JPS6022498B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6022498B2 JPS6022498B2 JP51140850A JP14085076A JPS6022498B2 JP S6022498 B2 JPS6022498 B2 JP S6022498B2 JP 51140850 A JP51140850 A JP 51140850A JP 14085076 A JP14085076 A JP 14085076A JP S6022498 B2 JPS6022498 B2 JP S6022498B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- lead
- insulating base
- lead wire
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良された多点接続型半導体装置に関するもの
である。
である。
従釆この種の半導体装置においては素子の複数個の電極
と接続するりード線の内端は自由端になっており、さら
にこのリード線と素子の電極とが接続された後は、素子
表面がむきだしの状態であつた。
と接続するりード線の内端は自由端になっており、さら
にこのリード線と素子の電極とが接続された後は、素子
表面がむきだしの状態であつた。
かかる半導体装置によれば、リード線と素子の電極との
接続作業時及びその後の作業時の熱物理的な傷及び異物
等の外的要因が素子表面に直接影響し、回路素子部を損
傷したり素子表面に附着して、素子の外観及び回路機能
を損ねる欠点があった。
接続作業時及びその後の作業時の熱物理的な傷及び異物
等の外的要因が素子表面に直接影響し、回路素子部を損
傷したり素子表面に附着して、素子の外観及び回路機能
を損ねる欠点があった。
さらに、リード線の内万端が自由端になっている為リー
ド線の製作時から、電極とりード線の接続時までの作業
に於いて、リード線に外力が容易に影響し、リード線が
接続すべき電極の位置よりずれて不揃い現象を起こす。
ド線の製作時から、電極とりード線の接続時までの作業
に於いて、リード線に外力が容易に影響し、リード線が
接続すべき電極の位置よりずれて不揃い現象を起こす。
これは接続時のりード線の歩留を下げ又リード線と電極
の目合わせを困難にさせ工数を増やすという欠点となっ
ていた。本発明の目的は製造歩蟹りが高くかつ素子表面
の保護された半導体装置を得ることにある。
の目合わせを困難にさせ工数を増やすという欠点となっ
ていた。本発明の目的は製造歩蟹りが高くかつ素子表面
の保護された半導体装置を得ることにある。
本発明によれば複数のリードはその一端が絶縁板に被着
され、これらリードはその前記絶縁板からはずれた部分
で素子電極に接続されている半導体装置を得る。本発明
によればリードの素子電極部近傍が固定されているので
リード先端の不ぞろし、はなく製造歩蟹りが高くなると
ともに、１′−ドの素子への圧着後素子表面は絶縁板で
覆われるので素子表面は保護されることとなる。
され、これらリードはその前記絶縁板からはずれた部分
で素子電極に接続されている半導体装置を得る。本発明
によればリードの素子電極部近傍が固定されているので
リード先端の不ぞろし、はなく製造歩蟹りが高くなると
ともに、１′−ドの素子への圧着後素子表面は絶縁板で
覆われるので素子表面は保護されることとなる。
次に図面を参照してより詳細に説明する。すなわち、従
来の半導体装置の断面図である第１図によれば、半導体
素子１１に設けられた複数個の電極１２の各々に対応し
てリード線１３が接続されている。
来の半導体装置の断面図である第１図によれば、半導体
素子１１に設けられた複数個の電極１２の各々に対応し
てリード線１３が接続されている。
素子１１の表面上部はむきだしのままで何ら覆われてい
ない為例えば、電極１２とりード線１３の接続時に接続
用の加熱治具１４より発せられる熱線１５が直接素子１
１の表面１６に到達し、回路素子部に損傷を与えること
がある又、外的要因で物理的な傷がついたり、異物が付
着したりすることにより素子の外観上又は回路機能上不
良となる欠点があった。さらにリード線１３が自由端に
なっている為リード線１３が外力により容易に変形しや
すく不千飼い現象を起こすことがある。
ない為例えば、電極１２とりード線１３の接続時に接続
用の加熱治具１４より発せられる熱線１５が直接素子１
１の表面１６に到達し、回路素子部に損傷を与えること
がある又、外的要因で物理的な傷がついたり、異物が付
着したりすることにより素子の外観上又は回路機能上不
良となる欠点があった。さらにリード線１３が自由端に
なっている為リード線１３が外力により容易に変形しや
すく不千飼い現象を起こすことがある。
この為リード線１３の製作歩留が減少したり、わずかな
不千飼い現象が生じた時には電極１２とＩＪード線１３
との接続する為の位置合わせが困難となり接続作業の自
動化の妨げや接続作業工数の増加となる欠点があった。
第２図は本発明による半導体装置の基本的な構造を示し
ている。
不千飼い現象が生じた時には電極１２とＩＪード線１３
との接続する為の位置合わせが困難となり接続作業の自
動化の妨げや接続作業工数の増加となる欠点があった。
第２図は本発明による半導体装置の基本的な構造を示し
ている。
半導体素子２１に設けられた複数個の電極２２の各々に
対応してリード線２３が接続されていて、リード線２３
の内端２４は電極２２より突出し素子中央部に集まって
いる。突出したりード線の内端２４の少くとも２つ以上
が絶縁基体２５によって支持されている。すなわち、各
リード線と各素子電極とが接続される前にリード線の内
端２４は絶縁基体２５によって支持されている。絶落慶
基体２５は素子電極内部の素子表面上部２６を覆ってい
る。素子表面２６が絶寮該基体によって覆われている為
、例えば電極２２とＩＪード線２３との接続時に接続用
の加熱治具２７が発する熱線２８は、絶縁基体２５に遮
蔽されて回路素子部に何ら熱的影響による損傷を与えな
い。
対応してリード線２３が接続されていて、リード線２３
の内端２４は電極２２より突出し素子中央部に集まって
いる。突出したりード線の内端２４の少くとも２つ以上
が絶縁基体２５によって支持されている。すなわち、各
リード線と各素子電極とが接続される前にリード線の内
端２４は絶縁基体２５によって支持されている。絶落慶
基体２５は素子電極内部の素子表面上部２６を覆ってい
る。素子表面２６が絶寮該基体によって覆われている為
、例えば電極２２とＩＪード線２３との接続時に接続用
の加熱治具２７が発する熱線２８は、絶縁基体２５に遮
