JPS6021479B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPS6021479B2 JPS6021479B2 JP8772279A JP8772279A JPS6021479B2 JP S6021479 B2 JPS6021479 B2 JP S6021479B2 JP 8772279 A JP8772279 A JP 8772279A JP 8772279 A JP8772279 A JP 8772279A JP S6021479 B2 JPS6021479 B2 JP S6021479B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating chamber
- plug
- radio wave
- side wall
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Electric Ovens (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、加熱室内に被加熱物の内部温度を検知する
ためのプロープ(probe)を設け、良好な加熱調理
を可能とするもので、特にプローブを取り付けるプラグ
部の電波シールを効果的に改良した高周波加熱装置に関
する。
ためのプロープ(probe)を設け、良好な加熱調理
を可能とするもので、特にプローブを取り付けるプラグ
部の電波シールを効果的に改良した高周波加熱装置に関
する。
第1図は、高周波加熱装置10、いわゆる電子レンジの
概観を示すもので、鰹体12内には、前面を関口した加
熱室が形成されている。
概観を示すもので、鰹体12内には、前面を関口した加
熱室が形成されている。
この加熱室の開口部には、扉14が開閉自在に枢支され
ている。この加熱室16は、第2図に示すように、金属
壁16aで囲まれており、加熱室16の天井板16b上
には、高周波発生装置18が設けられ、この高周波発生
装置18内のマグネトロンで発生したマイクロ波(24
5の M批)が出力アンテナ20を介して上記加熱室1
6内に放射され、スターラ・ファン22の回転によって
乱反射される。一方、加熱室16の底板16c上には、
駆動装置24により回転駆動されるターン・テーフル2
6が設けられており、このターン・テーブル26上に配
設された棚板28には、被加熱物30が載遣される。こ
の被加熱物3川こ前記マイクロ波が照射され、加熱調理
が行なわれるものである。このとき、被加熱物30の加
熱時内部温度を知ることは、良好な加熱調理をする上で
必要なことである。このため、先端に感熱部32を備え
たプローブ34が使用されることがある。このプローブ
34は、前記感熱部32と、この感熱部32で検知した
、温度により変化する電気信号を外部に導出するケーブ
ル36からなり、このケーブル36の端部には、これを
加熱室16の外側壁16aに設けたソケット38に接続
するプラグ40を備えている。第3図は、従来の、ソケ
ット38へのプラグの挿入状態を示すもので、一端の閉
口した保護体となる円筒体42は、その閉口面を加熱室
16の外側壁16aに対し、プラグ40のピン44が挿
入されるために設けられる孔46と同軸にねじで取り付
け固定される。この円筒体42内には、前記ピソ44を
受ける円筒状の接触体48が配談されており、この接触
体48内には、ピン44の第1の接触部44aと、これ
と同軸に並談される第2の接触部44Mこ対応し接続で
きるように、第1の接触片48aと第2の接触片48b
が弾性金属で形成され、それぞれ所定の位置に取り付け
られる。プロープ34のプラグ40に設けられたピン4
4は、外部に検温信号を導出するために、前記加熱室1
6の孔46を通って、ソケット38の接触体48に挿入
され、接触片48a,48b‘こ接触し、電気的に結合
される。
ている。この加熱室16は、第2図に示すように、金属
壁16aで囲まれており、加熱室16の天井板16b上
には、高周波発生装置18が設けられ、この高周波発生
装置18内のマグネトロンで発生したマイクロ波(24
5の M批)が出力アンテナ20を介して上記加熱室1
6内に放射され、スターラ・ファン22の回転によって
乱反射される。一方、加熱室16の底板16c上には、
駆動装置24により回転駆動されるターン・テーフル2
