JPS60212706A - 偏光板又は偏光フイルムの製造方法 - Google Patents
偏光板又は偏光フイルムの製造方法Info
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- JPS60212706A JPS60212706A JP59068400A JP6840084A JPS60212706A JP S60212706 A JPS60212706 A JP S60212706A JP 59068400 A JP59068400 A JP 59068400A JP 6840084 A JP6840084 A JP 6840084A JP S60212706 A JPS60212706 A JP S60212706A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
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- G—PHYSICS
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- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光を制御するための偏光板又は偏光フィルムの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
〈従来技術〉
この種の偏光フィルムは、従来高分子の透明フィルムを
一軸延伸加工して一定方向に分子配列することにより、
その表面に塗布した2色性物質をフィルムに生じたミセ
ルの間隙でグ配向吸着させる方法によって製造させてい
る。
一軸延伸加工して一定方向に分子配列することにより、
その表面に塗布した2色性物質をフィルムに生じたミセ
ルの間隙でグ配向吸着させる方法によって製造させてい
る。
しかるに°、この方法では次のような欠点がある。
■ 基材となる素材が、延伸加工に適するもの1例えば
ポリビニルアルコール(PVA)等の一部のプラスチッ
クフィルム素材に限定されるので、光透過率のより高い
素材への選択性に乏しい。
ポリビニルアルコール(PVA)等の一部のプラスチッ
クフィルム素材に限定されるので、光透過率のより高い
素材への選択性に乏しい。
■ 延伸加工時の温度管理、基材の品質管理、延伸力の
調節管理等を厳密に行なう必要があり、しかも、一定の
基材フィルム面積ごとに断続的生産をしなければならな
いので、連続的かつ迅速な大量生産に適さない。
調節管理等を厳密に行なう必要があり、しかも、一定の
基材フィルム面積ごとに断続的生産をしなければならな
いので、連続的かつ迅速な大量生産に適さない。
■ フィルムのミセル間隙での配向に適する物質として
ヨウ素が用いられているが、ヨウ素は高温、多湿等によ
る影響を受け易く偏光機能の劣化があるため、保tag
等を必要とする。また、ヨウ素等の非金属物質は光の透
過率が理論値で最大50%であるので、製品用途に限界
がある。
ヨウ素が用いられているが、ヨウ素は高温、多湿等によ
る影響を受け易く偏光機能の劣化があるため、保tag
等を必要とする。また、ヨウ素等の非金属物質は光の透
過率が理論値で最大50%であるので、製品用途に限界
がある。
■ 偏光物質としてAgy Au、 )Igt Fen
などの金属塩を用いることも考えられているが、フィル
ムのミセル間隙での配向性が著しく劣るため偏光性が低
く実用化に適さない。
などの金属塩を用いることも考えられているが、フィル
ムのミセル間隙での配向性が著しく劣るため偏光性が低
く実用化に適さない。
〈発明の目的〉
本発明は上記の欠点を除去するために提供されたもので
あり、その目的は、 ■ 基材に機械的応力を作用させることなく、塗布され
た2色性偏光物質を配向させ得るものとすることにより
、使用する基材としてPVAはもとより、フィルム状、
板状のすべての透明プラスチック材およびガラス材を用
い得る偏光板又は偏光フィルムの製法を提供することに
ある。
あり、その目的は、 ■ 基材に機械的応力を作用させることなく、塗布され
た2色性偏光物質を配向させ得るものとすることにより
、使用する基材としてPVAはもとより、フィルム状、
板状のすべての透明プラスチック材およびガラス材を用
い得る偏光板又は偏光フィルムの製法を提供することに
ある。
C■ 2色性偏光物質として非金属のほか金属を実用化
し得る偏光板又は偏光フィルムの製法を提供することに
ある。
し得る偏光板又は偏光フィルムの製法を提供することに
ある。
■ 長尺な基材を用いて連続的に大量生産を可能とし、
