JPS60229323A - モノリシツクセラミツクコンデンサ - Google Patents
モノリシツクセラミツクコンデンサInfo
- Publication number
- JPS60229323A JPS60229323A JP60073669A JP7366985A JPS60229323A JP S60229323 A JPS60229323 A JP S60229323A JP 60073669 A JP60073669 A JP 60073669A JP 7366985 A JP7366985 A JP 7366985A JP S60229323 A JPS60229323 A JP S60229323A
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- JP
- Japan
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- titanium
- ceramic
- block
- ceramic capacitor
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、大きいＱ埴および荏綾の一度係叔はぼＯを有
する低温焼成のモノリシックセラミックコンデンサ、粘
よびざらＩｃ詳しくは、安１曲な低融点合金埋設電極と
ともに使用するのに適当である、庶幌焼成形チタン緻マ
グネシウムをベースとするセラミックに関する。
する低温焼成のモノリシックセラミックコンデンサ、粘
よびざらＩｃ詳しくは、安１曲な低融点合金埋設電極と
ともに使用するのに適当である、庶幌焼成形チタン緻マ
グネシウムをベースとするセラミックに関する。
従来の技術
チタン戚マグネシウムは、低い酵成ギＣＫ）、はい答−
一諷度％敢（ＴＣＣ）および縞いクォリティーファクタ
ー（Ｑ）が得られるコンデン？！一体として使用されて
いた。コンデンサの。：ま、測定周彼政における各噛す
アクタンス対等ｌ１ｆｌ＋直列抵抗の比と定轄され。。
一諷度％敢（ＴＣＣ）および縞いクォリティーファクタ
ー（Ｑ）が得られるコンデン？！一体として使用されて
いた。コンデンサの。：ま、測定周彼政における各噛す
アクタンス対等ｌ１ｆｌ＋直列抵抗の比と定轄され。。
誘電圧４ （ＤＦ ）は。
の逆数である。
また、米国％杵明祷曹第４３υ８５７ｏすにバーン（Ｂ
ｕｒｎ ）により記載されたように、不と 還元性のチタン酸マグネシウｌｓ４還元注の陽酸アルカ
リ土類金摘とを合し、同時魂成された鋼＊億を有するモ
ノリシックセラミックコンデンサのブロックを形成すΦ
ことが公知である。これらコンデン？Ｑ裏、鋼のｄ−お
よび鋼の酸化を回蒋するため、０２１ Ｌｌ−１” ′
Ａ圧（７）酸４分１ｆ１７））ＪＩＩＩＪｆｉ中で１０
５００で焼成される。この不還元注のガラスセラミック
は、その２ Ｊ＝原子をこのような焼成中に維持するこ
とがＯＪ症であり、鈍って、代表的にますコンデンサの
