JPS6021569A - Photodirect ignition type thyristor device and manufacture thereof - Google Patents

Photodirect ignition type thyristor device and manufacture thereof

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JPS6021569A
JPS6021569A JP58127847A JP12784783A JPS6021569A JP S6021569 A JPS6021569 A JP S6021569A JP 58127847 A JP58127847 A JP 58127847A JP 12784783 A JP12784783 A JP 12784783A JP S6021569 A JPS6021569 A JP S6021569A
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optical
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cathode
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武者 修二
Tadashi Sakagami
阪上 正
Tsuneo Haishi
羽石 常男
Mutsuhiro Mori
睦宏 森
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Abstract

PURPOSE:To enable to support and fix an optical fiber to a photoreceiving part with good accuracy by a method wherein an assemblage that the photooutput end of an optical fiber is fixed with a metal fitting and then covered with an insulation cap outside is inserted to the window and the like of a cathode electrode plate, thus making the photooutput end opposed to the photoreceiving part of a semiconductor substrate. CONSTITUTION:The fixing metal fitting 11 is installed to the optical fiber 10B and then clamped with a metallic nut 12. Opposed to the side of photooutput end of the fiber 10B, the cap 13 made of a flexible material such as Teflon is loaded to said end. Besides, a fixing ring 14 made of Teflon, etc. is previously inserted inside the end of the fiber 10B. Such an assemblage is inserted to the aperture 16 of the cathode electrode plate, and then the fixing ring 14 is pushed into the gap left between the inner wall surface of the aperture 16 and the outer peripheral surface of the insulation cap 13, resulting fixing in order that the assemblage does not relatively move to the aperture 16.

Description

【発明の詳細な説明】 (利用分野) 本発明は、光IK接点弧形サイリスク装置およびその製
造方法に係り、特に、光伝送系と受光部との光軸を精度
よく位置合せをし、低い光エネルギーでも容易にサイリ
スタ米子を導通状態にすることのできる光直接点弧形サ
イリスタ装置およびその製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Application) The present invention relates to an optical IK contact arc-type cyrisk device and a method for manufacturing the same. The present invention relates to a light direct ignition type thyristor device that can easily bring a thyristor Yonago into a conductive state even with light energy, and a method for manufacturing the same.

(背 t) 光直接点弧形サイリスタは、光の照射信号にょシ順電圧
阻止状態から導通状態にターンオンする機能を有する半
導体制御整流素子である。
(Back t) A light direct ignition type thyristor is a semiconductor-controlled rectifying element that has the function of turning on from a forward voltage blocking state to a conductive state in response to a light irradiation signal.

光直接点弧形サイリスタは、通常の電気信号によシター
ンオンさせる、いわゆる電気ゲート点弧形ザイリスタと
比較した場合、主回路とゲート制御回路とを電気的に絶
縁できる為、装置のゲート制御甲路を簡略化できるとい
う利点がある。
Compared to the so-called electric gate firing type thyristor, which is turned on by a normal electrical signal, the optical direct firing type thyristor can electrically isolate the main circuit and the gate control circuit, so it can be used for the gate control circuit of the device. It has the advantage that it can be simplified.

更lこ、ゲート信号として光エネルギーを用いる為、電
磁誘導ノイズの影響を受けiこくい等の利点もある。
Furthermore, since optical energy is used as the gate signal, it has the advantage of being less susceptible to electromagnetic induction noise.

この為、最近、高電圧直流送電等の、サイリスタを多数
個直列に接続して使用する様な高電圧変換装置Cこ、光
直接点弧形サイリスタを利用することが盛んlこなって
きている。
For this reason, recently, the use of light direct ignition type thyristors has become popular in high voltage conversion devices such as high voltage DC power transmission where multiple thyristors are connected in series. .

しかしながら、光直接点弧形サイリスタでは、電気ゲー
トサイリスタと異なシ、サイリスタ素子内部の半導体基
体にまで、例えばガラスファイバーのような光伝送路で
、光信号を導く為に、この光伝送路を支持或いは固定す
るための、数多くの部品が必要とされる。
However, in the optical direct firing thyristor, unlike the electric gate thyristor, an optical transmission line such as glass fiber is used to guide the optical signal to the semiconductor substrate inside the thyristor element. Alternatively, a large number of parts are required for fixing.