低コストでかつ歩留りのよい偏光板又は偏光フィルムの
製法を提供することにある。
低コストでかつ歩留りのよい偏光板又は偏光フィルムの
製法を提供することにある。
[株] 偏光物質の配向が正確かつ均一であって精度の
高い偏光性を有する偏光板又は偏光フィルムの製法を提
供することにある。
高い偏光性を有する偏光板又は偏光フィルムの製法を提
供することにある。
く構成〉
而して、上記の目的は、[基材上の塗布層に磁界を印加
して層内の2色性物質を一定方向に分子配向又は結晶配
向させることを特徴とする偏光板(フィルム)の製造方
法」、「基材上の塗布層に電界を印加して層内の2色性
物質を一定方向に分子配向又は結晶配向させることを特
徴とする偏光板(フィルム)の製造方法」および「基材
上の第1の塗布層に磁界を印加して層内の2色性物質を
一定方向へ分子配向又は結晶配向させる第1の配向工程
と、上記第1の塗布層の配向乾燥後、その層上に更に2
色性物質を塗布する第2の塗布工程と、該第2の塗布層
面に対して所定の傾斜角度で交叉する電界を印加してM
42の塗布層における2色性物質を上記1iの塗布層の
配向方向と異なる方向に分子配向又は結晶配向させる第
2の配向工程と、の各工程を有する偏光板(フィルム)
の製造方法」によって達成される。
して層内の2色性物質を一定方向に分子配向又は結晶配
向させることを特徴とする偏光板(フィルム)の製造方
法」、「基材上の塗布層に電界を印加して層内の2色性
物質を一定方向に分子配向又は結晶配向させることを特
徴とする偏光板(フィルム)の製造方法」および「基材
上の第1の塗布層に磁界を印加して層内の2色性物質を
一定方向へ分子配向又は結晶配向させる第1の配向工程
と、上記第1の塗布層の配向乾燥後、その層上に更に2
色性物質を塗布する第2の塗布工程と、該第2の塗布層
面に対して所定の傾斜角度で交叉する電界を印加してM
42の塗布層における2色性物質を上記1iの塗布層の
配向方向と異なる方向に分子配向又は結晶配向させる第
2の配向工程と、の各工程を有する偏光板(フィルム)
の製造方法」によって達成される。
〈実施例1〉
次に本発明を図面に示されたl実施例に従って、更に詳
しく説明することとする。
しく説明することとする。
第1図において、(la)(lb)は所定間隔で上下方
向に配置された2個一対の磁石であり、乾燥室(lO)
内で同一磁極か対峙して配置せしめられている。而して
、対峙する磁極からの磁束は反発して左右に平行して分
送し、その境界付近では各々略水平方向へ流れる磁束を
形成する。(2)は光透過率約95%の透明ガラス板製
の基材、(3)は該基材(2)上に塗布された2色性偏
光物質による塗布層であり、例えばポリマーと反応せし
めた有機金属化合物たる液状塩化スズ層である。
向に配置された2個一対の磁石であり、乾燥室(lO)
内で同一磁極か対峙して配置せしめられている。而して
、対峙する磁極からの磁束は反発して左右に平行して分
送し、その境界付近では各々略水平方向へ流れる磁束を
形成する。(2)は光透過率約95%の透明ガラス板製
の基材、(3)は該基材(2)上に塗布された2色性偏
光物質による塗布層であり、例えばポリマーと反応せし
めた有機金属化合物たる液状塩化スズ層である。
而して、本実施例に係る工程は、第2図に示すようにま
ず略水平に配設された基材ガラス(2)の上面に液状塩
化スズを塗布し、次いで基材(2)を矢印(P)方向へ
略水平に移動させる。従って、液状塩化スズ層(3)は
略水平かつ相互に平行な磁束に沿ってその磁界の印加作
用を受けることとなる。このとき、塗布層(3)はすで
に任意の熱源をもつ乾燥室(lO)内で乾燥雰囲気中に
あるので、有機成分が徐々に飛散除去して塩化スズの結
晶が生威し若しくは脱塩してわずかに有機成分を帯び分
極性をもつスズ分子が生成すると同時に、水平かつ平行
な磁束による磁界の印加を受けて塗布層内のスズ分子又
は塩化スズ結晶は磁束方向へ整列配向することとなる。
ず略水平に配設された基材ガラス(2)の上面に液状塩
化スズを塗布し、次いで基材(2)を矢印(P)方向へ
略水平に移動させる。従って、液状塩化スズ層(3)は
略水平かつ相互に平行な磁束に沿ってその磁界の印加作
用を受けることとなる。このとき、塗布層(3)はすで
に任意の熱源をもつ乾燥室(lO)内で乾燥雰囲気中に
あるので、有機成分が徐々に飛散除去して塩化スズの結
晶が生威し若しくは脱塩してわずかに有機成分を帯び分
極性をもつスズ分子が生成すると同時に、水平かつ平行
な磁束による磁界の印加を受けて塗布層内のスズ分子又
は塩化スズ結晶は磁束方向へ整列配向することとなる。