蔽されて回路素子部に何ら熱的影響による損傷を与えな
い。
又電極２２とりード線２３を接続した後に何らかの外的
要因、例えば治工具が素子表面２６に接触して物理的な
傷がついたり異物が素子表面２６に付着したりすること
が絶縁基体２５により素子表面２６を保護することによ
り生じなくなる。さらにｌｊード線２３が絶黍霧基体２
５により支持されている為リード線２３が外力により変
形する不ご飼い現象が生じにくくなりリード線２３の製
作歩蟹を増大させ、又電極２２とりード線２３とを接続
する為の位置合わせを容易にして接続作業の自動化を容
易ならしめると共に接続作業工数を減少させることが可
能となる。
要因、例えば治工具が素子表面２６に接触して物理的な
傷がついたり異物が素子表面２６に付着したりすること
が絶縁基体２５により素子表面２６を保護することによ
り生じなくなる。さらにｌｊード線２３が絶黍霧基体２
５により支持されている為リード線２３が外力により変
形する不ご飼い現象が生じにくくなりリード線２３の製
作歩蟹を増大させ、又電極２２とりード線２３とを接続
する為の位置合わせを容易にして接続作業の自動化を容
易ならしめると共に接続作業工数を減少させることが可
能となる。
第３図は本発明の他の実施例を示すものである素子３１
に設けられた噂極３２に接続されたり−ド線３３は電極
３２より素子中央部に突出したりード線３３の内端部３
４の少くとも２つ以上が絶縁基体３５によって支持され
ている。
に設けられた噂極３２に接続されたり−ド線３３は電極
３２より素子中央部に突出したりード線３３の内端部３
４の少くとも２つ以上が絶縁基体３５によって支持され
ている。
すなわち、各リード線と各素子電極とが接続される前に
リード線の内端部３４は絶縁基体３５によって支持され
ている。絶縁基体３５の配置が第２図と変わっても効果
は何ら変わることなく有効にはたらくことは言うまでも
ない。本例の場合電極３２とりード線３３との接続用加
熱治具３６の断面形状が図の如くであれば絶縁基体３５
が存在していてもリード線２３に直線熱が伝わる為に接
続作業に対して何ら特別の配慮は不要である。
リード線の内端部３４は絶縁基体３５によって支持され
ている。絶縁基体３５の配置が第２図と変わっても効果
は何ら変わることなく有効にはたらくことは言うまでも
ない。本例の場合電極３２とりード線３３との接続用加
熱治具３６の断面形状が図の如くであれば絶縁基体３５
が存在していてもリード線２３に直線熱が伝わる為に接
続作業に対して何ら特別の配慮は不要である。
本発明によれば、以上の理由により素子表面に外的要因
（例えば、熱、傷、異物等）による損傷という信頼性の
低下を防ぐことができさらには、接続用リード線の歩隣
向上、接続作業工数を減少させることができ、より信頼
性の高い安価な半導体装置の提供を可能にする。
（例えば、熱、傷、異物等）による損傷という信頼性の
低下を防ぐことができさらには、接続用リード線の歩隣
向上、接続作業工数を減少させることができ、より信頼
性の高い安価な半導体装置の提供を可能にする。
第１図は従来の半導体装置製造の一製造工程を示す断面
図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の実施例の一
製造工程を示す断面図である。 １１，２１，３１……素子、１２，２２，３２・・・・
・・素子電極、１３，２３，３３・・・・・・リード線
、１４，２７，３６．．．．・・加熱拾臭、２５，３５
・・…・絶縁基体。 第１図 稀Ｚ図 第３図
図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の実施例の一
製造工程を示す断面図である。 １１，２１，３１……素子、１２，２２，３２・・・・
・・素子電極、１３，２３，３３・・・・・・リード線
、１４，２７，３６．．．．・・加熱拾臭、２５，３５
・・…・絶縁基体。 第１図 稀Ｚ図 第３図
Claims (1)
- １ 半導体素子上に設けられた複数の素子電極の上面に
それぞれ対応して複数のリードがその上に位置する加熱
治具によつて接着される半導体装置において、前記複数
のリードの内端は前記素子電極より半導体素子中央部上
に突出しており、たがいに平行な平坦な表裏の主面を有
する絶縁基体が該リードの内端の表面もしくは裏面を支
持しており、該絶縁基体は該複数の素子電極よりも内側
にのみ設けられかつ該素子電極より内側の素子表面上部
を覆つており、該絶縁基体によりその内端を支持された
状態の該リードが前記加熱治具によつて対応する前記素
子電極に接着されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51140850A JPS6022498B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51140850A JPS6022498B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5365063A JPS5365063A (en) | 1978-06-10 |
| JPS6022498B2 true JPS6022498B2 (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=15278175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51140850A Expired JPS6022498B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022498B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143040A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-08 | Hitachi Ltd | Tape carrier type semiconductor device |
| JPS56158467A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1976
- 1976-11-22 JP JP51140850A patent/JPS6022498B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5365063A (en) | 1978-06-10 |
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