第1図は、光直接点弧形ザイリスタ装(1(以下、率に
「光サイリスタ装置」と略称する)の従来例の断面構造
概略図を示したものである。
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional structure of a conventional optical direct ignition type thyristor device (1 (hereinafter abbreviated as "optical thyristor device")).

光サイリスタ装置1は、pnpnのサイリスタ接合を有
する半導体基体2の両生面側に、低抵抗接触されたアノ
ード電極3及びカソード電極4を設けると共に、これを
、更にこわら電極の外側に配設した、アノード外部電極
5及びカソード外部電極6によって挾持した構造となっ
ている。
The optical thyristor device 1 is provided with an anode electrode 3 and a cathode electrode 4 which are in low resistance contact on the bidirectional side of a semiconductor substrate 2 having a pnpn thyristor junction, and which are further arranged outside the stiff electrode. , it has a structure in which it is sandwiched between an anode external electrode 5 and a cathode external electrode 6.

これらの外部を極5.6は、金属フランジ7A。These external poles 5.6 are metal flanges 7A.

7Kによって接続される円筒状の絶縁性シール8により
絶縁および気密封止される。それ故に、光サイリスタ装
置lの内部は気密に保たれている。
It is insulated and hermetically sealed by a cylindrical insulating seal 8 connected by 7K. Therefore, the inside of the optical thyristor device 1 is kept airtight.

外部よシ、矢印で示すように伝送されてきた光信号は、
絶縁性シール8の一部を貫通する金属コネクタ9に、そ
の一端が気密固定される光ファイバ10を通して、半導
体基体2の受光部へ導入される。
The optical signal transmitted from the outside as shown by the arrow is
The optical fiber 10, one end of which is hermetically fixed, is introduced into the light-receiving portion of the semiconductor substrate 2 through a metal connector 9 that penetrates a portion of the insulating seal 8.

かかる従来例において、光サイリスタ装置をターンオン
させる光信号を伝送する材料は光ファイバである為に、
この光ファイバを、半導体基体2の受光部に精変よく位
置決めし、かつ固定しなければならない。
In such conventional examples, since the material that transmits the optical signal that turns on the optical thyristor device is an optical fiber,
This optical fiber must be precisely positioned and fixed to the light receiving portion of the semiconductor substrate 2.

一般に、光伝送ファイバの光軸と受光部の光軸との相対
的位置すれが10%以下であれば、半導体基体の最小点
弧光入力のズレも約10%以内に抑えることができるこ
とが経験的に知られている。
Generally, it has been empirically shown that if the relative positional misalignment between the optical axis of the optical transmission fiber and the optical axis of the light receiving section is 10% or less, the misalignment of the minimum ignition light input of the semiconductor substrate can also be suppressed to within about 10%. known to.

例えば為光ファイバ10の光入力端にて、最小点弧光入
力が 15mW以下というような場合には、通常運転時
には、ゲートオーバードライブ率が約10倍以上の先入
カー即ち150mW 以上の光入力信号によって、サイ
リスタ素子をターンオンさせている。
For example, if the minimum ignition light input at the optical input end of the optical fiber 10 is 15 mW or less, during normal operation, the gate overdrive rate is about 10 times or more, that is, the optical input signal is 150 mW or more. , turning on the thyristor element.

逆に、現在の技術水準において、光ファイバ10の入力
端へ供給できる光信号の入力パワーは、最大x5omW
程度である。それ故に、前記ゲートオーバードライブ率
を10倍以上にしようとすると、サイリスタ素子の最小
点弧光入力を15 m W s或いはそれ以下に低減す
ることが要求される。
On the other hand, at the current state of the art, the input power of the optical signal that can be supplied to the input end of the optical fiber 10 is at most x5omW.
That's about it. Therefore, in order to increase the gate overdrive rate by more than 10 times, it is necessary to reduce the minimum firing light input of the thyristor element to 15 m W s or less.

前記のゲートオーバードライブ率が小さい場合、サイリ
スタ素子が点弧した後における、点弧領域の拡がり速度
がおそくなる。このために、点弧領域が半導体基体の全
面に拡がらない間に、挾い点弧領域に主1!流が流れ込
み、局部的な電流集中を生じて、サイリスタ素子を破壊
させてし才うという欠点がある。
When the gate overdrive ratio is small, the firing region spreads slowly after the thyristor element is fired. For this purpose, while the ignition area does not extend over the entire surface of the semiconductor body, the ignition area is mainly 1! The disadvantage is that current flows in, causing local current concentration and destroying the thyristor element.

