JPS60214335A - 投影露光装置及び投影露光方法 - Google Patents
投影露光装置及び投影露光方法Info
- Publication number
- JPS60214335A JPS60214335A JP59072282A JP7228284A JPS60214335A JP S60214335 A JPS60214335 A JP S60214335A JP 59072282 A JP59072282 A JP 59072282A JP 7228284 A JP7228284 A JP 7228284A JP S60214335 A JPS60214335 A JP S60214335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- optical system
- imaging magnification
- wavelength
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Variable Magnification In Projection-Type Copying Machines (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の微細パターンを投影光学系を
用いて製造するときの投影型露光装置に関し、特に投影
光学系の結像倍率を所定値に設定すると共に、投影光学
系の光学性能の変化を補正する結像倍率調整手段を有し
ている投影型露光装置に関するものである。
用いて製造するときの投影型露光装置に関し、特に投影
光学系の結像倍率を所定値に設定すると共に、投影光学
系の光学性能の変化を補正する結像倍率調整手段を有し
ている投影型露光装置に関するものである。
従来より ＩＣ，ＬＳＩ等の微細パターンをウニ・・−
に焼付ける微細加工を目的とした投影型露光装置には非
常に高い組立精度と光学性能が要求されている。このう
ち投影型露光装置に用いられる投影光学系には設定値に
合致した結像倍率と高解像力を有するものが要求される
。
に焼付ける微細加工を目的とした投影型露光装置には非
常に高い組立精度と光学性能が要求されている。このう
ち投影型露光装置に用いられる投影光学系には設定値に
合致した結像倍率と高解像力を有するものが要求される
。
特に投影光学系の結像倍率は設定値と厳密に一致してい
ることが要求される。
ることが要求される。
これは周知のようにＩＣ，ＬＳＩの製造においてはマス
クパターンの焼付工程を重複して行う際にその都度アラ
イメン）１−行う為であり又製造工程に応じて使用され
る別々の投影型露光装置でアライメントヲ行う場合があ
る為に各装置毎の歪曲や結像倍率誤差等の総合的な結像
倍率を所定値に設定しておかねばならない為である。
クパターンの焼付工程を重複して行う際にその都度アラ
イメン）１−行う為であり又製造工程に応じて使用され
る別々の投影型露光装置でアライメントヲ行う場合があ
る為に各装置毎の歪曲や結像倍率誤差等の総合的な結像
倍率を所定値に設定しておかねばならない為である。
従来より投影型露光装置において投影光学系の結像倍率
の調整の一方法としてマスクパターンと投影光学系との
間隔を調整して行ってきた。
の調整の一方法としてマスクパターンと投影光学系との
間隔を調整して行ってきた。
このときの調整を投影光学系の鏡筒寸法の変更で行う場
合はマスクパターンをウェハー面上に一度焼付け、焼付
は後のウエノ・−上のマスクパターン像の倍率を測定し
、その測定結果に基づいて投影光学系を投影型露光装置
より取り外して光学調整を行っていた。
合はマスクパターンをウェハー面上に一度焼付け、焼付
は後のウエノ・−上のマスクパターン像の倍率を測定し
、その測定結果に基づいて投影光学系を投影型露光装置
より取り外して光学調整を行っていた。
その他の投影光学系の結像倍率の調整方法としてはマス
クパターンを投影光学系の結像面（ウェハー面）に対し
て前後させて行う方法がある。しかしながらこの方法は
マスクパターンを移動させる為の高精度の移動機構例え
ば高精度のへリコイド機構が必要となってくる。
クパターンを投影光学系の結像面（ウェハー面）に対し
て前後させて行う方法がある。しかしながらこの方法は
マスクパターンを移動させる為の高精度の移動機構例え
ば高精度のへリコイド機構が必要となってくる。
一般にこれらの機械的手段による倍率調整はある程度の
調整は可能であるが厳密に例えばマスクパターンの全面
積で０．１μ以内に調整しようとする場合にはもはや機
械的手段では、達成できなくなってくる。
調整は可能であるが厳密に例えばマスクパターンの全面
積で０．１μ以内に調整しようとする場合にはもはや機
械的手段では、達成できなくなってくる。
本発明は投影光学系の結像倍率全厳密に所定値に設定す
ることができ、かつ結像倍率を所定値に設定したときに
生ずる光学性能の変化を良好に補正することのできる投