。の低減として □表わされる半導体化を全（示ざない
。しかしながら、たとえこのような安価なコンデンサの
。
ｕｒｎ ）により記載されたように、不と 還元性のチタン酸マグネシウｌｓ４還元注の陽酸アルカ
リ土類金摘とを合し、同時魂成された鋼＊億を有するモ
ノリシックセラミックコンデンサのブロックを形成すΦ
ことが公知である。これらコンデン？Ｑ裏、鋼のｄ−お
よび鋼の酸化を回蒋するため、０２１ Ｌｌ−１” ′
Ａ圧（７）酸４分１ｆ１７））ＪＩＩＩＪｆｉ中で１０
５００で焼成される。この不還元注のガラスセラミック
は、その２ Ｊ＝原子をこのような焼成中に維持するこ
とがＯＪ症であり、鈍って、代表的にますコンデンサの
。の低減として □表わされる半導体化を全（示ざない
。しかしながら、たとえこのような安価なコンデンサの
。
か極めて太きく、ＩＭＨｚでｆＪ ３５００であるとし
ても、きらに大きい谷縁Ｑか心安とされる若干の相違が
あＱｏ 本発明によるモノリシックセラミックコンデンサは、ｌ
ＭＨｚで最低５０００のＱを有し、緊Ｖｆ！ＶＣ焼成
されたセラミックブロックおよび前記ブロック中に埋設
された最低１つのノート−極より成り、前記ｉ＆低１つ
のａ極か７つのブロックＩｆＤｒｃ延び、吟ｉＪ自己ブ
ロックか前６己埋設された゛亀惨と同時焼成ざわており
；前記ブロックが音温焼成形のセラεツク組成物９２〜
ゾ８承ｆ！ｔ％およびは１品焼成形の祠威聰フラックス
８〜２貞−チより成り、ｔｊＵ記尚昌焼成形セラック組
成物が央買的にチタンはマグネシウム亜姶９０〜９５Ｊ
Ｍ厘チおよびチタン醒カルシウム１０〜５嵐扉％より成
ることを特徴とする。
ても、きらに大きい谷縁Ｑか心安とされる若干の相違が
あＱｏ 本発明によるモノリシックセラミックコンデンサは、ｌ
ＭＨｚで最低５０００のＱを有し、緊Ｖｆ！ＶＣ焼成
されたセラミックブロックおよび前記ブロック中に埋設
された最低１つのノート−極より成り、前記ｉ＆低１つ
のａ極か７つのブロックＩｆＤｒｃ延び、吟ｉＪ自己ブ
ロックか前６己埋設された゛亀惨と同時焼成ざわており
；前記ブロックが音温焼成形のセラεツク組成物９２〜
ゾ８承ｆ！ｔ％およびは１品焼成形の祠威聰フラックス
８〜２貞−チより成り、ｔｊＵ記尚昌焼成形セラック組
成物が央買的にチタンはマグネシウム亜姶９０〜９５Ｊ
Ｍ厘チおよびチタン醒カルシウム１０〜５嵐扉％より成
ることを特徴とする。
効果
本発明の利点は、クォリティファクターＱ最Ｉｔ！：５
［ＪＩＪＯ（ｌｌＪＨｚ）を有すルモノリシックセラミ
ソクコンデンサが得られりことである。他の利点は、−
５５゛ｃ〜＋１２５０にわたり約６［ｊｐｐｍ／−０馨
下趨４＋ ＴＣＣを何すΦこのようなコンデンサか得ら
れることである。他の利点は、チタン酸マグネ７ウム亜
始および、−１体ブロックに適当であるが、但しわずか
な社のガラスを使用し、ｇ！、χ中焼成可能な栴這を有
するこのようなコンデンサが得られることであ□。
［ＪＩＪＯ（ｌｌＪＨｚ）を有すルモノリシックセラミ
ソクコンデンサが得られりことである。他の利点は、−
