JPS60211987A - 多層構造シリコン太陽電池 - Google Patents
多層構造シリコン太陽電池Info
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- JPS60211987A JPS60211987A JP59067635A JP6763584A JPS60211987A JP S60211987 A JPS60211987 A JP S60211987A JP 59067635 A JP59067635 A JP 59067635A JP 6763584 A JP6763584 A JP 6763584A JP S60211987 A JPS60211987 A JP S60211987A
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- Japan
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- solar cell
- junction
- silicon solar
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
- H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は多層構造（タンデム構造）シリコン太陽電池に
係り、特に、光電変換特性の秀れた多層構造シリコン太
陽電池に関する。
係り、特に、光電変換特性の秀れた多層構造シリコン太
陽電池に関する。
従来の多層構造アモルファスシリコン太陽電池は第１図
に示すＡ ｇ ／ Ｔ ｉ ／ Ｉ ’ｒ○／ｎ１ｐｎ
ａ−８ｉ ：Ｈ／ｉ ａ Ｓｉ ｏ、ｅ ＧＥＩｏ、４
：Ｈ／Ｐａ−８ｉ ： Ｈ／ＳＵＳ構造あるいは第２
図に示すＡ ｇ／Ｔ ｉ／ Ｉ Ｔｏ／ｎ１ｐｎｉｐｎ
ａ−８ｉ ： Ｈ／ １ａ−ｓｉｎ、６Ｇｅｏ、ａ
： Ｈ／ｐ ａ−３ｉ０．、Ｇｅｏ、４：Ｈ／ＳＵＳ構
造であり、非常に薄い（８０〜１５０人）２層とｎ層が
直接接していたため、ｉ （１）／ ｐ ｎ層 ｉ （
Ｕ）構造においてｎ層が１（１）と、Ｐ層がｉ （ＩＩ
）層と部分的に接触したりして、太陽電池の光電変換特
性は曲線因子（ＦＦ）が０．６０と悪く変換効率は８．
６％に止まっていた。
に示すＡ ｇ ／ Ｔ ｉ ／ Ｉ ’ｒ○／ｎ１ｐｎ
ａ−８ｉ ：Ｈ／ｉ ａ Ｓｉ ｏ、ｅ ＧＥＩｏ、４
：Ｈ／Ｐａ−８ｉ ： Ｈ／ＳＵＳ構造あるいは第２
図に示すＡ ｇ／Ｔ ｉ／ Ｉ Ｔｏ／ｎ１ｐｎｉｐｎ
ａ−８ｉ ： Ｈ／ １ａ−ｓｉｎ、６Ｇｅｏ、ａ
： Ｈ／ｐ ａ−３ｉ０．、Ｇｅｏ、４：Ｈ／ＳＵＳ構
造であり、非常に薄い（８０〜１５０人）２層とｎ層が
直接接していたため、ｉ （１）／ ｐ ｎ層 ｉ （
Ｕ）構造においてｎ層が１（１）と、Ｐ層がｉ （ＩＩ
）層と部分的に接触したりして、太陽電池の光電変換特
性は曲線因子（ＦＦ）が０．６０と悪く変換効率は８．
６％に止まっていた。
本発明の目的はｐｉｎｐｉｎ接合を含む多層構造（アモ
ルファス）シリコン太陽電池において、ｎ層と２層の間
に金属、酸化物あるいはシリサイド等の中間層を設ける
ことにより、光電変換特性の秀れた（アモルファス）シ
リコン太陽電池を提供することにある。
ルファス）シリコン太陽電池において、ｎ層と２層の間
に金属、酸化物あるいはシリサイド等の中間層を設ける
ことにより、光電変換特性の秀れた（アモルファス）シ
リコン太陽電池を提供することにある。
現在、アモルファスシリボン太陽電池の変換効率は、最
高１０．７％で報告されている。これは、単層構造太陽
電池で得られたもので、理論変換効率１２．５〜１５％
に対する達成率が高い。他方、多層構造太陽電池の理論
変換効率は２０％以上であるのに対し実験的に得られて
いる最高値は８．６％である。
高１０．７％で報告されている。これは、単層構造太陽
電池で得られたもので、理論変換効率１２．５〜１５％
に対する達成率が高い。他方、多層構造太陽電池の理論
変換効率は２０％以上であるのに対し実験的に得られて
いる最高値は８．６％である。
多層構造アモルファスシリコン太陽電池の問題点のひと
つは、２層とｎ層が直接接している点にあると考えられ
る。アモルファス半導体では、禁制帯内に局在準位密度
が大きく、特別に不純物濃度を高くしなくとも、ｐｎ接
合はきわめて漏洩電流の大きい接合となる。しかし−Ｐ