因みに、電気ゲートサイリスタにおいては、通常、ゲー
トオーバードライブ率は約20倍程度としている。
Incidentally, in an electric gate thyristor, the gate overdrive ratio is usually about 20 times.

従って、前記光伝送ファイバ10は、半導体基体2の受
光部に対して、その光軸ずれが10%以下となるようl
こ糖蜜よく固定させる必要がある。
Therefore, the optical transmission fiber 10 is oriented such that the optical axis misalignment with respect to the light receiving portion of the semiconductor substrate 2 is 10% or less.
This molasses needs to be well fixed.

以上の点に鑑み、光サイリスタ装置の良好な組立作業性
および光軸のずれ防止性を考慮して、第2図に示すよう
な光サイリスタ装置が提案されている(特開昭57−)
18770号参照)。
In view of the above points, an optical thyristor device as shown in Fig. 2 has been proposed in consideration of good assembly workability of the optical thyristor device and prevention of deviation of the optical axis (Japanese Unexamined Patent Publication No. 1983-1999).
18770).

第2図は、光ファイバの接続部分を説明するための要部
断面図である。なお、図において、゛第1図と同一の符
号は、同一または同等部分をあられしている。
FIG. 2 is a sectional view of a main part for explaining a connecting portion of an optical fiber. In the drawings, the same reference numerals as in FIG. 1 refer to the same or equivalent parts.

第1光フアイバIOAは、金属コネクタ9を介して絶縁
シール8に固着される。前記第1光フアイバIOAの内
側(出射側)端に(才、支持用治具22が取付けられる
。一方、第2光フアイバIOHの入射側端には、支持用
治具21が固着される。
The first optical fiber IOA is fixed to the insulating seal 8 via a metal connector 9. A support jig 22 is attached to the inner (output side) end of the first optical fiber IOA. On the other hand, a support jig 21 is fixed to the input side end of the second optical fiber IOH.

そして、前記支持用治JL21 と22とを連結具20
で固着することにより、第1光フアイバIOAの内側端
と第2光フアイバ10Bの入射側端との光軸合せが可能
となるように構成されている。
Then, the supporting jig JL21 and 22 are connected to the connecting tool 20.
By fixing the first optical fiber IOA with the inner end of the first optical fiber IOA and the entrance end of the second optical fiber 10B, the optical axis can be aligned.

また、第2光フアイバIOHの光出力端一すなわち、半
導体基体2の受光部と対向する側の端部には、金属製固
定金JLIIが固定される。前記金属製固定金具11に
は、半導体基体2の表面上の領域や電極との接触を防止
するための絶縁性キャップ13がかぶせられる。
Further, a metal fixture JLII is fixed to the light output end of the second optical fiber IOH, that is, the end of the semiconductor substrate 2 on the side facing the light receiving section. The metal fixture 11 is covered with an insulating cap 13 for preventing contact with the surface area of the semiconductor substrate 2 and the electrodes.

前述のように固着一体化された第2光フアイバ10 B
、金属製固定金具11詔よび絶縁性キャップ13の組立
体は、カソード電極板4に設けられた開口または窓16
に嵌合される。
The second optical fiber 10B is fixed and integrated as described above.
, the assembly of the metal fixture 11 and the insulating cap 13 is assembled using an opening or window 16 provided in the cathode electrode plate 4.
mated to.

すなわち、従来例では、前述した様に、半導体基体2の
受光部に対して、第2の光ファイバIOBの出射端を精
度良く位(睨合わせ出来るように、第2の光ファイバ1
0Bを金属製の固定金具11irよって固定し、史にそ
の外側に絶縁性のキャンプ13を挿入する構造としてい
る。
That is, in the conventional example, as described above, the second optical fiber 1 is positioned so that the output end of the second optical fiber IOB can be accurately positioned (eye-to-eye) with respect to the light receiving part of the semiconductor substrate 2.
The structure is such that the 0B is fixed by a metal fixture 11ir, and an insulating camp 13 is inserted outside of the metal fixture 11ir.