５５゛ｃ〜＋１２５０にわたり約６［ｊｐｐｍ／−０馨
下趨４＋ ＴＣＣを何すΦこのようなコンデンサか得ら
れることである。他の利点は、チタン酸マグネ７ウム亜
始および、−１体ブロックに適当であるが、但しわずか
な社のガラスを使用し、ｇ！、χ中焼成可能な栴這を有
するこのようなコンデンサが得られることであ□。
美旗例
以下に、本発明を図面実施列につき詳説す◇。
第１図は、耐還元性のガラスセラミックブロック１０と
ともにその中に埋設された１方の一極１１、埋設電極１
１のための外部俵点１２、およびブロック１ｏと接触し
かっ種設題慣１１と答社関係にある他の電極１３を角す
るモノリゾツクフンデン丈の前面図である。
ともにその中に埋設された１方の一極１１、埋設電極１
１のための外部俵点１２、およびブロック１ｏと接触し
かっ種設題慣１１と答社関係にある他の電極１３を角す
るモノリゾツクフンデン丈の前面図である。
第２図は、ガラスセラミックブロック２０゜その中ＶＣ
埋設された１＃の４！２１とともにこれらとｄ址調係で
埋設された・而の辞の１使２２を有するモノリンツクコ
ンデンサの萌聞図である。外部−子２３および２４か、
電極群２１および′成極群２２にそれぞれ結合されてい
Ｑ。
埋設された１＃の４！２１とともにこれらとｄ址調係で
埋設された・而の辞の１使２２を有するモノリンツクコ
ンデンサの萌聞図である。外部−子２３および２４か、
電極群２１および′成極群２２にそれぞれ結合されてい
Ｑ。
一般に１本５！ｌ明のモノリッツクセラミックコンデン
サは、市ｍ焼成形の結晶ａ組成物９２〜９８ＭＭパーセ
ントおよび、１氏いブロック焼結を晶匿を得るための低
温焼成形の硼葭塩フラックス８〜２ 爪ｍｊ−４より成
るコンデンサブロック中で同時ｊＡ成された１つまたは
それ以上の低融点埋設屯＋ｊＡｔ注何する。従って、埋
設゛（極の耐火温Ｉｌを下廻る焼成畠就がｏＪ能である
。
サは、市ｍ焼成形の結晶ａ組成物９２〜９８ＭＭパーセ
ントおよび、１氏いブロック焼結を晶匿を得るための低
温焼成形の硼葭塩フラックス８〜２ 爪ｍｊ−４より成
るコンデンサブロック中で同時ｊＡ成された１つまたは
それ以上の低融点埋設屯＋ｊＡｔ注何する。従って、埋
設゛（極の耐火温Ｉｌを下廻る焼成畠就がｏＪ能である
。
ｒ％ 髄焼成形の結晶性組成物は、チタン酸マグネ／ク
ム亜珀９０〜９５重−パーセントおよびチタン改カルシ
ウム１０〜５虚破パーセントより成る。チタン酸マグネ
シウム亜鉛は、式：ＭｇＸＺｎｙＴｉ０３ ｋ有し、有
利に式中Ｘが［１，５〜Ｕ、８５およびｙが０．２〜０
．４である組成物から選択されΦ。ざら知詳しくは、有
利に、式中Ｘが０．６７およびｙが０．６６である組成
物が卓−相のチタン酸マグネシウム亜鉛を生じ、これか
エックス−分元副元またはエレクトロンマイクログロー
グにより容易に同定されかつ製造中の１ｂ１」御がｌ！
ＪＩｒＬかつ容易である。
ム亜珀９０〜９５重−パーセントおよびチタン改カルシ
ウム１０〜５虚破パーセントより成る。チタン酸マグネ