この配向工程の終了後塗布層は完全に乾燥してスズ分子
又は結晶が基材(2)上に固定され、直線偏光板が完成
する。
又は結晶が基材(2)上に固定され、直線偏光板が完成
する。
而して、基材(2)には機械的外力が作用しないので光
透過率に影響がなく、また、2色性物質として光透過率
が理論値80〜90%以上の金属分子又はその結晶を用
いることができるため、偏光板透過軸での透過率が少な
くとも75%以上であって吸収軸での透過率が0.2%
以以下下いう従来にない高品質な直線偏光板を得た。
透過率に影響がなく、また、2色性物質として光透過率
が理論値80〜90%以上の金属分子又はその結晶を用
いることができるため、偏光板透過軸での透過率が少な
くとも75%以上であって吸収軸での透過率が0.2%
以以下下いう従来にない高品質な直線偏光板を得た。
〈実施例2〉
第3図〜第6図には本発明を適用した円偏光フィルムの
製造方法が示されている。
製造方法が示されている。
この円偏光フィルムは上記実施例1と同一の工程によっ
て得られた直線偏光フィルムに電位相逓層を積層形成す
るものである。
て得られた直線偏光フィルムに電位相逓層を積層形成す
るものである。
すなわち、第1の塗布工程において、透明なPVAフィ
ルム(21)上に2色性偏光物質たるヨウ化カリウム水
溶液をコーティングして第1塗布層(31)を形成し、
これを第1因に示す方法によって磁界によるヨウ素分子
又は結晶を一定方向へ配向せしめる第1配向工程を経る
とともに、これを乾燥固定せしめる第1乾燥工程により
直線偏光フィルムを得る0次いで、乾燥固定した第1塗
布層(31)上にヨウ化カリウム水溶液を古度コーティ
ングする第2塗布工程により第2@布層(すな形成せし
める。
ルム(21)上に2色性偏光物質たるヨウ化カリウム水
溶液をコーティングして第1塗布層(31)を形成し、
これを第1因に示す方法によって磁界によるヨウ素分子
又は結晶を一定方向へ配向せしめる第1配向工程を経る
とともに、これを乾燥固定せしめる第1乾燥工程により
直線偏光フィルムを得る0次いで、乾燥固定した第1塗
布層(31)上にヨウ化カリウム水溶液を古度コーティ
ングする第2塗布工程により第2@布層(すな形成せし
める。
次いで、これを第4,5図のように正負の電極板(5a
) (5b)間において矢印P方向へ略水平に移動せし
めて約3000Vの電圧下の電界による第2配向工程に
至らしめる。このとき、電極板(5a) (5b)は略
水平に配置されているとともに、フィルム(21)の進
行方向すなわち矢印P方向に対し45°傾斜せしめ(第
5図)かつ電界(6)の方向がフィルム(21)上面に
対し45°の交叉角度となるように配置されている。而
して、この電界(8)域に至った第2塗布層(4)内で
は2極分極しているヨウ素分子又は結晶が電界方向すな
わち矢印P方向に対して45°であってかつフィルム(
21)の面に対して45°の傾斜角度で配向する。
) (5b)間において矢印P方向へ略水平に移動せし
めて約3000Vの電圧下の電界による第2配向工程に
至らしめる。このとき、電極板(5a) (5b)は略
水平に配置されているとともに、フィルム(21)の進
行方向すなわち矢印P方向に対し45°傾斜せしめ(第
5図)かつ電界(6)の方向がフィルム(21)上面に
対し45°の交叉角度となるように配置されている。而
して、この電界(8)域に至った第2塗布層(4)内で
は2極分極しているヨウ素分子又は結晶が電界方向すな
わち矢印P方向に対して45°であってかつフィルム(
21)の面に対して45°の傾斜角度で配向する。
従って、前記のように矢印P方向へ配向している第1塗
布層(31)の偏光軸に対して第2塗布!(4)は属僚
相差の偏光軸を持つ偏光層を形成することとなる。(7
)は第2の乾燥工程を行なうための加熱用のネサ膜であ
り、第2塗布層(0に対面するように電極板(5a)の
下面に取付けられ、適宜の電源に接続されている。而し
て、第2塗布層(0内のヨウ素分子はネサ膜(7)の放
熱乾燥により徐々に正方結晶しつ?電界方向へ配向した
状態で第1塗布層(31)上に積層固定される。
布層(31)の偏光軸に対して第2塗布!(4)は属僚
相差の偏光軸を持つ偏光層を形成することとなる。(7
)は第2の乾燥工程を行なうための加熱用のネサ膜であ
り、第2塗布層(0に対面するように電極板(5a)の
下面に取付けられ、適宜の電源に接続されている。而し
て、第2塗布層(0内のヨウ素分子はネサ膜(7)の放
熱乾燥により徐々に正方結晶しつ?電界方向へ配向した
状態で第1塗布層(31)上に積層固定される。
尚、上記塗布層は気相蒸着(CVD)法によって行なっ