影型露光装置の提供を目的とする。
ることができ、かつ結像倍率を所定値に設定したときに
生ずる光学性能の変化を良好に補正することのできる投
影型露光装置の提供を目的とする。
本発明の目的を達成する為の投影型露光装置の主たる特
徴はマスクパターンをウェハー面上に投影光学系を用い
て結像させる投影型露光装置に、前記マスクパターンを
照明する光源、前記光源の発振波長を変化させる波長可
変手段そして光学補正手段を有する結像倍率調整手段を
設け、前記投影光学系の結像倍率の調整を前記波長可変
手段により前記光源の発振波長を変えることにより行い
、更に前記光学補正手段を前記投影光学系の一部に配置
することにより前記光源の発振波長の変化により生じた
光学性能の補正を行っていることである。
徴はマスクパターンをウェハー面上に投影光学系を用い
て結像させる投影型露光装置に、前記マスクパターンを
照明する光源、前記光源の発振波長を変化させる波長可
変手段そして光学補正手段を有する結像倍率調整手段を
設け、前記投影光学系の結像倍率の調整を前記波長可変
手段により前記光源の発振波長を変えることにより行い
、更に前記光学補正手段を前記投影光学系の一部に配置
することにより前記光源の発振波長の変化により生じた
光学性能の補正を行っていることである。
投影光学系の結像倍率は使用する波長によシ多少異って
くる。従って投影光学系において使用する波長量変化さ
せることのできる光源を用いれば、結像倍率を変化させ
た使用が可能となる０ 微細パターンを焼付けることを主目的とする後述する本
発明の実施例においては使用する波長を例えばＬ ５
ｎｍ程度の僅かの量変化させることによって有効面積２
８園径の周辺において０．０６μｍの倍率調整を行うこ
とができる。
くる。従って投影光学系において使用する波長量変化さ
せることのできる光源を用いれば、結像倍率を変化させ
た使用が可能となる０ 微細パターンを焼付けることを主目的とする後述する本
発明の実施例においては使用する波長を例えばＬ ５
ｎｍ程度の僅かの量変化させることによって有効面積２
８園径の周辺において０．０６μｍの倍率調整を行うこ
とができる。
一般に本発明に係る投影光学系は諸収差が極めて良好に
補正されている。この為実際に使用する波長が僅かに変
化しても当初の光学性能よ量変化してくる。微細パター
ンを焼付けることを目的とする投影型露光装置において
は、このときの光学性能の変化を補正しておく必要があ
る。
補正されている。この為実際に使用する波長が僅かに変
化しても当初の光学性能よ量変化してくる。微細パター
ンを焼付けることを目的とする投影型露光装置において
は、このときの光学性能の変化を補正しておく必要があ
る。
そこで本発明ではこのときの光学性能の変化、主に球面
収差の変化を光学補正手段により補正しているのである
。
収差の変化を光学補正手段により補正しているのである
。
具体的には光学補正手段を厚さの異なる複数の平行平面
ガラスより構成し光源の発振波長の変化量に応じて平行
平面ガラスを投影光学系のマスクパターン側若しくはウ
ェハー側の少なくとも一方に出入れすることによシ行っ
ている。
ガラスより構成し光源の発振波長の変化量に応じて平行
平面ガラスを投影光学系のマスクパターン側若しくはウ
ェハー側の少なくとも一方に出入れすることによシ行っ
ている。
一般に投影型露光装置においてはマスクパターン、投影
光学系そしてウェハー等の配置を高精度で行う必要があ
る。このとき各要素の配置を機械的に行うには精度的に
限界がある。そこで本発明においては各要素を機械的な
精度の許す範囲内でまず配置し、次に投影光学系の結像
倍率の微少誤差を、機械的調整のかわりにマスクパター
ンを照明する光源の発振波長を変えて精度良く調整する
ものである。
光学系そしてウェハー等の配置を高精度で行う必要があ
る。このとき各要素の配置を機械的に行うには精度的に
限界がある。そこで本発明においては各要素を機械的な
精度の許す範囲内でまず配置し、次に投影光学系の結像
倍率の微少誤差を、機械的調整のかわりにマスクパター
ンを照明する光源の発振波長を変えて精度良く調整する
ものである。
光源の発振波長の可変方法としては、例えば光源として
エキシマレーザ−を用いる場合はインジェクションロッ
キング装置のオツシレータ側のプリズム、エタロン等の
波長特性決定用素子の調整やエキシマレーザ−内の反射
ミラーを調整することによって行うことができる。本発
明において結像倍率の調整をまず投影光学系の結像倍率
をテスト装置で測定しその測定結果に基づいて行っても
良く若しくは結像倍率調整手段に結像倍率検出手段を設
は結像倍率検出手段からの出力信号に基づいて波長可変
手段によｐ光源の発振波長を変えるようにして行っても
良い。例えば結像倍率検出手段による場合は例えばウェ
ハー面に相当する位置に光電変換素子を設はマスクパタ
ーンの投影信金光電的に読み取って結像倍率を検出し、
