JPS6021023A - 光アイソレ−タ素子 - Google Patents
光アイソレ−タ素子Info
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- JPS6021023A JPS6021023A JP12893783A JP12893783A JPS6021023A JP S6021023 A JPS6021023 A JP S6021023A JP 12893783 A JP12893783 A JP 12893783A JP 12893783 A JP12893783 A JP 12893783A JP S6021023 A JPS6021023 A JP S6021023A
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/093—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明１；Ｌ、光アイソレータの改良に関し、更ｔこ詳
しくは、碌蚤気光学効甲を呈する素子自身に偏光子とし
ての機能をもたぼることによって、外部に偏光子を配置
６シなくても済むように工夫した光アイソレータ素子に
関するものである。 周知のように、光アイソレータは、一方向のみに光を伝
送し、てれとは逆の方向には伝送しないような非可逆性
を右する二端子素子であり、例えば光通信システムで送
信側の装置が受（ｇ側からの反射光による干渉を受（プ
ないようにηる場合などに用いられるものである。 光発振器として、特に、半導体レーリ”−４用いた場合
には、その発振領域内に外部で反０４シて戻ってきたレ
ーザー光が入ると発振状態が乱され、その結果、半導体
レーザーの発振波形が歪み、波長や出力が不安定となり
、雑音が増１人するという問題が生じる。そのため、半
導体レーザーを用いた光通信システムでは、半導体レー
ザーと光ファイバーとの間に光アイソレータが組込まれ
る。 従来から使用されている光アイソレータは、ファラデー
回転素子を使用したもので、第１図Ａ、Ｂに示すように
、光軸Ｘに−でって順次配段された第１の偏光子１と、
ファラデー回転索子２と、第２の偏光子３とを組合ゼた
ものである。 さて、同図Ａに示すように・、半導体レーザー４からの
光が光ファイバー５へ向かう場合（これを順方向という
）について考えると、半導体レーザー４からの光Ｌ１は
第１の偏光子１を通ることによって直線偏光１−２とな
り、次いでファラデー回転素子２にＪ−３いて外部磁界
Ｉ」の作用にＪ：す、入用し１．：＠線輪光１２は、そ
の偏光面が進行方向に向かって例えば時計方向に４５度
回転した直線偏光［３となり、その直線偏光Ｌ３をその
まま通過さＬるように光軸に関し４５度回転させて配置
した第２の偏光子３を通って光ファイバー５に入用する
。これに対して、同図Ｂに示Ｊような逆方向の場合（例
えば光ファイバー５の端面で反射した光が半導体レーザ
ー４のブラヘ戻ろうとヅる場合）には、反則光Ｌ４は第
２の偏光子３をそのまま通過するが、ファラデー回転素
子２にＪ：って、今度は反時計方向に４５度回転するた
め得られた直線偏光Ｌ５は前述の入ｑ」時にお（）る直
線偏光Ｌ２と比べたとき
しくは、碌蚤気光学効甲を呈する素子自身に偏光子とし
ての機能をもたぼることによって、外部に偏光子を配置
６シなくても済むように工夫した光アイソレータ素子に
関するものである。 周知のように、光アイソレータは、一方向のみに光を伝
送し、てれとは逆の方向には伝送しないような非可逆性
を右する二端子素子であり、例えば光通信システムで送
信側の装置が受（ｇ側からの反射光による干渉を受（プ
ないようにηる場合などに用いられるものである。 光発振器として、特に、半導体レーリ”−４用いた場合
には、その発振領域内に外部で反０４シて戻ってきたレ
ーザー光が入ると発振状態が乱され、その結果、半導体
レーザーの発振波形が歪み、波長や出力が不安定となり
、雑音が増１人するという問題が生じる。そのため、半
導体レーザーを用いた光通信システムでは、半導体レー
ザーと光ファイバーとの間に光アイソレータが組込まれ
る。 従来から使用されている光アイソレータは、ファラデー
回転素子を使用したもので、第１図Ａ、Ｂに示すように
、光軸Ｘに−でって順次配段された第１の偏光子１と、
