｎ−オクタデカノイル
エステルとを１００ ｍＡ！ ＤＭＦにとかし、窒素雰
囲気下にて１時間加熱還流する。冷却後、過塩素酸ナト
リウム１０１１を水２００１ｎｌに溶かした溶液を加え
る。
ｐ−クロルベンゼンスルホン酸−ｎ−オクタデカノイル
エステルとを１００ ｍＡ！ ＤＭＦにとかし、窒素雰
囲気下にて１時間加熱還流する。冷却後、過塩素酸ナト
リウム１０１１を水２００１ｎｌに溶かした溶液を加え
る。
析出した固体をエーテルで洗浄した後、メチルアルコー
ル中で再結晶させる。こうして得た、過塩素酸１．４−
ｎ−オクタデカノイ／ｌ／ −Ｑ、 ５−ジメチルピ
ラジン４．７ｇとベンズアルデヒド１．０４，９’とを
無水酢酸中で８時間加熱還流し、冷却後メチルアルコー
ル中で再結晶させてＡを得る（収率４０チ）他の化合物
もこれと同様の手法により合成することができる。
ル中で再結晶させる。こうして得た、過塩素酸１．４−
ｎ−オクタデカノイ／ｌ／ −Ｑ、 ５−ジメチルピ
ラジン４．７ｇとベンズアルデヒド１．０４，９’とを
無水酢酸中で８時間加熱還流し、冷却後メチルアルコー
ル中で再結晶させてＡを得る（収率４０チ）他の化合物
もこれと同様の手法により合成することができる。
前記単分子膜または単分子層累積膜を作成する方法とし
ては、例えば、１．Ｌａｎｇｍｕｉｒ らの開発したラ
ングミュア・プロジェット法（ＬＢ法）を用いる。ラン
グミュア・プロジェット法は、分子内に親水基と疎水基
を有する構造の分子において、両者のバランス（両親媒
性のバランス）が適度に保たれているとき、分子は水面
上で親水基を下に向けて単分子の層になることを利用し
て単分子膜または単分子層の累積膜を作成する方法であ
る。
ては、例えば、１．Ｌａｎｇｍｕｉｒ らの開発したラ
ングミュア・プロジェット法（ＬＢ法）を用いる。ラン
グミュア・プロジェット法は、分子内に親水基と疎水基
を有する構造の分子において、両者のバランス（両親媒
性のバランス）が適度に保たれているとき、分子は水面
上で親水基を下に向けて単分子の層になることを利用し
て単分子膜または単分子層の累積膜を作成する方法であ
る。
水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子がまば
らに散開しているときは、一分子当り面積Ａと表面圧
との間に二次元理想気体の式、Ａ＝ＫＴ が成り立ち、１気体膜”となる。ここに、Ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の１凝縮膜（または固
体膜）ｌ′になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単分子
膜または単分子層累積膜は例えば次のようにして製造す
る。
らに散開しているときは、一分子当り面積Ａと表面圧
との間に二次元理想気体の式、Ａ＝ＫＴ が成り立ち、１気体膜”となる。ここに、Ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の１凝縮膜（または固
体膜）ｌ′になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。この方法を用いて、単分子
膜または単分子層累積膜は例えば次のようにして製造す
る。
まず光重合性上ツマ−を溶剤に溶解し、これを水相中に
展開し光重合性上ツマ−を膜状に析出させる。次にこの
析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎないように
仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限して膜物
質の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜
物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累
積膜の製造に適する表面圧 を設定することができる。
展開し光重合性上ツマ−を膜状に析出させる。次にこの
析出物が水相上を自由に拡散して拡がりすぎないように
仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限して膜物
質の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜
物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累
積膜の製造に適する表面圧 を設定することができる。
この表面圧を維持しながら静かに清浄な基板を垂直に上
下させることにより単分子膜が基板上に移しとられる。
下させることにより単分子膜が基板上に移しとられる。
単分子膜は以上で製造されるが、単分子層累積膜は、前
記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層
累積膜が形成される。このように形成した単分子膜およ
び単分子層累積膜をＬＢ膜という。
記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層
累積膜が形成される。このように形成した単分子膜およ
び単分子層累積膜をＬＢ膜という。
この単分子累積膜（ＬＢ膜）にあるノζターンに従って
ガンマ線、Ｘ線、紫外線など重合に必要なエネルギーを
供給しうる光を照射すると照射部位において■式に示す
ように重合がおこる。
ガンマ線、Ｘ線、紫外線など重合に必要なエネルギーを
供給しうる光を照射すると照射部位において■式に示す
ように重合がおこる。
これらの反応は互いに隣接する不飽和結合の距離が４又
以下のときおこり得るものであり、先に述べた様な方法
で作成された単分子膜又は、単分子層累積膜では、同一
層内の隣接分子間又は累積する層の隣接する分子間にお
いて可能である。また、重合した後は、暗所下でも解重
合は起こらず、非照射部位は単量体のままであるので、
現像液に溶解し所定の形状が得られる。
以下のときおこり得るものであり、先に述べた様な方法
で作成された単分子膜又は、単分子層累積膜では、同一
層内の隣接分子間又は累積する層の隣接する分子間にお
いて可能である。また、重合した後は、暗所下でも解重
合は起こらず、非照射部位は単量体のままであるので、
現像液に溶解し所定の形状が得られる。
つぎに本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第４図（（転）、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄｌ
、 （Ｅ） 、 ＩＦＩは本発明の製作順序の一実施例
であって、 １、重合性ＬＢ膜ＩＯを基板２の表面にＬＢ法により付
着形成せしめる（第４図（Ａ））。
、 （Ｅ） 、 ＩＦＩは本発明の製作順序の一実施例
であって、 １、重合性ＬＢ膜ＩＯを基板２の表面にＬＢ法により付
着形成せしめる（第４図（Ａ））。
２、光等のエネルギー線７により重合性ＬＢ膜１０をパ
ターニング露光する（第４図（Ｂ））。
ターニング露光する（第４図（Ｂ））。
８、 次いで、現像（アルコール、クロロホルム又はベ
ンゼン等に漬ける）し、未露光部を溶解除去する。重合
したＬＢ膜１１は現像液に対して不溶である。かくして
重合ＬＢ膜１１かｌ−）なる導波路下部が構築される（
第４図（Ｃ））。
ンゼン等に漬ける）し、未露光部を溶解除去する。重合
したＬＢ膜１１は現像液に対して不溶である。かくして
重合ＬＢ膜１１かｌ−）なる導波路下部が構築される（
第４図（Ｃ））。
４ 導波路下部１１の上に重合性ＬＢ膜１２をＬＢ法に
より付着形成せしめる（第４図（Ｄ））。
より付着形成せしめる（第４図（Ｄ））。
５、次いで、光等のエネルギー線７により重合性ＬＢ膜
１２をグレーグイングパターン露光する（第４図（Ｅ）
）。
１２をグレーグイングパターン露光する（第４図（Ｅ）
）。
６、現像により、未露光部を溶解除去する（第４図（Ｆ
））。
））。
かくして、グレーティング型光結合器が得られる。
実施例１
２．５−ジスチリルピラジンのピラジン環上にｎ−オク
タデカノイル基を導入した四級塩Ａを成膜分子とし、表
面圧を一定に保ちながら表面が十分に清浄で親水性とな
っているガラス基板を水中に静かに上下させて単分子膜
を基板２上に移しとり、５０ 、１００，２００，８０
０．５００ ＠に累積シタ単分子層累積膜を製造した。
タデカノイル基を導入した四級塩Ａを成膜分子とし、表
面圧を一定に保ちながら表面が十分に清浄で親水性とな
っているガラス基板を水中に静かに上下させて単分子膜
を基板２上に移しとり、５０ 、１００，２００，８０
０．５００ ＠に累積シタ単分子層累積膜を製造した。
生成膜はピラジン環側か基板に接している。ここで第４
図の第１層１０−２５゜５０ 、１００ 、１５０ 、
２００層に累積、第２層１２〜２５ 、５０ 、１００
、１５０ 、２００層に累積した。
図の第１層１０−２５゜５０ 、１００ 、１５０ 、
２００層に累積、第２層１２〜２５ 、５０ 、１００
、１５０ 、２００層に累積した。
この実施例１で作成したＬＢ膜にパターンに従ってＸ線
照射を行ない次式■の様な重合を行ないパターニング形
成した。
照射を行ない次式■の様な重合を行ないパターニング形
成した。
Ａ（Ｖｌ）
結果は、グレーティング６（第４図（Ｆ’ｌ ’）に鋭
いエッヂが得られ、高い性能が発揮された。
いエッヂが得られ、高い性能が発揮された。
グレーティングピッチ最小ＺＯＯＡ
グレーティング深さ Ｏ，１μ
実施例２
実施例１と同様にして、第１表に示す光重合性上ツマ−
を用いて導波路レンズを製造した。
を用いて導波路レンズを製造した。
第１表
本発明の特有の効果は下記の通りである。
１、上述したＬＢ膜の特質により、鋭いエッチの微小形
状を容易に形成できるのでレンズ性能の良い導波路レン
ズを得ることができる。
状を容易に形成できるのでレンズ性能の良い導波路レン
ズを得ることができる。
２、製作が容易であるため、製作コストが安価である。
８、製作過程上、高温処理を要しないため耐熱性のない
組材を用いることができる。
組材を用いることができる。
第１図（ａｌ 、 （ｂｌ 、第２図（ａｌ 、 （ｂ
ｌ 、第８図（ａｔ 、 （ｂｌ 。 （ｃｌは導波路レンズの概略図、第４図（Ａ） 、 （
Ｂ） 、 （Ｃ１。 ＋Ｄ） 、 （Ｅ） 、 （Ｆ）は本発明の製作順序の
一実施例の断面図による説明図である。 １・・・光導波路、２・・・基板。 ８・・・グレーティング 、４・・・導波光。 ５・・・射出光、 ６・・・モード・イイｆツクスレ２
ズ 。 ７・・・露光、 ８．８’・・・非露光部（モノマＬＢ
膜）９・・・ＬＢ膜（重合）、１０・・・重合性ＬＢ膜
１１・・・導波路下部、１２・・・重合性ＬＢ膜。 第４図 ｎ
ｌ 、第８図（ａｔ 、 （ｂｌ 。 （ｃｌは導波路レンズの概略図、第４図（Ａ） 、 （
Ｂ） 、 （Ｃ１。 ＋Ｄ） 、 （Ｅ） 、 （Ｆ）は本発明の製作順序の
一実施例の断面図による説明図である。 １・・・光導波路、２・・・基板。 ８・・・グレーティング 、４・・・導波光。 ５・・・射出光、 ６・・・モード・イイｆツクスレ２
ズ 。 ７・・・露光、 ８．８’・・・非露光部（モノマＬＢ
膜）９・・・ＬＢ膜（重合）、１０・・・重合性ＬＢ膜
１１・・・導波路下部、１２・・・重合性ＬＢ膜。 第４図 ｎ
Claims (1)
- 光重合性オレフィン化合物の単分子累積膜によって構成
されることを特徴とする導波路レンズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6485584A JPS60208706A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 導波路レンズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6485584A JPS60208706A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 導波路レンズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208706A true JPS60208706A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13270214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6485584A Pending JPS60208706A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 導波路レンズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208706A (ja) |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6485584A patent/JPS60208706A/ja active Pending
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