波長可変手段により結像倍率の調整を行うようにしても
良い。
エキシマレーザ−を用いる場合はインジェクションロッ
キング装置のオツシレータ側のプリズム、エタロン等の
波長特性決定用素子の調整やエキシマレーザ−内の反射
ミラーを調整することによって行うことができる。本発
明において結像倍率の調整をまず投影光学系の結像倍率
をテスト装置で測定しその測定結果に基づいて行っても
良く若しくは結像倍率調整手段に結像倍率検出手段を設
は結像倍率検出手段からの出力信号に基づいて波長可変
手段によｐ光源の発振波長を変えるようにして行っても
良い。例えば結像倍率検出手段による場合は例えばウェ
ハー面に相当する位置に光電変換素子を設はマスクパタ
ーンの投影信金光電的に読み取って結像倍率を検出し、
波長可変手段により結像倍率の調整を行うようにしても
良い。
又結像倍率の調整を結像倍率検出手段からの出力信号に
基づいて光源の発振波長を可変とすると共にウニ・・−
位置調整手段を設はウェー−位置を調整して行うように
してもよい。
基づいて光源の発振波長を可変とすると共にウニ・・−
位置調整手段を設はウェー−位置を調整して行うように
してもよい。
そして光源の発振波長の変化量に応じて予め設定しであ
る光学補正手段により光学性能、特に球面収差の補正を
行えば所定の結像倍率を有した高性能な投影光学系を達
成することができる。
る光学補正手段により光学性能、特に球面収差の補正を
行えば所定の結像倍率を有した高性能な投影光学系を達
成することができる。
次に本発明の、一実施例の投影型露光装置のブロック図
を第１図に示す。図中１はインジェクションロッキング
したエキシマレーザ−等の光源、２は反射鏡、３はＩＣ
，ＬＳＩ等の微細パターンのマスク４の照明系、５は投
影光学系、６バウ工バー位置で投影光学系５によるマス
ク４の結像面である。７はウェハー位置６に例えば光電
変換手段を配置し光電変換手段によりマスク４の結像倍
率全光電的に検出する結像倍率検出手段である。８は結
像倍率検出手段７からの出力信号に基づいて光源１の発
振波長を可変とする波長可変手段、９は結像倍率検出手
段７からの出力信号に基づいてウェハー位置を調整する
ウェハー位置調整手段でおる。
を第１図に示す。図中１はインジェクションロッキング
したエキシマレーザ−等の光源、２は反射鏡、３はＩＣ
，ＬＳＩ等の微細パターンのマスク４の照明系、５は投
影光学系、６バウ工バー位置で投影光学系５によるマス
ク４の結像面である。７はウェハー位置６に例えば光電
変換手段を配置し光電変換手段によりマスク４の結像倍
率全光電的に検出する結像倍率検出手段である。８は結
像倍率検出手段７からの出力信号に基づいて光源１の発
振波長を可変とする波長可変手段、９は結像倍率検出手
段７からの出力信号に基づいてウェハー位置を調整する
ウェハー位置調整手段でおる。
１０は光学補正手段であり光源の発振波長の変化量に応
じて予め設定された厚さを有する平行平面板を出入れし
て光学性能を補正する為のものである。
じて予め設定された厚さを有する平行平面板を出入れし
て光学性能を補正する為のものである。
尚波長可変手段８は光源１の内部に備え一体とする場合
もある。又ウェハー位置調整手段９は必ずしも設けてお
く必要はない。結像倍率検出手段７を設けないときは投
影光学系５の結像倍率を予め測定しておき、この測定結
果に基づいて波長可変手段８により光源１の発振波長全
制御するようにしても良い。
もある。又ウェハー位置調整手段９は必ずしも設けてお
く必要はない。結像倍率検出手段７を設けないときは投
影光学系５の結像倍率を予め測定しておき、この測定結
果に基づいて波長可変手段８により光源１の発振波長全
制御するようにしても良い。
第２図に本発明の一実施例で光源として用いたインジェ
クションロッキングエキシマレーザ−の構成図を示す。
クションロッキングエキシマレーザ−の構成図を示す。
同図においてＡはオツシレータ、Ｂは不安定共振型オツ
シレータ、１１は安定型共振器、１２はアパーチャー、
１３はプリズム、１４は不安定型共振器である。
シレータ、１１は安定型共振器、１２はアパーチャー、
１３はプリズム、１４は不安定型共振器である。
次に本発明の投影型露光装置に用いる投影光学系の数値
実施例を示す。
実施例を示す。
数値実施例においてＲｉは物体側より ｌ１ｌＩＩ Ｋ
第１番目のレンズ面の曲率半径、Ｄｉは物体側より順
に第１番目のレンズ厚及び空気間隔、５１０２は溶融石
英、ＣＡＦ２はフッ化カルシウムである。
第１番目のレンズ面の曲率半径、Ｄｉは物体側より順
に第１番目のレンズ厚及び空気間隔、５１０２は溶融石
英、ＣＡＦ２はフッ化カルシウムである。
表１に数値実施例で用いたガラスのｄ線に対する屈折率
ｎ、とｄ線基準の分散ν、を示す。
ｎ、とｄ線基準の分散ν、を示す。
数値実施例は結像倍率が１倍で画面範囲２０Ｘ２０ｗｎ
、Ｆｅ −３，０のときである。数値実施例のレンズ断
面図を第３図に示す。
