JPS60208752A - ホトレジスト剥離用組成物 - Google Patents
ホトレジスト剥離用組成物Info
- Publication number
- JPS60208752A JPS60208752A JP6526484A JP6526484A JPS60208752A JP S60208752 A JPS60208752 A JP S60208752A JP 6526484 A JP6526484 A JP 6526484A JP 6526484 A JP6526484 A JP 6526484A JP S60208752 A JPS60208752 A JP S60208752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oligomer
- resist
- stripping
- unsaturated ester
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定のフッ素系オリゴマーを配合することに
より、ホトレジストの剥離性が向上したホトレジスト剥
離用組成物に関する。
より、ホトレジストの剥離性が向上したホトレジスト剥
離用組成物に関する。
シリコン等のウェハー上に微細な集積回路を形成し、工
ＣやＬＳＩを製造する場合に、レジスト塗布→プリベー
ク→露光→現像→リンス→ボストベーク→エツチング→
レジスト剥離の各工程からなるレジストプロセスが採用
される。現像に際しては、ポジ型ホトレジストでは露光
部分、ネガ型ホトレジストでは露光しない部分を剥離す
る必要がある。又、レジスト剥離に際しては、ポストベ
ークで固まったレジスト剥離する必要がある。工Ｃの高
密度化によりＬＳＩ。
ＣやＬＳＩを製造する場合に、レジスト塗布→プリベー
ク→露光→現像→リンス→ボストベーク→エツチング→
レジスト剥離の各工程からなるレジストプロセスが採用
される。現像に際しては、ポジ型ホトレジストでは露光
部分、ネガ型ホトレジストでは露光しない部分を剥離す
る必要がある。又、レジスト剥離に際しては、ポストベ
ークで固まったレジスト剥離する必要がある。工Ｃの高
密度化によりＬＳＩ。
ＶＬＳＩへと集積度が高まるにつれ、回路パターンの線
幅はサブミクロンまで微細化している。
幅はサブミクロンまで微細化している。
このため、現像工程では可溶化ホトレジストのみの剥離
性が優れた剥離剤が、又レジスト剥離工程では固まった
レジスＩｔ−細部にわたシ完全に剥離できる剥離剤が必
要とされる。
性が優れた剥離剤が、又レジスト剥離工程では固まった
レジスＩｔ−細部にわたシ完全に剥離できる剥離剤が必
要とされる。
本発明者等は、このような現像あるいは剥離工程に用い
る高性能の剥離用組成物全開発すべく、鋭意検討を重ね
た結果、ある特定のフッ素系オリゴマーを配合すること
で、より優れたものが得られることがわかった。すなわ
ち本発明ハ、炭素数４〜２０個のポリフルオロアルキル
基を含有する不飽和エステルの単独重合オリゴマー及び
／又は該不飽和エステルと他の共重合し得る化合物との
共重合オリゴマーを含むこと全特徴とするホトレジスト
剥離用組成物に関するものである。本発明の剥離用組成
物は、現像工程では微細パターンの抜は不良が起ること
なく短時間にホトレジスト可溶部分の剥離ができ、又不
溶化部分であるレジストパターンが膨潤したり、レジス
トの震域りによりピンホールができたシ、レジストが剥
がれやすい等の不都合も生じない。又、レジスト剥離工
程では、より低温度で細部にわ窺９、固まったレジス）
１完全に剥離することができる等の優れた特徴を有して
いる。
る高性能の剥離用組成物全開発すべく、鋭意検討を重ね
た結果、ある特定のフッ素系オリゴマーを配合すること
で、より優れたものが得られることがわかった。すなわ
ち本発明ハ、炭素数４〜２０個のポリフルオロアルキル
基を含有する不飽和エステルの単独重合オリゴマー及び
／又は該不飽和エステルと他の共重合し得る化合物との
共重合オリゴマーを含むこと全特徴とするホトレジスト
