JPS60227259A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPS60227259A JPS60227259A JP59084507A JP8450784A JPS60227259A JP S60227259 A JPS60227259 A JP S60227259A JP 59084507 A JP59084507 A JP 59084507A JP 8450784 A JP8450784 A JP 8450784A JP S60227259 A JPS60227259 A JP S60227259A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はマスクの製造方法に関する。
〈従来技術〉
従来、液晶表示体、１ｉｉＯＤ、１ｉｉＬ、回路基板等
の電極、縁絶膜、配線パターン、エツチングノくターン
、レジストパターン等を印刷するマスクの微小欠陥、例
えばピンホールを修正することか困難であった。
の電極、縁絶膜、配線パターン、エツチングノくターン
、レジストパターン等を印刷するマスクの微小欠陥、例
えばピンホールを修正することか困難であった。
〈目的〉
本発明の製造方法は、これらの欠点を取り除きマスクの
ピンホール修正を確実にすることを目的とする。本発明
の他の目的は、マスクについた傷によるショートを防止
して、マスク自体の寿命も伸ばすことを目的とする。
ピンホール修正を確実にすることを目的とする。本発明
の他の目的は、マスクについた傷によるショートを防止
して、マスク自体の寿命も伸ばすことを目的とする。
く構成〉
本発明のマスクの製造方法は、マスク上に８１０又は５
１０２中間膜を形成した後ピンホール等の微小欠陥部上
に、フォト等により修正用メタルを搭載し、その上にＳ
ｉｏ又は５１０２コートをしてマスクのピンホールを修
正することを特徴と１−る。メタル上のＳｉＯ又は５ｉ
ｏｔ膜は全面又は少なくとも修正部を覆うように一部形
成される。
１０２中間膜を形成した後ピンホール等の微小欠陥部上
に、フォト等により修正用メタルを搭載し、その上にＳ
ｉｏ又は５１０２コートをしてマスクのピンホールを修
正することを特徴と１−る。メタル上のＳｉＯ又は５ｉ
ｏｔ膜は全面又は少なくとも修正部を覆うように一部形
成される。
例えば、まずマスクのパターニングの後、Ｓｉｎ。
膜をＫＢ蒸着法スパッタ法もしくはコーティング法によ
り形成し、フォト工程を用いてピンホール位置をシース
ルーマスク又はスポットｗｊ４ｗ、鏡を用いて露光して
マスクがクロムの場合はクロム又はその酸化物その他の
メタル、他、種々のメタルマスフについても同様に、こ
の上に真空蒸着法又はスパッタ法により修正膜層を形成
し、リフトオフ法で抜くことによりピンホール部上に修
正膜を乗せる。そして、検査、修正後、・ｓｉｏ、Ｍを
基板全面にＮＢ蒸着法、スパッタ法もしくはコーティン
グ法により形成する。
り形成し、フォト工程を用いてピンホール位置をシース
ルーマスク又はスポットｗｊ４ｗ、鏡を用いて露光して
マスクがクロムの場合はクロム又はその酸化物その他の
メタル、他、種々のメタルマスフについても同様に、こ
の上に真空蒸着法又はスパッタ法により修正膜層を形成
し、リフトオフ法で抜くことによりピンホール部上に修
正膜を乗せる。そして、検査、修正後、・ｓｉｏ、Ｍを
基板全面にＮＢ蒸着法、スパッタ法もしくはコーティン
グ法により形成する。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
実施例１１として第１図にシースルーマスクを用いたク
ロムマスクのピンホール修正法を示す。マスクブランク
スを蒸着法によりクロムの一度付け（クロム層約１１０
０〜１２０ＯＡ）もしくはピンホール対策として二度付
け（毛屑５００〜６００Ｘ）を行い形成した後、マスタ
ーマスクから転写して第１図（１）の様にクロムパター
ン（１りを抜く、こめ場合、どうしてもブランクス自体
