JPS6021893A - 単結晶の製造装置 - Google Patents
単結晶の製造装置Info
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- JPS6021893A JPS6021893A JP12541383A JP12541383A JPS6021893A JP S6021893 A JPS6021893 A JP S6021893A JP 12541383 A JP12541383 A JP 12541383A JP 12541383 A JP12541383 A JP 12541383A JP S6021893 A JPS6021893 A JP S6021893A
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- JP
- Japan
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- crucible
- diameter
- single crystal
- program signal
- movement
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はチョクラルスキー法（二より単結晶例えばシリ
コン単結晶を引上げる単結晶の製造装置に関するもので
ある。
コン単結晶を引上げる単結晶の製造装置に関するもので
ある。
シリコン単結晶は多くはチョクラルスキー法で育成され
ているが、育成された単結晶は無転位の高品質であると
同時に結晶が所定の形状に制御されていることが必要で
ある。近年、超ＬＳＩ等の大規模集積回路の発展に伴な
い、ＬＳＩ製造工程（−適した酸素濃度を持っているこ
と、および引上げ軸方向の酸素濃度の均一性が良いこと
がさらに要求されるようになってきた。そのため、加熱
ヒータの温度分布に対応してルツボを移動させ、融液面
の位置を変化させながら結晶を育成する方法が行なわれ
ている。
ているが、育成された単結晶は無転位の高品質であると
同時に結晶が所定の形状に制御されていることが必要で
ある。近年、超ＬＳＩ等の大規模集積回路の発展に伴な
い、ＬＳＩ製造工程（−適した酸素濃度を持っているこ
と、および引上げ軸方向の酸素濃度の均一性が良いこと
がさらに要求されるようになってきた。そのため、加熱
ヒータの温度分布に対応してルツボを移動させ、融液面
の位置を変化させながら結晶を育成する方法が行なわれ
ている。
従来使用されている結晶直径の自動制御様能を有する単
結晶製造装置では、所定の位置（＝固定された光センサ
またはＴＶカメラ等により直径の変゛化を検出して直径
が一定になるように引上げ速度を調節し、これ（一対応
してルツボも上下させ、光センサまたはＴＶカメラ等に
対して融液面が常に一定に保持されるような制御を行な
っている。すなわち、結晶の引上げ速度をＶｓ、ルツボ
の移動速ｔｙをＶｃとすると。
結晶製造装置では、所定の位置（＝固定された光センサ
またはＴＶカメラ等により直径の変゛化を検出して直径
が一定になるように引上げ速度を調節し、これ（一対応
してルツボも上下させ、光センサまたはＴＶカメラ等に
対して融液面が常に一定に保持されるような制御を行な
っている。すなわち、結晶の引上げ速度をＶｓ、ルツボ
の移動速ｔｙをＶｃとすると。
ｖｃ ＝ （ｐｓｄ２／ｐｌＤ２） ・Ｖｓ −＝−曲
（１）の関係がある。ここで、ρＳおよびρｌはシリコ
ン結晶および融液の密度、ｄおよびＤは結晶およびルツ
ボの直径である。
（１）の関係がある。ここで、ρＳおよびρｌはシリコ
ン結晶および融液の密度、ｄおよびＤは結晶およびルツ
ボの直径である。
従って、加熱ヒータの温度分布に対応して、ルツボを移
動させ融液面の位置を変化させながら結晶を育成すると
、光センサまたはＴＶカメラ等と融液面の距離を一定に
保つことができず、光学系の焦点ずれ（二より検出され
た直径に誤差を生じる。
動させ融液面の位置を変化させながら結晶を育成すると
、光センサまたはＴＶカメラ等と融液面の距離を一定に
保つことができず、光学系の焦点ずれ（二より検出され
た直径に誤差を生じる。
このため、直径制御精度が低下し、はなはだしい時（−
は制御できなくなるという難点がある。さら（−１結晶
の形状が制御できないことは結晶中のストリエイション
や不純物濃度の変化を助長することから結晶品質が低下
する。さらに外周研削時の材料損失の増大や径不良（二
よる歩留りの低下等の欠点がある。
は制御できなくなるという難点がある。さら（−１結晶
の形状が制御できないことは結晶中のストリエイション
や不純物濃度の変化を助長することから結晶品質が低下
する。さらに外周研削時の材料損失の増大や径不良（二
よる歩留りの低下等の欠点がある。
これに対してルツボの上下移動と同期して光センサと融
液面の相対距離を一定（二保つように光センサを移動さ
せたり、または光センサの固液界面外周部に形成される
メニスカスの見込み角度を変化させる構造を有した単結
晶製造装置が提案されている（特開昭５４−８２３８３
参照）。通常、光セ／すは炉体の斜め上部に設けられた
のぞき窓を通してメニスカス部を検出している。光セン
サの移動距離が大きくなるとメニスカス部はのぞき窓の
視野からはずれ’（Ｌまうことや、光センサ移動機構に
は堅牢なものが必要となり装置コストが増大する、等の
問題がある。
液面の相対距離を一定（二保つように光センサを移動さ
せたり、または光センサの固液界面外周部に形成される
メニスカスの見込み角度を変化させる構造を有した単結
晶製造装置が提案されている（特開昭５４−８２３８３
参照）。通常、光セ／すは炉体の斜め上部に設けられた
のぞき窓を通してメニスカス部を検出している。光セン
サの移動距離が大きくなるとメニスカス部はのぞき窓の
視野からはずれ’（Ｌまうことや、光センサ移動機構に
は堅牢なものが必要となり装置コストが増大する、等の
問題がある。
本発明は上記欠点に鑑みなされたもので、加熱ヒータの
温度分布に対応してルツボを移動するに際して、融液面
と直径検出器の距離の変化による直径噴出誤差゛を？ｉ
ｔｉ正すること（二より直径の均一な単結晶が得られる
簡便で安価な装置を提供するも。
温度分布に対応してルツボを移動するに際して、融液面
と直径検出器の距離の変化による直径噴出誤差゛を？ｉ
ｔｉ正すること（二より直径の均一な単結晶が得られる
簡便で安価な装置を提供するも。
のである。
〔発明の１既要〕
本発明の装置はルツボ移動の情報（二もとづいて、融液
面と直径検出器の耐重の変化（二よる光学系の焦点すれ
と倍率の変化を補正するよう（二構成されている。すな
わち、千ヨクラルスキー法による単結晶製造装置におい
て、ルツボ移動のプログラム信号（二より、前記プログ
ラム信号を潰分してルツボの移＠ＩＩ准を算出し、前記
プログラム信号に従って光学系の位置を制御して単結晶
の直径を検出し、前記ルツボの移動量に従って利得を制
御して前記検出信号を増幅して、直径噴出誤差を補正す
るようにしたことを特徴とするものである。
面と直径検出器の耐重の変化（二よる光学系の焦点すれ
と倍率の変化を補正するよう（二構成されている。すな
わち、千ヨクラルスキー法による単結晶製造装置におい
て、ルツボ移動のプログラム信号（二より、前記プログ
ラム信号を潰分してルツボの移＠ＩＩ准を算出し、前記
プログラム信号に従って光学系の位置を制御して単結晶
の直径を検出し、前記ルツボの移動量に従って利得を制
御して前記検出信号を増幅して、直径噴出誤差を補正す
るようにしたことを特徴とするものである。
以上説明したように本発明の単結晶製造装置では従来装
置の光センサー自体を移動させるもの（−比べて、駆動
機構および回路が小型で簡単であり。
置の光センサー自体を移動させるもの（−比べて、駆動
機構および回路が小型で簡単であり。
消費電力が少くてよい。またルツボの移動距離を大きく
してものぞき窓の視野からのはずれが少なくルツボ移動
の範囲が広い。そして通常の単結晶製造装置を改造する
ことなく簡便（二実施でき、装置コストが低下する。こ
れにより加熱ヒータの温度分布に対応してルツボを移動
し、融叡面の位置を変化させる条件において直径の均一
な単結晶を歩留りよく作成できる。そのため、酸素濃度
の均一性の良い単結晶が得られるなど結晶品質の改善が
可能であり、工業的に使用することにより生伍性が向」
ニする。以上のような効果がある。
してものぞき窓の視野からのはずれが少なくルツボ移動
の範囲が広い。そして通常の単結晶製造装置を改造する
ことなく簡便（二実施でき、装置コストが低下する。こ
れにより加熱ヒータの温度分布に対応してルツボを移動
し、融叡面の位置を変化させる条件において直径の均一
な単結晶を歩留りよく作成できる。そのため、酸素濃度
の均一性の良い単結晶が得られるなど結晶品質の改善が
可能であり、工業的に使用することにより生伍性が向」