た。
た。
この実施例により得られた円偏光フィルムはPVAフィ
ルム(21)に外力を加えていないのでミセルによる縞
模様の発生がなく理論値に近い光透過率を保持すること
ができ、かつ各塗布層(31)、(Uにおける分子又は
結晶の配向が磁界および電界の印加によるので方向性が
正確・均一となり、極めて優れた円偏光特性を有してい
る。
ルム(21)に外力を加えていないのでミセルによる縞
模様の発生がなく理論値に近い光透過率を保持すること
ができ、かつ各塗布層(31)、(Uにおける分子又は
結晶の配向が磁界および電界の印加によるので方向性が
正確・均一となり、極めて優れた円偏光特性を有してい
る。
く作用メ
上記実施例のほか、本発明の適用し得る2色性物質とし
てセレン、ヒ素、テルル等の非金属、チタン、バンジウ
ム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、イツトリウム、
ニオブ、モリブデン、亜鉛、銀、カドミウム、インジウ
ム、アンチモン、金等の金属塩を用1.Nてもよい。
てセレン、ヒ素、テルル等の非金属、チタン、バンジウ
ム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、イツトリウム、
ニオブ、モリブデン、亜鉛、銀、カドミウム、インジウ
ム、アンチモン、金等の金属塩を用1.Nてもよい。
特に、インジウム、スズ2アンチモンの金属塩結晶およ
びヒ素、セレン、テルル、ヨウ素の非金属結晶は広い波
長域において強l/〜光吸収能と2色性を呈するので好
適な素材である。
びヒ素、セレン、テルル、ヨウ素の非金属結晶は広い波
長域において強l/〜光吸収能と2色性を呈するので好
適な素材である。
また、各塗布層を形成するための塗布方法として、上記
実施例のほか、公知のグラビアコーチインク、ドクター
コーティング、スリットコーチインク、す/(−スコー
ティング等適宜の方法を採用することができる。
実施例のほか、公知のグラビアコーチインク、ドクター
コーティング、スリットコーチインク、す/(−スコー
ティング等適宜の方法を採用することができる。
更に、磁界の強さは偏光物質の素材に応じて調節するも
のとし、約1500〜3000ガウスの間で素材の抗磁
力の約3倍の印加磁力とするのが好ましい、また、電界
の強さは約1000〜toooovの間で素材に応じて
調節するものとするのがよい。
のとし、約1500〜3000ガウスの間で素材の抗磁
力の約3倍の印加磁力とするのが好ましい、また、電界
の強さは約1000〜toooovの間で素材に応じて
調節するものとするのがよい。
尚、磁石又は電極を2対以上とすること。
養若しくはこれらを菊移動査定せしめて配向するように
することは本発明に含まれる変更実施例である。
することは本発明に含まれる変更実施例である。
く効果〉
本発明によれば、前記の■〜燵)を十分に達成し得るほ
か、連続大量生産による低コスト化を実現できるもので
ある。
か、連続大量生産による低コスト化を実現できるもので
ある。
く用途〉
本発明により製造された偏光板(フィルタ)は透過軸に
おける高透過率と吸収軸における高吸収性を併せもつの
で、各種光学機器の光フィルタ、光シャッタとして、ま
た建物用窓ガラス、自動車・飛行機等のウィンドーガラ
ス伊メータパネル前面ガラス用の防眩フィルタとして、
更にテレビジョン受像機等のCIILT用の防眩−コン
トラスト強化フィルタとして、更に液晶表示ディスプレ
イのコントラスト強化フィルタとして最適なものであだ
ものは耐熱性に優れているので、CRTブラウン管の内
外面への直接加工、液晶表示ディスプレイのガラス面へ
の直接加工が可能であり、これら製品の品質向上に資す
るところ大である。
おける高透過率と吸収軸における高吸収性を併せもつの
で、各種光学機器の光フィルタ、光シャッタとして、ま
た建物用窓ガラス、自動車・飛行機等のウィンドーガラ
ス伊メータパネル前面ガラス用の防眩フィルタとして、
更にテレビジョン受像機等のCIILT用の防眩−コン
トラスト強化フィルタとして、更に液晶表示ディスプレ
イのコントラスト強化フィルタとして最適なものであだ
ものは耐熱性に優れているので、CRTブラウン管の内
外面への直接加工、液晶表示ディスプレイのガラス面へ
の直接加工が可能であり、これら製品の品質向上に資す
るところ大である。
図面は本発明の実施例を示すものであり、第1図は磁界
による配向工程を示す概略説明図。 第2図は第1図の工程を含む偏光板(フィルタ)の製造
工程図、第3図C±2層の偏光層を有する偏光板(フィ