シウム亜鉛は、式：ＭｇＸＺｎｙＴｉ０３ ｋ有し、有
利に式中Ｘが［１，５〜Ｕ、８５およびｙが０．２〜０
．４である組成物から選択されΦ。ざら知詳しくは、有
利に、式中Ｘが０．６７およびｙが０．６６である組成
物が卓−相のチタン酸マグネシウム亜鉛を生じ、これか
エックス−分元副元またはエレクトロンマイクログロー
グにより容易に同定されかつ製造中の１ｂ１」御がｌ！
ＪＩｒＬかつ容易である。
本発明の弔１の有利な実軸９“りにおいて、第１図およ
び第２図におけるよなモノリッツクセラミックコンデン
サは、７０Ａｇ３０Ｐｄ（止敏比）合金より成る埋設奄
億を有する。この合金は、約１１５０″°Ｃの融点を何
する。このコンデン丈ｆ）クロッ／Ｉ’Ｌ、’／ ３．
４ （Ｍｇ弛”ｎ）Ｓ ’ｒｔｏ３） ６．６（ＣａＴ
ｉＯ３） （重量比）より成る高諷焼成形の１．、晶注
成分９６亜澁パーセント、およびガラス状のフラックス
相、すなわちＣｄＯ： ２ＺｎＯ： Ｂ２０３（記号：
はこれら酸化ζ勿のモル比ケ示ｊ）４嵐ｔパーセントよ
り成る。
び第２図におけるよなモノリッツクセラミックコンデン
サは、７０Ａｇ３０Ｐｄ（止敏比）合金より成る埋設奄
億を有する。この合金は、約１１５０″°Ｃの融点を何
する。このコンデン丈ｆ）クロッ／Ｉ’Ｌ、’／ ３．
４ （Ｍｇ弛”ｎ）Ｓ ’ｒｔｏ３） ６．６（ＣａＴ
ｉＯ３） （重量比）より成る高諷焼成形の１．、晶注
成分９６亜澁パーセント、およびガラス状のフラックス
相、すなわちＣｄＯ： ２ＺｎＯ： Ｂ２０３（記号：
はこれら酸化ζ勿のモル比ケ示ｊ）４嵐ｔパーセントよ
り成る。
このｌの多数の試験用コンデンサを、イＩり造的に第２
図の多層埋設コンデンサに埴以Ｋｄ造した。若干のもの
が定＠＃Ｍ３［Ｊｐｒτ何し、かつ他のものが大さいグ
ロックとともに〉を俗ｇｂｈ３０ （Ｊ ｐｆ乞何する
。これらコンデンサは、ＩＭＨｚで５”０００〜＋ １
ｕｕｏのＱを何する。
図の多層埋設コンデンサに埴以Ｋｄ造した。若干のもの
が定＠＃Ｍ３［Ｊｐｒτ何し、かつ他のものが大さいグ
ロックとともに〉を俗ｇｂｈ３０ （Ｊ ｐｆ乞何する
。これらコンデンサは、ＩＭＨｚで５”０００〜＋ １
ｕｕｏのＱを何する。
ＴＣＣは、−５５℃で正、すなわちＰ±５ｐｐｍ／°Ｃ
であり、かつ＋＋２５”ＣでＰ３０±５ｐｐｍ／Ｃであ
る。誘屯率はｆ１２０である。これらデータを、第１衣
中にレリ２８としてまとめた。
であり、かつ＋＋２５”ＣでＰ３０±５ｐｐｍ／Ｃであ
る。誘屯率はｆ１２０である。これらデータを、第１衣
中にレリ２８としてまとめた。
前述と同種の試験用コンデンサは、セラミックコンパウ
ンドＭｇ４． Ｚｎ５ＨＴｔ０３が得らねる割合のＭｇ
ＣＯ３、ＺｎＯおよびＴｉＯ２に加え、分配される前記
６．６ ｍ彼パーセントのＣａＴｉＯ３の址および割合
のＣａＯ＃６よびＴｉＯ２の１子工学グレードの粉末乞
はじめに１時間ボールミル粉砕することにより製造す０
゜その後ＫＳ粉砕された粉末を、乾燥し、造位しυ）つ
１１５Ｕ〜１２００℃で収焼した。その後に、このもの