そして、この様な#V造とした場合、第2の光ファイバ
IOBは、第1の光フアイバ10人1こ対して光学的に
精度良く固定されねばならないから、組立作業性を考慮
して、最初に第2の光ファイバ10 Bの入射側端が、
第1の光ファイバIOAの内側端に精度よく光学的に結
合固定されるのが普通である。
In the case of #V construction like this, the second optical fiber IOB must be optically fixed to each of the ten first optical fibers with high precision, so in consideration of assembly workability, First, the input side end of the second optical fiber 10B is
Usually, it is optically coupled and fixed to the inner end of the first optical fiber IOA with high precision.

このために、まず最初に、第2図に示したように、第1
の光ファイバIOAの内側端に支持用治具22を、また
第2の光ファイバJOBの入射端に支持用治具21をそ
れぞれ固着する。そして、これらの支持用治具21,2
21!連結其20で一体的に固定連結される。
For this purpose, first, as shown in Figure 2,
A support jig 22 is fixed to the inner end of the second optical fiber IOA, and a support jig 21 is fixed to the input end of the second optical fiber JOB. And these supporting jigs 21, 2
21! The connection part 20 is integrally and fixedly connected.

その後、第2の光ファイバIOBの出射端(光出力端)
)il−半導体基体2の受光部に位置合わせしなければ
ならない。
After that, the output end (light output end) of the second optical fiber IOB
)il- must be aligned with the light receiving part of the semiconductor substrate 2.

この場合、半導体基体2の受光部に相対向するカソード
電極板4に窓16を開け、第2の光ファイバIOBを金
属製固定金具11および絶縁性キャップ13と共に挿入
することになる。ところで、明らかなようIC1前記の
構造の絶縁性キャップ13等の組立体をカソード電極板
4の窓16に挿入させる為には、窓16の内壁面とキャ
ップ13の外周面との間のギャップを多少大きくとるこ
とが必要である。
In this case, a window 16 is opened in the cathode electrode plate 4 facing the light receiving portion of the semiconductor substrate 2, and the second optical fiber IOB is inserted together with the metal fixture 11 and the insulating cap 13. By the way, as is clear, in order to insert an assembly such as the insulating cap 13 of the above-described structure of the IC 1 into the window 16 of the cathode electrode plate 4, the gap between the inner wall surface of the window 16 and the outer peripheral surface of the cap 13 must be widened. It is necessary to make it somewhat larger.

このように、窓16の内壁面と絶縁性キャップ13の外
周面との間にギャップがあると、明らかなように、第2
光フアイバJOBの光出力端を窓16に挿入した後に、
これらの間でがたを生ずることになる。
As can be seen, if there is a gap between the inner wall surface of the window 16 and the outer peripheral surface of the insulating cap 13, the second
After inserting the optical output end of the optical fiber JOB into the window 16,
There will be conflict between them.

したがって、従来の装置では第2光フアイバ10Bの光
出力端と半導体基体2の受光部との相対的な位置合せ精
度が低下する欠点を生ずる。
Therefore, in the conventional device, the relative alignment accuracy between the light output end of the second optical fiber 10B and the light receiving portion of the semiconductor substrate 2 is reduced.

そして、このように位置合せ精度が低下すれば、明らか
なように、光サイリスタ装置に注入される点弧用光エネ
ルギの利用効率が小さくなり、点弧性能が悪化し、著し
い場合にはサイリスタ素子が破壊されてしまうという欠
点を招来する。
If the alignment accuracy decreases in this way, it is obvious that the utilization efficiency of the ignition light energy injected into the optical thyristor device will decrease, the ignition performance will deteriorate, and in severe cases, the thyristor element This brings about the disadvantage that the

(目 的) 本発明の目的は、前記の欠点を除去し、光(伝送)ファ
イバと半導体基体の受光部との相対的な光軸のずれをな
くシ、前記光(伝送)ファイバを半導体基体の受光部に
対して精度よく支持、固定できるようにした光直接点弧
形サイリスタ装置、およびその製造方法を提供すること
にある。
(Objective) An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks, eliminate the relative optical axis misalignment between the optical (transmission) fiber and the light receiving part of the semiconductor substrate, and to It is an object of the present invention to provide a light direct ignition type thyristor device which can be accurately supported and fixed to a light receiving section of the device, and a method for manufacturing the same.

(概 要) 前記の目的を達成するために、本発明は、光直接点弧形
サイリスタにおいて、光信号を半導体基体の受光部へ伝
送する光ファイバの光出力端を金属製の金具で固定し、
更に、その外側を絶縁性キャップで覆った組立体をカソ
ード電極板の窓または開口ζこ挿入して、光ファイバの
光出力端を半導体基体の受光部に対向させると共に、前
記窓の内壁面と絶縁性キャップの外周面との間のギャッ
プに適宜の固定用リングを嵌合させ、これによって、前
記組立体と窓の内壁との間の相対的移動を防止した点に
特徴がある。
(Overview) In order to achieve the above object, the present invention provides a direct-ignition thyristor in which the optical output end of an optical fiber that transmits an optical signal to a light receiving part of a semiconductor substrate is fixed with a metal fitting. ,
Furthermore, the assembly whose outside is covered with an insulating cap is inserted into the window or opening ζ of the cathode electrode plate, so that the light output end of the optical fiber faces the light receiving part of the semiconductor substrate, and the inner wall surface of the window The present invention is characterized in that a suitable fixing ring is fitted into the gap between the outer peripheral surface of the insulating cap, thereby preventing relative movement between the assembly and the inner wall of the window.

(実施例) 以下に、本発明の特徴とするところを、具体的な実施例
によシ詳述する。
(Example) Below, the features of the present invention will be explained in detail using specific examples.

第3図は、本発明になる光(伝送)ファイバの光出力端
に取付ける個々の部品を示す分解断面略図、第4図詔よ
び第5図は組立工程を示すための断面図である。tた、
第5図(ま、第3図で示した個々の部品を精度よく組−
ヒげた、完成後の断面略図である。
FIG. 3 is a schematic exploded cross-sectional view showing individual parts to be attached to the optical output end of the optical (transmission) fiber according to the present invention, and FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views showing the assembly process. It was,
Figure 5 (Well, assemble the individual parts shown in Figure 3 with precision.)
This is a schematic cross-sectional view after completion.

光(伝送)ファイバIOHの光出力端には、前記光(伝
送)ファイバIOBを支持固定する金属製固定金具 1
1が取り付けられ、金属製ナラ目2を用いて締付けられ
ている。
At the optical output end of the optical (transmission) fiber IOH, there is a metal fixture 1 for supporting and fixing the optical (transmission) fiber IOB.
1 is attached and tightened using metal cross-sections 2.

前記の金属製固定金具11は、光ファイバIOBを損傷
しないように、例えばアルミニウムのような比較約款い
材料で作られることが望しい。或いはまた、銅などの通
常の金属に、銀のようなメッキ膜を形成させることによ
っても、同様に、光ファイバIOBの損傷防止効果が期
特出来る。
The metal fixture 11 is preferably made of a comparative material, such as aluminum, so as not to damage the optical fiber IOB. Alternatively, the effect of preventing damage to the optical fiber IOB can be similarly achieved by forming a plating film such as silver on a common metal such as copper.

更に、この取付部品として金属材料を使用している為に
、光フアイバ内を伝送されてきた光信号が、光ファイバ
と金属部品との接点において反射され、効率よく光信号
を伝送できるという2重の効果が期特出来る。
Furthermore, since metal materials are used for this attachment part, the optical signal transmitted within the optical fiber is reflected at the contact point between the optical fiber and the metal part, making it possible to transmit the optical signal efficiently. The effects of this can be clearly seen.

また、これらの金属製固定金具11及び金属製ナツト1
2は、光(伝送)ファイバ10 Bの光出力端面と同一
面となるように保持されている。それ故に、これらの組
立物を、そのまま半導体基体2の受光部に押圧すると、
半導体基体2を損傷することがある、という不都合があ
る。
In addition, these metal fixtures 11 and metal nuts 1
2 is held so as to be flush with the optical output end surface of the optical (transmission) fiber 10B. Therefore, if these assemblies are pressed as they are against the light receiving part of the semiconductor substrate 2,
This has the disadvantage that the semiconductor substrate 2 may be damaged.

前記の不都合を防止するために、前記の金属製固定金具
11およびナツト12を取りまくように、前記光(伝送
)ファイバ10 Bの光出力端側に対向させて、柔軟な
材料(例えば、テフロンのような熱可塑性樹脂)よシな
るキャップ13を前記光出力端部に装着する。
In order to prevent the above-mentioned inconvenience, a flexible material (for example, Teflon) is placed so as to surround the metal fixture 11 and the nut 12, facing the optical output end of the optical (transmission) fiber 10B. A cap 13 made of thermoplastic resin (such as thermoplastic resin) is attached to the light output end.

このような構成とすることCζより、半導体素子1を動
作運転する場合に、アノード側およびカソード側の外部
1!極板5,6が、両側よシ圧接されても、光ファイバ
IOB及び金属製固定金具11、ナツト12の押圧によ
って、半導体基体2が損傷されることを防り卜すること
ができる。
With such a configuration Cζ, when operating the semiconductor device 1, the external 1! on the anode side and the cathode side! Even if the electrode plates 5 and 6 are pressed together from both sides, the semiconductor substrate 2 can be prevented from being damaged by the pressure of the optical fiber IOB, the metal fixture 11, and the nut 12.

この実施例では、前Hjrのように一体化したg2光フ
ァイバ1011、金属製固定金具11、金属製ナツト1
2および絶縁性キャップ13などの組立体を、カソード
醒極板4の開口16に挿入する前に、第4図に示すよう
に、第2光フアイバIOHの端部より内側に固定用リン
グ14(例えば、テフロンで作られた)を予め嵌挿させ
ておく。
In this embodiment, a g2 optical fiber 1011, a metal fixture 11, and a metal nut 1 are integrated as in the previous Hjr.
2 and the insulating cap 13 into the opening 16 of the cathode polar plate 4, as shown in FIG. (For example, made of Teflon) is inserted in advance.

この状態で、従来例におけると同様に、前記組立体をカ
ソード電極板4の開口16に挿入する。
In this state, the assembly is inserted into the opening 16 of the cathode electrode plate 4 as in the conventional example.

このとき、前述から明らかなように、また、第5図に明
示したように、開口16の内壁面と絶縁性キャップ13
の外周面との間lζは、ある大きさの隙間が残される。
At this time, as is clear from the foregoing and as clearly shown in FIG.
A gap of a certain size is left between lζ and the outer peripheral surface.

その後、この実施例では、前記固定用リング14を前記
隙間内1こ押込み、前記組立体が開口16に対して相対
的な移動をしないように、これを固定する。
Thereafter, in this embodiment, the fixing ring 14 is pushed into the gap once to fix the assembly so that it does not move relative to the opening 16.

なお、前記固定用リング14は、前述のように合成樹脂
(例えば、テフロン)などの絶縁物で形成されることが
でき、その厚みは、前記した開口16の内壁面と絶縁性
キャンプ13の外周面との間に生ずる隙間の大きさに相
応して選定されなければならない。
The fixing ring 14 can be made of an insulating material such as synthetic resin (for example, Teflon) as described above, and its thickness is the same as the inner wall surface of the opening 16 and the outer periphery of the insulating camp 13. It must be selected according to the size of the gap created between the surface and the surface.

この場合、前記固定用リング14の厚みに、下端から上
方に向っ′C肉厚が増加するようなテーパを付けておけ
ば、前記隙間に挿入する際の作業性が良好となり、かつ
絶縁性キャップ13を開口16内にきっちシと固定でき
るようになる利点がある。
In this case, if the thickness of the fixing ring 14 is tapered so that the wall thickness increases upward from the lower end, the workability when inserting into the gap will be improved, and the insulating cap 13 can be securely fixed within the opening 16.

(効 果) 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、つぎ
のような効果が達成される。
(Effects) As is clear from the above description, according to the present invention, the following effects are achieved.

(1)光ファイバの光出力端を、半導体基体の受光部に
対して、精度良く(光軸のずれなしに)位置決めできる
ので、光エネルギの有効利用率を高め、サイリスタ重子
のターンオン特性を改善し、そのばらつきを少なくする
ことができる。
(1) The optical output end of the optical fiber can be positioned with high precision (without deviation of the optical axis) with respect to the light receiving part of the semiconductor substrate, increasing the effective utilization rate of optical energy and improving the turn-on characteristics of the thyristor weight. However, the variation can be reduced.

(2)絶縁性キャップの外周面と、カソード電極板の窓
または開口の内壁面との間の隙間を大きくすることがで
きるので、組立作業が容易にな〕、作業能率を上げるこ
とができる。
(2) Since the gap between the outer peripheral surface of the insulating cap and the inner wall surface of the window or opening of the cathode electrode plate can be increased, assembly work is facilitated, and work efficiency can be increased.

(3)テフロンリングの肉厚にテーパを付けておけば、
テフロンリングの挿入作業が容易になり、かつ絶縁性キ
ャップのカソード電極板の開口に対する固定性を改善で
きる。
(3) If the thickness of the Teflon ring is tapered,
The insertion work of the Teflon ring becomes easier, and the fixing of the insulating cap to the opening of the cathode electrode plate can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を適用するのに好適な、一般的な光直接
点弧形サイリスタ装置の断面図、第2図は従来の光直接
点弧形サイリスタ装置の光フアイバ部の要部を示す断面
図、第3図は本発明の一実施例を示す分解断面図、第4
図および第5図は第3図の実施例の組立工程を示すため
の断面図、第6図は第3図の実施例の組立工程完了後の
断面図である。 4・・・カソードi[MM板、 IOA 、、、第1光
フアイバ、 IOB・・・第2光フアイバ、11・・・
金属製固定金具、12・・・金属製ナツト・ 13・・
・絶縁性キャップ、14・・・固定用リング、16・・
・窓(開1コ) 代理人弁理士 平 木 道 人 第1図 第2図
Fig. 1 is a cross-sectional view of a general optical direct ignition type thyristor device suitable for applying the present invention, and Fig. 2 shows the main part of the optical fiber part of the conventional optical direct ignition type thyristor device. A sectional view, FIG. 3 is an exploded sectional view showing one embodiment of the present invention, and FIG.
5 and 5 are sectional views showing the assembly process of the embodiment of FIG. 3, and FIG. 6 is a sectional view of the embodiment of FIG. 3 after the assembly process is completed. 4... Cathode i [MM board, IOA,..., first optical fiber, IOB... second optical fiber, 11...
Metal fixing fittings, 12...Metal nuts, 13...
・Insulating cap, 14...Fixing ring, 16...
・Window (opening 1) Representative Patent Attorney Michihito Hiraki Figure 1 Figure 2