ルム)の製造工程図、第4図は電界による第2配向工程
を示す概略説明図、第5図はその平面図、第6図C±第
5図にお(するA−A断面図である。 (la) (lb)・・・磁石、(2)・・・透明ガラ
ス板、(3)・・・塗布層、 (31)・・・第1塗布
層、(4)・・・第2塗布層、 (5a)(5b)・・・電極板、 (6)・・・電界。 (7)・・・ネサ膜、 (10)・・・乾燥室。 同 ・弁理士 丸 山 隆 夫 第5図 第6図 手続補正書()園 昭和59年 8月 8日 特許庁長官 志賀 学 殿 ■、事件の表示 昭和 59年 特許願 第 68400 号2、発明の
名称 偏光板又は偏光フィルムの製造方法 3、補正をする者 事件との関係:特許出願人 サイチク株式会社 4、代理人 昭和59年 7月31日(発送日) 6、補正の対象 ■願 書 ■明細書中「発明の名称」、「特許請求の範囲」並びに
「発明の詳細な説明」の欄 (別 紙 ) 7、補正の内容 ■別紙の通り願書中「発明の名称」の欄を訂正した訂正
願書を補充する。 ■明細書中「発明の名称」の欄を次の通りに訂正する。 「偏光板又は偏光フィルムの製造方法」■明細書中「特
許請求の範囲」の欄を次の通りに訂正する。 1、基材上の塗布層に磁界を印加して層内の2色性物質
を一定方向に分子配向又は結晶配向させることを特徴と
する偏光板は −フ ルムの製造方法。 2、基材が、透明プラスチックフィルムである前記特許
請求の範囲第1項記載の製 l遣方法。 3、基材が、透明ガラス板である前記特許 1請求の範
囲第1項記載の製造方法。 4.2色性物質が、金属結晶である前記特許請求の範囲
第1項記載の製造方法。 5.2色性物質が、非金属結晶である前記特許請求の範
囲第1項記載の製造方法。 e、 g村上の塗布層に電界を印加して層内の2色性物
質を一定方向に分子配向又は結晶配向させることを特徴
とする偏光板は フ ルムの製造方法。 7、基材が、透明プラスチックフィルムである前記特許
請求の範囲第6項記載の製造方法。 8、基材が、透明ガラス板である前記特許請求の範囲第
6項記載の製造方法。 8.2色性物質が、金属結晶である前記特許請求の範囲
第6項記載の製造方法。 0.2色性物質が、非金属結晶である前記特許請求の範
囲第6項記載の製造方法。 1、基材上の第1の塗布層に磁界を印加して層内の2色
性物質を一定方向へ分子配向又は結晶配向させる第1の
配向工程 と、 上記第1の塗布層の配向乾燥後、その 層上に更に2色性物質を塗布する第2の塗布工程と。 該M42の塗布層面に対して所定の傾斜角度で交叉する
電界を印加して第2の塗布層における2色性物質を上記
第1の塗布層の配向方向と異なる方向に分子配向又は結
晶配向させる第2の配向工程と、の各工程を有する偏光
板り生IA1ユ と法の製造方法。 12、上記2色性物質が非金属である前記特許請求の範
囲第11項記載の偏光板X淋11L工量」の製造方法。 13、上記2色性物質が、金属結晶である前記特請求の
範囲第11項記載の製造方 法。 14、偏光板 は フ ルムが、円偏光板麦11エヱユ
五」である前記特許請求の範囲第11項乃至第14項の
いずれかに記載の製造方法。 @明細書第7頁第8行目に「(フィル ム)」とあるを「又は偏光フィルム」と訂正する。 ■明m書第7頁第11行目に「(フィルム)」とあるを
「又は偏光フィルム」と訂正する。 以 上 手続補正書(自船 昭和 58年11月21日 特許庁長官 志賀 学 殿 1、事件の表示 昭和 59 年 特許願 第 68400 号2、発明
の名称 偏光板又は偏光フィルムの製造方法 3、補正をする者 事件との関係:特許出願人 サイチク株式会社 4、代理人 5、補正命令の日付 な し 6、補圧の対象 図面中第6図 7、補正の内容 図面第6図を別紙のものと差し替える。 第6図
による配向工程を示す概略説明図。 第2図は第1図の工程を含む偏光板(フィルタ)の製造
工程図、第3図C±2層の偏光層を有する偏光板(フィ
ルム)の製造工程図、第4図は電界による第2配向工程
を示す概略説明図、第5図はその平面図、第6図C±第
5図にお(するA−A断面図である。 (la) (lb)・・・磁石、(2)・・・透明ガラ
ス板、(3)・・・塗布層、 (31)・・・第1塗布
層、(4)・・・第2塗布層、 (5a)(5b)・・・電極板、 (6)・・・電界。 (7)・・・ネサ膜、 (10)・・・乾燥室。 同 ・弁理士 丸 山 隆 夫 第5図 第6図 手続補正書()園 昭和59年 8月 8日 特許庁長官 志賀 学 殿 ■、事件の表示 昭和 59年 特許願 第 68400 号2、発明の