ｒ ｎ層においては光によりキャリアを発生しないため
、できるだけ薄くして光吸収量を小さくする必要があり
、通常８０〜１３０人としている。この様に薄いと、１
（１）／ｐｎ／１（ＩＩ）構造においてｎ層と１（Ｉ）
層および２層と１（ＩＩ）層が部分的に接触している可
能性があり、このことが１（Ｉ）ｐ接合とｎｌ（ｎ）接
合の接合特性を悪くし、太陽電池を低くしていると考え
られる。
つは、２層とｎ層が直接接している点にあると考えられ
る。アモルファス半導体では、禁制帯内に局在準位密度
が大きく、特別に不純物濃度を高くしなくとも、ｐｎ接
合はきわめて漏洩電流の大きい接合となる。しかし−Ｐ
ｒ ｎ層においては光によりキャリアを発生しないため
、できるだけ薄くして光吸収量を小さくする必要があり
、通常８０〜１３０人としている。この様に薄いと、１
（１）／ｐｎ／１（ＩＩ）構造においてｎ層と１（Ｉ）
層および２層と１（ＩＩ）層が部分的に接触している可
能性があり、このことが１（Ｉ）ｐ接合とｎｌ（ｎ）接
合の接合特性を悪くし、太陽電池を低くしていると考え
られる。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、９層とｎ層の間に、金属、酸化物、弗化物、窒化
物のうち少なくとも一考あるいは、これらのいずれかの
ひとつとアモルファスシリコンの反応した層を介在させ
ることにより、上記１（Ｉ）ｐ接合およびｎｌ（ＩＩ）
接合の接合特性を良くし、さらに高効率の太陽電池を与
えるものである。
あり、９層とｎ層の間に、金属、酸化物、弗化物、窒化
物のうち少なくとも一考あるいは、これらのいずれかの
ひとつとアモルファスシリコンの反応した層を介在させ
ることにより、上記１（Ｉ）ｐ接合およびｎｌ（ＩＩ）
接合の接合特性を良くし、さらに高効率の太陽電池を与
えるものである。
上記９層とｎ層の間に介在させる物質に必要な条件とし
て光吸収が少なく、ｐおよびｎ層と障壁を形成しないこ
とが要求される。また、アモルファスシリコン膜形成時
にアモルファスシリコン層と反応することはあっても、
反応がｉ層まで及んではならない。したがって、金属の
例としてはＣｒ ＋ Ｍ ｏ ＋ Ｗ ｒ Ｔ ｒ ＋
Ｖ ＋ Ｚ ｒ ＋ Ｎ ｂ ｙ Ｔ ａ 。
て光吸収が少なく、ｐおよびｎ層と障壁を形成しないこ
とが要求される。また、アモルファスシリコン膜形成時
にアモルファスシリコン層と反応することはあっても、
反応がｉ層まで及んではならない。したがって、金属の
例としてはＣｒ ＋ Ｍ ｏ ＋ Ｗ ｒ Ｔ ｒ ＋
Ｖ ＋ Ｚ ｒ ＋ Ｎ ｂ ｙ Ｔ ａ 。
Ｈｆ ＊ Ｎ ｉおよびＣｕが挙げられ、これらのシリ
サイドあるいは、これらの金属とアモルファスシリコン
層と反応した層であっても良い。さらに、ＩＴ○（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ） 、Ｓ ｉ Ｏ２等の
透光性導電体層あるいは、Ｔａ２０ｒ、、Ｓ ｉ ０９
Ｓｉｎ２等の酸化物、Ｃａ Ｆ２ ＋ Ｍ ｇ Ｆ２等
のフッ化物層あるいは、これらとアモルファスシリコン
層との混晶であっても良い。
サイドあるいは、これらの金属とアモルファスシリコン
層と反応した層であっても良い。さらに、ＩＴ○（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ） 、Ｓ ｉ Ｏ２等の
透光性導電体層あるいは、Ｔａ２０ｒ、、Ｓ ｉ ０９
Ｓｉｎ２等の酸化物、Ｃａ Ｆ２ ＋ Ｍ ｇ Ｆ２等
のフッ化物層あるいは、これらとアモルファスシリコン
層との混晶であっても良い。
さらに、多層構造を構成する接合としては、上記のアモ
ルファスシリコンによるｐｉｎ接合に限らず、結晶Ｓｉ
による” Ｐ ｒ ｎ” ｐｐ＋接合、ａ−８ｉと結晶
Ｓｉによるｎｐ接合、さらに、ショットキーまたは金属
−絶縁物一半導体接合であっても良い。
ルファスシリコンによるｐｉｎ接合に限らず、結晶Ｓｉ
による” Ｐ ｒ ｎ” ｐｐ＋接合、ａ−８ｉと結晶
Ｓｉによるｎｐ接合、さらに、ショットキーまたは金属
−絶縁物一半導体接合であっても良い。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
実施例１
ここでは、まず、ＳｎＯ，を中間層として用いた場合に
ついて述べる。第３図の如＜ＳＵＳ基板１上に、プラズ
マＣＶＤ （Ｃｈｅ＋＋＋１ｃａｌ ＶａｐｏｒＤ ｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法で、基板温度２３０℃にてＢ
２ ＨｓガスとＳ ｉ Ｈａガスとを混合（混合比Ｂ
２ Ｈｓ ／ Ｓ Ｉ Ｈ２≧０．５層％）したガスを
用いて、Ｂを含んだ水素化非晶質シリコン（２層）２を
、次に、ＳｉＨ４ガスとＧ ｅ Ｈ，ガスを混合したガ
スを用いて、ａ−８ｉ ｏ、、Ｇｅ ０４： Ｈ（ｉ層
）３を、さらにその上にＰＨ，ガスとＳｉＨ４ガスとを
混合（混合比ＰＨ，／ＳｉＨ４≧０．５Ｖ％）したガス
を用いてＰを含んだ水素化非晶質シリコン（ｎ層）４を
順次形成する。各層の膜厚は例えば２層３００人、１層
５０００人、ｎ層１００人程度で良い。次にその上全面
に、基板温度１００〜２５０℃の範囲内で真空蒸着法に
てｓｂドープ５ｎＯ２２０を１００人の厚さ形成する。
ついて述べる。第３図の如＜ＳＵＳ基板１上に、プラズ
マＣＶＤ （Ｃｈｅ＋＋＋１ｃａｌ ＶａｐｏｒＤ ｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法で、基板温度２３０℃にてＢ
２ ＨｓガスとＳ ｉ Ｈａガスとを混合（混合比Ｂ
２ Ｈｓ ／ Ｓ Ｉ Ｈ２≧０．５層％）したガスを
用いて、Ｂを含んだ水素化非晶質シリコン（２層）２を
、次に、ＳｉＨ４ガスとＧ ｅ Ｈ，ガスを混合したガ
スを用いて、ａ−８ｉ ｏ、、Ｇｅ ０４： Ｈ（ｉ層
）３を、さらにその上にＰＨ，ガスとＳｉＨ４ガスとを
混合（混合比ＰＨ，／ＳｉＨ４≧０．５Ｖ％）したガス
を用いてＰを含んだ水素化非晶質シリコン（ｎ層）４を
順次形成する。各層の膜厚は例えば２層３００人、１層
５０００人、ｎ層１００人程度で良い。次にその上全面
に、基板温度１００〜２５０℃の範囲内で真空蒸着法に
てｓｂドープ５ｎＯ２２０を１００人の厚さ形成する。
しかる後、さらに、水素化非晶質シリコンを２層５．１
層６、ｎ層７の順に形成する。各層の厚さは、９層７５
人、１層１８００人、ｎ層８０人程度とする。
層６、ｎ層７の順に形成する。各層の厚さは、９層７５
人、１層１８００人、ｎ層８０人程度とする。
最後に全面にＩ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ ） ８を１８００人の厚さ形成し、集電電極と
して、Ｔｉ９／Ａｇ１Ｏ二層電極を形成する。該太陽電
池の光電変換特性は、擬似太陽光１００ｍＷ／ＣＪｊ照
射下で。
ｉｄｅ ） ８を１８００人の厚さ形成し、集電電極と
して、Ｔｉ９／Ａｇ１Ｏ二層電極を形成する。該太陽電
池の光電変換特性は、擬似太陽光１００ｍＷ／ＣＪｊ照
射下で。
曲線因子０．６５、変換効率８．９％であり、ｎｐ接合
間に中間層を有してない従来の二層構造太陽電池（曲線
因子： ０．５８、変換効率＝７．７％）に比べ秀れた
値を示した。
間に中間層を有してない従来の二層構造太陽電池（曲線
因子： ０．５８、変換効率＝７．７％）に比べ秀れた
値を示した。
実施例２
ここでは、Ｓｎ○２とＯｒを中間層として用いた三層構
造太陽電池について述べる。第４図の如く、上記実施例
１と同様にＳＵＳ基板１上に、ｐ層（ａ−８ｉ ：Ｈ）
１１． ｉ層（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）１２、ｎ層（ａ−
８ｉ ： Ｈ） １３を順次２５０人。
造太陽電池について述べる。第４図の如く、上記実施例
１と同様にＳＵＳ基板１上に、ｐ層（ａ−８ｉ ：Ｈ）
１１． ｉ層（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）１２、ｎ層（ａ−
８ｉ ： Ｈ） １３を順次２５０人。
５０００人、８０人程度の厚さ形成する。この上にｓｂ
ドープＳｎ○２２１を７０人形成後、２層１４．１層１
５．ｎ層１６（いずれもａ−８ｉ二Ｈ）を７０人、 ２
５００人、７５人程度の厚さ形成する。この上に厚さ２
０人のＣｒ２２を真空蒸着法で形成後、さらに２層１７
．ｉ層１８，０層１９（いずれもａ−８ｉ：Ｈ）を７０
人、 １３００人。
ドープＳｎ○２２１を７０人形成後、２層１４．１層１
５．ｎ層１６（いずれもａ−８ｉ二Ｈ）を７０人、 ２
５００人、７５人程度の厚さ形成する。この上に厚さ２
０人のＣｒ２２を真空蒸着法で形成後、さらに２層１７
．ｉ層１８，０層１９（いずれもａ−８ｉ：Ｈ）を７０