6が設けられており、このターン・テーブル26上に配
設された棚板28には、被加熱物30が載遣される。こ
の被加熱物3川こ前記マイクロ波が照射され、加熱調理
が行なわれるものである。このとき、被加熱物30の加
熱時内部温度を知ることは、良好な加熱調理をする上で
必要なことである。このため、先端に感熱部32を備え
たプローブ34が使用されることがある。このプローブ
34は、前記感熱部32と、この感熱部32で検知した
、温度により変化する電気信号を外部に導出するケーブ
ル36からなり、このケーブル36の端部には、これを
加熱室16の外側壁16aに設けたソケット38に接続
するプラグ40を備えている。第3図は、従来の、ソケ
ット38へのプラグの挿入状態を示すもので、一端の閉
口した保護体となる円筒体42は、その閉口面を加熱室
16の外側壁16aに対し、プラグ40のピン44が挿
入されるために設けられる孔46と同軸にねじで取り付
け固定される。この円筒体42内には、前記ピソ44を
受ける円筒状の接触体48が配談されており、この接触
体48内には、ピン44の第1の接触部44aと、これ
と同軸に並談される第2の接触部44Mこ対応し接続で
きるように、第1の接触片48aと第2の接触片48b
が弾性金属で形成され、それぞれ所定の位置に取り付け
られる。プロープ34のプラグ40に設けられたピン4
4は、外部に検温信号を導出するために、前記加熱室1
6の孔46を通って、ソケット38の接触体48に挿入
され、接触片48a,48b‘こ接触し、電気的に結合
される。
このような構造で、前述したように、高周波発生装置1
8よりマイクロ波が加熱室16内に放射されると、ピン
44がアンテナの役目を果たして、加熱室16に設けら
れた孔46より外部にマイクロ波が漏洩する危険性が存
在した。このマイクロ波漏洩を防止するために、ターン
・テーブル26を有しない高周波加熱装置IDにおいて
は、加熱室16に設けた孔46の周縁に、ピン44が挿
入される際にこれと密着するように接触金属論50を取
り付け、この接触金属論50を接地することにより、電
波シールを行なうようにしていた。しかしながら、ター
ン・テーブル26を有する高周波加熱装置10‘こおい
ては、回転する被加熱物30と共に感熱部3−2すなわ
ちプローブ34が回転する必要があり、このためプラグ
40もソケット38に挿入された状態で回転するもので
ある。
8よりマイクロ波が加熱室16内に放射されると、ピン
44がアンテナの役目を果たして、加熱室16に設けら
れた孔46より外部にマイクロ波が漏洩する危険性が存
在した。このマイクロ波漏洩を防止するために、ターン
・テーブル26を有しない高周波加熱装置IDにおいて
は、加熱室16に設けた孔46の周縁に、ピン44が挿
入される際にこれと密着するように接触金属論50を取
り付け、この接触金属論50を接地することにより、電
波シールを行なうようにしていた。しかしながら、ター
ン・テーブル26を有する高周波加熱装置10‘こおい
ては、回転する被加熱物30と共に感熱部3−2すなわ
ちプローブ34が回転する必要があり、このためプラグ
40もソケット38に挿入された状態で回転するもので
ある。
このため、ピン44と接触金属論50の間の摩擦抵抗が
大きい場合、これを無理に回転させると、接触部分にス
パークが発生し、また異常温度上昇が起り、プローブ3
4の破損等が生じる欠点が存在した。この発明は、上記
欠点に鑑みてなされたもので、ターン・テーブルの回転
により、被加熱物に挿入されていたプローブが同時に回
転する場合、プローブのプラグ部のピンと加熱室側壁を
接触接地しなくとも、確実にマイクロ波の漏洩を防止で
きる鰭波シールド体を備えた高周波加熱装置を提供する
ことを目的とする。
大きい場合、これを無理に回転させると、接触部分にス
パークが発生し、また異常温度上昇が起り、プローブ3
4の破損等が生じる欠点が存在した。この発明は、上記
欠点に鑑みてなされたもので、ターン・テーブルの回転
により、被加熱物に挿入されていたプローブが同時に回
転する場合、プローブのプラグ部のピンと加熱室側壁を
接触接地しなくとも、確実にマイクロ波の漏洩を防止で
きる鰭波シールド体を備えた高周波加熱装置を提供する
ことを目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第4図は、プローブ34のプラグ40部を取り出して示
