JPS60208832A - フオトマスクおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
フオトマスクおよびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60208832A JPS60208832A JP59065332A JP6533284A JPS60208832A JP S60208832 A JPS60208832 A JP S60208832A JP 59065332 A JP59065332 A JP 59065332A JP 6533284 A JP6533284 A JP 6533284A JP S60208832 A JPS60208832 A JP S60208832A
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- JP
- Japan
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- photomask
- liquid crystal
- light absorption
- pattern
- electric field
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造に用いるフォトマスクおよび
これを用いた半導体装置の製造方法に関するものである
。
これを用いた半導体装置の製造方法に関するものである
。
従来例の構成とその問題点
従来半導体装置の製造に用いるフォトマスクは第１図に
示すように、ガラス基板１上にｊ夕Ｉ定のパターンを有
するクロムなどの光じゃへい材２を形成したものを用い
ていた。かかるフットマスクは１枚のガラス基板に所定
の一種類のパターンしか形成できず、曲の種類のパター
ンが必要なときは異なるガラス基板上に形成する必要が
あった。
示すように、ガラス基板１上にｊ夕Ｉ定のパターンを有
するクロムなどの光じゃへい材２を形成したものを用い
ていた。かかるフットマスクは１枚のガラス基板に所定
の一種類のパターンしか形成できず、曲の種類のパター
ンが必要なときは異なるガラス基板上に形成する必要が
あった。
通常の半導体装置の製造には、数枚から十数枚のフォト
マスクが必要であった。また同一の露光装置を用いて、
種類の異なるパターンを半導体基板に転写する場合には
、種類が異なる毎にフォトマスクを交換し、位置合わせ
をする必要があった。
マスクが必要であった。また同一の露光装置を用いて、
種類の異なるパターンを半導体基板に転写する場合には
、種類が異なる毎にフォトマスクを交換し、位置合わせ
をする必要があった。
発明の目的
本発明は、任意のパターンが書き換え可能なフォトマス
クおよびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方
法を提供するものである。
クおよびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方
法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、分子の長軸方向と短軸方向で光吸収に異方性
を持つ二色性染料を、電場により分子配列が変化する液
晶に溶解させ、前記液晶を、たとえば一方向にストライ
プ状に形成した透明４％層からなる走査電極を有する光
透過材と前記と異なる方向にストライプ状に形成した透
明導電層からなる表示電極を有する光透過材「ハ」に設
置し、線順次走査によシ、前記走査電極と表示電極間１
に電圧を印加し、所定の領域の前記液晶の光吸収率を変
化させて所定のパターンを有するフォトマスクを形成す
る。そして、所定のパターンを形成したフォトマスクの
一方から光照射を行ない、他方に設置した半導体基板に
前記フォトマスクの光吸収率の小さい領域を透過した光
を照射し、前記半導体基板に前記フォトマスクパターン
に対応したパターンを形成する方法を提供するものであ
る。
を持つ二色性染料を、電場により分子配列が変化する液
晶に溶解させ、前記液晶を、たとえば一方向にストライ
プ状に形成した透明４％層からなる走査電極を有する光
透過材と前記と異なる方向にストライプ状に形成した透
明導電層からなる表示電極を有する光透過材「ハ」に設
置し、線順次走査によシ、前記走査電極と表示電極間１
に電圧を印加し、所定の領域の前記液晶の光吸収率を変
化させて所定のパターンを有するフォトマスクを形成す
る。そして、所定のパターンを形成したフォトマスクの
一方から光照射を行ない、他方に設置した半導体基板に
前記フォトマスクの光吸収率の小さい領域を透過した光
を照射し、前記半導体基板に前記フォトマスクパターン
に対応したパターンを形成する方法を提供するものであ
る。
実施例の説明
第２図にもとづいて本発明の一実施例を説明する７分子
の長軸方向と短軸方向で可視光の吸収に異方性を持つ二
色性染料たとえばアゾメチン系染料を溶解した液晶、た
とえば電場により分子が垂直配列する誘電異方性が負の
ネマティック液晶９の両側に、ストライプ状透明電極３
，４および６゜６を有する透明基板１，２を形成してフ
ォトマスクとする。
の長軸方向と短軸方向で可視光の吸収に異方性を持つ二
色性染料たとえばアゾメチン系染料を溶解した液晶、た
とえば電場により分子が垂直配列する誘電異方性が負の
ネマティック液晶９の両側に、ストライプ状透明電極３
，４および６゜６を有する透明基板１，２を形成してフ
ォトマスクとする。
前記ストライブ状透明電極３，４および５，６は、第２
図（Ａ）に示すように二酸化４１．素および酸化マグネ
シウム等の絶縁層７，８を介して多層に形成しても、第
２図（Ｂ）に示すように透明基板１，２上に所定の間隔
をおいて一層３，６で形成してもよいが高解像度パター
ンを形成するためには第２図（Ａ）に示すように多層に
形成した方がよい。また前記透明電極は一方を走査電極
１４他方を表示電極１６として、線順次走査により所定
の領域の前記液晶に電圧を印加するだめ、液晶９の両側
のストライプ電極３，４および６，６は互いに直交する
ように設置する。
図（Ａ）に示すように二酸化４１．素および酸化マグネ
シウム等の絶縁層７，８を介して多層に形成しても、第
２図（Ｂ）に示すように透明基板１，２上に所定の間隔
をおいて一層３，６で形成してもよいが高解像度パター
ンを形成するためには第２図（Ａ）に示すように多層に
形成した方がよい。また前記透明電極は一方を走査電極
１４他方を表示電極１６として、線順次走査により所定
の領域の前記液晶に電圧を印加するだめ、液晶９の両側
のストライプ電極３，４および６，６は互いに直交する
ように設置する。
第２図（Ｃ）は前記フォトマスクの平面図で、所定の領
域の液晶に電界を印加した状態を示す。二色性染料は一
般に棒状の形状をしており、液晶分子と平行に配列して
いるため、液晶の分子配列を電場で変化させることによ
り二色性染料の分子配列も連動的に変化させることがで
きるので、染料の光吸収量を電気的に制御できる。二色
性染料としてアゾメチン系染料を用いれば、通常の写真
食刻露光に用いる超高圧水銀灯のｇ−１ｉｎｅ （４３
６１ｍ ）に近い４３了ｎｍの波長の吸収量を制御でき
、走査電極と表示電極間に電界印加部分たとえば第２図
（Ｃ）の点線部分のみ前記波長の光を透過させることが
できる。
域の液晶に電界を印加した状態を示す。二色性染料は一
般に棒状の形状をしており、液晶分子と平行に配列して
いるため、液晶の分子配列を電場で変化させることによ
り二色性染料の分子配列も連動的に変化させることがで
きるので、染料の光吸収量を電気的に制御できる。二色
性染料としてアゾメチン系染料を用いれば、通常の写真
食刻露光に用いる超高圧水銀灯のｇ−１ｉｎｅ （４３
６１ｍ ）に近い４３了ｎｍの波長の吸収量を制御でき
、走査電極と表示電極間に電界印加部分たとえば第２図
（Ｃ）の点線部分のみ前記波長の光を透過させることが
できる。
第３図に本発明によるでオドマスク１０を用いパターン
転写法による半導体装置の製造方法を示す。本発明の方
法によ多形成したフォトマスク１ｏを露光装置たとえば
縮小投影露光装置に設置し、フォトマスク１０の１方向
から光Ｘを照射し、前記フォトマスク１０の透過光を縮
小レンズ１１で縮小投影し、半導体基板１２上にフォト
マスク上のパターンを転写投影する。フォトマスク上の
パターン１６は、外部の駆動系１３により走査電極１４
および表示電極１５を駆動して、所定領域の液晶に電圧
を印加して所定領域１６のみ前記光透過性とする。
転写法による半導体装置の製造方法を示す。本発明の方
法によ多形成したフォトマスク１ｏを露光装置たとえば
縮小投影露光装置に設置し、フォトマスク１０の１方向
から光Ｘを照射し、前記フォトマスク１０の透過光を縮
小レンズ１１で縮小投影し、半導体基板１２上にフォト
マスク上のパターンを転写投影する。フォトマスク上の
パターン１６は、外部の駆動系１３により走査電極１４
および表示電極１５を駆動して、所定領域の液晶に電圧
を印加して所定領域１６のみ前記光透過性とする。
前記二色性染料は前記波長のものに限定せず他の波長の
吸収染料でもよいことはいうまでもない。
吸収染料でもよいことはいうまでもない。
また光Ｘは、超高圧水銀灯以外のレーザー光でもよく、
半合体基板上の感光性樹脂の感光にも、反応性カス中で
の光反応生成物の形成にも用いることができる。
半合体基板上の感光性樹脂の感光にも、反応性カス中で
の光反応生成物の形成にも用いることができる。
発明の効果
本発明によるフォトマスクを用いれば、露光装置に設置
したままで、外部駆動系により任意にパターン変更がで
きるという特徴がある。したがって従来と異なりパター
ン毎に異なるフォトマスクを準備する必要がなく、また
マスク交換の際に生じる欠陥およびゴミの付着などがな
く、フォトマスクの寿命が長いという特徴がある。特定
のパターンをテスト的に形成したい場合、従来法では、
作成したフォトマスクを１回しか使用しないため、フォ
トマスク作成の費用および時間の浪費であった。
したままで、外部駆動系により任意にパターン変更がで
きるという特徴がある。したがって従来と異なりパター
ン毎に異なるフォトマスクを準備する必要がなく、また
マスク交換の際に生じる欠陥およびゴミの付着などがな
く、フォトマスクの寿命が長いという特徴がある。特定
のパターンをテスト的に形成したい場合、従来法では、
作成したフォトマスクを１回しか使用しないため、フォ
トマスク作成の費用および時間の浪費であった。
本発明によるフォトマスクは、駆動系１３をパターン設
計システムと連動させることにより容易にかつ短時間で
パターン形成および変更ができるというすぐれた特畏を
有するものである。
計システムと連動させることにより容易にかつ短時間で
パターン形成および変更ができるというすぐれた特畏を
有するものである。
第１図は従来のフォトマスクの構造断面図、第２図（Ａ
）は本発明の一実施例のフォトマスクの製造断面図、第
２図ＣＢ）は本発明の他の実施例のフォトマスクの構造