人、 １３００人。
７５人程度の厚さ形成する。最後に全面にＩＴＯ８を１
８００人の厚さ、さらに集電電極としてＴ ｉ ９／
Ａ ｇ １０二層電極を形成する。該太陽電池の特性は
、擬似太陽光１００ ｍ Ｗ／ ｃｎ？照射下で、変換
効率９．３％を示した。ｎｐ接合間に中間層を有しない
従来の三層構造太陽電池に比べ特に曲線因子が秀れてい
た。
８００人の厚さ、さらに集電電極としてＴ ｉ ９／
Ａ ｇ １０二層電極を形成する。該太陽電池の特性は
、擬似太陽光１００ ｍ Ｗ／ ｃｎ？照射下で、変換
効率９．３％を示した。ｎｐ接合間に中間層を有しない
従来の三層構造太陽電池に比べ特に曲線因子が秀れてい
た。
実施例３
第５図の如く、Ｐ型多結晶Ｓｔ基板２３上にｎ層（ａ−
３ｉ ： Ｈ） ２４、Ｃｒ層２５を形成後さらに２層
２６．１層２７．９層２８のａ−８ｔ：Ｈ膜とＩＴ○膜
２９を設け、Ｓｉ基板の裏面にＡＱ３０を蒸着した。
３ｉ ： Ｈ） ２４、Ｃｒ層２５を形成後さらに２層
２６．１層２７．９層２８のａ−８ｔ：Ｈ膜とＩＴ○膜
２９を設け、Ｓｉ基板の裏面にＡＱ３０を蒸着した。
本実施例によれば、従来のＣｒ層ない太陽電池の曲線因
子が０．６５１であるのに対し、０．７０の曲線因子が
得られた。このため変換効率１３％を達成することがで
きた。
子が０．６５１であるのに対し、０．７０の曲線因子が
得られた。このため変換効率１３％を達成することがで
きた。
実施例４
第６図の如く、ｐ型車結晶Ｓｉ基板２３表面に拡散法（
あるいはイオン打込み法）によりｎ ＋層３１裏面にＰ
゛層３２を形成後、Ｔｉｉ層３を設け、さらに２層２６
．１層２７．９層２８のａ−８ｉ：Ｈ膜とＩＴＯ膜２９
を形成し、Ｓｉ基板の裏面にＴｉ３３およびＡｇ３４を
蒸着した。
あるいはイオン打込み法）によりｎ ＋層３１裏面にＰ
゛層３２を形成後、Ｔｉｉ層３を設け、さらに２層２６
．１層２７．９層２８のａ−８ｉ：Ｈ膜とＩＴＯ膜２９
を形成し、Ｓｉ基板の裏面にＴｉ３３およびＡｇ３４を
蒸着した。
本実施例によれば、開放電圧１．５ ｖｏｌｔ、曲線因
子０．７５０変換効率１４．５％を得た。通常の結晶Ｓ
ｉ太陽電池と比較し、高いＶｏｃ、同等の変換効率が得
られた。
子０．７５０変換効率１４．５％を得た。通常の結晶Ｓ
ｉ太陽電池と比較し、高いＶｏｃ、同等の変換効率が得
られた。
本発明によれば、多層構造（アモルファス）シリコン太
陽電池中のｉｐ接合およびｐｉ接合の接合特性を良くす
ることができるので、太陽電池の変換効率を向上させる
効果がある。
陽電池中のｉｐ接合およびｐｉ接合の接合特性を良くす
ることができるので、太陽電池の変換効率を向上させる
効果がある。
第１図は二層構造太陽電池の従来例を示す断面構造図、
第２図は三層構造太陽電池の従来例を示す断面構造図、
第３図は本発明の実施例ｉの二層構造太陽電池を示す断
面図、第４図は本発明の実施例２の三層構造太陽電池を
示す断面図である。 第５図は本発明の実施例３、第６図は本発明の実施例４
の二層構造太陽電池を示す断面図である。 １・・・ＳＵＳ基板、２，５，１１，１４，１７゜２６
−ｐ層（ａ−８ｉ ： Ｈ） 、 ３．１２−ｉ層（ａ
５ｘＧｅ： Ｈ）、６＋ １５＋ １８＋ ２７・・
・を層（ａ−８ｉ、：Ｈ） 、４．７．１３．１６．１
９゜２４．２８−ｎ層（ａ−３’ｉ ： Ｈ） 、８．
２９−透明電極（ＩＴＯ）、９，３３．３４・・・Ｔｉ
、１０．３５−Ａｇ、２０．２ｌ−８ｎＯ２，２２゜■
Ｉ 図 冨 ３ 図 右５図 罵６図 第１頁の続き ０発 明 者 中 村 信 夫 国分寺市東恋り央研究
所内
第２図は三層構造太陽電池の従来例を示す断面構造図、
第３図は本発明の実施例ｉの二層構造太陽電池を示す断
面図、第４図は本発明の実施例２の三層構造太陽電池を
示す断面図である。 第５図は本発明の実施例３、第６図は本発明の実施例４
の二層構造太陽電池を示す断面図である。 １・・・ＳＵＳ基板、２，５，１１，１４，１７゜２６
−ｐ層（ａ−８ｉ ： Ｈ） 、 ３．１２−ｉ層（ａ
５ｘＧｅ： Ｈ）、６＋ １５＋ １８＋ ２７・・
・を層（ａ−８ｉ、：Ｈ） 、４．７．１３．１６．１
９゜２４．２８−ｎ層（ａ−３’ｉ ： Ｈ） 、８．
２９−透明電極（ＩＴＯ）、９，３３．３４・・・Ｔｉ
、１０．３５−Ａｇ、２０．２ｌ−８ｎＯ２，２２゜■
Ｉ 図 冨 ３ 図 右５図 罵６図 第１頁の続き ０発 明 者 中 村 信 夫 国分寺市東恋り央研究