のピンホールの他にフォト工程中においてもフォト欠陥
によるピンホールが発生する、そこで第１図（２）で、
クロムパターン（１りと修正用クロムとの密着力が、フ
ォト工程等パター二／グの際通っている為、クロムパタ
ーン（１υの表面状態が洗浄（硝酸浸漬等３行っても向
上しない。そこで８１０．膜（１２）を５０ＯＡスパツ
タ法もしくはグラスレジン等の無機材ヲコーティングし
て形成する。そして第１図（３）に示しである様に、マ
スク基板の原点を１４の様に決定（ガラスのエッチ又は
パターンのエッヂ部等に設定プシ、ピンホール（１３）
の原点からのＸ、Ｙ方向の変位をとることにより座標出
しする。その後、第１図（４）の工程で示す様に、ポジ
型フオトレジス） （１５Ｊをロールコートもしくはス
ピンコードにより１，５μｍ（３００Ｐ）の厚さに塗布
する。その後、第１図（３）の工程で位置出したピンホ
ール座標に合せてシースルーマスク（１６）の窓を修正
するピンホール（１３）の大きさ、パターン巾に合せて
選択し、顕微鏡をみながら合せる。大体ピンホールより
１０〜２０μｍ大きめのサイズとする。その後紫外線光
量５０ ｍ Ｗ／ｃｊ位で露光する。この際、光源のス
リットを紋り、露光面積を２０Ｉｍ位にしておくとｉｏ
。
ロムマスクのピンホール修正法を示す。マスクブランク
スを蒸着法によりクロムの一度付け（クロム層約１１０
０〜１２０ＯＡ）もしくはピンホール対策として二度付
け（毛屑５００〜６００Ｘ）を行い形成した後、マスタ
ーマスクから転写して第１図（１）の様にクロムパター
ン（１りを抜く、こめ場合、どうしてもブランクス自体
のピンホールの他にフォト工程中においてもフォト欠陥
によるピンホールが発生する、そこで第１図（２）で、
クロムパターン（１りと修正用クロムとの密着力が、フ
ォト工程等パター二／グの際通っている為、クロムパタ
ーン（１υの表面状態が洗浄（硝酸浸漬等３行っても向
上しない。そこで８１０．膜（１２）を５０ＯＡスパツ
タ法もしくはグラスレジン等の無機材ヲコーティングし
て形成する。そして第１図（３）に示しである様に、マ
スク基板の原点を１４の様に決定（ガラスのエッチ又は
パターンのエッヂ部等に設定プシ、ピンホール（１３）
の原点からのＸ、Ｙ方向の変位をとることにより座標出
しする。その後、第１図（４）の工程で示す様に、ポジ
型フオトレジス） （１５Ｊをロールコートもしくはス
ピンコードにより１，５μｍ（３００Ｐ）の厚さに塗布
する。その後、第１図（３）の工程で位置出したピンホ
ール座標に合せてシースルーマスク（１６）の窓を修正
するピンホール（１３）の大きさ、パターン巾に合せて
選択し、顕微鏡をみながら合せる。大体ピンホールより
１０〜２０μｍ大きめのサイズとする。その後紫外線光
量５０ ｍ Ｗ／ｃｊ位で露光する。この際、光源のス
リットを紋り、露光面積を２０Ｉｍ位にしておくとｉｏ
。
ｍ シー スルーマスク上に種々のサイズのパターンを
空けておけばシースルーマスク１枚で、シかモ取扱いを
楽である。そして第１図５で示′ｆ様に、ブリプーク（
１００℃２０分）−現像（ＫＯＨ工ｗｔ％もしくは無機
アルカリ市販現１＃液フーポストペーク（１２０℃２０
分〕行い、レジストをバター二／グする。そして、この
上に基板加熱なしでクロム膜を１１００〜１２００Ａ（
１７）蒸着する。これにより修正したいピンホール上に
クロム膜（１７）ｂ’−ｍ接つキ、ソの他の部分はトに
レジストがある状態となる。ここで第１図６の様に［Ｏ
Ｈ（４ｗｔ％〕に浸漬するとレジスト上のクロム膜はレ
ジストごと剥れ、修正したいビンポール上にだけクロム
膜が残る。
空けておけばシースルーマスク１枚で、シかモ取扱いを
楽である。そして第１図５で示′ｆ様に、ブリプーク（
１００℃２０分）−現像（ＫＯＨ工ｗｔ％もしくは無機
アルカリ市販現１＃液フーポストペーク（１２０℃２０
分〕行い、レジストをバター二／グする。そして、この
上に基板加熱なしでクロム膜を１１００〜１２００Ａ（
１７）蒸着する。これにより修正したいピンホール上に