、Ｆｅ −３，０のときである。数値実施例のレンズ断
面図を第３図に示す。
数値実施例
Ｒ□−８９５，３２Ｄ □−１３５ＩＯ２Ｒ２−１０６
，７２Ｄ ２−１５．７５Ｒ−１６１，１１Ｄ−２３，
５８ＩＯ□３３ Ｒ４−−１０２１５Ｄ 、−０，２ Ｒ５−１５６，５１Ｄ ５−１４ 、ＣＡＦ２Ｒ６−−
３７６．６１ Ｄ ６−１．０６Ｒ７−９６，４２Ｄ
７−１４．５ ＣＡＦ２Ｒ８−３０１，４９Ｄ ｓ−１
，９４ Ｒ−６１，３３Ｄ −２１，５ＣＡＦ２９ Ｒｌｏ−４１ａ２４ Ｄｌｏ−１５８ＩＯ□Ｒ−３２，
５８Ｄｌｌ−１７，０６ １ Ｒ１２−−１５０，９３Ｄ□２−ＩＺ５１ ５ＩＯ２Ｒ
−■ Ｄ１３−１２．５１． ＳＩＯ□３ Ｒ１４−１５０，９３Ｄ１４−１７．０６Ｒ，５−−３
１５８Ｄ、、−１５３ＩＯ□Ｒ１６−−４１６．２４
Ｄ、６−２１．５ ＣＡＦ２Ｒ１７陶−６１，３３Ｄｌ
ｌ−１，９４Ｒ−−３０１，４９Ｄ−１４，５ＣＡＦ２
１８ １８ Ｒ−−９６，４２０□９−１．０６ ９ Ｒ２Ｏ−３７６，６１Ｄ２ｏ−１４ＣＡＦ２Ｒ２□−−
１５６，５１Ｄ２□−０，２Ｒ２□−１０λ１５ Ｄ２
２−２３．５ ８ＩＯ□Ｒ２３−−１６１，１１Ｄ２３
−１５．７５Ｒ２４−−１０６，７２Ｄ、−１３８ＩＯ
２Ｒ２５−−８９５，３２Ｄ２５−１５ Ｒ２６−閃 Ｄ２６−１Ｏ８ＩＯ□ Ｒ２７″″ “ 表１ 数値実施例で用いたガラス材料の屈折率第３図に
おいて３１ 、３２ 、３３は各々厚さの異なる平行平
面板より成る光学補正手段でありマスクパターンを照明
する光源の発振波長の変化により生じた光学性能の補正
を投影光学系のマスクパターン側若しくはウェハー側の
少なくとも一方に出入れすることにより行うものである
。
，７２Ｄ ２−１５．７５Ｒ−１６１，１１Ｄ−２３，
５８ＩＯ□３３ Ｒ４−−１０２１５Ｄ 、−０，２ Ｒ５−１５６，５１Ｄ ５−１４ 、ＣＡＦ２Ｒ６−−
３７６．６１ Ｄ ６−１．０６Ｒ７−９６，４２Ｄ
７−１４．５ ＣＡＦ２Ｒ８−３０１，４９Ｄ ｓ−１
，９４ Ｒ−６１，３３Ｄ −２１，５ＣＡＦ２９ Ｒｌｏ−４１ａ２４ Ｄｌｏ−１５８ＩＯ□Ｒ−３２，
５８Ｄｌｌ−１７，０６ １ Ｒ１２−−１５０，９３Ｄ□２−ＩＺ５１ ５ＩＯ２Ｒ
−■ Ｄ１３−１２．５１． ＳＩＯ□３ Ｒ１４−１５０，９３Ｄ１４−１７．０６Ｒ，５−−３
１５８Ｄ、、−１５３ＩＯ□Ｒ１６−−４１６．２４
Ｄ、６−２１．５ ＣＡＦ２Ｒ１７陶−６１，３３Ｄｌ
ｌ−１，９４Ｒ−−３０１，４９Ｄ−１４，５ＣＡＦ２
１８ １８ Ｒ−−９６，４２０□９−１．０６ ９ Ｒ２Ｏ−３７６，６１Ｄ２ｏ−１４ＣＡＦ２Ｒ２□−−
１５６，５１Ｄ２□−０，２Ｒ２□−１０λ１５ Ｄ２
２−２３．５ ８ＩＯ□Ｒ２３−−１６１，１１Ｄ２３
−１５．７５Ｒ２４−−１０６，７２Ｄ、−１３８ＩＯ
２Ｒ２５−−８９５，３２Ｄ２５−１５ Ｒ２６−閃 Ｄ２６−１Ｏ８ＩＯ□ Ｒ２７″″ “ 表１ 数値実施例で用いたガラス材料の屈折率第３図に
おいて３１ 、３２ 、３３は各々厚さの異なる平行平
面板より成る光学補正手段でありマスクパターンを照明
する光源の発振波長の変化により生じた光学性能の補正
を投影光学系のマスクパターン側若しくはウェハー側の
少なくとも一方に出入れすることにより行うものである
。
本発明に係る投影光学系においては波長変化により球面
収差が最も多く変化する。そこで光束の収斂若しくは発
散する位置に平行平面板を出入れすることによシ球面収
差の変化を補正しているのである。
収差が最も多く変化する。そこで光束の収斂若しくは発
散する位置に平行平面板を出入れすることによシ球面収
差の変化を補正しているのである。
本発明の実施例で光学補正手段として平行平面板を用い
たのは平行平面板はその厚さを変えることによシ球面収
差量を制御することができる為である。従って本発明に
おける光学補正手段は必ずしも平行平面板である必要は
なく例えば屈折力の小さな負レンズであっても良い。
たのは平行平面板はその厚さを変えることによシ球面収
差量を制御することができる為である。従って本発明に
おける光学補正手段は必ずしも平行平面板である必要は
なく例えば屈折力の小さな負レンズであっても良い。
尚本発明の実施例では平行平面板を投影光学系の一方に
挿入した例を示したが投影光学系のマスクパターン側と
ウェハー側の各々に光学補正手段を挿入するようにして
も良い。
挿入した例を示したが投影光学系のマスクパターン側と
ウェハー側の各々に光学補正手段を挿入するようにして
も良い。
又本発明においては厚さの異なる２つの平行平面板を投
影光学系のマスクパターン側とウェハー側に各々挿入し
ても良い。これは特に投影光学系の結像倍率が縮少のと
き補正が容易に行えるので好ましい。
影光学系のマスクパターン側とウェハー側に各々挿入し
ても良い。これは特に投影光学系の結像倍率が縮少のと
き補正が容易に行えるので好ましい。
第４−に数値実施例の基準波長を２４＆５ｎ？Ｆ＋とし
たときの諸収差図を示す。