を平均拉径豹１．５ミクロンになるまで噴射倣粉砕した
。その後圧、得られ粉末に７ラツクスの酸化物成分粉末
を混合した。この粉木混曾物を有偵フラックスビヒクル
および結合剤混合物とボールミル中で合し、、っ１４．
び６時間、０伜した。この彷伜された材料θゝらスンリ
ーを製造し、これを薄いシートに成形し１Ｊ’つ＋ｇｍ
した。銀およびパラジウムを含何丁Φ亀使用インキケ、
右十のこれらシートにスクリーンＬＩ］刷した。果頂体
乞これら印桐シートから形成し、かつ最低１枚の未印刷
ソート乞この果槓体頂部の印刷奄慣上Ｖｃ載ｉｆｆ し
た。この果禎体をチッグにダイス切断し、かつこれらテ
ラｆを８ＬｌＯ℃に加熱して残存付城材＋−１を除去し
た。これらチッグ？：２％時間＋１１ＪＵ”Ｃで督閉坩
堝中で焼成し、完全に出来上った緊密な無孔賀グロック
を裏瑣し０１つ同時に＠Ｌ使幌およびブロックの両者を
焼結した。
ンドＭｇ４． Ｚｎ５ＨＴｔ０３が得らねる割合のＭｇ
ＣＯ３、ＺｎＯおよびＴｉＯ２に加え、分配される前記
６．６ ｍ彼パーセントのＣａＴｉＯ３の址および割合
のＣａＯ＃６よびＴｉＯ２の１子工学グレードの粉末乞
はじめに１時間ボールミル粉砕することにより製造す０
゜その後ＫＳ粉砕された粉末を、乾燥し、造位しυ）つ
１１５Ｕ〜１２００℃で収焼した。その後に、このもの
を平均拉径豹１．５ミクロンになるまで噴射倣粉砕した
。その後圧、得られ粉末に７ラツクスの酸化物成分粉末
を混合した。この粉木混曾物を有偵フラックスビヒクル
および結合剤混合物とボールミル中で合し、、っ１４．
び６時間、０伜した。この彷伜された材料θゝらスンリ
ーを製造し、これを薄いシートに成形し１Ｊ’つ＋ｇｍ
した。銀およびパラジウムを含何丁Φ亀使用インキケ、
右十のこれらシートにスクリーンＬＩ］刷した。果頂体
乞これら印桐シートから形成し、かつ最低１枚の未印刷
ソート乞この果槓体頂部の印刷奄慣上Ｖｃ載ｉｆｆ し
た。この果禎体をチッグにダイス切断し、かつこれらテ
ラｆを８ＬｌＯ℃に加熱して残存付城材＋−１を除去し
た。これらチッグ？：２％時間＋１１ＪＵ”Ｃで督閉坩
堝中で焼成し、完全に出来上った緊密な無孔賀グロック
を裏瑣し０１つ同時に＠Ｌ使幌およびブロックの両者を
焼結した。
第２の旬“４りな実施料において、モノリッツクセラミ
ックコンデンサは７ ＬＪ Ａｇ ３０ ｐａ会Ｑより
成る棚設゛也極を何丁勺。このブロックは、尚ａｓ成形
成分： ｙ６．４ （ＭｇｇＺｎｇＴｉ０３ ） ６．
６（ＣａＴｉＯ３） ９７ ＭＬ ｇパーセントオよび
ガラス相、すなわち’７３ ＭｇＯ： ％ ＺｎＯ：
Ｂ２Ｏ３（または２Ｍｇ０ ： ＺｎＯ： ３ Ｂ２Ｏ
３） ６２１ｍバーセントより成り。この材料より成り
モノリンツクコンデンサは、以下の例２１のデータケベ
ースとしてＱｌ ０ＬＩＬＩＬＩ以上およびＴＣＣ±６
０ｐｐｍ／’０以Ｐ３を有するものと勘侍された。
ックコンデンサは７ ＬＪ Ａｇ ３０ ｐａ会Ｑより
成る棚設゛也極を何丁勺。このブロックは、尚ａｓ成形
成分： ｙ６．４ （ＭｇｇＺｎｇＴｉ０３ ） ６．
６（ＣａＴｉＯ３） ９７ ＭＬ ｇパーセントオよび
ガラス相、すなわち’７３ ＭｇＯ： ％ ＺｎＯ：
Ｂ２Ｏ３（または２Ｍｇ０ ： ＺｎＯ： ３ Ｂ２Ｏ
３） ６２１ｍバーセントより成り。この材料より成り
モノリンツクコンデンサは、以下の例２１のデータケベ
ースとしてＱｌ ０ＬＩＬＩＬＩ以上およびＴＣＣ±６
０ｐｐｍ／’０以Ｐ３を有するものと勘侍された。
多収のウエーハコンデンｆを、１男ｌｔ体組成変動の電
気的パラメータに対する相対的効果を創建するため製造
した。
気的パラメータに対する相対的効果を創建するため製造
した。
原料粉末より成るスラリーを、板ガラス上にドクターブ
レード法を使用し流娘した。流延シートを乾燥するｐｌ
ＡＶＣ，約１０１×１０關Ｘ０．５鵜の正方形に切断し
た。有機納会剤を、２時間８００“Ｃで加熱すること罠
より除去した。これら四角片を、そ閉坩堝中で１１Ｌｌ
Ｏ’Ｏ（他に別記しない限り）で２％時間焼成した。そ
の後に妓°也極を谷焼成四用片の対ＩＣＩＩ主面に施こ
した。
レード法を使用し流娘した。流延シートを乾燥するｐｌ
ＡＶＣ，約１０１×１０關Ｘ０．５鵜の正方形に切断し
た。有機納会剤を、２時間８００“Ｃで加熱すること罠
より除去した。これら四角片を、そ閉坩堝中で１１Ｌｌ
Ｏ’Ｏ（他に別記しない限り）で２％時間焼成した。そ
の後に妓°也極を谷焼成四用片の対ＩＣＩＩ主面に施こ
した。
全ての試験材料の４竃率は約２０であり、かつこれらウ
ェーへのキャバ／タンス１直は、ＴＣＣおよびＱ（また
はＤＦ）の絶対測定を行なうことが不可能である程度に
わずかであ金；但しウエーハコンデンを特注の相対差が
、）虫々の配合の相対的％註の確実な表示を提供する。
ェーへのキャバ／タンス１直は、ＴＣＣおよびＱ（また
はＤＦ）の絶対測定を行なうことが不可能である程度に
わずかであ金；但しウエーハコンデンを特注の相対差が
、）虫々の配合の相対的％註の確実な表示を提供する。
第１表にそのデータ馨抜とめた例１〜２２において、誘
成体の萬ｍ焼成形の成分は、前記第１の有利な実施例の
９３．４ （Ｍｇ、ＺｎＨＴＬＯ３）６．６ （（’ａ
Ｔｔ０３ ）である。
成体の萬ｍ焼成形の成分は、前記第１の有利な実施例の
９３．４ （Ｍｇ、ＺｎＨＴＬＯ３）６．６ （（’ａ
Ｔｔ０３ ）である。
第 １ 表
２ Ｉ６．ＯＬｌ、Ｌｌ８ Ｐ２Ｉ Ｆ７０３ Ｉ４．
０ υ、０８ Ｆ７４ Ｆ８２４ ＣｄＯ：２Ｚ口ｏ：
５２ｏ３ ６．（Ｊ １１ ０．０３ Ｎ１４ Ｆ６５
２ＣｄＯ：ＺｎＯ：８２０３ ６．ｏ １−［Ｊ ０
．０８ Ｐ７６Ｐｂ！０６ ０．３７ＺｎＯ：０．６３
Ｂ２０３２．Ｕ ２．２ ｕ−（Ｊ４ Ｆ２８ Ｆ５７
７ ＃４．０ ４．５ ０．［Ｊ６ Ｎ１９ Ｆ１４８
Ｉ６．Ｕ υ、０７ ＮＳ１ ＮＶ）９ １２ａｉｇ
ｏ、：ｓ２ｏ、 ４．０ 、Ｉ８”Ｕ、Ｌｌ６ Ｆ９
Ｆ５４１０ ＢａＯ：４Ｂ２０３ １．５ １．８ ０
−０６５ＮＴＯＮ２７１１ １４．０ υ、１２ Ｎ２
７ ＰＩＯ１２ＢａＯ：２Ｂ２０３ １．５１−５ Ｌ
ｌ、Ｌｌ６７ ＮＶ ＮＩ４１３ Ｉ４．Ｕ Ｕ、１１
１”６４ Ｆ２０４４ ＢａＯ：８２０３ Ｌ！５
、ソ＋ ０．５６ Ｐ１８３Ｐ４田＋ｓ １４．０ ［
Ｊ、８５ Ｆ１４４ Ｆ２３１１６ ３Ｍ５ｏ：５２ｏ
３１．０ ．７Ｌ］ ０．７５ Ｐ１９ＬＩＰ１ａ［Ｊ
１７ ｌｂ５ １１ （Ｊ、１７ Ｆ７［ＪＯＰ４（Ｉ
４８ １３、（Ｊ ２．１Ｕ、Ｉ３ Ｐ＋ＯＦ４６１９
１４、Ｕ ２．９ ０．Ｉ４ Ｆ２２ Ｆ３８２０
ｌｂ、０ ３．８ ＬＪ、ｌＯＮ６ Ｐ３０注ｅ：肴１
１２５”［で焼成！１ｉｌｉｖＢ化例１，２および６に
おいて、１１００’Ｃで完全な焼結を得るのに十分な多
ｉｔの珪酸力にミウムフシックスが、大きいＤＦ４生じ
る。
０ υ、０８ Ｆ７４ Ｆ８２４ ＣｄＯ：２Ｚ口ｏ：
５２ｏ３ ６．（Ｊ １１ ０．０３ Ｎ１４ Ｆ６５
２ＣｄＯ：ＺｎＯ：８２０３ ６．ｏ １−［Ｊ ０
．０８ Ｐ７６Ｐｂ！０６ ０．３７ＺｎＯ：０．６３
Ｂ２０３２．Ｕ ２．２ ｕ−（Ｊ４ Ｆ２８ Ｆ５７
７ ＃４．０ ４．５ ０．［Ｊ６ Ｎ１９ Ｆ１４８
Ｉ６．Ｕ υ、０７ ＮＳ１ ＮＶ）９ １２ａｉｇ
ｏ、：ｓ２ｏ、 ４．０ 、Ｉ８”Ｕ、Ｌｌ６ Ｆ９
Ｆ５４１０ ＢａＯ：４Ｂ２０３ １．５ １．８ ０
−０６５ＮＴＯＮ２７１１ １４．０ υ、１２ Ｎ２
７ ＰＩＯ１２ＢａＯ：２Ｂ２０３ １．５１−５ Ｌ
ｌ、Ｌｌ６７ ＮＶ ＮＩ４１３ Ｉ４．Ｕ Ｕ、１１
１”６４ Ｆ２０４４ ＢａＯ：８２０３ Ｌ！５
、ソ＋ ０．５６ Ｐ１８３Ｐ４田＋ｓ １４．０ ［
Ｊ、８５ Ｆ１４４ Ｆ２３１１６ ３Ｍ５ｏ：５２ｏ
３１．０ ．７Ｌ］ ０．７５ Ｐ１９ＬＩＰ１ａ［Ｊ
１７ ｌｂ５ １１ （Ｊ、１７ Ｆ７［ＪＯＰ４（Ｉ
４８ １３、（Ｊ ２．１Ｕ、Ｉ３ Ｐ＋ＯＦ４６１９
１４、Ｕ ２．９ ０．Ｉ４ Ｆ２２ Ｆ３８２０
ｌｂ、０ ３．８ ＬＪ、ｌＯＮ６ Ｐ３０注ｅ：肴１
１２５”［で焼成！１ｉｌｉｖＢ化例１，２および６に
おいて、１１００’Ｃで完全な焼結を得るのに十分な多
ｉｔの珪酸力にミウムフシックスが、大きいＤＦ４生じ
る。
利４０噛酸カドミウム亜始が、クリ５のそ、ｆｌよりも
さらに低いＤＦ’Ｍよびさらに直騙的なＴＣＣを生じる
。
さらに低いＤＦ’Ｍよびさらに直騙的なＴＣＣを生じる
。
９’ｌｌ ６ （１） ２ ｉｌｌ ｐｉ バー （！
ｙ ト１７） ｒＭ 戚１１ｉ １Ｂ ハ、１１［］
０℃で十分な焼結を生じるが、但し例７および８の場合
さらに多緻であることからみて、低いＤＦのための、２
重皺パーセント＆下廻る＃ＪＩｔｔが、適当な焼結を得
るのに十分であることを示唆する。
ｙ ト１７） ｒＭ 戚１１ｉ １Ｂ ハ、１１［］
０℃で十分な焼結を生じるが、但し例７および８の場合
さらに多緻であることからみて、低いＤＦのための、２
重皺パーセント＆下廻る＃ＪＩｔｔが、適当な焼結を得
るのに十分であることを示唆する。
例９の硼酸ビスマスは、適当な焼結のため少くとも１１