剥離用組成物に関するものである。本発明の剥離用組成
物は、現像工程では微細パターンの抜は不良が起ること
なく短時間にホトレジスト可溶部分の剥離ができ、又不
溶化部分であるレジストパターンが膨潤したり、レジス
トの震域りによりピンホールができたシ、レジストが剥
がれやすい等の不都合も生じない。又、レジスト剥離工
程では、より低温度で細部にわ窺９、固まったレジス）
１完全に剥離することができる等の優れた特徴を有して
いる。
本発明におけるフッ素系オリゴマーは、炭素数４〜２０
個のポリフルオロアルキル基を含有する不飽和エステル
の単独重合オリゴマー（以下オリゴマーＡという）及び
／又は該不飽和エステルと他の共重合し得る化合物との
共重合オリゴマー（以下オリゴマーＢという）である。
個のポリフルオロアルキル基を含有する不飽和エステル
の単独重合オリゴマー（以下オリゴマーＡという）及び
／又は該不飽和エステルと他の共重合し得る化合物との
共重合オリゴマー（以下オリゴマーＢという）である。
オリゴマーＡには、七ツマー中のポリフルオロアルキル
基の炭素数が同一のもの同志ばかりでなく、異なるもの
同志の重合オリゴマーも含まれている。
基の炭素数が同一のもの同志ばかりでなく、異なるもの
同志の重合オリゴマーも含まれている。
炭素数４〜２０個のポリフルオロアルキル基を含有する
不飽和エステルとしては、特に限定されるものではない
が、例えば下記のアクリレート又はメタクリレートが好
ましい。
不飽和エステルとしては、特に限定されるものではない
が、例えば下記のアクリレート又はメタクリレートが好
ましい。
０ＰＢ（ＯＦ２）４０Ｈ２００００（ＯＨ３）＝（３Ｈ
。
。
ＯＦａ （Ｃ１”ｚ）ｓ （Ｏ馬）２００００（ＯＨ３
） ＝ ＯＨ。
） ＝ ＯＨ。
０Ｆ３（０１％）ｇ ０ＯＯＯＨ＝ＯＨｚ（！Ｆａ（Ｏ
Ｆ、）７０Ｈ，０Ｈ２００００Ｈ＝ ＯＨ。
Ｆ、）７０Ｈ，０Ｈ２００００Ｈ＝ ＯＨ。
ＯＦ、（ＯＦ２）７８０．Ｎ（ＯｓＨ７）（ＯＨ鵞）ｔ
０ＯＯＯＨ＝＝ＯＨ。
０ＯＯＯＨ＝＝ＯＨ。
Ｃ馬（ＯＦ、）７（ＯＨ２）、０ＯＯＯＨ＝ＯＨ。
０Ｆ３（ＯＦ、）７８０ｔＮ（ＯＥｍ）（ＯＲ，、）、
００００（ＯＨ３）＝ ＯＨ。
００００（ＯＨ３）＝ ＯＨ。
’Ｐａ （Ｏ１’ｚ）ｙ ＢＯＯＨ（０３ＨＩり（ＯＨ
Ｉ）２００００Ｈ＝ ＯＨ２ＣＦＭ （ｏＦり７０ＯＮ
Ｈ（ＯＨ３）１ ｏａｏｏａ＝： ｏＨ。
Ｉ）２００００Ｈ＝ ＯＨ２ＣＦＭ （ｏＦり７０ＯＮ
Ｈ（ＯＨ３）１ ｏａｏｏａ＝： ｏＨ。
ＣＦｓ （ＯＦ２）ａ （Ｏ馬）２００００Ｈ＝ＯＨｚ
０１１’３（（３Ｆ意）ｓ （ＯＨ，）、 ００００（
ＧＩＨ，） ＝ ＯＨ。
０１１’３（（３Ｆ意）ｓ （ＯＨ，）、 ００００（
ＧＩＨ，） ＝ ＯＨ。
０１１ＦＩ（ＣＩＦＩ）＠ ０ＯＮＨ（ＯＨ２）１００
００（ＯＨＢ ） ＝ ０Ｈ２Ｈ（ＣＩ！’、）ｌｏＯ
Ｈ，０００（！Ｈ＝ ０Ｈ２０Ｆ２０１（ＯＦｓ＋）ｔ
ｏ ＯＨ，００００（ＯＨ３） ＝ ＯＨ２前記不飽和
エステルと共重合し得る化合物としては、本発明の作用
効果を阻害しない限り、広範囲に選択可能である。例え
ば、エチレン−酢酸ビニル、塩化ビニル、弗化ビニル、
ハロケン化ビニリデン、スチレン、α−メチルスチレル
キルエステル、メタクリル酸とそのアルキルエステル、
ポリ（オキシアルキレン）アクリレート、ポリ（オキシ
アルキレン）メタクリレ−トラアクリルアミド、メタク
リルアミド、ジアセトンアクリルアミド、メチロール化
ジアセトンアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルア
ハト、ビニルアルキルエーテル、ハロゲン化アルキルビ
ニルエーテル、ビニルアルキルケトン。
００（ＯＨＢ ） ＝ ０Ｈ２Ｈ（ＣＩ！’、）ｌｏＯ
Ｈ，０００（！Ｈ＝ ０Ｈ２０Ｆ２０１（ＯＦｓ＋）ｔ
ｏ ＯＨ，００００（ＯＨ３） ＝ ＯＨ２前記不飽和
エステルと共重合し得る化合物としては、本発明の作用
効果を阻害しない限り、広範囲に選択可能である。例え
ば、エチレン−酢酸ビニル、塩化ビニル、弗化ビニル、
ハロケン化ビニリデン、スチレン、α−メチルスチレル
