JPS60224263A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPS60224263A JPS60224263A JP59080932A JP8093284A JPS60224263A JP S60224263 A JPS60224263 A JP S60224263A JP 59080932 A JP59080932 A JP 59080932A JP 8093284 A JP8093284 A JP 8093284A JP S60224263 A JPS60224263 A JP S60224263A
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- JP
- Japan
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- power transistor
- substrate
- hybrid
- transistor chip
- metal base
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、内燃機関の点火装置等に最適な混成集積回路
に関する。
に関する。
（従来技術）
内燃機関用の電子点火装置はイグニッションコイルの一
次コイル電流を周期的に継続するパワートランジスタと
このパワートランジスタのオン・オフ動作を制御する制
御回路とから構成される。
次コイル電流を周期的に継続するパワートランジスタと
このパワートランジスタのオン・オフ動作を制御する制
御回路とから構成される。
該パワートランジスタは、その放熱効率を高めるために
、パワートランジスタチップとセラミック基板とを半田
層を介設させて順次に階層状となる如くして放熱用金属
ベースに固設する。一方上記制御回路は、絶縁基板上に
バンプフリップチップを搭載したハイブリッドＩＣの形
式で形成し、当該絶縁基板を接着剤によって上記金属ベ
ースに固定している。このような配設状態において、パ
ワートランジスタチップと制御回路との間にはワイヤポ
ンディングによって所要の配線が行われ、且つこれらの
ワイヤポンディングを保護すべき回路要素周辺の空間に
シリコンゲルを塗布充填している。
、パワートランジスタチップとセラミック基板とを半田
層を介設させて順次に階層状となる如くして放熱用金属
ベースに固設する。一方上記制御回路は、絶縁基板上に
バンプフリップチップを搭載したハイブリッドＩＣの形
式で形成し、当該絶縁基板を接着剤によって上記金属ベ
ースに固定している。このような配設状態において、パ
ワートランジスタチップと制御回路との間にはワイヤポ
ンディングによって所要の配線が行われ、且つこれらの
ワイヤポンディングを保護すべき回路要素周辺の空間に
シリコンゲルを塗布充填している。
一般に自動車のエンジンルーム内は環境条件が悪く、振
動、熱、湿気等を考慮しなければならない。そこで、上
記パワートランジスタチップとハイブリッドＩＣとの間
の間隔をせまくし、ポンディング距離を小さくすると共
に、制御回路の高性能、高信頼性を発揮すべく採用され
たバンプフリップチップの耐振・耐湿性を向上させる目
的で前述の如くシリコンゲルを充填するようにした。
動、熱、湿気等を考慮しなければならない。そこで、上
記パワートランジスタチップとハイブリッドＩＣとの間
の間隔をせまくし、ポンディング距離を小さくすると共
に、制御回路の高性能、高信頼性を発揮すべく採用され
たバンプフリップチップの耐振・耐湿性を向上させる目
的で前述の如くシリコンゲルを充填するようにした。
ところが上記の従来構成によれば、ハイブリッドＩＣの
絶縁基板を固定する接着剤が金属ベースの表面にはみ出
す傾向にあり、これによればパワートランジスタチップ
のセラミック基板とハイブリッドＩＣの絶縁基板との間
を塞ぎ、両者をつないで、その絶縁耐力を低下させると
いう欠点を有していた。またシリコンゲルを充填する際
に、バンプフリップチップＩＣとハイブリッドＩＣ基板
の間のバンプ空間に、空気が残留するため耐湿性を低下
させ、温度変化による空気の膨張・収縮で生じる応力が
バンプに加わる等の問題を提起していた。
絶縁基板を固定する接着剤が金属ベースの表面にはみ出
す傾向にあり、これによればパワートランジスタチップ
のセラミック基板とハイブリッドＩＣの絶縁基板との間