たときの諸収差図を示す。
本発明の数値実施例において像高１４．での結像倍率？
０．０６μｍ調整するには波長ｔ−２４８，５ｎ７７
Ｌから２５０ ｎｍ に変化させればよい。
０．０６μｍ調整するには波長ｔ−２４８，５ｎ７７
Ｌから２５０ ｎｍ に変化させればよい。
厚さ１０ｍの平行平面板が挿入されている投影光学系に
おいて光源の波長を単に２４８．５ｎｍから２５０ｎｒ
ｒＬに変化させたときの球面収差を第５図に、又このと
き平行平面板の厚さｉｄｉｏｍから６鰭に変更して補正
したときの球面収差を第６図に示す。第５図、第６図よ
り明らかのように平行平面板の厚さを変えることにより
球面収差は良好に補正されている。
おいて光源の波長を単に２４８．５ｎｍから２５０ｎｒ
ｒＬに変化させたときの球面収差を第５図に、又このと
き平行平面板の厚さｉｄｉｏｍから６鰭に変更して補正
したときの球面収差を第６図に示す。第５図、第６図よ
り明らかのように平行平面板の厚さを変えることにより
球面収差は良好に補正されている。
以上のように本発明によれば撮影光学系の結像倍率の調
整を光源の発振波長を変えて行うことにより、従来より
機械的調整では困難であった微少調整が容易に出来、所
定の結像倍率を高精度に調整することが出来、更に光源
の波長変化によシ生じる光学性能を良好に補正すること
のできる投影型露光装置を達成することができる。
整を光源の発振波長を変えて行うことにより、従来より
機械的調整では困難であった微少調整が容易に出来、所
定の結像倍率を高精度に調整することが出来、更に光源
の波長変化によシ生じる光学性能を良好に補正すること
のできる投影型露光装置を達成することができる。
第１図は本発明の〜実施例の投影型露光装置のブロック
図、第２図は従来のインジェクションロッキングエキシ
マレーザ−の構成図、第３図、第４図は本発明の投影光
学系の数値実施例のレンズ断面図と諸収差図、第５図、
第６図は各々本発明の投影光学系の数値実施例において
光学補正手段により補正した場合と補正しない場合の球
面収差図である。 図中１は光源、２は反射鏡、３は照明系、４はマスク、
５は投影光学系、６はウェハー、７は結像倍率検出手段
、８は波長可変手段、９はウェハー位置調整手段、１０
は光学補正手段、△Ｓはサジタル像面、６Ｍはメリデイ
オナル像面、Ｙ′は像高である。 特許出願人 キャノン株式会社 第２ 図 第３ 図 ４蘭 第５ 図 工紙面吹差 第６図 壬椅６仮紬。
図、第２図は従来のインジェクションロッキングエキシ
マレーザ−の構成図、第３図、第４図は本発明の投影光
学系の数値実施例のレンズ断面図と諸収差図、第５図、
第６図は各々本発明の投影光学系の数値実施例において
光学補正手段により補正した場合と補正しない場合の球
面収差図である。 図中１は光源、２は反射鏡、３は照明系、４はマスク、
５は投影光学系、６はウェハー、７は結像倍率検出手段
、８は波長可変手段、９はウェハー位置調整手段、１０
は光学補正手段、△Ｓはサジタル像面、６Ｍはメリデイ
オナル像面、Ｙ′は像高である。 特許出願人 キャノン株式会社 第２ 図 第３ 図 ４蘭 第５ 図 工紙面吹差 第６図 壬椅６仮紬。
Claims (4)
- （１）マスクパターン全ウェハー面上に投影光学系を用
いて結像させる投影型露光装置に、前記マスクパターン
全照明する光源、前記光源の発振波長全変化させる波長
可変手段そして光学補正手段を有する結像倍率調整手段
を設け、前記投影光学系の結像倍率の調整を前記波長可
変手段により前記光源の発振波長を変えることにより行
い、前記光学補正手段を前記投影光学系の一部に出入れ
することにより前記光源の発振波長の変化により生じた
光学性能の補正全行ったことを特徴とする投影型露光装
置。 - （２）前記光学補正手段を厚さの異なる複数の平行平面
ガラスより構成し前記光源の発掘波長の変化量に応じて
前記平行平面ガラスを前記投影光学系のマスクパターン
側若しくはウェハー側の少なくとも一方に出入れしたこ
とｔ−特徴とする特許請求の範囲第１項記載の投影型露
光装置。 - （３）前記結像倍率調整手段は前記投影光学系の結像倍
率を検出する結像倍率検出手段を有しておシ前記波長可
変手段は前記結像倍率検出手段からの出力信号に基づい
て前記光源の発振波長を可変とすることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の投影型露光装置。 - （４）前記結像倍率調整手段は前記ウェハー位置を調整
するウェハー位置調整手段と前記結像光学系の結像倍率
を検出する結像倍率検出手段とを有しており、前記結像
倍率検出手段からの出力信号に基づいて、前記波長可変
手段によシ前記光源の発振波長全可変とすると共に前記
ウェハー位置調整手段によりウェハー位置を変化させる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の投影型露
