JPS60217638A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS60217638A JPS60217638A JP59072815A JP7281584A JPS60217638A JP S60217638 A JPS60217638 A JP S60217638A JP 59072815 A JP59072815 A JP 59072815A JP 7281584 A JP7281584 A JP 7281584A JP S60217638 A JPS60217638 A JP S60217638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- passage
- processing
- gas
- susceptor
- mixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6326—Deposition processes
- H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
- H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、処理技術、特に、異なる種類の処理流体の反
応を利用して被処理物を処理する技術に関し、たとえば
、半導体装置の製造においてウェハに成膜処理を施すの
に使用して有効な技術に関する。
応を利用して被処理物を処理する技術に関し、たとえば
、半導体装置の製造においてウェハに成膜処理を施すの
に使用して有効な技術に関する。
半導体装置において、ウェハにＰ Ｓ Ｇ（Ｐｈｏｓｐ
ｈ。
ｈ。
５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を生成するＣＶＤ装
置として、処理室に導入口からモノシラン（Ｓ １Ｈ４
）およびホスフィン（ＰＨｓ）の混合ガスと酸素（０２
）または二酸化窒素（ＮＯ２）等の酸化ガスとを導入し
、これらガスのＣＶＤ反応によりウェハにＰＳＧ膜を生
成せしめるように構成したもの、が考えられる。
置として、処理室に導入口からモノシラン（Ｓ １Ｈ４
）およびホスフィン（ＰＨｓ）の混合ガスと酸素（０２
）または二酸化窒素（ＮＯ２）等の酸化ガスとを導入し
、これらガスのＣＶＤ反応によりウェハにＰＳＧ膜を生
成せしめるように構成したもの、が考えられる。
しかし、かかるＣＶＤ装置においては、混合ガスと酸化
ガスとが処理室に導入口から吹き出された直後、中間反
応温度（生成温度以下）において混合するため、結合の
弱い５ｔ−０構造がＰＳＧ膜中に取り込まれ、膜質か弱
くなってしまうという問題点があること、が本発明者に
よって明らかＫされた。ＣＶＤ装置について述べである
文献として、電子材料１９８１年別冊、（工業調査会発
行、昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ７７〜Ｐ８４）が
ある。
ガスとが処理室に導入口から吹き出された直後、中間反
応温度（生成温度以下）において混合するため、結合の
弱い５ｔ−０構造がＰＳＧ膜中に取り込まれ、膜質か弱
くなってしまうという問題点があること、が本発明者に
よって明らかＫされた。ＣＶＤ装置について述べである
文献として、電子材料１９８１年別冊、（工業調査会発
行、昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ７７〜Ｐ８４）が
ある。
本発明の目的は、良好な処理結果を得ることができる処
理技術を提供することにある。
理技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、異なる処理流体が被処理物の近傍において混
合するようにすることにより、これら処理流体による反
応が被処理物において有効に作用するようにしたもので
ある。
合するようにすることにより、これら処理流体による反
応が被処理物において有効に作用するようにしたもので
ある。
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例であるＣＶＤ装置を示す縦断
面図、第２図は第１図の■−■線に沿う断面図である。
面図、第２図は第１図の■−■線に沿う断面図である。
本実施例において、ＣＶＤ装置は気密を維持し得る処理
室１を備えており、処理室１はステンレス等によりほぼ
円板形状に形成されたベース２上にステンレス等により
一面が閉塞されたドーム形状に形成されたベルジャ３を
被せることにより構成されるようになっている。処理室
１内の下部にはターンテーブル４がベース２と平行に回
転するように設けられており、ターンテーブル４の上方
位置には５周辺部に複数個の円形孔６が開設された仕切
板５がターンテーブル４と共に回転するように設けられ
ている。仕切板５の各円形孔６内には、被処理物として
のウニノ１７を載置しかつ加熱し得るサセプタ８がそれ
ぞれ配設され、サセプタ８は適当な駆動装置（図示せず
）により円形孔６内で回転し得るように構成されている
。ベース２には排気口９が処理室１の内部をポンプ等（
図示せず）により排気し得るように開設されている。
室１を備えており、処理室１はステンレス等によりほぼ
円板形状に形成されたベース２上にステンレス等により
一面が閉塞されたドーム形状に形成されたベルジャ３を
被せることにより構成されるようになっている。処理室
１内の下部にはターンテーブル４がベース２と平行に回
転するように設けられており、ターンテーブル４の上方
位置には５周辺部に複数個の円形孔６が開設された仕切
板５がターンテーブル４と共に回転するように設けられ
ている。仕切板５の各円形孔６内には、被処理物として
のウニノ１７を載置しかつ加熱し得るサセプタ８がそれ
ぞれ配設され、サセプタ８は適当な駆動装置（図示せず
）により円形孔６内で回転し得るように構成されている
。ベース２には排気口９が処理室１の内部をポンプ等（
図示せず）により排気し得るように開設されている。
処理室１内には中空のほぼ円盤形状に形成された通路用
構造体１０が仕切板５の上面に近接して。
構造体１０が仕切板５の上面に近接して。
仕切板５にほぼ平行に配設されており、この通路用構造
体１０の内部には、はぼ円盤形状の第１通路１１と第２
通路１２とが上下にそれぞれ形成されている。第１通路
１１．第２通路１２０円周には流出口１３．１４が環帯
状にそれぞれ開設されており１両流出口１３．１４が各
サセプタ８の近傍に位置するように通路用構造体１０は
その直径および位置関係等を設定されている。
体１０の内部には、はぼ円盤形状の第１通路１１と第２
通路１２とが上下にそれぞれ形成されている。第１通路
１１．第２通路１２０円周には流出口１３．１４が環帯
状にそれぞれ開設されており１両流出口１３．１４が各
サセプタ８の近傍に位置するように通路用構造体１０は
その直径および位置関係等を設定されている。
通路用構造体１０の中心線上には、同心的に配された外
筒１５と内筒１６とがベルジャ３を貫通して連設されて
おり、外筒１５と内筒１６との間に形成された第１導入
路１７は第１通路１１に、円筒１６の中空部により形成
された第２導入路１８は第２通路１２にそれぞれ接続さ
れている。
筒１５と内筒１６とがベルジャ３を貫通して連設されて
おり、外筒１５と内筒１６との間に形成された第１導入
路１７は第１通路１１に、円筒１６の中空部により形成
された第２導入路１８は第２通路１２にそれぞれ接続さ
れている。
次に作用を説明する。
複数枚のウェハ７を各サセプタ８上にそれぞれ配置し加
熱を開始する。ベルジャ３がベース２に被せられ、ター
ンテーブル４が適当な駆動装置（図示せず）により回転
されるとともに、各サセプタ８が円形孔６内において回
転される。したがって、サセプタ８上のウェハ７は処理
室１内の周辺部において公転かつ自転することになる。
熱を開始する。ベルジャ３がベース２に被せられ、ター
ンテーブル４が適当な駆動装置（図示せず）により回転
されるとともに、各サセプタ８が円形孔６内において回
転される。したがって、サセプタ８上のウェハ７は処理
室１内の周辺部において公転かつ自転することになる。
排気口９を介して処理室１内が適当にＮ２ガスで置換さ
れると、処理室１の外部において、 ＳｉＨ４とＰＨ８
との混合ガス１９が第１導入路１７に、０２ガスが第２
導入路１８にそれぞれ導入される。
れると、処理室１の外部において、 ＳｉＨ４とＰＨ８
との混合ガス１９が第１導入路１７に、０２ガスが第２
導入路１８にそれぞれ導入される。
第１．第２導入路ｉ’ｙ、ｉｓに導入された各ガスは、
第１通路１１および第２通路１２の各中心に至り、放射
状に拡散し、第１．第２通路１７゜１８の円周上の流出
口１３．１４から放射方向にそれぞれ吹き出す。吹き出
したＳｉＬおよびＰＨ３のガスと０２ガスとは混合する
ことになるが、流出口１３．１４がウェハ７の近傍位置
に開口されているため、サセプタ８のヒータに加熱され
るご１とにより得られる生成温度において混合すること
になる。
第１通路１１および第２通路１２の各中心に至り、放射
状に拡散し、第１．第２通路１７゜１８の円周上の流出
口１３．１４から放射方向にそれぞれ吹き出す。吹き出
したＳｉＬおよびＰＨ３のガスと０２ガスとは混合する
ことになるが、流出口１３．１４がウェハ７の近傍位置
に開口されているため、サセプタ８のヒータに加熱され
るご１とにより得られる生成温度において混合すること
になる。
このように、Ｓ ｉＨ４＊ Ｐ Ｈｓと０２とが生成温