キルエステル、メタクリル酸とそのアルキルエステル、
ポリ（オキシアルキレン）アクリレート、ポリ（オキシ
アルキレン）メタクリレ−トラアクリルアミド、メタク
リルアミド、ジアセトンアクリルアミド、メチロール化
ジアセトンアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルア
ハト、ビニルアルキルエーテル、ハロゲン化アルキルビ
ニルエーテル、ビニルアルキルケトン。
ブタジェン１イングレン、クロロプレン、グリシジルア
クリレート、ベンジルメタクリレート。
クリレート、ベンジルメタクリレート。
ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、
無水マレイン酸、アジリジニルアクリレート又ハメタク
リレート、Ｎ−ビニルカルバゾールのごときパーフルオ
ロアルキル基を含まない重合し得る化合物の一種又は二
種以上を、共重合オリゴマーの構成単位として共重合さ
せることが可能である。これらの共重合成分のポリフル
オロアルキル基を含有する不飽和エステルに対する共重
合割合は、通常１〜７０重量係、特に１０〜５０重量優
が適轟である、 又、本発明におけるオリゴマーＡ及びＢを得るためには
、原料の重合し得る化合物を、適当な有機溶媒に溶かし
、重合開始源（使用する有機溶剤に溶ける過酸化物、ア
ゾ化合物あるいは電離性放射ａなど）の作用により、溶
液重合さダる方法が通常採用され得る。溶液重合に好適
な溶剤は、トルエン、酢酸エチル、イングロビルアルコ
ール、１，１．２−）ジクロロ−１，２，２−トリフル
オロエタン、テトラクロルジフルオロエタン、メチルク
ロロホルム等である。かかるオリゴマーは、数平均分子
量が、はぼ１，０００〜５０，０００の範囲に入るもの
が採用され得る。
無水マレイン酸、アジリジニルアクリレート又ハメタク
リレート、Ｎ−ビニルカルバゾールのごときパーフルオ
ロアルキル基を含まない重合し得る化合物の一種又は二
種以上を、共重合オリゴマーの構成単位として共重合さ
せることが可能である。これらの共重合成分のポリフル
オロアルキル基を含有する不飽和エステルに対する共重
合割合は、通常１〜７０重量係、特に１０〜５０重量優
が適轟である、 又、本発明におけるオリゴマーＡ及びＢを得るためには
、原料の重合し得る化合物を、適当な有機溶媒に溶かし
、重合開始源（使用する有機溶剤に溶ける過酸化物、ア
ゾ化合物あるいは電離性放射ａなど）の作用により、溶
液重合さダる方法が通常採用され得る。溶液重合に好適
な溶剤は、トルエン、酢酸エチル、イングロビルアルコ
ール、１，１．２−）ジクロロ−１，２，２−トリフル
オロエタン、テトラクロルジフルオロエタン、メチルク
ロロホルム等である。かかるオリゴマーは、数平均分子
量が、はぼ１，０００〜５０，０００の範囲に入るもの
が採用され得る。
またオリゴマーＢの構造はポリフルオロアルキル基を含
有する不飽和エステルと他の共重合可能な化合物とがラ
ンダムに配列したランダムタイプ、ポリフルオロアルキ
ル基を含有する不飽和エステルをまとめたグラフトタイ
プ、他の共重合可能な化合物をまとめたグラ７トタイプ
、又ポリフルオロアルキル基を含有する不飽和エステル
部分と他の共重合可能な化合物部分を分離したブロック
タイプなどの構造を採用し得る。
有する不飽和エステルと他の共重合可能な化合物とがラ
ンダムに配列したランダムタイプ、ポリフルオロアルキ
ル基を含有する不飽和エステルをまとめたグラフトタイ
プ、他の共重合可能な化合物をまとめたグラ７トタイプ
、又ポリフルオロアルキル基を含有する不飽和エステル
部分と他の共重合可能な化合物部分を分離したブロック
タイプなどの構造を採用し得る。
本発明の剥離用組成物を構成する溶剤としては、燐酸ア
ルカリ、珪酸アルカリ、硼酸アルカリ、炭酸アルカリ、
酢酸アルカリ、安息香酸アルカリ等のアルカリ注水溶液
、トルエン、シクロヘキサン、ヘプタ／等の炭化水素類
、テトラクロロエチレン＋ １．１．２−トリクロロ−
トリフルオロエタン、１，１．１−トリ’ロロエタン、
塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素類１．アセトン、
メチルエチルケトン、メチルインブチルケトン等のケト
ン類、エタノール、イングロパノール、ｎ−７”ロバノ
ール、ベンジルアルコール等のアルコール類、ドデシル
ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホ／酸類、クレゾー
ル、フェノール等のフェノール類、酢酸エチル、酢酸イ
ンアミル等のエステル類、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、テトラヒドロ７ラン等のエーテル類、ジメ
チルホルムアミド等のアミド類を挙げることができる。
ルカリ、珪酸アルカリ、硼酸アルカリ、炭酸アルカリ、
酢酸アルカリ、安息香酸アルカリ等のアルカリ注水溶液
、トルエン、シクロヘキサン、ヘプタ／等の炭化水素類
、テトラクロロエチレン＋ １．１．２−トリクロロ−
トリフルオロエタン、１，１．１−トリ’ロロエタン、
塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素類１．アセトン、
メチルエチルケトン、メチルインブチルケトン等のケト
ン類、エタノール、イングロパノール、ｎ−７”ロバノ
ール、ベンジルアルコール等のアルコール類、ドデシル
ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホ／酸類、クレゾー
ル、フェノール等のフェノール類、酢酸エチル、酢酸イ
ンアミル等のエステル類、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、テトラヒドロ７ラン等のエーテル類、ジメ
チルホルムアミド等のアミド類を挙げることができる。
レジスト剥離工程に際しては、熱濃硫酸９発煙硝酸、過
酸化水素等を用いてもよい。これら剥離溶剤中のオリゴ
マーＡ及び／又はＢの配合ｉＩｔは、０．０１〜５．０
重量％、好ましくは０．１〜１．Ｏｉ蓋係の少鼠でよく
、オリゴマーＡ、 Ｂｆ混合使用する場合にはオリゴマ
ーＢＱ主体とすることが好ましい。
酸化水素等を用いてもよい。これら剥離溶剤中のオリゴ
マーＡ及び／又はＢの配合ｉＩｔは、０．０１〜５．０
重量％、好ましくは０．１〜１．Ｏｉ蓋係の少鼠でよく
、オリゴマーＡ、 Ｂｆ混合使用する場合にはオリゴマ
ーＢＱ主体とすることが好ましい。
ホトレジストとしては、何ら限定されず、ポジ形又はネ
ガ形の光露光用レジスト、遠紫外露光用レジスト、Ｘ線
又は電子線用レジス）１−挙げることができる。光露光
用レジストの材質にはフェノール及びクレゾールノボラ
ック樹脂をベースにしたキノンジアジド系、シス−１，
４−ポリイングレンを主成分とする環化ゴム系、ポリけ
い皮酸系等があり、遠紫外用レジストにはポリメチルメ
タアクリレート、ポリメチルインプロペニルケトン等が
あり、電子線、Ｘ線レジストにはポリメタクリル酸メチ
ル９メタクリル酸グリシジル−アクリル酸エチル共重合
体、メタクリル酸メチル−メタクリル酸共重合体等が知
られているが、不発明の剥離用組成物はいずれにも有効
である。
ガ形の光露光用レジスト、遠紫外露光用レジスト、Ｘ線
又は電子線用レジス）１−挙げることができる。光露光
用レジストの材質にはフェノール及びクレゾールノボラ
ック樹脂をベースにしたキノンジアジド系、シス−１，
４−ポリイングレンを主成分とする環化ゴム系、ポリけ
い皮酸系等があり、遠紫外用レジストにはポリメチルメ
タアクリレート、ポリメチルインプロペニルケトン等が
あり、電子線、Ｘ線レジストにはポリメタクリル酸メチ
ル９メタクリル酸グリシジル−アクリル酸エチル共重合
体、メタクリル酸メチル−メタクリル酸共重合体等が知
られているが、不発明の剥離用組成物はいずれにも有効
である。
本発明の剥離用組成物は、特に半導体製造時のホトレジ
スト剥離に適しているが、その他のホトレジスト応用分
野例えば、プリント配線基板、リードフレーム、ＴＶ用