ニする。以上のような効果がある。
以下本発明の一実ｈｈ例を図面（二基づき詳細にｔ況明
する。
する。
第１図は不発明、による機能を具（＋ｉ＆ した単結晶
製造装置の一例である。図（＝おいてｌは容器、２は加
熱ヒータ、３はルツボ、４は融液、５はのぞき窓、６は
結晶、７は引上（ザ輔、８はルツボ移動・袖。
製造装置の一例である。図（＝おいてｌは容器、２は加
熱ヒータ、３はルツボ、４は融液、５はのぞき窓、６は
結晶、７は引上（ザ輔、８はルツボ移動・袖。
９は引上げモーター、ｌＯはルツボ移動モータ、１１は
一引上げ速度制御器、 １２はルツボ移動速度制御器、
１３はルツボ移動プログラム信号発生器、１４は積分１
、ｆ；、１５はＴＶカメラ、１６は結像面、１７は対物
レンズ、１８は対物レンズ移動モータ、１９は対物レン
ズ。
一引上げ速度制御器、 １２はルツボ移動速度制御器、
１３はルツボ移動プログラム信号発生器、１４は積分１
、ｆ；、１５はＴＶカメラ、１６は結像面、１７は対物
レンズ、１８は対物レンズ移動モータ、１９は対物レン
ズ。
移動速度制御器、２０は増幅器、２１は基準直径設定器
、ｎは直径制御装置である。
、ｎは直径制御装置である。
容器ｌ内にルツボ移動＠ｂｓｔ二より上丁に移動できる
ルツボ３があり、その周囲（二加熱ヒータ２が配設され
ている。ルツボ３内に融液４を保持し、引上げ軸７によ
り所定の速反で引上げ結晶６が製造されるよう（二構成
されている。
ルツボ３があり、その周囲（二加熱ヒータ２が配設され
ている。ルツボ３内に融液４を保持し、引上げ軸７によ
り所定の速反で引上げ結晶６が製造されるよう（二構成
されている。
容器ｌに取付けたのぞき窓５の近く（二゛ｖ■カメラ１
５が配設され、結晶６のメニスカスリングの大きさを測
定して結晶１１径を検出する。そのため、結晶６とＴＶ
カメラ１５の距１渠に応じて、あらかじめ光学系の焦点
合せを行ない対物レンズ１７と撮像管（ここでは図示せ
ず）の結像面１６の距離を精密に調整しておく必要があ
る。このＴＶカメラ１５の検出信号と基準直径設定器２
】からの基準信号とを比較して誤差信号を得、ＩＰ＋：
’＆制御装置２２ｉ二よりこの差が零になるように引
上げ速度制御器１１を介して引上げモータ９を駆動し、
引上げ速度を変化させる。同時（二、融液面の位置がハ
′に一定に保たれるようにルツボ移動速度制御器１２を
介してルツボ移動モータ１０を駆動し、（１）式に従が
ってルツボ移動速度が設定される。
５が配設され、結晶６のメニスカスリングの大きさを測
定して結晶１１径を検出する。そのため、結晶６とＴＶ
カメラ１５の距１渠に応じて、あらかじめ光学系の焦点
合せを行ない対物レンズ１７と撮像管（ここでは図示せ
ず）の結像面１６の距離を精密に調整しておく必要があ
る。このＴＶカメラ１５の検出信号と基準直径設定器２
】からの基準信号とを比較して誤差信号を得、ＩＰ＋：
’＆制御装置２２ｉ二よりこの差が零になるように引
上げ速度制御器１１を介して引上げモータ９を駆動し、
引上げ速度を変化させる。同時（二、融液面の位置がハ
′に一定に保たれるようにルツボ移動速度制御器１２を
介してルツボ移動モータ１０を駆動し、（１）式に従が
ってルツボ移動速度が設定される。
ルツボ移動プログラム信号発生器１３は加熱ヒータ２の
温度分布（二対応して最適な融液面の位置を実現するよ
う（二あらかじめ設定されたプログラム信号を発生する
。このプログラム信号もまたルツボ移動速度制御器１２
に加えられる。すなイつち、ルツボ移動速度は（１１式
で定まる値とプログラム信号を加−はした値に設定され
る。このときプログラム信号口よるルツボ移動距離分だ
け結晶６とＴＶカメラ１５の距離が変化するため焦点の
ずれが生じる。
温度分布（二対応して最適な融液面の位置を実現するよ
う（二あらかじめ設定されたプログラム信号を発生する
。このプログラム信号もまたルツボ移動速度制御器１２
に加えられる。すなイつち、ルツボ移動速度は（１１式
で定まる値とプログラム信号を加−はした値に設定され
る。このときプログラム信号口よるルツボ移動距離分だ
け結晶６とＴＶカメラ１５の距離が変化するため焦点の
ずれが生じる。
そこで、プログラム４Ｎ号を対物レンズ移動速産制 −
１卸器１９に入力して対物レンズ移動モータ１８を駆動
し、焦点のずれを補正するよう（二、対物レンズ１７と
結像面１６の距離を自動設定する。同時に積分器１４（
−も入力してルツボの移動時を算出し、この値（二より