クロム膜（１７）ｂ’−ｍ接つキ、ソの他の部分はトに
レジストがある状態となる。ここで第１図６の様に［Ｏ
Ｈ（４ｗｔ％〕に浸漬するとレジスト上のクロム膜はレ
ジストごと剥れ、修正したいビンポール上にだけクロム
膜が残る。
次に最終検査し、シュート又は、本方法はパターンの欠
けにも応用できるか、修正したクロムのパターンからの
はみ出し部をレーザーリペアにより焼切り第１図（７）
の工程で、この上に５ｉｎ２保護Ｊｕｌ（１８Ｊ ４１
００ ＯＡスパッタもしくはグラスレジン等の無機材を
コーティングして完成体とする。
けにも応用できるか、修正したクロムのパターンからの
はみ出し部をレーザーリペアにより焼切り第１図（７）
の工程で、この上に５ｉｎ２保護Ｊｕｌ（１８Ｊ ４１
００ ＯＡスパッタもしくはグラスレジン等の無機材を
コーティングして完成体とする。
実施例２としてスポット顧＃鋭の応用を第２図に示す。
（１）〜（４）と（５１〜（７）の工程は第１図で示し
たシースルーマスクを用い、る方法と同じである。この
場合、第２図（４）で示す絽光工程において、シースル
ーマスク（１６）を用いる代りに、顕微鏡に紫外線を出
せる高圧水銀燈と目視でみる場合のノ・ロゲン燈の両方
を切りかえられる様にしておき、第２図（６）の工程で
出した（ｘ、ＹＪ座標に従い顕微鏡でピンホール位置を
児つけ、次にピンホールサイズに合せて露光面積を任意
に変化できるパリアブルアパラチャー（１９）をつけて
おくと、ピンホールを確認した後、光路をハロゲンから
、昼圧水朔燈に切換え、即露光して修正することができ
る。又、これはパリアブルアパラチャーではなくフィッ
クスのアバラチャーの窓の大きさの異なるものを数個つ
けておいてもよい。
たシースルーマスクを用い、る方法と同じである。この
場合、第２図（４）で示す絽光工程において、シースル
ーマスク（１６）を用いる代りに、顕微鏡に紫外線を出
せる高圧水銀燈と目視でみる場合のノ・ロゲン燈の両方
を切りかえられる様にしておき、第２図（６）の工程で
出した（ｘ、ＹＪ座標に従い顕微鏡でピンホール位置を
児つけ、次にピンホールサイズに合せて露光面積を任意
に変化できるパリアブルアパラチャー（１９）をつけて
おくと、ピンホールを確認した後、光路をハロゲンから
、昼圧水朔燈に切換え、即露光して修正することができ
る。又、これはパリアブルアパラチャーではなくフィッ
クスのアバラチャーの窓の大きさの異なるものを数個つ
けておいてもよい。
実施例６として、本方法は、第１．２図に示した様に保
護用又、傷等による乱反射によるショートの防止という
意味で５ｉｎｏ膜（１８）を全面にコートしているかマ
スク自体に傷がない時は、この保ｈｊ−がな（でも５１
０２中間膜＜１２）ｔ、）少し厚めにしてやれば耐糸性
、耐久性も強く、又特に蒸庸によりブランクス作りと修
正用膜作りｖｈっている時、このままでは修正膜（１７
）の密着性が悪く耐久性がなかったが、５１０２中間膜
（１２）により修正膜（１７）の密着性が悪上し、耐久
性が大巾に向上できる。この様に８１０２保護膜なしで
も本方法によればマスクの耐久性自体も高めることがで
きる。
護用又、傷等による乱反射によるショートの防止という
意味で５ｉｎｏ膜（１８）を全面にコートしているかマ
スク自体に傷がない時は、この保ｈｊ−がな（でも５１
０２中間膜＜１２）ｔ、）少し厚めにしてやれば耐糸性
、耐久性も強く、又特に蒸庸によりブランクス作りと修
正用膜作りｖｈっている時、このままでは修正膜（１７
）の密着性が悪く耐久性がなかったが、５１０２中間膜
（１２）により修正膜（１７）の密着性が悪上し、耐久
性が大巾に向上できる。この様に８１０２保護膜なしで
も本方法によればマスクの耐久性自体も高めることがで
きる。
実施例４として、本発明により作ったフォトマスクは耐
薬品性、耐久性か強くなる為、マスクの洗浄方法も１１
に硫酸の８０〜１００℃に浸ｌｌｆするという方法、ブ
ラシ（例えばＰＶＡ ）況とＫＯＨ（３〜５ ｗｔ Ｘ
） ｆｉｇ液による洗浄ケ組合せるなどして、レジス