所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 、 ｐｉｎｐｎ接合構造あるいはｐｉｎｐｉｎｐｉ
ｎ接合構造のごとく、少なくとも１つ以上のｐｎ、ｐｉ
ｎ、ショットキーまたは金属−絶縁物一半導体接合を有
する多層接合構造において、オーミック接触を必要とす
る層の間に、透光性物質を有することを特徴とする多層
構造シリコン太陽電池。 ２、特許請求の範囲第１項における透光性物質が、金属
薄膜、酸化物、弗化物、窒化物の少なくとも一考から成
ることを特徴とする多層構造シリコン太陽電池。 ３、特許請求の範囲第１項における透光性物質が、金属
、酸化物、弗化物、窒化物の少なくとも一考とシリコン
が反応し形成した物質であることを特徴とする多層構造
シリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067635A JPS60211987A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 多層構造シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067635A JPS60211987A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 多層構造シリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211987A true JPS60211987A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13350641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067635A Pending JPS60211987A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 多層構造シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211987A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191974A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性マルチジヤンクシヨン型半導体素子 |
| JPS62162365A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS6366976A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置 |
| JPS63100858U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-30 | ||
| JPS63503103A (ja) * | 1985-09-30 | 1988-11-10 | 鐘淵化学工業株式会社 | マルチジャンクション型半導体デバイス |
| JPH04127580A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
| JP2009170727A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| JP2014158047A (ja) * | 1998-08-19 | 2014-08-28 | Trustees Of Princeton Univ | 有機感光性光電子装置 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067635A patent/JPS60211987A/ja active Pending
Cited By (9)
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| JPS6191974A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性マルチジヤンクシヨン型半導体素子 |
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