を塞ぎ、両者をつないで、その絶縁耐力を低下させると
いう欠点を有していた。またシリコンゲルを充填する際
に、バンプフリップチップＩＣとハイブリッドＩＣ基板
の間のバンプ空間に、空気が残留するため耐湿性を低下
させ、温度変化による空気の膨張・収縮で生じる応力が
バンプに加わる等の問題を提起していた。
（発明の目的）
本発明は、上記問題に鑑みこれを有効に解決すべく成さ
れたもので、特に内燃機関の点火装置に使用される混成
集積回路において、パワートランジスタチップと制御回
路用ハイブリッドＩＣの基板とを接近して配置しても、
パワートランジスタチップ側に接着剤がはみ出るのを防
止し両者間の絶縁耐力の低下を招来せず、且つシリコン
ゲルを充填したときにもバンプ空間に空気が残留するの
を防止して耐湿性等を向上させることを目的とする。
れたもので、特に内燃機関の点火装置に使用される混成
集積回路において、パワートランジスタチップと制御回
路用ハイブリッドＩＣの基板とを接近して配置しても、
パワートランジスタチップ側に接着剤がはみ出るのを防
止し両者間の絶縁耐力の低下を招来せず、且つシリコン
ゲルを充填したときにもバンプ空間に空気が残留するの
を防止して耐湿性等を向上させることを目的とする。
（発明の構成）
本発明は、金属ベース上に、イグニッションコイルの一
次電流を断続するパワートランジスタと、このパワート
ランジスタを制御する制御回路とを近接させて固設し、
且つ該制御回路を接着剤によって固設した混成集積回路
において、上記制御回路を固設する金属ベース部分に、
パワートランジスタ側を高く金属ベース周辺側を低くす
る如く傾斜を設けるように構成したことをその要旨とす
る。
次電流を断続するパワートランジスタと、このパワート
ランジスタを制御する制御回路とを近接させて固設し、
且つ該制御回路を接着剤によって固設した混成集積回路
において、上記制御回路を固設する金属ベース部分に、
パワートランジスタ側を高く金属ベース周辺側を低くす
る如く傾斜を設けるように構成したことをその要旨とす
る。
（実施例）
以下に本発明の好適一実施例を添付図面に従って詳述す
る。
る。
第１図は本発明に係る混成集積回路の内部構造を明示し
た平面図、第２図は第１図中Ａ−Ａ線断面図である。
た平面図、第２図は第１図中Ａ−Ａ線断面図である。
第２図において、（１）は金属ベースである。金属ベー
ス（１）はこのほぼ中央部分を内方、すなわち図中上方
に打ち出しており、このため図中左側に水平状態のベー
ス部（１ａ）、図中右側に所定の傾斜角度（例えば２°
程度）を有する周辺側が低くなった傾斜状態のベース部
（１ｂ）が形成されている。ベース部（Ｉａ）、（ｌｂ
）の間には段差部（１ｃ）が形成されることになる。
ス（１）はこのほぼ中央部分を内方、すなわち図中上方
に打ち出しており、このため図中左側に水平状態のベー
ス部（１ａ）、図中右側に所定の傾斜角度（例えば２°
程度）を有する周辺側が低くなった傾斜状態のベース部
（１ｂ）が形成されている。ベース部（Ｉａ）、（ｌｂ
）の間には段差部（１ｃ）が形成されることになる。
水平状態のベース部（Ｉａ）には、パワートランジスタ
チップ（２）が配設される。このパワートランジスタチ
ップ（２）は、ベース部（ｌａ）から順に、半田（３）
、アルミナ基板（０、半田（５）、銅から成るヒートシ
ンク（８）を階層的に設け、該ヒートシンク（８）の上
に取り付けられる。
チップ（２）が配設される。このパワートランジスタチ
ップ（２）は、ベース部（ｌａ）から順に、半田（３）
、アルミナ基板（０、半田（５）、銅から成るヒートシ
ンク（８）を階層的に設け、該ヒートシンク（８）の上
に取り付けられる。
一方上記傾斜状態のベース部（１ｂ）には、バンプフリ
ップチップ（７）を搭載するハイブリッドＩＣの絶縁基
板（８）が配設される。従ってベース部（ｔｂ）の面積
は絶縁基板（８）の面積とほぼ等しくなるようにする。
ップチップ（７）を搭載するハイブリッドＩＣの絶縁基
板（８）が配設される。従ってベース部（ｔｂ）の面積
は絶縁基板（８）の面積とほぼ等しくなるようにする。
基板（８）は接着剤（９）によってベース部（１ｂ）に
固設されている。
固設されている。
次いでパワートランジスタチップ（２）と基板（８）と
の間には、パワートランジスタのベース電圧を制御する
ためのワイヤポンディング（ｌＯ）、及び金属ベース（