シャドウマスク等の電子部品分野ｔＪｊじめ、金属、セ
ラミック。
スト剥離に適しているが、その他のホトレジスト応用分
野例えば、プリント配線基板、リードフレーム、ＴＶ用
シャドウマスク等の電子部品分野ｔＪｊじめ、金属、セ
ラミック。
ガラス等の蝕刻分野における剥離剤としても極めて効果
的である。
的である。
以下１本発明の実施例についてさらに具体的に説明する
。
。
「フッ素系オリゴマーの合成」
１、オートクレーブ中７０℃で１５時間下記組成にて反
応させ、含フツ素オリゴマー（Ｉ）’を合成した。
応させ、含フツ素オリゴマー（Ｉ）’を合成した。
（分子量約４，０００）
ａ９Ｆｌｔ ａ−ＯＲ，０ＯＯＣ！ＩＩＩ ＝ＯＨ，２
０重量部１．１．２−）リクロロ−１，２，２）リフル
オロエタン ５０２−２′アゾビスインブチロニトリル
０．５ｎ −ＯＢ ＨＩ３８ Ｈ１，８ ２、オートクレーブ中８０℃で１５時間下記組成にて反
応させ、含フツ素オリゴマー（…）を合成した。
０重量部１．１．２−）リクロロ−１，２，２）リフル
オロエタン ５０２−２′アゾビスインブチロニトリル
０．５ｎ −ＯＢ ＨＩ３８ Ｈ１，８ ２、オートクレーブ中８０℃で１５時間下記組成にて反
応させ、含フツ素オリゴマー（…）を合成した。
（分子量約４，０００）
０８Ｆ、、８０２Ｎ（０，Ｈ５）−０Ｈ２０Ｈ２０００
０Ｈ＝ＯＨ，１０重量部トルエン ５０ ２−２′アゾビスインブチロニトリル ０．５ｎ−０８
Ｈ１７ＳＨ１，８ ３、オートクレーブ中８０℃で１５時間下記組成にて反
応させ、含フツ素オリゴマー［）’（ｃ合成した。
０Ｈ＝ＯＨ，１０重量部トルエン ５０ ２−２′アゾビスインブチロニトリル ０．５ｎ−０８
Ｈ１７ＳＨ１，８ ３、オートクレーブ中８０℃で１５時間下記組成にて反
応させ、含フツ素オリゴマー［）’（ｃ合成した。
（分子量約５，０００）
０９１１８０ＯＮＨ０，１ム００００Ｈ＝Ｏ馬 ２０重
量部ＯＨ，＝Ｏ−０Ｈ３１０ ００００８Ｈ１７’ 酢酸エチル ５０ ２−２′−アゾインブチロニトリル ０．８ｎ −Ｏｇ
ＨＩ３ ＳＨ１，４ 実施例１ メタクリル酸メチル−メタクリル酸共重合体からなるホ
トレジスト剤をシリコンウェハー上に塗布乾燥し、レジ
スト被膜を形成させた。
量部ＯＨ，＝Ｏ−０Ｈ３１０ ００００８Ｈ１７’ 酢酸エチル ５０ ２−２′−アゾインブチロニトリル ０．８ｎ −Ｏｇ
ＨＩ３ ＳＨ１，４ 実施例１ メタクリル酸メチル−メタクリル酸共重合体からなるホ
トレジスト剤をシリコンウェハー上に塗布乾燥し、レジ
スト被膜を形成させた。
１００℃で３０分間グリベークした後電子線を照射し、
平均２０μのラインアンドスペースを形成させた。次い
で１．０重−ｉ％の含フッ素オリゴマー’ｅ含ｔｒ２０
℃の１．１．１−トリクロロエタン中に浸漬し、レジス
ト可溶化部を剥離した。剥離状況を顕微鏡で確認するこ
とにより、剥離時間を測定した。結果を第１表に示す。
平均２０μのラインアンドスペースを形成させた。次い
で１．０重−ｉ％の含フッ素オリゴマー’ｅ含ｔｒ２０
℃の１．１．１−トリクロロエタン中に浸漬し、レジス
ト可溶化部を剥離した。剥離状況を顕微鏡で確認するこ
とにより、剥離時間を測定した。結果を第１表に示す。
なお、含フッ累オリゴマー無添加のものは、微細パター
ンの抜は不良が観察された。
ンの抜は不良が観察された。
第 １ 表
実施例２
ポリイングレンからなるホトレジスト剤をシリコンウェ
ハー上に塗布乾燥し、レジスト被膜を形成させた。次い
で１００℃−３０分のグリベーク、露光及１６０℃−４
０分のボストベークを行なうことによりレジスト被膜を
固化させた。
ハー上に塗布乾燥し、レジスト被膜を形成させた。次い
で１００℃−３０分のグリベーク、露光及１６０℃−４
０分のボストベークを行なうことによりレジスト被膜を
固化させた。
得られたレジスト被膜を、パークロルエチレン７０重量
部、フェノール２０重量部、ドデシルベンゼンスルホン
酸１０重量部、含フッ素オリゴ上−１重量部からなる９
０℃及び１２０℃の剥離剤中に浸漬し、被膜が完全に剥
離するまでの時間を測定した。結果を第２表に示す。