ト残り、他の有機物の付滑を落すことか、従来のマスク
に較べて効果的にでき、しいてはマスクを用いた工程の
精度を上げることができる。逆に効果的洗浄を行う４に
より洗浄回数も従来に較べて減すことができる。又、５
１ｏ２１−を付ることＫより、マスクの傷の部分の光の
乱反射によるショートを防ぐこともできる。この際６０
０〜５００ｍ、α波長範囲での紫外光の透過量の変化は
ない。
薬品性、耐久性か強くなる為、マスクの洗浄方法も１１
に硫酸の８０〜１００℃に浸ｌｌｆするという方法、ブ
ラシ（例えばＰＶＡ ）況とＫＯＨ（３〜５ ｗｔ Ｘ
） ｆｉｇ液による洗浄ケ組合せるなどして、レジス
ト残り、他の有機物の付滑を落すことか、従来のマスク
に較べて効果的にでき、しいてはマスクを用いた工程の
精度を上げることができる。逆に効果的洗浄を行う４に
より洗浄回数も従来に較べて減すことができる。又、５
１ｏ２１−を付ることＫより、マスクの傷の部分の光の
乱反射によるショートを防ぐこともできる。この際６０
０〜５００ｍ、α波長範囲での紫外光の透過量の変化は
ない。
本発明を用いることにより以下の効果も生じる。
（１） ポジ型レジストを用いてリフトオフ法を付う為
安価なＫＯＨを用いて行うことができる。
安価なＫＯＨを用いて行うことができる。
（２） クロム成膜と修正用クロム膜の形成を行う場合
この修正用クロム膜の密着力に問題があったが本方法の
様に８１０．中間膜を形成すると飛躍的に密層力を向上
させることができ耐久性、信頼性高くなる。
この修正用クロム膜の密着力に問題があったが本方法の
様に８１０．中間膜を形成すると飛躍的に密層力を向上
させることができ耐久性、信頼性高くなる。
（６）シースルーマスクもしくは、顕微鏡を少し改良′
１−るだけでマスク修正が安価にしかも容易にできる。
１−るだけでマスク修正が安価にしかも容易にできる。
なお、本発明は実施例として蒸着法によるクロム層の成
膜についてのべているが、クロム成膜法がスパッタであ
っても他の方法で））つてもリフトオフか可能な限り用
いることができる。その他、実施例にあげたクロムの他
の全桁、例えば、アルミ、ニッケル、タンタルやその酸
化物、合金等についても同様の効果を発揮できる。
膜についてのべているが、クロム成膜法がスパッタであ
っても他の方法で））つてもリフトオフか可能な限り用
いることができる。その他、実施例にあげたクロムの他
の全桁、例えば、アルミ、ニッケル、タンタルやその酸
化物、合金等についても同様の効果を発揮できる。
く効果〉
以上説明した様に、本発明を用いることにより修正膜の
密着強度な向上できるとともに８１０２膜を中間に１そ
して抹護用として入れている為マスク自体の光学特性を
失うことなしに耐久性、耐薬品性を向上でき、又、マス
ク基板に工程中につく傷によるショートも防ぐことがで
きるという利点があり、マスク洗浄でも酸類を用いるこ
とが可能となり効果が上るという利点もある。その他、
シースルーマスクメは顕微鏡の改良により安価に、容易
にピンホール部を選択的に修正できるという利点がある
。
密着強度な向上できるとともに８１０２膜を中間に１そ
して抹護用として入れている為マスク自体の光学特性を
失うことなしに耐久性、耐薬品性を向上でき、又、マス
ク基板に工程中につく傷によるショートも防ぐことがで
きるという利点があり、マスク洗浄でも酸類を用いるこ
とが可能となり効果が上るという利点もある。その他、
シースルーマスクメは顕微鏡の改良により安価に、容易
にピンホール部を選択的に修正できるという利点がある
。
第１．２図は本発明の工程を示したものであり（１）〜
（７）は第１．２図とも同じ工程を示している。 （１） マスクパターン形成工程 （２１Ｓｉｎ２中間層成膜工程 （５） ピンホール検出工程 （４） レジストコート及び露光、現像工程（５） ク
ロム修正膜蒸着工程 （６） リフトオフ及びショート修正工程（ハ Ｓ１０
．保内層成膜工程 図中の４５８５は各々 １０・・・マスク基板、１１・・・クロムパターン１２