光学系の倍率の変化を補正するように増幅器側の利得を
設定する。これにより融液面の位置が変化しても正しい
直径信号を検出することかできるため、高精度な直径ｉ
ｌ？ＩＪ御が実現できる。゛ここで、焦点のずれ、およ
び倍率の変化の補正ｉｈ次の公矧のレンズの公式よりめ
ればよい。
１卸器１９に入力して対物レンズ移動モータ１８を駆動
し、焦点のずれを補正するよう（二、対物レンズ１７と
結像面１６の距離を自動設定する。同時に積分器１４（
−も入力してルツボの移動時を算出し、この値（二より
光学系の倍率の変化を補正するように増幅器側の利得を
設定する。これにより融液面の位置が変化しても正しい
直径信号を検出することかできるため、高精度な直径ｉ
ｌ？ＩＪ御が実現できる。゛ここで、焦点のずれ、およ
び倍率の変化の補正ｉｈ次の公矧のレンズの公式よりめ
ればよい。
但し１．ｆけ対物レンズ１７の焦点距離、ａは結晶６の
メニスカス界面と対を吻レンズ１７の距離、ｂは結像面
１６と対物レンズＪ７の距離、Ｍ４；ｉ倍率を示してい
る。ａが倣少姫雌Δａだけ変化したとすると、焦点のず
れΔｂおよび倍率の変化ΔＭの間には次式が成立する。
メニスカス界面と対を吻レンズ１７の距離、ｂは結像面
１６と対物レンズＪ７の距離、Ｍ４；ｉ倍率を示してい
る。ａが倣少姫雌Δａだけ変化したとすると、焦点のず
れΔｂおよび倍率の変化ΔＭの間には次式が成立する。
次に具体的な例として本発明の単結晶製造装置により、
たとえば結晶中の酸素濃度の均一化を計るためにルツボ
を押上げながらシリコン単結晶を製造する場合について
詳しく説明する。ａ１図において、直径２０園の石英ル
ツボ３内の重−１５Ｋｙの融液４から直径８ＣｒｆＬ１
長さ３０ （ｍのシリコン単結晶を育成する。はじめに
、ルツボ３の位１４をルツボ３と加熱ヒータ２の高さが
等しい・立１ｄを原点として−２（！ｌ二設定した。対
物レンズ１７は焦点用Ｉｆ％ １０礪のものを使用し、
融液との距離を１００ｃｍに設定して焦点合ぜを行なっ
たのち引−Ｅけを開始した。
たとえば結晶中の酸素濃度の均一化を計るためにルツボ
を押上げながらシリコン単結晶を製造する場合について
詳しく説明する。ａ１図において、直径２０園の石英ル
ツボ３内の重−１５Ｋｙの融液４から直径８ＣｒｆＬ１
長さ３０ （ｍのシリコン単結晶を育成する。はじめに
、ルツボ３の位１４をルツボ３と加熱ヒータ２の高さが
等しい・立１ｄを原点として−２（！ｌ二設定した。対
物レンズ１７は焦点用Ｉｆ％ １０礪のものを使用し、
融液との距離を１００ｃｍに設定して焦点合ぜを行なっ
たのち引−Ｅけを開始した。
結晶引上げ速度がｌ ＦＩＩＩＬ ／ ｒｙｈ＋の場合
（二は、ルツボの上昇速度は（１）式より０．１４５
ｍｗ ／ ’＋となる。第２図はプログラム信号発生器
１３による−げ成結晶艮ｌ（二対するルツボの上昇；”
ＵｉｔＶを示す図でＬｊ）る。第３図はプログラム信号
（二連動する対物レンズ１７の移動速度Ｖｔ、と増幅器
側の利得Ｇ（相対値）の変化を示す図である。ここでは
結晶成長（二よる残留融液量の減少と加熱ヒータの７Ｍ
度分布に対応して石英ルツボと融液の反応（二よる酸素
の溶は込み隨を調節するようにルツボ移動速度を〜１．
Ｉ Ｘ １０−％ｍ／ｍｓ２で加速していき、融液面の
位置を引上げ終了までζ二〜５０ｆｌ移動させた。これ
に対応して、焦点ずれを補正するように（４）式により
対物レンズ１７の移動速度を〜１．１ ｘ １０− ’
＊＊／ｍ ２で加速していき、引上げ終了まで（二〜
０．５朋移動させた。同時に（５）式（−よる倍率の変
化を補正するように利得を引上げ終了までに〜０．９４
倍まで変化させた。
（二は、ルツボの上昇速度は（１）式より０．１４５
ｍｗ ／ ’＋となる。第２図はプログラム信号発生器
１３による−げ成結晶艮ｌ（二対するルツボの上昇；”
ＵｉｔＶを示す図でＬｊ）る。第３図はプログラム信号
（二連動する対物レンズ１７の移動速度Ｖｔ、と増幅器
側の利得Ｇ（相対値）の変化を示す図である。ここでは
結晶成長（二よる残留融液量の減少と加熱ヒータの７Ｍ
度分布に対応して石英ルツボと融液の反応（二よる酸素
の溶は込み隨を調節するようにルツボ移動速度を〜１．
Ｉ Ｘ １０−％ｍ／ｍｓ２で加速していき、融液面の
位置を引上げ終了までζ二〜５０ｆｌ移動させた。これ
に対応して、焦点ずれを補正するように（４）式により
対物レンズ１７の移動速度を〜１．１ ｘ １０− ’
＊＊／ｍ ２で加速していき、引上げ終了まで（二〜