名称 偏光板又は偏光フィルムの製造方法 3、補正をする者 事件との関係:特許出願人 サイチク株式会社 4、代理人 昭和59年 7月31日(発送日) 6、補正の対象 ■願 書 ■明細書中「発明の名称」、「特許請求の範囲」並びに
「発明の詳細な説明」の欄 (別 紙 ) 7、補正の内容 ■別紙の通り願書中「発明の名称」の欄を訂正した訂正
願書を補充する。 ■明細書中「発明の名称」の欄を次の通りに訂正する。 「偏光板又は偏光フィルムの製造方法」■明細書中「特
許請求の範囲」の欄を次の通りに訂正する。 1、基材上の塗布層に磁界を印加して層内の2色性物質
を一定方向に分子配向又は結晶配向させることを特徴と
する偏光板は −フ ルムの製造方法。 2、基材が、透明プラスチックフィルムである前記特許
請求の範囲第1項記載の製 l遣方法。 3、基材が、透明ガラス板である前記特許 1請求の範
囲第1項記載の製造方法。 4.2色性物質が、金属結晶である前記特許請求の範囲
第1項記載の製造方法。 5.2色性物質が、非金属結晶である前記特許請求の範
囲第1項記載の製造方法。 e、 g村上の塗布層に電界を印加して層内の2色性物
質を一定方向に分子配向又は結晶配向させることを特徴
とする偏光板は フ ルムの製造方法。 7、基材が、透明プラスチックフィルムである前記特許
請求の範囲第6項記載の製造方法。 8、基材が、透明ガラス板である前記特許請求の範囲第
6項記載の製造方法。 8.2色性物質が、金属結晶である前記特許請求の範囲
第6項記載の製造方法。 0.2色性物質が、非金属結晶である前記特許請求の範
囲第6項記載の製造方法。 1、基材上の第1の塗布層に磁界を印加して層内の2色
性物質を一定方向へ分子配向又は結晶配向させる第1の
配向工程 と、 上記第1の塗布層の配向乾燥後、その 層上に更に2色性物質を塗布する第2の塗布工程と。 該M42の塗布層面に対して所定の傾斜角度で交叉する
電界を印加して第2の塗布層における2色性物質を上記
第1の塗布層の配向方向と異なる方向に分子配向又は結
晶配向させる第2の配向工程と、の各工程を有する偏光
板り生IA1ユ と法の製造方法。 12、上記2色性物質が非金属である前記特許請求の範
囲第11項記載の偏光板X淋11L工量」の製造方法。 13、上記2色性物質が、金属結晶である前記特請求の
範囲第11項記載の製造方 法。 14、偏光板 は フ ルムが、円偏光板麦11エヱユ
五」である前記特許請求の範囲第11項乃至第14項の
いずれかに記載の製造方法。 @明細書第7頁第8行目に「(フィル ム)」とあるを「又は偏光フィルム」と訂正する。 ■明m書第7頁第11行目に「(フィルム)」とあるを
「又は偏光フィルム」と訂正する。 以 上 手続補正書(自船 昭和 58年11月21日 特許庁長官 志賀 学 殿 1、事件の表示 昭和 59 年 特許願 第 68400 号2、発明
の名称 偏光板又は偏光フィルムの製造方法 3、補正をする者 事件との関係:特許出願人 サイチク株式会社 4、代理人 5、補正命令の日付 な し 6、補圧の対象 図面中第6図 7、補正の内容 図面第6図を別紙のものと差し替える。 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基材上の塗布層に磁界を印加して層内の2色性物質
を一定方向に分子配向又は結晶配向させることを特徴と
する偏光板(フィルム)の製造方法。 2、基材が、透明プラスチックフィルムである前記特許
請求の範囲第1項記載の製造方法。 3、基材が、透明ガラス板である前記特許請求の範囲第
1項記載の製造方法。 4.2色性物質が、金属結晶である前記特許請求の範囲
第1項記載の製造方法。 5.2色性物質が、非金属結晶である前記特許請求の範
囲第1項記載の製造方法。 6、 21&材上の塗fri居に電界を印加して層内の
2色性物質を一定方向に分子配向又は結晶配向させるこ
とを特徴とする偏光板(フィルム)の製造方法。 7、基材が、透明プラスチックフィルムである前記特許
請求の範囲第6項記載の製造方法。 8、基材が、透明ガラス板である前i特許請求の範囲第
6項記載の製造方法。 8.2色性物質が、金属結晶である前記特許請求の範囲
第6項記載の製造方法。 10.2色性物質が、非−金属結晶である前記特許請求
の範囲第6項記載の製造方法。 11、基材上の第1の塗布層に磁界を印加して層内の2
色性物質を一定方向へ分子配向又は結晶配向させる第1
の配向工程と、 上記w41の塗布層の配向乾燥後、その層上に更に2色
性物質を塗布する第2の塗布工程該第2の塗布層面に対
して所定の傾斜角度で交叉する電界を印加して第2の塗
布層における2色性物質を上記第1の塗布層の配向方向
と異なる方向に分子配向又は結晶配向させる第2の配向