１）を介してパワートランジスタのエミッタ電圧を検出
するためのワイヤボンディング（１１）を配設している
。更に基板（８）と外部の磁気ピックアップからの信号
を受ける外部端子（１２）。
の間には、パワートランジスタのベース電圧を制御する
ためのワイヤポンディング（ｌＯ）、及び金属ベース（
１）を介してパワートランジスタのエミッタ電圧を検出
するためのワイヤボンディング（１１）を配設している
。更に基板（８）と外部の磁気ピックアップからの信号
を受ける外部端子（１２）。
（１２）との間にはワイヤボンディング（１３）、（１
４）が、また基板（８）と外部電源につながれる外部端
子（１５）との間にはワイヤボンディング（１８）がそ
れぞれ配設される。一方パワートランジスタチップ（２
）のコレクタに接続されるアルミナ基板（０の端子とイ
グニッションコイルの一端に接続される外部端子（１７
）との間にもワイヤボンディング（１８）が配設される
。
４）が、また基板（８）と外部電源につながれる外部端
子（１５）との間にはワイヤボンディング（１８）がそ
れぞれ配設される。一方パワートランジスタチップ（２
）のコレクタに接続されるアルミナ基板（０の端子とイ
グニッションコイルの一端に接続される外部端子（１７
）との間にもワイヤボンディング（１８）が配設される
。
上記においてワイヤポンディング（１Ｂ）、（１３）。
（１４）を介して外部電源から電源電圧が供給され且つ
磁気ピックアップからの検出信号を得て、へイブリッド
ＩＣはパワートランジスタのベース電圧を制御する。パ
ワートランジスタチップ（２）は、ワイヤポンディング
（１０）を介して与えられる制御信号に基づいて、イグ
ニッションコイルに接続されるワイヤポンディング（１
８）、ヒートシンク（６）を介してパワートランジスタ
のコレクタに流入するイグニッションコイルの一次電流
を周期的に断続するように制御するものである。
磁気ピックアップからの検出信号を得て、へイブリッド
ＩＣはパワートランジスタのベース電圧を制御する。パ
ワートランジスタチップ（２）は、ワイヤポンディング
（１０）を介して与えられる制御信号に基づいて、イグ
ニッションコイルに接続されるワイヤポンディング（１
８）、ヒートシンク（６）を介してパワートランジスタ
のコレクタに流入するイグニッションコイルの一次電流
を周期的に断続するように制御するものである。
上記パワートランジスタチップ（２）周辺°の回路要素
、バンプフリップチップ（７）、ワイヤポンディング（
１Ｇ）、（１１）、（１３）、（１４）、（１Ｂ）、（
１８）などは充填されたシリコンゲル（１８）で覆われ
、保護される。
、バンプフリップチップ（７）、ワイヤポンディング（
１Ｇ）、（１１）、（１３）、（１４）、（１Ｂ）、（
１８）などは充填されたシリコンゲル（１８）で覆われ
、保護される。
以上において、金属ベース（１）におけるハイブリッド
ＩＣの絶縁基板（８）を取り付けるベース部（ｌｂ）に
打出しによって傾斜を設け、これによってパワートラン
ジスタチップ（２）を取り付けるベース部（ｌａ）との
間に段差（１ｃ）を設は且つパワートランジスタチップ
（２）の位置と反対側の方向に傾斜を設けた。従って、
絶縁基板（８）を接着剤（９）によってベース部（１ｂ
）に固設する場合において、接着剤（８）はアルミナ基
板（０の反対側の方向に流れ、アルミナ基板（４）の側
へ流れ出すようなことは生じない、それ故に接着剤（８
）がパワートランジスタチップ（２）とハイブリッドＩ
Ｃ基板（８）の間を塞ぐことはないため、パワートラン
ジスタチップ（２）と基板（８）との間隔を小さくする
ことができる。
ＩＣの絶縁基板（８）を取り付けるベース部（ｌｂ）に
打出しによって傾斜を設け、これによってパワートラン
ジスタチップ（２）を取り付けるベース部（ｌａ）との
間に段差（１ｃ）を設は且つパワートランジスタチップ
（２）の位置と反対側の方向に傾斜を設けた。従って、
絶縁基板（８）を接着剤（９）によってベース部（１ｂ
）に固設する場合において、接着剤（８）はアルミナ基
板（０の反対側の方向に流れ、アルミナ基板（４）の側
へ流れ出すようなことは生じない、それ故に接着剤（８
）がパワートランジスタチップ（２）とハイブリッドＩ
Ｃ基板（８）の間を塞ぐことはないため、パワートラン
ジスタチップ（２）と基板（８）との間隔を小さくする
ことができる。
更にシリコンゲル（１８）の充填の際においても、バン