断面図、第２図（Ｃ）は同マスクの平面図、第３図は本
発明によるフォトマスクを用いたパターン転写方法を説
明するだめの概略図である。 ３．４，５．６・・・・・・ストライプ状透明電極、９
・・・・・・液晶、１０・・・・・・フォトマスク、１
２・・・・・・半導体基板、１４．１５・・・・・・走
査２表示電極。
）は本発明の一実施例のフォトマスクの製造断面図、第
２図ＣＢ）は本発明の他の実施例のフォトマスクの構造
断面図、第２図（Ｃ）は同マスクの平面図、第３図は本
発明によるフォトマスクを用いたパターン転写方法を説
明するだめの概略図である。 ３．４，５．６・・・・・・ストライプ状透明電極、９
・・・・・・液晶、１０・・・・・・フォトマスク、１
２・・・・・・半導体基板、１４．１５・・・・・・走
査２表示電極。
Claims (2)
- （１）分子の長軸方向と短軸方向で光吸収に異方性を持
つ二色性染料を、電場により分子配列が変化する液晶に
溶解させ、前記液晶を透明導電層により形成した走査電
極と表示電極間に設置し、線順次走査により所定の領域
の前記液晶の光吸収率を変化させたことを特徴とするフ
ォトマスクっ - （２）分子の長軸方向と短軸方向で光吸収は異方性を持
つ二色性染料を、電場により分子配列が変化する液晶に
溶角イさせ、前記液晶を透明導電層により形成した走査
電極と表示電極間に設置し、線順次走査により所定の領
域の前記液晶の光吸収率を変化させたフォトマスクの加
定の走査電極と表示電極に電界を印加し、線順次走査に
より前記フォトマスクの所定の領域の光吸収率を変化さ
ぜだパターンを形成した状態で、前記フォトマスクの一
方から光１１σ射を行ない、他方に設置した半導体基板
に前記フォトマスクに対応したパターンを形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065332A JPS60208832A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | フオトマスクおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59065332A JPS60208832A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | フオトマスクおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208832A true JPS60208832A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13283852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59065332A Pending JPS60208832A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | フオトマスクおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60208832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120741A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-08 | Ushio Inc | 露光装置及びこの装置を用いたマーキング方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5187970A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-07-31 | Hitachi Ltd | |
| JPS5831525A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | 描画装置 |
| JPS58166722A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Hitachi Ltd | パタ−ン転写装置 |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59065332A patent/JPS60208832A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5187970A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-07-31 | Hitachi Ltd | |
| JPS5831525A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | 描画装置 |
| JPS58166722A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Hitachi Ltd | パタ−ン転写装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120741A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-08 | Ushio Inc | 露光装置及びこの装置を用いたマーキング方法 |
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