JPS60213023A - 半導体基板の露光方法 - Google Patents
半導体基板の露光方法Info
- Publication number
- JPS60213023A JPS60213023A JP59070404A JP7040484A JPS60213023A JP S60213023 A JPS60213023 A JP S60213023A JP 59070404 A JP59070404 A JP 59070404A JP 7040484 A JP7040484 A JP 7040484A JP S60213023 A JPS60213023 A JP S60213023A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holder
- substrate
- semiconductor substrate
- resistance
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は半導体装置の流れ生産工程に適用する半導体基
板の露光方法に関する。
板の露光方法に関する。
（ｂ）技術の背景
近時１集積回路の大規模化、高密度化の趨勢に伴い、サ
ブミクロン精度の極微細パターン描画をする荷電ビーム
露光方法が着目されている。該露光方法は、電子または
イオン光学系ビーム照射源からの荷電粒子をパターン形
成の基板に集束照射する。然し２例えば電子ビーム露光
装置によりシリコンウェハ面にパターンを露光する工程
では前記精度を確保し併せてパターン描画のスルーブツ
トを高めることが切望されている。
ブミクロン精度の極微細パターン描画をする荷電ビーム
露光方法が着目されている。該露光方法は、電子または
イオン光学系ビーム照射源からの荷電粒子をパターン形
成の基板に集束照射する。然し２例えば電子ビーム露光
装置によりシリコンウェハ面にパターンを露光する工程
では前記精度を確保し併せてパターン描画のスルーブツ
トを高めることが切望されている。
（ｃ）従来技術と問題点
従来の電子ビーム露光装置の概略構成を示す第１図と第
２図とから装置構成とその問題点を説明する。
２図とから装置構成とその問題点を説明する。
図中、１は電子光学系コラムの頭部に位置する電子銃、
２はコラム下端側に位置するチャンバ。
２はコラム下端側に位置するチャンバ。
３はチャンバ２へ加工基板を供給する自動基板供給装置
、４はチャンバ２内供給の加工基板を高精度に位置決め
するステージ、５は前記ステージ４に載置されるホルダ
ー、及び６は加工基板にパターン描画する電子ビームで
ある。同図中７は電子ビームを集束する電子レンズ、又
８は電子ビーム制御回路により駆動されるビーム偏向器
である。
、４はチャンバ２内供給の加工基板を高精度に位置決め
するステージ、５は前記ステージ４に載置されるホルダ
ー、及び６は加工基板にパターン描画する電子ビームで
ある。同図中７は電子ビームを集束する電子レンズ、又
８は電子ビーム制御回路により駆動されるビーム偏向器
である。
また詳細図示されないが前記の自動基板供給装置３には
真空予備室が設けられ、チャンバ２内のホルダーの装着
、並びに露光後のホルダー取出しが前記コラムの高真空
度を壊すことなく行われる構成とされる。
真空予備室が設けられ、チャンバ２内のホルダーの装着
、並びに露光後のホルダー取出しが前記コラムの高真空
度を壊すことなく行われる構成とされる。
更に、基板ホルダー５に装着された描画基板は第２図の
ホルダー断面図に示される。第２図断面図中、９は前記
精度の微細化パターン描画をなす加工対象の基板である
。
ホルダー断面図に示される。第２図断面図中、９は前記
精度の微細化パターン描画をなす加工対象の基板である
。
しかしながら、荷電粒子によるビームスポットの照射は
、ホルダー装着基板９が電気的に浮くと荷電粒子により
基板帯電となる為、ホルダー側の周辺に電気的導通をと
るコンタクトピン（図示の１０）を設け、ピン１０とド
ーズ量計測電流計Ａとで接地して電荷を逃す（第２図参
照）。然し、コンタクトピンと基板との間で充分な導通
が得られてないと、電子ビーム露光装置では基板帯電の
負電位によりパターン描画のビームが偏倚して、所定精
度のパターン描画が困難となる。
、ホルダー装着基板９が電気的に浮くと荷電粒子により
基板帯電となる為、ホルダー側の周辺に電気的導通をと
るコンタクトピン（図示の１０）を設け、ピン１０とド
ーズ量計測電流計Ａとで接地して電荷を逃す（第２図参
照）。然し、コンタクトピンと基板との間で充分な導通
が得られてないと、電子ビーム露光装置では基板帯電の
負電位によりパターン描画のビームが偏倚して、所定精
度のパターン描画が困難となる。
他方、荷電粒子ビーム露光装置は、スループットを高め
る観点から照射時のドーズ強度を高める装置改良が図ら
れている現在、微細パターン形成をなす前記の基板帯電
は、半導体装置の生産工程に於ける重要な問題となりつ
つある。
る観点から照射時のドーズ強度を高める装置改良が図ら
れている現在、微細パターン形成をなす前記の基板帯電
は、半導体装置の生産工程に於ける重要な問題となりつ
つある。
（ｄ）発明の目的
本発明の目的は、前記の基板帯電の問題点を解決シて、
高精度のパターン形成を容易とすることである。
高精度のパターン形成を容易とすることである。
（，３）発明の構成
前記の目的は、半導体基板に微細パターンを描画する荷
電粒子ビーム露光に於いて、半導体基板とこれと導通を
とり基板電荷を除く端子との間の接触抵抗を検出した後
、所望の接触抵抗かえられた状態でビーム露光をなすこ
とにより達成される。
電粒子ビーム露光に於いて、半導体基板とこれと導通を
とり基板電荷を除く端子との間の接触抵抗を検出した後
、所望の接触抵抗かえられた状態でビーム露光をなすこ
とにより達成される。
（ｆ）発明の実施例
本発明は、高精度パターンを描画する前記自動基板供給
装置付電子ビーム露光装置に於いて、半導体基板のホル
ダー装着時、第３図ホルダ断面図に示される接触抵抗計
測手段に従って検出された接触抵抗から基板のホルダ導
通状態をチェックすることとし、然る後ビーム露光をな
すものである。
装置付電子ビーム露光装置に於いて、半導体基板のホル
ダー装着時、第３図ホルダ断面図に示される接触抵抗計
測手段に従って検出された接触抵抗から基板のホルダ導
通状態をチェックすることとし、然る後ビーム露光をな
すものである。
第３図に於いて、ホルダー装着の半導体基板９は、複数
のホルダー側コンタクトピン１１と１２で圧接される。
のホルダー側コンタクトピン１１と１２で圧接される。
但し１例示二本のコンタクトピン中。
一方のコンタクトピン１２はホルダーとは電気的に絶縁
される。又、他方のコンタクトピン１１はホルダー自体
と導通する金属螺子とされる。