ファラデー回転索子２と、第２の偏光子３とを組合ゼた
ものである。 さて、同図Ａに示すように・、半導体レーザー４からの
光が光ファイバー５へ向かう場合（これを順方向という
）について考えると、半導体レーザー４からの光Ｌ１は
第１の偏光子１を通ることによって直線偏光１−２とな
り、次いでファラデー回転素子２にＪ−３いて外部磁界
Ｉ」の作用にＪ：す、入用し１．：＠線輪光１２は、そ
の偏光面が進行方向に向かって例えば時計方向に４５度
回転した直線偏光［３となり、その直線偏光Ｌ３をその
まま通過さＬるように光軸に関し４５度回転させて配置
した第２の偏光子３を通って光ファイバー５に入用する
。これに対して、同図Ｂに示Ｊような逆方向の場合（例
えば光ファイバー５の端面で反射した光が半導体レーザ
ー４のブラヘ戻ろうとヅる場合）には、反則光Ｌ４は第
２の偏光子３をそのまま通過するが、ファラデー回転素
子２にＪ：って、今度は反時計方向に４５度回転するた
め得られた直線偏光Ｌ５は前述の入ｑ」時にお（）る直
線偏光Ｌ２と比べたとき
【ｌｉ；ｉ光面が９０度回転し
ており、そのため第１の臨光子１によって光の通過がｌ
止され半導体レーザー４には戻らないのである。かくし
て、上記のような構成とづることによって、光アイソレ
ータとして有効に機能させることがてきる。 しかしながら、上記のような１１４成の光アイソレータ
においては、ファラデー回転素子の前後にそれぞれ偏光
子を配置する必要があり、光アイソレータが大型化づる
という欠点があった。 特に、半導体レーザーを用いた光通信システムにおいて
用いられる光アイソレータは、極めて高性能のものが要
求され、組込まれる偏光子は、一般に、天然の方解石結
晶を用いてプリズム状に作られたしのであり、このため
例えば−個当り数十万円というような非常に高価なもの
であるので、二個の偏光子を必要とづる光アイソレータ
は半導体レーザーよりも追かに高ｆｉｌｌｉなしのとな
ってしまい、光通信シス１ムを４１１りな分野で広く発
展させていくうえで非常に大さｂ問題であった。 本発明は、上記のような従来技術の実情に鑑みなされた
もので、その０的は、磁気光学材料からなる素子のみで
光アイソレータ機能を呈し、その外部には偏光子を全く
設置覆る必要がないようにし、それによって装置の小型
化並びに軽量化を図ることができ、また大幅な低廉化を
図ることができるにうな光アイソレータ素子を提供り゛
ることにある。 上記の目的を達成Ｊべく案出された本発明は、ＩＩ磁気
光学材料表面機能を巧みに応用し、磁気光学材料からな
る素子自身が偏光子としての機能をも具備でるように工
夫したもので、両端面にブリコースタ−角の余角に切断
された傾斜面を有し、その傾斜面で１幅光作用を生じる
ように（ｊ４成されている。 以下、図面に阜づさ本発明について詳述する。 第２図は本発明の一実施例を模式的に示す説明図であり
、Ａは光が順り向に（半導体レーザー側から光フアイバ
ー側へ）進む場合、Ｂは光が）勇り向に進む場合をイれ
ぞれ示している。同図に示されているように、本発明に
係る光アイソレータ素子１０は、磁気光学効果を呈づ゛
る材料（例えばイツトリウム−鉄−ガーネット単結晶）
からなり、その一方の端面は、軸方向に対し材お１の屈
折率に依存するフリコースタ−角φの余角（即ち９０度
−φ）に切断した第１の傾斜面１２で、使方の端面も同
様に軸方向に列してブリュースター角φの余角となるよ
うＬ７Ｊ ＩＩ７した第２の傾斜面１３であるが、ｉｉ
ｉ＋記第１の傾斜面１２と第２の傾斜面１３とは光軸に
関し相対的に４５″フアラデ一回転方向に回転させたど
き面方位が合致する関係にあり、外部磁界１−１の作用
により入用した光の偏光面を光軸に関し／′１５度回転
させうる光路長ＬＰをもつ素子である。 前記両端面は綺麗に研磨しておく必要があるが、従来の
ものと異なり特に無原則コートを７＋ｉ Ｊ゛必要ない
。 この様な構成の光アイソレータ素子の動作は次の如くで
ある。第２図の場合、光アイソ１ノータ素子１０の第１
の傾斜面１２が半導体レーザー４の方を向くよう配置さ
れている。先ず、同図Ａに示すように、半導体レーザー
４から成用される光１１０は、光アイソレータ素子１０
の第１のＩＩ！ｉ斜而１２面対しブリュースター角φで
入射】る。このどき、入０４面（人！ＪＪ光線の伝播方