部、フェノール２０重量部、ドデシルベンゼンスルホン
酸１０重量部、含フッ素オリゴ上−１重量部からなる９
０℃及び１２０℃の剥離剤中に浸漬し、被膜が完全に剥
離するまでの時間を測定した。結果を第２表に示す。
第 ２ 表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、炭素数４〜２０個のポリフルオロアルキル基金含有
する不飽和エステルの単独重合オリゴマー及び／又は該
不飽和エステルと他の共重合し得る化合物との共重合オ
リゴマーを含むことを特徴とするホトレジスト剥離用組
成物。 ２、 ポリフルオロアルキル基金含有する不飽和エステ
ルが、末端パーフルオロアルキル基ヲ含有するアクリレ
ート又はメタクリレートである特許請求の範囲第１項記
載のホトレジスト剥離用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6526484A JPS60208752A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ホトレジスト剥離用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6526484A JPS60208752A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ホトレジスト剥離用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208752A true JPS60208752A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0374827B2 JPH0374827B2 (ja) | 1991-11-28 |
Family
ID=13281880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6526484A Granted JPS60208752A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | ホトレジスト剥離用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208752A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5522963A (en) * | 1994-05-31 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Method for machining and depositing metallurgy on ceramic layers |
| JP2007514984A (ja) * | 2004-12-10 | 2007-06-07 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | ポリマー腐食阻害剤含有、非水性非腐食性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP6526484A patent/JPS60208752A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5522963A (en) * | 1994-05-31 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Method for machining and depositing metallurgy on ceramic layers |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374827B2 (ja) | 1991-11-28 |
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