プフリップチップ（７）は傾斜した状態にて取り付けら
れているため、バンプ空間に空気が残留することはなく
、空気は容易に外部に排出される。
プフリップチップ（７）は傾斜した状態にて取り付けら
れているため、バンプ空間に空気が残留することはなく
、空気は容易に外部に排出される。
上記の如くして、パワートランジスタチップ（２）と基
板（８）との間の耐電圧は高く維持され。
板（８）との間の耐電圧は高く維持され。
またバンプフリップチップＩＣの信頼性も高く保持させ
ることできる。
ることできる。
斯くの如く構成された混成集積回路は金属ベース（１）
の周辺部に固設されたケース（２０）の内部に収納され
る。
の周辺部に固設されたケース（２０）の内部に収納され
る。
（発明の効果）
以上の説明で明らかなように本発明によれば、エンジン
ルーム内に配設される内燃機関の電子点火装置を成す混
成集積回路において、エンジンルーム内の悪条件に耐え
得るようにパワートランジスタとハイブリッドＩＣ間の
距離を短くしても、金属ベースに傾斜を設けることによ
り、ハイブリッドＩＣを固定する接着剤を反対周辺側に
流れるようにし、以って両者の絶縁耐力を高く維持する
こ゛とができる。またシリコンゲルを充填したとしても
、その傾斜姿勢によってバンプ空間内に空気が残留する
のを防止し、これにより耐湿性を向上させると共にバン
プフリップチップに余計な第１図は未発明に係るＩ！ｄ
！、ｓｊ１回路の内部構造を示す平面図、Ｎ４２図は第
１図中のＡ−Ａ線断面図である。
ルーム内に配設される内燃機関の電子点火装置を成す混
成集積回路において、エンジンルーム内の悪条件に耐え
得るようにパワートランジスタとハイブリッドＩＣ間の
距離を短くしても、金属ベースに傾斜を設けることによ
り、ハイブリッドＩＣを固定する接着剤を反対周辺側に
流れるようにし、以って両者の絶縁耐力を高く維持する
こ゛とができる。またシリコンゲルを充填したとしても
、その傾斜姿勢によってバンプ空間内に空気が残留する
のを防止し、これにより耐湿性を向上させると共にバン
プフリップチップに余計な第１図は未発明に係るＩ！ｄ
！、ｓｊ１回路の内部構造を示す平面図、Ｎ４２図は第
１図中のＡ−Ａ線断面図である。
（１）・・・・・・・・・・・・・・・金属ベース（１
ａ）・・・・・・・・・・・・・・・水平なベース部（
ｌｂ）・・・・・・・・・・・・・・・傾斜したベース
部（２）・・・・・・・・・・・・・・・パワートラン
ジスタチップ（４）・・・・・・・・・・・・・・・ア
ルミナ基板（８）・・・・・・・・・・・・・・・ヒー
トシンク（７）・・・・・・・・・・・・・・・バンプ
フリップチップ（８）・・・・・・・・・・・・ハイブ
リッドＩＣの絶縁基板（θ）・・・・・・・・・・・・
・・・接着剤（１０）、（１１）、（１３）、（１４）
、（１Ｂ）、（１８）・・・・・・・・・・・・用ワイ
ヤポンディング（１９）・・・・・・・・・・・・・・
・シリコンゲル（２０）・・・・・・・・・・・・・・
・ケース特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 下 １）容一部 手続補正書（自船 昭和５９年１１月１２日 特許庁長官 志賀 学 殿 特願昭５９−８０９３２号 ２、発明の名称 混成集積回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０２９） 沖電気工業株式会社 ４、代理人 東京都港区赤坂１丁目１１番３号 ５、、補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 図面第２図 ７、補正の内容
ａ）・・・・・・・・・・・・・・・水平なベース部（
ｌｂ）・・・・・・・・・・・・・・・傾斜したベース
部（２）・・・・・・・・・・・・・・・パワートラン
ジスタチップ（４）・・・・・・・・・・・・・・・ア
ルミナ基板（８）・・・・・・・・・・・・・・・ヒー
トシンク（７）・・・・・・・・・・・・・・・バンプ
フリップチップ（８）・・・・・・・・・・・・ハイブ
リッドＩＣの絶縁基板（θ）・・・・・・・・・・・・
・・・接着剤（１０）、（１１）、（１３）、（１４）
、（１Ｂ）、（１８）・・・・・・・・・・・・用ワイ
ヤポンディング（１９）・・・・・・・・・・・・・・
・シリコンゲル（２０）・・・・・・・・・・・・・・