向と入射点に立てた１頃斜而１２の法線とを含む面）内
’Ｃ（Ｑ光しくいる成分は全てブリュースター角φの余
角をなして屈１１Ｆ シ、入射面とは垂直）こ偏光して
いる成分はくの大部分が反射されてしまうことになる。 つまり−ブリュースター角φの余角に切断した端面１２
は偏光子としＣの１幾１ｊヒを果たし、入射面内で偏光
している成分のみを光アイソレータ索子１０の内部に導
き入れるのである。第１の１頃斜而１２で回折して光ア
イソレータ３ＨＴ−１０の内部に導入された光は、外部
磁界１−１の１７１−用ににつＣその偏光面が例えば光
軸Ｘに関しｕ５ ｉＹｆツノ向に回転り−る。そのとき
゛前述の如く、第１の１頃斜面１２０八剣点から第２の
傾斜面１３迄の１（ざが、入射した光の偏光面を４５度
回転さヒる長さに設定されているので、第２の傾斜面１
３の出用点に達した光は、その進行方向に対して１１）
計方向に４５度回転した１偏光面をもつ直線偏光となる
。前述の如く、第２の傾斜面１３は、光軸に関し第１の
傾斜面１２の面方位を４５°フアラデ一回転方向に回転
させた面方位を有するブリュスター角の余角に設定され
ているので、前記第２の傾斜面１３の出用点に達した光
は、イのまま通過して光フッ・イバー５に達する。 光ファイバー５は、通常石英カラスからなり、極めて細
いものであるから、その※；１１；面に照反口」コーテ
ィングを１Ｍツことが不−ｉ１能で、そのため通常約４
％程度の光が端面で反射するとされている。このため、
光ファイバー５の端面で反則した光Ｌ１２は、同図Ｂに
示すように、半導体レーザー４の方に向かって逆行する
ことに４「る。 この反射光は光アイソレータ素子１０の第２の）頃斜面
１３に入用し、屈折して光アイソレータ素子１０の内部
に入る。そして光アイソレータ素子１０の内部において
、外部磁界１−１の作用を受けて、光軸に対し今度はそ
の陽光面が反峙計回りに回転することになる。偏光面が
４５磨回転して第１の傾斜面１２に達した直線偏光は、
第２図Ａの場合と比較したとき丁度９０洩回転しており
、このため前記第１の傾斜面１２で反射して反射光Ｌ１
３となる。かくして光ファ、イバー５′ｃ反川し１、二
戻り光は光アイソレータ素子１０の第１の＋ｌｎ斜面１
２で反射されるため半導体レーザー４の方に（Ｊ殆んど
戻らなくなる。このようにして、１関のような特定構造
の磁気光学月利により、光アイソレータ素子を構成する
ことが出来るのである。 なｊ＞、第２図において、黒丸並ひに小さな矢印は１扇
先方向を模式的に示すものであり、黒丸は入射面と垂直
なｌ’ｌｌａ波を示じ、光軸に垂直な小矢印（，１、人
ｑ４面内での１扁波を、傾いた小矢印は入ＱＪ面から傾
いた偏波をそれぞれ示している。 ところで、磁気光学月利におけるファラデー回１１１Ｉ
７角（°、−′Ｃ１１）は、光の波長の関数テアリ、し
かも本光明で・は光）フイソレータ素子の端面が１ｌｒ
ｉｊ”ｌ シているので光軸の入０１位１行をずらりこ
とに、」、って光の波長が変化した場合でも偏光面を４
５度回転さぼることができる。このことはある決った形
状の光アイソレータ素子を、別σ）波長の光アイソレー
タに応用づることか出来ることを意味し、広帯域化でき
、また部品点数４低減できる点においてら極めて有効で
ある。１上記実施例は、光アイソレータ東予のり′】２
の傾斜面の面方位を第１の傾斜面の面ブノｉｓＬ ＩＹ
Ｘ”ｌ シて光軸に関し相対的１３４５度ファラデー
回転方向に回転させた構造の例であるが、第３図に示Ｊ
゛ように、相対的に２２５度）７・ラブ−回転方向に回
転させた構造゛としてもよい。その場合の光アイソレー
タとしての動作（ま第２図の場合と同様であるので、対
応する部分には同−ｒｑ号をイ」し、それらについての
記載は省略Ｊ８゜ところで、最近の半導体レーザーは、
かなり１１光度の良い直線偏光を出力し、この直線侃、
光に対して垂直な偏光の戻り光は、さほど半導体レーザ
ーに影響をうえないと言われている。従って、光アイソ
レータにおける光へ躬側の偏光子はさほど消光比の良好
なものでなくてＪ、い。 この様な点を考慮づれば、レーザー光が磁気光学材料の
傾斜面に大剣してにで偏光させるようにした構成は、性
能も低下さけることなく極めて良好なｌｌｌｉ束がもた
らされる。 本発明は、」−記のＪ、うに４！１１成した光アイソレ
ータ素子であるから、高浦な偏光子は全く不要となり、
非常に安価に製作でさるし、また構造も極めて筒中で小
型化、軒昂化に適し、更には磁気光学側お１の端面ば傾
斜面であるので無反射コートが不要であり製作しや１い
など数々の優れた効果を奏しうるちのである。
ており、そのため第１の臨光子１によって光の通過がｌ
止され半導体レーザー４には戻らないのである。かくし
て、上記のような構成とづることによって、光アイソレ
ータとして有効に機能させることがてきる。 しかしながら、上記のような１１４成の光アイソレータ
においては、ファラデー回転素子の前後にそれぞれ偏光
子を配置する必要があり、光アイソレータが大型化づる
という欠点があった。 特に、半導体レーザーを用いた光通信システムにおいて
用いられる光アイソレータは、極めて高性能のものが要
求され、組込まれる偏光子は、一般に、天然の方解石結
晶を用いてプリズム状に作られたしのであり、このため
例えば−個当り数十万円というような非常に高価なもの
であるので、二個の偏光子を必要とづる光アイソレータ
は半導体レーザーよりも追かに高ｆｉｌｌｉなしのとな
ってしまい、光通信シス１ムを４１１りな分野で広く発
展させていくうえで非常に大さｂ問題であった。 本発明は、上記のような従来技術の実情に鑑みなされた
もので、その０的は、磁気光学材料からなる素子のみで
光アイソレータ機能を呈し、その外部には偏光子を全く
設置覆る必要がないようにし、それによって装置の小型
化並びに軽量化を図ることができ、また大幅な低廉化を
図ることができるにうな光アイソレータ素子を提供り゛
ることにある。 上記の目的を達成Ｊべく案出された本発明は、ＩＩ磁気
光学材料表面機能を巧みに応用し、磁気光学材料からな
る素子自身が偏光子としての機能をも具備でるように工
夫したもので、両端面にブリコースタ−角の余角に切断
された傾斜面を有し、その傾斜面で１幅光作用を生じる
ように（ｊ４成されている。 以下、図面に阜づさ本発明について詳述する。 第２図は本発明の一実施例を模式的に示す説明図であり
、Ａは光が順り向に（半導体レーザー側から光フアイバ
ー側へ）進む場合、Ｂは光が）勇り向に進む場合をイれ
ぞれ示している。同図に示されているように、本発明に
係る光アイソレータ素子１０は、磁気光学効果を呈づ゛
る材料（例えばイツトリウム−鉄−ガーネット単結晶）
からなり、その一方の端面は、軸方向に対し材お１の屈
折率に依存するフリコースタ−角φの余角（即ち９０度
−φ）に切断した第１の傾斜面１２で、使方の端面も同
様に軸方向に列してブリュースター角φの余角となるよ
うＬ７Ｊ ＩＩ７した第２の傾斜面１３であるが、ｉｉ
ｉ＋記第１の傾斜面１２と第２の傾斜面１３とは光軸に
関し相対的に４５″フアラデ一回転方向に回転させたど
き面方位が合致する関係にあり、外部磁界１−１の作用
により入用した光の偏光面を光軸に関し／′１５度回転
させうる光路長ＬＰをもつ素子である。 前記両端面は綺麗に研磨しておく必要があるが、従来の
ものと異なり特に無原則コートを７＋ｉ Ｊ゛必要ない
。 この様な構成の光アイソレータ素子の動作は次の如くで
ある。第２図の場合、光アイソ１ノータ素子１０の第１
の傾斜面１２が半導体レーザー４の方を向くよう配置さ
れている。先ず、同図Ａに示すように、半導体レーザー
４から成用される光１１０は、光アイソレータ素子１０
の第１のＩＩ！ｉ斜而１２面対しブリュースター角φで
入射】る。このどき、入０４面（人！ＪＪ光線の伝播方
向と入射点に立てた１頃斜而１２の法線とを含む面）内
’Ｃ（Ｑ光しくいる成分は全てブリュースター角φの余
角をなして屈１１Ｆ シ、入射面とは垂直）こ偏光して
いる成分はくの大部分が反射されてしまうことになる。 つまり−ブリュースター角φの余角に切断した端面１２
は偏光子としＣの１幾１ｊヒを果たし、入射面内で偏光
している成分のみを光アイソレータ索子１０の内部に導
き入れるのである。第１の１頃斜而１２で回折して光ア
イソレータ３ＨＴ−１０の内部に導入された光は、外部
磁界１−１の１７１−用ににつＣその偏光面が例えば光
軸Ｘに関しｕ５ ｉＹｆツノ向に回転り−る。そのとき
゛前述の如く、第１の１頃斜面１２０八剣点から第２の
傾斜面１３迄の１（ざが、入射した光の偏光面を４５度
回転さヒる長さに設定されているので、第２の傾斜面１