したもので、加熱室16の側壁16aにプラグ40のピ
ン44を挿入する孔46と同軸的に電波シールド・キャ
ップ52を設けてある。第5図は、上記電波シールド・
キャップ52を取り出して示すもので、有底円筒状の本
体54を有し、その関口機には、外方に伸びたフランジ
56が形成されている。そして、このフランジ56には
、加熱室16の側壁16aへ取り付けるためのねじを貫
通する複数のねじ穴56a,56b.・・が適宜設けら
れている。一方、円筒状の本体54の底板58の中央部
には、本体54と同軸に絞り孔60が設けられている。
この絞り孔60‘ま、底板58面から内側に延長した筒
体62によって構成され「プラグ40のピン44が、こ
の絞り孔60の筒体62部を貫通してソケット38に挿
入されるようにする。そして、筒体62部でプラグ40
の握り部64を保持するもので、このような電波シール
ド・キャップ52は、金属薄板を適宜プレス加工等によ
って、一体的に構成されるものである。ここで、電波シ
ールド・キャップ52が加熱室16の内壁16aに取り
付けられると(第4図参照)、加熱室16の内壁16a
と電波シールド・キャップ52の間に空間66が形成さ
れる。
したもので、加熱室16の側壁16aにプラグ40のピ
ン44を挿入する孔46と同軸的に電波シールド・キャ
ップ52を設けてある。第5図は、上記電波シールド・
キャップ52を取り出して示すもので、有底円筒状の本
体54を有し、その関口機には、外方に伸びたフランジ
56が形成されている。そして、このフランジ56には
、加熱室16の側壁16aへ取り付けるためのねじを貫
通する複数のねじ穴56a,56b.・・が適宜設けら
れている。一方、円筒状の本体54の底板58の中央部
には、本体54と同軸に絞り孔60が設けられている。
この絞り孔60‘ま、底板58面から内側に延長した筒
体62によって構成され「プラグ40のピン44が、こ
の絞り孔60の筒体62部を貫通してソケット38に挿
入されるようにする。そして、筒体62部でプラグ40
の握り部64を保持するもので、このような電波シール
ド・キャップ52は、金属薄板を適宜プレス加工等によ
って、一体的に構成されるものである。ここで、電波シ
ールド・キャップ52が加熱室16の内壁16aに取り
付けられると(第4図参照)、加熱室16の内壁16a
と電波シールド・キャップ52の間に空間66が形成さ
れる。
この空間66は、第5図Aで破線で示すように、円筒状
の本体54関口部端緑から絞り孔60の開口部縁までの
長さが、マイクロ波(245mM位)の波長の1/4の
長さ(1′4^:^:波長)に相当するように設定する
と、チョーク・キヤピティ部としての機能を果たすよう
になる。換言すれば、このチョーク・キャピティを形成
する空間66にプラグ40のピン44をアンテナ役とし
て誘導され放射されるマイクロ波は、ここで減衰し消滅
する。ここで、この電波シールド・キャップ42の設定
位置、すなわちプラグ40の挿入位置は、被加熱物30
の回転の妨げとならないような位置に設定することが望
ましい。そこで、第6図に加熱室16を上部から見て示
すように、ターン・テーフル26上から外れる位置に設
定すればよい。すなわち、加熱室16の側壁16aの中
央部付近を避け、入口寄りもしくは奥まった位置に設定
し、被加熱物30が回転しても、この電波シールド・キ
ャップ52に衝突しないで回転が円滑に行なわれるよう
な位置に、プラグ40の挿入位簿を決定すればよい。尚
、第4図において、第3図と同一部分については、同一
符号を付してその説明を省略する。
の本体54関口部端緑から絞り孔60の開口部縁までの
長さが、マイクロ波(245mM位)の波長の1/4の
長さ(1′4^:^:波長)に相当するように設定する
と、チョーク・キヤピティ部としての機能を果たすよう
になる。換言すれば、このチョーク・キャピティを形成
する空間66にプラグ40のピン44をアンテナ役とし
て誘導され放射されるマイクロ波は、ここで減衰し消滅
する。ここで、この電波シールド・キャップ42の設定
位置、すなわちプラグ40の挿入位置は、被加熱物30
の回転の妨げとならないような位置に設定することが望
ましい。そこで、第6図に加熱室16を上部から見て示
すように、ターン・テーフル26上から外れる位置に設