される。又、他方のコンタクトピン１１はホルダー自体
と導通する金属螺子とされる。
斯様な構成のコンタクトピン１１と１２間に図示の如き
低電圧の電源１３．及び電流計１４を接続し、半導体基
板抵抗、該抵抗と直列するコンタクトピン間の拡散接触
抵抗とを、電流に置換して計測する。
低電圧の電源１３．及び電流計１４を接続し、半導体基
板抵抗、該抵抗と直列するコンタクトピン間の拡散接触
抵抗とを、電流に置換して計測する。
該計測の電流値は微細パターン形成の半導体基板の大き
さ、該基板の固有抵抗値、あるいはホルダーに設けるコ
ンタクトピン位置等により異なるが。
さ、該基板の固有抵抗値、あるいはホルダーに設けるコ
ンタクトピン位置等により異なるが。
基板帯電の無いホルダー基板間の密着状態を確認した抵
抗計測データと比較してそれ以上の計測電流であれば、
ホルダー装着の半導体基板は接触抵抗の低い導通状態が
確保されたことになる。
抗計測データと比較してそれ以上の計測電流であれば、
ホルダー装着の半導体基板は接触抵抗の低い導通状態が
確保されたことになる。
斯様な接触抵抗チェック完了後のホルダー装着基板を、
基板供給装置３によりチャンバ２内に移送してパターン
露光をすれば、従来問題となった露光時の基板帯電は無
くなる。
基板供給装置３によりチャンバ２内に移送してパターン
露光をすれば、従来問題となった露光時の基板帯電は無
くなる。
前記実施例に於いては電子ビーム露光装置を引用して説
明したが、半導体基板の露光方法は他の例えばイオンビ
ームによるリソグラフィ装置に適用しても有効である。
明したが、半導体基板の露光方法は他の例えばイオンビ
ームによるリソグラフィ装置に適用しても有効である。
更に１本発明半導体基板の露光方法は、半導体基板と限
らずレチクル形成のメタルマスク基板を対象とするパタ
ーン露光に通用するも構わない。
らずレチクル形成のメタルマスク基板を対象とするパタ
ーン露光に通用するも構わない。
（ｇ）発明の効果
以上、詳細に説明した本発明の半導体基板の露光方法に
よれば、常時安定した高精度のパターン露光が可能とな
り、半導体装置の歩留りが向上する等の利点がある。
よれば、常時安定した高精度のパターン露光が可能とな
り、半導体装置の歩留りが向上する等の利点がある。
第１図は従来の電子ビーム露光装置の構成概略図、第２
図は基板ホルダーの断面図である。及び第３図は本発明
の露光方法実施例とするホルダー断面図である。 図中、２はチャンバ、３は自動基板供給装置。 ４はステージ、５は基板ホルダー、６はビームスポット
、７は電子レンズ、９は加工基板、１０と１１と１２は
コンタクトピン、及び１４とＡ（第２図）は電流計であ
る。 代理人 弁理士 検問 宏四部 ％３ 図
図は基板ホルダーの断面図である。及び第３図は本発明
の露光方法実施例とするホルダー断面図である。 図中、２はチャンバ、３は自動基板供給装置。 ４はステージ、５は基板ホルダー、６はビームスポット
、７は電子レンズ、９は加工基板、１０と１１と１２は
コンタクトピン、及び１４とＡ（第２図）は電流計であ
る。 代理人 弁理士 検問 宏四部 ％３ 図
Claims (1)
- 半導体基板に微細パターンを描画する荷電粒子ビーム露
光に於いて、半導体基板とこれと導通をとり基板電荷を
除く端子との間の接触抵抗を検出した後、所望の接触抵
抗かえられた状態でビーム露光をなすことを特徴とする
半導体基板の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070404A JPS60213023A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体基板の露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070404A JPS60213023A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体基板の露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60213023A true JPS60213023A (ja) | 1985-10-25 |
Family
ID=13430487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59070404A Pending JPS60213023A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | 半導体基板の露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60213023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415228U (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-06 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642341A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Hitachi Ltd | Sample setting device in electron beam drawing equipment |
| JPS5831529A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Nec Corp | 電子線露光装置用基板ホルダ− |
-
1984
- 1984-04-09 JP JP59070404A patent/JPS60213023A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642341A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Hitachi Ltd | Sample setting device in electron beam drawing equipment |
| JPS5831529A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Nec Corp | 電子線露光装置用基板ホルダ− |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415228U (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-06 |
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