度下において混合すると、ウェハに対してＣＶＤ反応が
完全に行われて分子間の結合が強く膜質の良好なＰＳＧ
膜がウェハ上に生成される。
度下において混合すると、ウェハに対してＣＶＤ反応が
完全に行われて分子間の結合が強く膜質の良好なＰＳＧ
膜がウェハ上に生成される。
このとき、ウェハ７はターンテーブル４の公転およびサ
セプタ８の自転により、ガスの流出口１３゜１４０周囲
を移動するため、ＣＶＤ反応がウエハ７群全体および各
ウェハ７の全面にわたって均一に施され、ＰＳＧ膜は各
ウェハ７に均一に生成される。
セプタ８の自転により、ガスの流出口１３゜１４０周囲
を移動するため、ＣＶＤ反応がウエハ７群全体および各
ウェハ７の全面にわたって均一に施され、ＰＳＧ膜は各
ウェハ７に均一に生成される。
〔実施例２〕
第３図は本発明の他の実施例を示す縦断面図である。
本実施例２が前記実施例１と異なる点は１通路用構造体
１０Ａが中空のほぼ円錐形状に形成され、第１通路１１
Ａ、第２通路１２Ａがほぼ円錐盤形状にそれぞれ形成さ
れている点にある。但し第１通路１１Ａ、第２通路１２
Ａの各流出口１３Ａ。
１０Ａが中空のほぼ円錐形状に形成され、第１通路１１
Ａ、第２通路１２Ａがほぼ円錐盤形状にそれぞれ形成さ
れている点にある。但し第１通路１１Ａ、第２通路１２
Ａの各流出口１３Ａ。
１４Ａは水平方向にガスを吹き出させるようにそれぞれ
形成されている。
形成されている。
（１）互いに反応する異なる処理ＩＡｔ体を被処理物の
近傍において混合するように構成することにより、これ
ら処理流体の混合に伴う反応処理を完遂させた状態で被
処理物に作用させることができるため、強度および純度
等の良好な処理状態が得られる。
近傍において混合するように構成することにより、これ
ら処理流体の混合に伴う反応処理を完遂させた状態で被
処理物に作用させることができるため、強度および純度
等の良好な処理状態が得られる。
（２１ＰＳＧ膜を反応生成する複数の反応ガスを所定温
度に加熱されたウェハの近傍において混合させることに
より、ＣＶＤ反応を完全に行わせることができるため、
リン濃度、膜厚が均一で、結合力が強く、かつ、膜中に
弱い５ｔ−０結合のない良好なＰＳＧ膜が得られる。
度に加熱されたウェハの近傍において混合させることに
より、ＣＶＤ反応を完全に行わせることができるため、
リン濃度、膜厚が均一で、結合力が強く、かつ、膜中に
弱い５ｔ−０結合のない良好なＰＳＧ膜が得られる。
（３）膜質の良好なＰＳＧ膜が形成できるため、ＰＳＧ
＠に熱負荷が加わった場合に発生することがあるクラッ
クの発生を防止することができる。
＠に熱負荷が加わった場合に発生することがあるクラッ
クの発生を防止することができる。
（４）反応が完全に行われる状態で成膜することができ
るため、ＰＳＧ膜中における異物を低減させることがで
きる。
るため、ＰＳＧ膜中における異物を低減させることがで
きる。
（５）被処理物を流出口に沿って自公転させることによ
り、被処理物を処理反応に均一に接触させることができ
るため、被処理物の全体にわたって均一な処理状態を得
ることができる。
り、被処理物を処理反応に均一に接触させることができ
るため、被処理物の全体にわたって均一な処理状態を得
ることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな℃１゜ たとえば、ガス導入路は上から下に向けて通路に接続す
るに限らず、下から上に向けて接続させてもよい。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな℃１゜ たとえば、ガス導入路は上から下に向けて通路に接続す
るに限らず、下から上に向けて接続させてもよい。
処理流体は、ＳｉＨ，およびＰＨ，の混合ガスと０２ま
たはＮＯｔガスとに限らず、 ＳｉＨ４，５ｉ２Ｈａ
＋Ｐ Ｈｓ ＋ ＡｓＨｓ 、およびＢ２Ｈ６と０２
、 Ｎ Ｏ２等でもよい。
たはＮＯｔガスとに限らず、 ＳｉＨ４，５ｉ２Ｈａ
＋Ｐ Ｈｓ ＋ ＡｓＨｓ 、およびＢ２Ｈ６と０２
、 Ｎ Ｏ２等でもよい。
処理はＰＳＧ膜の生成に限らず、ＡａＳＧ膜。
ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、さらには５ｉＱ２膜の生成等の
処理であってもよい。
処理であってもよい。
□ 以上の説明では主として本発明者によってなされた
発明をその背景となった利用分野であるウェハにＰＳＧ
膜を生成処理する低圧ＣＶＤ装置に適用した場合につい
て説明したがそれに限定されるものではなく、たとえば
、酸化膜形成装置やエピタキシャル装置等に適用できる
。
発明をその背景となった利用分野であるウェハにＰＳＧ
膜を生成処理する低圧ＣＶＤ装置に適用した場合につい
て説明したがそれに限定されるものではなく、たとえば