定すればよい。すなわち、加熱室16の側壁16aの中
央部付近を避け、入口寄りもしくは奥まった位置に設定
し、被加熱物30が回転しても、この電波シールド・キ
ャップ52に衝突しないで回転が円滑に行なわれるよう
な位置に、プラグ40の挿入位簿を決定すればよい。尚
、第4図において、第3図と同一部分については、同一
符号を付してその説明を省略する。
すなわち、上記のように構成される高周波加熱装置10
において、加熱調理が開始され、加熱室16内にマイク
ロ波が照射されると同時に、ターン・テーブル26が回
転し、この回転に伴なつてターン・テーブル26上の被
加熱物30が回転する。すると、この被加熱物30の加
熱時内部温度を検知するために被加熱物30内に挿入保
持されているプローブ34が、被加熱物30の回転にし
たがって回転される。このプローブ34の回転は、ソケ
ット38に挿入されたプラグ40を回転させる。この際
、プラグ40の握り部64は「電波シールド・キャップ
52の絞り穴601こ対して綾挿されているので、プロ
ーブ34のプラグ40は、無理なく回転することができ
る。このような状態で、ピン44がアンテナの役目を果
たして加熱室16内に放射されているマイクロ波を導く
ようになっても、このピン44で導入されるマイクロ波
は電波シールド・キャップ52の絞り孔60を通ってチ
ョーク・キヤビティとなる空間66に放射されるように
なり、前述したようにこの空間66で放射マイクロ波は
減衰消滅される。
において、加熱調理が開始され、加熱室16内にマイク
ロ波が照射されると同時に、ターン・テーブル26が回
転し、この回転に伴なつてターン・テーブル26上の被
加熱物30が回転する。すると、この被加熱物30の加
熱時内部温度を検知するために被加熱物30内に挿入保
持されているプローブ34が、被加熱物30の回転にし
たがって回転される。このプローブ34の回転は、ソケ
ット38に挿入されたプラグ40を回転させる。この際
、プラグ40の握り部64は「電波シールド・キャップ
52の絞り穴601こ対して綾挿されているので、プロ
ーブ34のプラグ40は、無理なく回転することができ
る。このような状態で、ピン44がアンテナの役目を果
たして加熱室16内に放射されているマイクロ波を導く
ようになっても、このピン44で導入されるマイクロ波
は電波シールド・キャップ52の絞り孔60を通ってチ
ョーク・キヤビティとなる空間66に放射されるように
なり、前述したようにこの空間66で放射マイクロ波は
減衰消滅される。
この場合、絞り孔60の内径◇と絞り孔60を形成する
筒体62の長さLとは、互いに関連をもってマイクロ波
の浸入に対し阻止することが実験的に明らかにされた。
第7図は、絞り孔60の内径◇を一定にした場合の、筒
体62の長さLとマイクロ波の漏れの強さ、すなわちリ
ーク値との関係(無負荷発振時)を示す綾図で、内径0
が14側の場合に長さLが14肋時のりーク櫨は最小と
なり、また内径?が18肌の場合に長さLが18肌の時
のりーク値は最小となることが判明した。
筒体62の長さLとは、互いに関連をもってマイクロ波
の浸入に対し阻止することが実験的に明らかにされた。
第7図は、絞り孔60の内径◇を一定にした場合の、筒
体62の長さLとマイクロ波の漏れの強さ、すなわちリ
ーク値との関係(無負荷発振時)を示す綾図で、内径0
が14側の場合に長さLが14肋時のりーク櫨は最小と
なり、また内径?が18肌の場合に長さLが18肌の時
のりーク値は最小となることが判明した。
すなわち、内蓬ふと長さLとが一致した大きさになった
とき、マイクロ波のりーク値が最小になることが実験的
に確認できた。したがって、まず、電波シールド・キャ
ップ52の形状を以上のように内径?と長さLを同一に
規定することにより、電波シールド・キャップ52の絞
り孔60内に浸入してくるマイクロ波を極力阻止するこ
とができる。そして、絞り孔60で阻止されずに通過し
てきたマイクロ波は、前述のチョーク・キヤビテイとな
る空間66に導かれ、ここで反射を繰り返し、減衰して
消滅することになる。尚、一般にプローブ34のプラグ
40の握り部64の材質は、金属で構成されており、電
波シールド・キャップ52の材質も前述したように金属
で構成されている。
とき、マイクロ波のりーク値が最小になることが実験的
に確認できた。したがって、まず、電波シールド・キャ