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072282A JPS60214335A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072282A JPS60214335A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214335A true JPS60214335A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0554688B2 JPH0554688B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13484767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072282A Granted JPS60214335A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214335A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213928A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS6410624A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Nikon Corp | Projection optical device |
| US4888614A (en) * | 1986-05-30 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Observation system for a projection exposure apparatus |
| US5095190A (en) * | 1987-03-03 | 1992-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US5701169A (en) * | 1994-03-30 | 1997-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system and exposure apparatus with demountable transparent protective member |
| US5789734A (en) * | 1993-05-14 | 1998-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus that compensates for spherical aberration of an image forming device |
| US5831715A (en) * | 1994-01-27 | 1998-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus with means to vary spherical aberration |
| JP2010087506A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Asml Holding Nv | 球状色収差補正のための検査装置、リソグラフィ装置および方法 |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072282A patent/JPS60214335A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888614A (en) * | 1986-05-30 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Observation system for a projection exposure apparatus |
| JPS63213928A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Canon Inc | 露光装置 |
| US5095190A (en) * | 1987-03-03 | 1992-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JPS6410624A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Nikon Corp | Projection optical device |
| US5789734A (en) * | 1993-05-14 | 1998-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus that compensates for spherical aberration of an image forming device |
| US5831715A (en) * | 1994-01-27 | 1998-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus with means to vary spherical aberration |
| US5701169A (en) * | 1994-03-30 | 1997-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination system and exposure apparatus with demountable transparent protective member |
| JP2010087506A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Asml Holding Nv | 球状色収差補正のための検査装置、リソグラフィ装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554688B2 (ja) | 1993-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4811055A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US4492459A (en) | Projection printing apparatus for printing a photomask | |
| TWI416272B (zh) | 表面形狀量測設備、曝光設備以及裝置製造方法 | |
| JP2009092389A (ja) | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3445045B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| KR100291564B1 (ko) | 광리소그래피용광학부재및광학부재의평가방법 | |
| JPS5998525A (ja) | 分割焼付け装置のアライメント方法 | |
| JPH0194617A (ja) | 半導体露光装置 | |
| JPH11502941A (ja) | 小フィールド走査用の倍率補正 | |
| JPH07220988A (ja) | 投影露光方法及び装置及びこれを用いたデバイス製造方法 | |
| JPS60223122A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH01123238A (ja) | 光学系の結像特性に対する環境パラメーターの影響を補正する方法および装置 | |
| KR100566254B1 (ko) | 노광 장치 | |
| JPH10294268A (ja) | 投影露光装置及び位置合わせ方法 | |
| JPH0554688B2 (ja) | ||
| JP2897345B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| US6774982B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
| JPH0554687B2 (ja) | ||
| JP3632264B2 (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| JPH10197791A (ja) | 投影レンズ | |
| JP2002169083A (ja) | 対物光学系、収差測定装置、投影露光装置、対物光学系の製造方法、収差測定装置の製造方法、投影露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JP2840314B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| WO2024245923A2 (de) | Berührungslos messender temperatursensor für einen spiegel, projektionsobjektiv und verfahren zum messen der temperatur eines spiegels | |
| JP2897346B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| KR20090013132A (ko) | 광학계, 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |