JPS6022384Y2 - 光半導体表示装置 - Google Patents

光半導体表示装置

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Publication number
JPS6022384Y2
JPS6022384Y2 JP1980073902U JP7390280U JPS6022384Y2 JP S6022384 Y2 JPS6022384 Y2 JP S6022384Y2 JP 1980073902 U JP1980073902 U JP 1980073902U JP 7390280 U JP7390280 U JP 7390280U JP S6022384 Y2 JPS6022384 Y2 JP S6022384Y2
Authority
JP
Japan
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light emitting
display device
emitting element
optical semiconductor
emitting surface
Prior art date
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Expired
Application number
JP1980073902U
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English (en)
Other versions
JPS56175876U (ja
Inventor
則夫 藤村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS56175876U publication Critical patent/JPS56175876U/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は光半導体表示装置にかかり、特に樹脂モール
ド形成された発光面の改良構造を備えた光半導体表示装
置に関する。
従来、面発光表示する光半導体表示装置に第１図に斜視
図で、また第２図に断面図で示すものがある。
図において、１は半導体発光素子（以降発光素子と略称
）で、カソードリード２ａの内端の素子配設台床２ａ′
にカソード電極を接着させて取着され、アノード電極は
アノードリード２ｂに金属ワイヤ３により電気的に接続
されており、これがノリル等の樹脂で成型され発光素子
１を囲繞する反射面４ａを有する外囲器ケース４内に配
置され、外囲器ケース４の内部はモールド樹脂層５で充
填されこの樹脂層５の表面が発光面となっている。
また、上記モールド樹脂は発光面を均一の明るさにする
ため、シリカ、アルミナ炭酸カルシウム等の光散乱剤が
添加されている。
上述の構造の光半導体表示装置では発光素子の発生する
光が光散乱剤で吸収され発光面における輝度がかなり低
下する。
また、発光素子から発光面までの距離ｔが短い場合には
光散乱剤の添加量を増大して発光面の均一化をはかるた
め、上記傾向はさらに著るしくなる欠点がある。
この考案は上記従来の欠点を改良するための光半導体表
示装置を提供するものである。
この考案にかかる光半導体表示装置は、発光面の全面に
多数の突起を密接形成して光の散乱を主としてこの突起
群に依存させモールド樹脂はその散乱剤の含有量がゼロ
ないしその光散乱性が殆んど期待されない程度としたこ
とを特徴とする。
次に１実施例につき図面を参照して詳細に説明する。
第３図に斜視図、第４図に断面図によって示されるもの
において、１は発光素子で、カソードリード２ａの内端
の素子配設台床２ａ′にカソード電極を接着させて取着
され、アノード電極（発光素子の上面、特に図示せず）
はアノードリード２ｂに金属ワイヤ３により電気的に接
続されており、これがたとえばノリル等の樹脂で成型さ
れ発光素子を囲繞する反射面１４ａを有する外囲器ケー
ス１４内に配置され、ケース１４の内部はモールド樹脂
層１５で充填されこの樹脂層の表面が発光面となってい
る。
また、モールド樹脂１５の発光面２５には全面にわたっ
て多数のほぼ半球状突起（１５’、１５“・・・）が密
接形成され、かつモールド樹脂は散乱剤を全く添加され
ていないかあるいは光散乱性が殆んど期待されない程度
の少量しか添加されていない。
ここで上記突起の形状をほぼ半球状と称したのは必ずし
も完全な半球であることを要せず。
むしろ半球より幾分か薄くしたものがよい場合もあるこ
とを意味している。
第５図によって半球の配置を説明すると、球の半径をｒ
１両球中心間のピッチをＲとした場合、Ｒ≦２ｒ（最大
直径） とし、かつ球の中心を正三角形の頂点に配置する。
半球を実線で示した配置例ではＲ＝２ｒ、破線で示した
配置例は球の半径ｒ′が前の例のものより稍大きく従っ
てＲ＜２ｒ’である。
実際にはｒまたはｒ′は０．１〜０．４ｒＩｒＩｔ程度
が好適する。
Ｒ＝２ｒの場合には３個の半球が外接し各半球に挾まれ
たほぼ三角形の平面部が残ることになるが、Ｒ＜２ｒ′
にすると３つの半球の間に平面部が残らないため光の散
乱性はさらに向上する。
次に、この考案の発光面は第６図に一部を断面図によっ
て示すように半球状突起の径を発光面の周縁では大きく
、中央部に移るにしたがって小さくすると発光面の明る
さの均一化に有効である。
この考案によれは光半導体表示装置の発光素子を覆って
いるモールド樹脂の表面に形成された発光面がＲ＜２ｒ
’という関係になるように密接した多数の突起を備える
ので発光面の全面にわたって均一な明るさが得られると
ともに、従来のモールド樹脂層中に多量に含まれていた
光散乱剤による光の損失がないので全発光光量が向上す
る。
また、発光の散乱性がすぐれるため発光素子から発光面
に至る距離Ｔ（第４図）を従来のｔ（第２図）よりも短
縮でき薄型の表示装置が形成できるなどの顕著な利点が
ある。
なお、上記発光面の明るさの均一については、その最も
明るい部分と最も暗い部分との比の値を示すマツチング
比が一般に１市位まで許容できるが、これに基づけば従
来比散乱剤量を約５分の１に、そして明るさが約３０％
も向上をみる。
なお、この考案は上述の実施例に限定されることなく、
発光面が樹脂モールドによって予めケース型に形成され
、これに発光素子を取着したリードと反射体とをモール
ド樹脂で封止形成してもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来の光半導体表示装置にかかり
、第１図は斜視図、第２図は断面図、第３図および第４
図はこの考案の１実施例にかかり、第３図は斜視図、第
４図は断面図、第５図は１実施例の発光面の一部を説明
するための図、第６図は他の実施例を説明するため発光
面の一部を示す断面図である。 １・・・・・・発光素子、４，１４・・・・・・外囲器
ケース、４ａ、１４ａ・・・・・・反射面、５，１５・
・・・・・モールド樹脂、ｔ、 Ｔ・・・・・・発光素
子から発光面までの距離。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体発光素子を、その発光の一部を反射させる反射面
    で囲繞し、前記半導体発光素子を覆っているモールド樹
    脂層の表面を発光面とした光半導体表示装置において、
    前記モールド樹脂層は前記発光素子と発光面との間を埋
    めつくしており、発光面の全面にわたって多数の球状突
    起が形成され隣り合う各突起の球中心間のピッチＲが各
    突起の最大直径２ｒ′よりも小さくなるように形成され
    、各球中心が正三角形の頂点位置になるように上記多数
    の球状突起が配置されたことを特徴とする光半導体表示
    装置。
JP1980073902U 1980-05-30 1980-05-30 光半導体表示装置 Expired JPS6022384Y2 (ja)

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JPS56175876U JPS56175876U (ja) 1981-12-25
JPS6022384Y2 true JPS6022384Y2 (ja) 1985-07-03

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ID=29436646

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JP2005019541A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Rohm Co Ltd 光半導体装置

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JPS56175876U (ja) 1981-12-25

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