ップ52の形状を以上のように内径?と長さLを同一に
規定することにより、電波シールド・キャップ52の絞
り孔60内に浸入してくるマイクロ波を極力阻止するこ
とができる。そして、絞り孔60で阻止されずに通過し
てきたマイクロ波は、前述のチョーク・キヤビテイとな
る空間66に導かれ、ここで反射を繰り返し、減衰して
消滅することになる。尚、一般にプローブ34のプラグ
40の握り部64の材質は、金属で構成されており、電
波シールド・キャップ52の材質も前述したように金属
で構成されている。
したがって、プローブ34が回転する際に、プラグ40
が何らかの力を受けて偏心運動を行なうと、電波シール
ド・キャップ52と接触して、この接触部にスパークが
発生し、異常温度上昇が起こり得る。そこで、これを防
止するためには、このどちらか一方が金属で構成されな
いようにすればよいことは言うまでもない。例えば、プ
ローブ34のプラグ40の握り部64を樹脂で形成すれ
ばよい。また、電波シールド・キャップ52の絞り孔6
0の筒体62内に樹脂被膜を設け、あるいは、樹脂でな
る円筒状体をこの筒体62内に挿入するようにしてもよ
い。このようにすれば、電波シールド・キャップ52に
プローブ34のプラグ40が接触しても、スパークが発
生しなくなるのみならず、電波シールド・キャップ52
の絞り孔60とプラグ40との間隙を充分に狭くするこ
とができるので、絞り孔60の筒体62がプラグ40回
転の際の偏D運動を防止できるようなガイド体として機
能することもできるようになる。ここで、前記樹脂材料
としては、例えば、ポリプロピレン、ポリフェニレンサ
ルフアィド等挙げられるが、要は、意図した機能を達成
できる材料であれば良いことは言うまでもない。
が何らかの力を受けて偏心運動を行なうと、電波シール
ド・キャップ52と接触して、この接触部にスパークが
発生し、異常温度上昇が起こり得る。そこで、これを防
止するためには、このどちらか一方が金属で構成されな
いようにすればよいことは言うまでもない。例えば、プ
ローブ34のプラグ40の握り部64を樹脂で形成すれ
ばよい。また、電波シールド・キャップ52の絞り孔6
0の筒体62内に樹脂被膜を設け、あるいは、樹脂でな
る円筒状体をこの筒体62内に挿入するようにしてもよ
い。このようにすれば、電波シールド・キャップ52に
プローブ34のプラグ40が接触しても、スパークが発
生しなくなるのみならず、電波シールド・キャップ52
の絞り孔60とプラグ40との間隙を充分に狭くするこ
とができるので、絞り孔60の筒体62がプラグ40回
転の際の偏D運動を防止できるようなガイド体として機
能することもできるようになる。ここで、前記樹脂材料
としては、例えば、ポリプロピレン、ポリフェニレンサ
ルフアィド等挙げられるが、要は、意図した機能を達成
できる材料であれば良いことは言うまでもない。
以上、詳述したように、この発明によれば、被加熱物が
ターン・テーブルの回転に伴なつてプローブのプラグを
スムーズに回転できるように加熱室側壁に対して取り付
けた場合でも、この電波シールド・キャップによって確
実に電波漏洩を防止することのできる安全な高周波加熱
装置を提供することができる。
ターン・テーブルの回転に伴なつてプローブのプラグを
スムーズに回転できるように加熱室側壁に対して取り付
けた場合でも、この電波シールド・キャップによって確
実に電波漏洩を防止することのできる安全な高周波加熱
装置を提供することができる。
第1図は従来の高周波加熱装置の外観を示す斜視図、第
2図は上記装置の加熱室を取り出して示す断面図、第3
図は上記加熱室のプラグの差し込み状態を示す断面図、
第4図はこの発明の一実施例に係る高周波加熱装置のプ
ラグの差し込み部を説明する図、第5図は上記実施例に
おける鰭波シールド・キャップの構成を示す図でAは側
断面図、Bは正面図、第6図は上記実施例のプラグの差
し込み位置を説明する図、第7図は電波シールド・キャ
ップの形状によりマイクロ波のりーク状機を説明する糠
図である。 10・・・高周波加熱装置、16…加熱室、28…棚板
、30・・・被加熱物、32・・・感熱部、34…プロ
ーブ、36…ケーブル、38…ソケット、40…プラグ
、46・・・加熱室に設けられた貫通孔、52…電波シ
ールド・キャップ、54・・・本体、58・・・底板、
60…絞り孔、62・・・筒体。 第1図第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
2図は上記装置の加熱室を取り出して示す断面図、第3
図は上記加熱室のプラグの差し込み状態を示す断面図、
第4図はこの発明の一実施例に係る高周波加熱装置のプ
ラグの差し込み部を説明する図、第5図は上記実施例に
おける鰭波シールド・キャップの構成を示す図でAは側
断面図、Bは正面図、第6図は上記実施例のプラグの差
し込み位置を説明する図、第7図は電波シールド・キャ
ップの形状によりマイクロ波のりーク状機を説明する糠
図である。 10・・・高周波加熱装置、16…加熱室、28…棚板
、30・・・被加熱物、32・・・感熱部、34…プロ
ーブ、36…ケーブル、38…ソケット、40…プラグ
、46・・・加熱室に設けられた貫通孔、52…電波シ
ールド・キャップ、54・・・本体、58・・・底板、
60…絞り孔、62・・・筒体。 第1図第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 加熱室と、この加熱室内に設けられた先端に被加熱
物内に挿入保持される感熱部を有しプラグを介して感熱
信号を取り出すプローブと、前記加熱室側壁の外側に設
けられこの側壁に形成した貫通孔を介して前記プラグの
挿入されるソケツトと、前記プラグの挿入される前記加
熱室の貫通孔に対応する加熱室内側壁に取り付けられた
電波シールド・キヤツプとを具備し、この電波シールド
・キヤツプは、金属薄板で構成され開口面を加熱室側壁
に対向設置した有底筒状の本体、この本体の底板部中央
に前記側壁の貫通孔と同軸的に形成された孔、およびこ
の孔に対応して前記本体内側部に延長して形成した筒体
で構成され、この筒体の長さとその内径とを等しく設定
する一方、前記本体内をチヨーク・キヤビテイ部とした
ことを特徴とする高周波加熱装置。 2 前記プローブのプラグの挿入されるソケツトは、前
記加熱室側壁の上方端部に設定し、電波シールド・キヤ
ツプが加熱調理部上側より外れる位置に設定されるよう
にした特許請求の範囲第1項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8772279A JPS6021479B2 (ja) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8772279A JPS6021479B2 (ja) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | 高周波加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5611889A JPS5611889A (en) | 1981-02-05 |
| JPS6021479B2 true JPS6021479B2 (ja) | 1985-05-28 |
Family
ID=13922794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8772279A Expired JPS6021479B2 (ja) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021479B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222973U (ja) * | 1985-07-23 | 1987-02-12 | ||
| JPH01161458U (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-09 |
-
1979
- 1979-07-11 JP JP8772279A patent/JPS6021479B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222973U (ja) * | 1985-07-23 | 1987-02-12 | ||
| JPH01161458U (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5611889A (en) | 1981-02-05 |
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