３の出用点に達した光は、その進行方向に対して１１）
計方向に４５度回転した１偏光面をもつ直線偏光となる
。前述の如く、第２の傾斜面１３は、光軸に関し第１の
傾斜面１２の面方位を４５°フアラデ一回転方向に回転
させた面方位を有するブリュスター角の余角に設定され
ているので、前記第２の傾斜面１３の出用点に達した光
は、イのまま通過して光フッ・イバー５に達する。 光ファイバー５は、通常石英カラスからなり、極めて細
いものであるから、その※；１１；面に照反口」コーテ
ィングを１Ｍツことが不−ｉ１能で、そのため通常約４
％程度の光が端面で反射するとされている。このため、
光ファイバー５の端面で反則した光Ｌ１２は、同図Ｂに
示すように、半導体レーザー４の方に向かって逆行する
ことに４「る。 この反射光は光アイソレータ素子１０の第２の）頃斜面
１３に入用し、屈折して光アイソレータ素子１０の内部
に入る。そして光アイソレータ素子１０の内部において
、外部磁界１−１の作用を受けて、光軸に対し今度はそ
の陽光面が反峙計回りに回転することになる。偏光面が
４５磨回転して第１の傾斜面１２に達した直線偏光は、
第２図Ａの場合と比較したとき丁度９０洩回転しており
、このため前記第１の傾斜面１２で反射して反射光Ｌ１
３となる。かくして光ファ、イバー５′ｃ反川し１、二
戻り光は光アイソレータ素子１０の第１の＋ｌｎ斜面１
２で反射されるため半導体レーザー４の方に（Ｊ殆んど
戻らなくなる。このようにして、１関のような特定構造
の磁気光学月利により、光アイソレータ素子を構成する
ことが出来るのである。 なｊ＞、第２図において、黒丸並ひに小さな矢印は１扇
先方向を模式的に示すものであり、黒丸は入射面と垂直
なｌ’ｌｌａ波を示じ、光軸に垂直な小矢印（，１、人
ｑ４面内での１扁波を、傾いた小矢印は入ＱＪ面から傾
いた偏波をそれぞれ示している。 ところで、磁気光学月利におけるファラデー回１１１Ｉ
７角（°、−′Ｃ１１）は、光の波長の関数テアリ、し
かも本光明で・は光）フイソレータ素子の端面が１ｌｒ
ｉｊ”ｌ シているので光軸の入０１位１行をずらりこ
とに、」、って光の波長が変化した場合でも偏光面を４
５度回転さぼることができる。このことはある決った形
状の光アイソレータ素子を、別σ）波長の光アイソレー
タに応用づることか出来ることを意味し、広帯域化でき
、また部品点数４低減できる点においてら極めて有効で
ある。１上記実施例は、光アイソレータ東予のり′】２
の傾斜面の面方位を第１の傾斜面の面ブノｉｓＬ ＩＹ
Ｘ”ｌ シて光軸に関し相対的１３４５度ファラデー
回転方向に回転させた構造の例であるが、第３図に示Ｊ
゛ように、相対的に２２５度）７・ラブ−回転方向に回
転させた構造゛としてもよい。その場合の光アイソレー
タとしての動作（ま第２図の場合と同様であるので、対
応する部分には同−ｒｑ号をイ」し、それらについての
記載は省略Ｊ８゜ところで、最近の半導体レーザーは、
かなり１１光度の良い直線偏光を出力し、この直線侃、
光に対して垂直な偏光の戻り光は、さほど半導体レーザ
ーに影響をうえないと言われている。従って、光アイソ
レータにおける光へ躬側の偏光子はさほど消光比の良好
なものでなくてＪ、い。 この様な点を考慮づれば、レーザー光が磁気光学材料の
傾斜面に大剣してにで偏光させるようにした構成は、性
能も低下さけることなく極めて良好なｌｌｌｉ束がもた
らされる。 本発明は、」−記のＪ、うに４！１１成した光アイソレ
ータ素子であるから、高浦な偏光子は全く不要となり、
非常に安価に製作でさるし、また構造も極めて筒中で小
型化、軒昂化に適し、更には磁気光学側お１の端面ば傾
斜面であるので無反射コートが不要であり製作しや１い
など数々の優れた効果を奏しうるちのである。
第１図Ａ、Ｂは従来技４（ｊの説明図、第２図Ａ。
Ｂは本発明に係る光アイソレータ素子の一実施例を示り
説明図、第３図は他の実施例を承り説明図である。 １・・・第１の偏光子、２・・・ファラデー回転素子、
３・・・第２の偏光子、４・・・半導体レーザー、５・
・・光ファイバー、１０・・・光アイソレータ素子、１
２・・・第１のｌｌｒ＋斜面、１３・・・第２の傾斜面
。
説明図、第３図は他の実施例を承り説明図である。 １・・・第１の偏光子、２・・・ファラデー回転素子、
３・・・第２の偏光子、４・・・半導体レーザー、５・