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)受光部を有する光音接点弧形サイリスタ素子が形
成された半導体基体と、前記半導体基体の両主面に配設
されたアノード電極板およびカソード電極板と、前記ア
ノード電極板およびカソード電極板を両側から挾むよう
に配設さねたアノード側外部璽、極板およびカソード側
外部電極板と、前記半導体基体、アノード電極板、カソ
ード電極板、アノード側外部電極板aよびカソード側外
部電極板よりなる積層体を取囲む絶縁シールと、前記絶
縁シールの上下端面ならびにアノード側外部電極板およ
びカソード側外部電極板に、それぞれ気密固着された金
属フランジと、その一端が前記絶縁シールを気密に貫通
し、他端が前記半導、体基体の受光部に対向配置された
光ファイバとを有する光直接点弧形サイリスタ装置であ
って、前記光ファイバの光出力端に固定された固定金具
と、前記固定金具を覆うようにその光端に固定された絶
縁性キャップと、前記光ファイバの光出力端、固定金具
および絶縁性キャップの組立体が挿入されるように、前
記受光部に対向するカソード電極板の一部に形成された
窓と、前記窓の内壁面および絶縁性キャップの外周面の
間に、きつちシと挿入された固定用リングとを具備した
ことを特徴とする光直接点弧形サイリスタ装置。
(1) A semiconductor substrate on which a photoacoustic arc type thyristor element having a light receiving portion is formed, an anode electrode plate and a cathode electrode plate disposed on both main surfaces of the semiconductor substrate, and the anode electrode plate and the cathode electrode. An anode-side external shield, an electrode plate, and a cathode-side external electrode plate arranged so as to sandwich the plate from both sides, the semiconductor substrate, an anode electrode plate, a cathode electrode plate, an anode-side external electrode plate a, and a cathode-side external electrode plate. an insulating seal surrounding the laminate, a metal flange hermetically fixed to the upper and lower end surfaces of the insulating seal, an anode-side external electrode plate, and a cathode-side external electrode plate, respectively, and one end of the metal flange hermetically passing through the insulating seal. an optical direct ignition type thyristor device, the other end of which has the semiconductor and an optical fiber disposed opposite to the light receiving portion of the body base, a fixing fitting fixed to the light output end of the optical fiber; an insulating cap fixed to an optical end thereof so as to cover the fixing metal fitting; and a cathode facing the light receiving part so that the assembly of the optical output end of the optical fiber, the fixing metal fitting, and the insulating cap is inserted. A direct light point comprising a window formed in a part of an electrode plate, and a fixing ring tightly inserted between an inner wall surface of the window and an outer peripheral surface of an insulating cap. Arc thyristor device.
(2)前記固定用リングは、その下端から上方に向って
肉厚が増加するように、テーパを付けられていることを
特徴とする特許 記載の光直接点弧形ザイリスタ装置。
(2) The optical direct ignition type Zyristor device described in the patent, wherein the fixing ring is tapered so that the wall thickness increases upward from the lower end thereof.
(3)受光部を有する光直接点弧形サイリスタ素子が形
成された半導体基体と、前記半導体基体の両主面に配設
されたアノード電極板およびカソード電極板と、前記ア
ノード電極板およびカソード電極板を両側から挾むよう
に配設されたアノード側外部電極板およびカソード側外
部電極板と、前記半導体基体、アノード電極板、カソー
ド電極板、アノード側外部電極板およびカッ−ド側外部
電極板よシなる積層体を取囲む絶縁シールと、前記絶縁
シールの上下端面ならびにアノード側外部電極板および
カソード側外部電極板に、それぞれ気密固着された金属
フランジと、その一端が前記絶縁シールを気密に貫通し
、他端が前記半導体基体の受光部に対向配置された光フ
ァイバとを有する光直接点弧形サイリスタ装置の製造方
法であって、前記光7アイバの光出力端に固定金具、お
よび前記固定金具を覆う絶縁性キャップを固定して一体
に組立てる工程と、前記光ファイバの光出力端、固定金
気および絶縁性キャップの組立体を、カソード電極板の
一部に、前記受光部に対向するように形成さiまた窓に
挿入する工程と、AIJRe窓の内壁面および絶縁性キ
ャップの外聞1mの間にIi!il定用リングを挿入し
、前記光ファイバの先出万端を前記受光部に対して位1
u決めする工程とを具備したことを%徴とする光直接点
弧形(J・イリスタ装置の製造方法。
(3) A semiconductor substrate on which a photo-direct firing thyristor element having a light receiving portion is formed, an anode electrode plate and a cathode electrode plate disposed on both main surfaces of the semiconductor substrate, and the anode electrode plate and the cathode electrode. An anode-side external electrode plate and a cathode-side external electrode plate arranged to sandwich the plate from both sides; an insulating seal surrounding the laminate; a metal flange hermetically fixed to the upper and lower end surfaces of the insulating seal, an anode-side external electrode plate, and a cathode-side external electrode plate; one end of the metal flange hermetically passing through the insulating seal; , an optical direct ignition type thyristor device having an optical fiber whose other end is disposed opposite to the light receiving portion of the semiconductor substrate, the method comprising: a fixing metal fitting at the light output end of the optical fiber 7, and the fixing metal fitting. The optical output end of the optical fiber, the fixed metal plate, and the insulating cap assembly are attached to a part of the cathode electrode plate so as to face the light receiving part. Ii between the step of forming and inserting into the window and the inner wall surface of the AIJRe window and the outer diameter of the insulating cap of 1 m! Insert the illuminating ring, and position the leading end of the optical fiber 1 with respect to the light receiving part.
A method for manufacturing an optical direct ignition type device (J.
(4)前記固定用リングは、その下端から上方に向って
肉厚が増加するよ・5に、テーバを付けられていること
を特徴とする特許 記載の光直接点弧形サイリスク装置の製造方法。
(4) The method for manufacturing a light direct ignition type cyrisk device described in the patent, characterized in that the fixing ring is tapered such that the wall thickness increases upward from the lower end thereof. .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60194566A (en) * 1984-03-15 1985-10-03 Mitsubishi Electric Corp Photo-driven semiconductor device
JPS63107168A (en) * 1986-10-24 1988-05-12 Fuji Electric Co Ltd Photo thyristor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60194566A (en) * 1984-03-15 1985-10-03 Mitsubishi Electric Corp Photo-driven semiconductor device
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