・・・５１０２中間膜、１３・・・ピンホール１４・・
・原点、１５・・・ポジレジスト１６・・・シースルー
マスク、１７・・・ｅＪ正用りＣ１ムＭ１８・・・Ｓｉ
ｎ、保膿膜 １９・・・顕微鏡パリアブルアパラチャー。 以上 出願人 株式公社諏訪精工舎 （１） （２） （３） 第１図 （４） ／１ （６） Ｉ （７） 第１図 （１） （２） 第２図 （４） （６） （７） 第２図
（７）は第１．２図とも同じ工程を示している。 （１） マスクパターン形成工程 （２１Ｓｉｎ２中間層成膜工程 （５） ピンホール検出工程 （４） レジストコート及び露光、現像工程（５） ク
ロム修正膜蒸着工程 （６） リフトオフ及びショート修正工程（ハ Ｓ１０
．保内層成膜工程 図中の４５８５は各々 １０・・・マスク基板、１１・・・クロムパターン１２
・・・５１０２中間膜、１３・・・ピンホール１４・・
・原点、１５・・・ポジレジスト１６・・・シースルー
マスク、１７・・・ｅＪ正用りＣ１ムＭ１８・・・Ｓｉ
ｎ、保膿膜 １９・・・顕微鏡パリアブルアパラチャー。 以上 出願人 株式公社諏訪精工舎 （１） （２） （３） 第１図 （４） ／１ （６） Ｉ （７） 第１図 （１） （２） 第２図 （４） （６） （７） 第２図
Claims (1)
- レジスト印刷、電極印刷等をおこなうマスク上にＳｉＯ
又はＳ１０．中間膜を形成した後、微小欠陥部上に修正
用メタルを搭載し、Ｓ１０又はＳ１０．膜を形成したこ
とを特徴とするマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084507A JPS60227259A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084507A JPS60227259A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227259A true JPS60227259A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13832555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084507A Pending JPS60227259A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227259A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230053114A (ko) * | 2021-10-14 | 2023-04-21 | (주)마이크로이미지 | 패턴 결함 수리가 용이한 포토마스크 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 포토마스크 |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59084507A patent/JPS60227259A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230053114A (ko) * | 2021-10-14 | 2023-04-21 | (주)마이크로이미지 | 패턴 결함 수리가 용이한 포토마스크 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 포토마스크 |
| JP2023059256A (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-26 | マイクロ イメージ カンパニー リミテッド | パターン欠陥の修復が容易なフォトマスクの製造方法及びこれを用いて製造したフォトマスク |
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