、酸化膜形成装置やエピタキシャル装置等に適用できる
。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図■−■線に沿う断面図。 第３図は本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 ｌ・・・処理室、２・・・ベルジャ、３・・・ベース、
４・・・ターンテーブル％５・・・仕切板、６・・・円
形孔、７・・・ウェハ（被処理物）、８・・・サセプタ
、９・・・排気口。 １０ 、ＩＯＡ・・・通路用構造体、１１．１１Ａ・・
・第１通路、１２，１２Ａ・・・第２通路、１３，１３
Ａ。 １４．１４Ａ・・・流出口、１７．１７Ａ、１８゜第
３ 図
１図■−■線に沿う断面図。 第３図は本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 ｌ・・・処理室、２・・・ベルジャ、３・・・ベース、
４・・・ターンテーブル％５・・・仕切板、６・・・円
形孔、７・・・ウェハ（被処理物）、８・・・サセプタ
、９・・・排気口。 １０ 、ＩＯＡ・・・通路用構造体、１１．１１Ａ・・
・第１通路、１２，１２Ａ・・・第２通路、１３，１３
Ａ。 １４．１４Ａ・・・流出口、１７．１７Ａ、１８゜第
３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、互いに反応する処理流体を処理室に導入して被処理
物に処理を施こす処理装置であって、前記処理室の内部
に異なる処理流体を流出させる複数の通路が、前記通路
から流出する処理流体が被処理物の近傍において混合す
るようにそれぞれ設けられている処理装置。 ２、通路が、円形状に形成され、その外周に処理流体の
流出口が開設されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の処理装置。 ３、通路が、そのほぼ中心部に処理流体の導入路を備え
ていることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072815A JPS60217638A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072815A JPS60217638A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217638A true JPS60217638A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13500284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072815A Pending JPS60217638A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217638A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100240252B1 (ko) * | 1996-08-29 | 2000-01-15 | 이경수 | 반도체 제조 장치 |
| KR100253263B1 (ko) * | 1992-01-31 | 2000-05-01 | 김영환 | 프라즈마 cvd 장비의 프로세스 챔버구조 |
| CN109545885A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-29 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 一种太能电池的生产系统 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59072815A patent/JPS60217638A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100253263B1 (ko) * | 1992-01-31 | 2000-05-01 | 김영환 | 프라즈마 cvd 장비의 프로세스 챔버구조 |
| KR100240252B1 (ko) * | 1996-08-29 | 2000-01-15 | 이경수 | 반도체 제조 장치 |
| CN109545885A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-29 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 一种太能电池的生产系统 |
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