０．５朋移動させた。同時に（５）式（−よる倍率の変
化を補正するように利得を引上げ終了までに〜０．９４
倍まで変化させた。
利得は増幅器側の利得８Ｉ変抵抗器をモータで回転させ
たり、バイアス電圧を変えるなどの公知の方法により容
易に調節できる。これ（二より直径の偏差が±０．５ｎ
以内のシリコン単結晶が得られた。
たり、バイアス電圧を変えるなどの公知の方法により容
易に調節できる。これ（二より直径の偏差が±０．５ｎ
以内のシリコン単結晶が得られた。
一方、従来の装置では、略テーパ状の結晶が得られ直径
の偏差は±３Ｈ以上見られた。第４図は育成した結晶の
同化率と酸素濃度の関係を示す図である。図で酸素濃度
の変化は〜０．１１ ｘ１０１８ａｔｏｍｓ ／ｄであ
り、その分布も、通常の単調減少するものよりも平担な
ものが得られた。
の偏差は±３Ｈ以上見られた。第４図は育成した結晶の
同化率と酸素濃度の関係を示す図である。図で酸素濃度
の変化は〜０．１１ ｘ１０１８ａｔｏｍｓ ／ｄであ
り、その分布も、通常の単調減少するものよりも平担な
ものが得られた。
以上説明したよう（二本発明の単結晶製造装置（＝よれ
ば、加熱ヒータの温度分布に対応して融液面の位置が変
化しても、常（１高精度に直径制御された単結晶が得ら
れ、かつ酸素ｄＡ度の均一性の良い高品質単結晶を製造
することができる。
ば、加熱ヒータの温度分布に対応して融液面の位置が変
化しても、常（１高精度に直径制御された単結晶が得ら
れ、かつ酸素ｄＡ度の均一性の良い高品質単結晶を製造
することができる。
なお、実施例では直径検出装置としてＴＶカメラを、制
御系としてアナログ回路を用いているが。
御系としてアナログ回路を用いているが。
本実施例に限定されるものではなく、たとえば、ＣＣＤ
カメラや、コンピュータのンフトウ千アによるアルゴリ
ズムによっても本発明の単結晶製造装置を実施すること
ができる。
カメラや、コンピュータのンフトウ千アによるアルゴリ
ズムによっても本発明の単結晶製造装置を実施すること
ができる。
！１°Ｓｌ興は本発明の単結晶製造装置の実施例の構成
を示す図、第２図はルツボ４動のプログラム信号の一例
を示す図、第３図は第２図のプログラム信号（二対化す
る対物レンズの移動速度、および増幅器の利得を示す図
、第４図は製造した単結晶の固化率と酸素（４１度の関
係を示す図である。 １・・・容器、 ２・・・加熱ヒータ、３・・・ルツボ
、 ４・・・融液、 ５・・・のぞき窓、 ６・・・結晶、 ７・・・引上げ（浦、 ８・・・ルツボ移動軸、９・・
・引上げモータ、１０・・・ルツボ移動モータ、１１・
・・引上げ速度制御器、 １２・・・ルツボ移動速度制御器、 １３・・・ルツボ移動プログラム信号発生器、１４・・
・積分器、 １５・・・ＴＶカメラ、］６・・・結像面
、 １７・・・対４勿レンズ、１８・・・対物レンズ移
動モータ。 １９・・・対物し／ズ移動速度ｉｆｆ御器、（イ）・・
・増幅器、２１・・・基準直径設定器、２２・・・直径
制御装置。 代理人 弁理士 則近慝佑 （（よｋＳ１名）第１図 第４図 イ Ｒ４イヒ千（＝／、ジ
を示す図、第２図はルツボ４動のプログラム信号の一例
を示す図、第３図は第２図のプログラム信号（二対化す
る対物レンズの移動速度、および増幅器の利得を示す図
、第４図は製造した単結晶の固化率と酸素（４１度の関
係を示す図である。 １・・・容器、 ２・・・加熱ヒータ、３・・・ルツボ
、 ４・・・融液、 ５・・・のぞき窓、 ６・・・結晶、 ７・・・引上げ（浦、 ８・・・ルツボ移動軸、９・・
・引上げモータ、１０・・・ルツボ移動モータ、１１・
・・引上げ速度制御器、 １２・・・ルツボ移動速度制御器、 １３・・・ルツボ移動プログラム信号発生器、１４・・
・積分器、 １５・・・ＴＶカメラ、］６・・・結像面
、 １７・・・対４勿レンズ、１８・・・対物レンズ移
動モータ。 １９・・・対物し／ズ移動速度ｉｆｆ御器、（イ）・・
・増幅器、２１・・・基準直径設定器、２２・・・直径
制御装置。 代理人 弁理士 則近慝佑 （（よｋＳ１名）第１図 第４図 イ Ｒ４イヒ千（＝／、ジ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発熱体のτ態度分布（二対応して設定されたルツボ移動
のプログラム信号を発生するプログラム信号発生器と前
記プログラム信号に従って前記ルツボの移動を制御する
ルツボ移動速度１ｔｉｌＪ ＠器と、前記プログラム信