・・光ファイバー、１０・・・光アイソレータ素子、１
２・・・第１のｌｌｒ＋斜面、１３・・・第２の傾斜面
。
Claims (1)
- １、両端面（まともにノリコースクー角の余角に切断し
た傾斜面であるが、内傾斜面は光軸に関し相対的に４５
１狂ｂ Ｌ ＜ ｌ；Ｌ ２２５度ファラデー回転方向
に回転さけたとぎ面方位が合致する関係をイｊし、外部
磁場の作用にＪ：り偏光面を４５度回転ざＵｏうる光路
長をもつ磁気光学ｖＪ料からなることを１ｒｊ Ｉｊ２
どりる光アイソレータ素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12893783A JPS6021023A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 光アイソレ−タ素子 |
| GB08417899A GB2143337B (en) | 1983-07-15 | 1984-07-13 | Optical isolator |
| NL8402233A NL192407C (nl) | 1983-07-15 | 1984-07-13 | Optische isolator. |
| FR8411193A FR2549246B1 (fr) | 1983-07-15 | 1984-07-13 | Isolateur optique |
| DE19843426138 DE3426138C2 (de) | 1983-07-15 | 1984-07-16 | Optische Einwegleitung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12893783A JPS6021023A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 光アイソレ−タ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021023A true JPS6021023A (ja) | 1985-02-02 |
| JPS6230609B2 JPS6230609B2 (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=14997087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12893783A Granted JPS6021023A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 光アイソレ−タ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102230994A (zh) * | 2011-06-29 | 2011-11-02 | 武汉电信器件有限公司 | 法拉第磁光隔离器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670519A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Light isolator |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP12893783A patent/JPS6021023A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670519A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Light isolator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102230994A (zh) * | 2011-06-29 | 2011-11-02 | 武汉电信器件有限公司 | 法拉第磁光隔离器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230609B2 (ja) | 1987-07-03 |
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