工程と、 の各工程を有する偏光板(フィルム)の製造方法。 12、上記2色性物質が非金属である前記特許請求の範
囲第11項記載の偏光板(フィルム)の製造方法。 13、 上記2色性物質が、金属結晶である前記特許請
求の範囲第11記載の製造方法。 】4.偏光板(フィルム)が、円偏光板(フィルム)で
ある前記特許請求の範囲第11項乃至第14項のいずれ
かに記載の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59068400A JPS60212706A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | 偏光板又は偏光フイルムの製造方法 |
| AU40817/85A AU4081785A (en) | 1984-04-07 | 1985-04-03 | Polarizer |
| EP85302450A EP0159850A3 (en) | 1984-04-07 | 1985-04-04 | Process for making polarizer |
| KR1019850002314A KR850007888A (ko) | 1984-04-07 | 1985-04-06 | 편광자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59068400A JPS60212706A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | 偏光板又は偏光フイルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60212706A true JPS60212706A (ja) | 1985-10-25 |
Family
ID=13372601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59068400A Pending JPS60212706A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | 偏光板又は偏光フイルムの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0159850A3 (ja) |
| JP (1) | JPS60212706A (ja) |
| KR (1) | KR850007888A (ja) |
| AU (1) | AU4081785A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0193702A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Toyota Motor Corp | 偏光板及び偏光板の製造方法 |
| US5943156A (en) * | 1997-04-25 | 1999-08-24 | Tdk Corporation | Polarizing plate and method of manufacturing polarizing plate |
| US7762678B2 (en) | 2004-05-12 | 2010-07-27 | Flabeg Gmbh & Co. Kg | Low-glare rear-view mirror for vehicles |
| JP2020160479A (ja) * | 2016-06-30 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学膜形成方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び光学膜形成装置 |
Families Citing this family (4)
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| US7593004B2 (en) | 2005-06-02 | 2009-09-22 | Eastman Kodak Company | Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes |
| US20070141244A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-06-21 | Eastman Kodak Company | Method of making a polarizer plate |