号を精分してルツボの移動量を算出する積分器と、 前記プログラム信号に従って光学系の位置を制御して単
結晶の直径を検出する検出器と、前記ルツボの移動量に
従って利得を制御して前記検出信号を増幅する増幅器と
、基準直径設定信号と比較された前記増幅器出力信号５
二より単結晶の引上げ速度を制御する引上げ速度制御器
とを有し、前記ルツボの移動による融液面と前記検出器
の距離の変化による前記単結晶の直径の検出誤差を補正
すようにしたことを特徴とする単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12541383A JPS6021893A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12541383A JPS6021893A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 単結晶の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021893A true JPS6021893A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=14909487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12541383A Pending JPS6021893A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021893A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63112493A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶径測定装置 |
| JPS6424089A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Shinetsu Handotai Kk | Device for adjusting initial position of melt surface |
| US5042891A (en) * | 1990-06-21 | 1991-08-27 | Amp Incorporated | Active device mount assembly with interface mount for push-pull coupling type optical fiber connectors |
| JPH03275586A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| US5142597A (en) * | 1990-07-27 | 1992-08-25 | Amp Incorporated | Interconnect assembly for wall outlet |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12541383A patent/JPS6021893A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63112493A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶径測定装置 |
| JPS6424089A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Shinetsu Handotai Kk | Device for adjusting initial position of melt surface |
| JPH03275586A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| US5042891A (en) * | 1990-06-21 | 1991-08-27 | Amp Incorporated | Active device mount assembly with interface mount for push-pull coupling type optical fiber connectors |
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