・ケース特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 下 １）容一部 手続補正書（自船 昭和５９年１１月１２日 特許庁長官 志賀 学 殿 特願昭５９−８０９３２号 ２、発明の名称 混成集積回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０２９） 沖電気工業株式会社 ４、代理人 東京都港区赤坂１丁目１１番３号 ５、、補正命令の日付 自発 ６、補正の対象 図面第２図 ７、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属ベースに、イグニッションコイルの一次電流を断続
するパワートランジスタを絶縁基板を介し半田で固設し
、且つ該パワートランジスタに近接させて該パワートラ
ンジスタを制御するバンプフリップチップを有して成る
制御回路を組込んだ基板を接着剤で固設し、上記パワー
トランジスタと上記制御回路をワイヤポンディングで接
続した混成集積回路において、 上記制御回路を組込んだ基板を固設する金属ベース部分
に、上記パワートランジスタ側を高く金属ベース周辺側
を低くする如く傾斜を設けるようにしたことを特徴とす
る混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080932A JPS60224263A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080932A JPS60224263A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224263A true JPS60224263A (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=13732215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59080932A Pending JPS60224263A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224263A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162489A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPH04162488A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| WO1998000864A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Bauelementgehäuse für eine oberflächenmontage eines halbleiter-bauelementes |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP59080932A patent/JPS60224263A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162489A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPH04162488A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| WO1998000864A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Bauelementgehäuse für eine oberflächenmontage eines halbleiter-bauelementes |
| US6058020A (en) * | 1996-06-28 | 2000-05-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Component housing for surface mounting of a semiconductor component |
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