| KR101200965B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2012-11-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 위상지연필름의 제조방법 |
| CN105807359B (zh) * | 2016-05-30 | 2017-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 线偏光层、圆偏光层、柔性显示装置及其制备方法 |
Citations (1)
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| JPS5346049A (en) * | 1976-10-07 | 1978-04-25 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB799365A (en) * | 1955-03-11 | 1958-08-06 | Polaroid Corp | Improvements relating to light polarizers and process of making same |
| US3353895A (en) * | 1962-04-16 | 1967-11-21 | Polaroid Corp | Light polarizer comprising filamentous particles on surface of transparent sheet and method of making same |
| DE1288651B (de) * | 1963-06-28 | 1969-02-06 | Siemens Ag | Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
| US3350982A (en) * | 1965-07-21 | 1967-11-07 | Alvin M Marks | Light polarizing structures |
| JPS58125002A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-25 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 偏光板及び液晶表示素子 |
-
1984
- 1984-04-07 JP JP59068400A patent/JPS60212706A/ja active Pending
-
1985
- 1985-04-03 AU AU40817/85A patent/AU4081785A/en not_active Abandoned
- 1985-04-04 EP EP85302450A patent/EP0159850A3/en not_active Withdrawn
- 1985-04-06 KR KR1019850002314A patent/KR850007888A/ko not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
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| JPS5346049A (en) * | 1976-10-07 | 1978-04-25 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
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| JP2020160479A (ja) * | 2016-06-30 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学膜形成方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び光学膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU4081785A (en) | 1985-10-10 |
| EP0159850A3 (en) | 1988-11-02 |
| KR850007888A (ko) | 1985-12-09 |
| EP0159850A2 (en) | 1985-10-30 |
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