２５’Ｃ程夏で焼成される必νがあるが、但し過大なり
Ｆ４示す材料が得らｔ′Ｌ金。
２５’Ｃ程夏で焼成される必νがあるが、但し過大なり
Ｆ４示す材料が得らｔ′Ｌ金。
例１０〜１５の１１ＩＪＩ戚パリクムは過大なりＦを生
じ、バリタムはフラックス中の主元系たりえないといプ
結−が得られた。
じ、バリタムはフラックス中の主元系たりえないといプ
結−が得られた。
例１８の硼酸マグネシウムは、他の謔を使用した例１６
．１７．１９および２ｏと比べ、最低のＤＦおよび最良
のＴＣＣ直−哩を祷るのにｊ杖遇であると思われる。
．１７．１９および２ｏと比べ、最低のＤＦおよび最良
のＴＣＣ直−哩を祷るのにｊ杖遇であると思われる。
例２１および２２で使用さ才またゎ１かなｈｌの吻酸マ
グネシウム亜狛フラックスは相対的に小さいＤＦか得ら
れ、かつ実幀にゎ１がな赦でさえ最適であることを示唆
する。この材料は、目的物乞さらにその中に配置１１合
体させろための潰れたフラックスであると思われる。
グネシウム亜狛フラックスは相対的に小さいＤＦか得ら
れ、かつ実幀にゎ１がな赦でさえ最適であることを示唆
する。この材料は、目的物乞さらにその中に配置１１合
体させろための潰れたフラックスであると思われる。
ざらに第１長のデータ中で、最ｉ４組成を生じΦ曲の髄
内を示すのが、α化繭糸の、その場合のチタニウム雇に
対するモル、ホ（モル％）である。フラックス中に存在
する他の元糸に対し最低限を定めるとすれは、同置撮り
２モルパーセントかほぼ最適であると思ゎｆ′１Φ。列
えは列６゜１８および２１の大きいＤＦ値かこのような
イパーを示す。これらデータから、Ｂ２Ｏ３はチタニウ
ムの１．０〜６．５モル％の軸回にあれはよいとの結−
が侍もれΦ。
内を示すのが、α化繭糸の、その場合のチタニウム雇に
対するモル、ホ（モル％）である。フラックス中に存在
する他の元糸に対し最低限を定めるとすれは、同置撮り
２モルパーセントかほぼ最適であると思ゎｆ′１Φ。列
えは列６゜１８および２１の大きいＤＦ値かこのような
イパーを示す。これらデータから、Ｂ２Ｏ３はチタニウ
ムの１．０〜６．５モル％の軸回にあれはよいとの結−
が侍もれΦ。
１５１９において、軸素（ｔＪ、０８七ルカ）はそのセ
ラミック組成妨馨児全に売結するのに明白に不十分であ
り、かつ硼素罠対するわずかなビスマス比を有するｆｌ
故ビスマスフラックスが良好な結果を生じると予−りさ
れ０゜クリ２１で得られた、ワずか２重臘パーセントの
７ラツクスか完全焼結を生じるという優れた結果は、さ
ら罠良好な結果か、幀改マグネ／ウム亜鉛フラックスの
破をさらＫはるかに下方へｒＡ節すりこと罠より得られ
うることを示唆する。
ラミック組成妨馨児全に売結するのに明白に不十分であ
り、かつ硼素罠対するわずかなビスマス比を有するｆｌ
故ビスマスフラックスが良好な結果を生じると予−りさ
れ０゜クリ２１で得られた、ワずか２重臘パーセントの
７ラツクスか完全焼結を生じるという優れた結果は、さ
ら罠良好な結果か、幀改マグネ／ウム亜鉛フラックスの
破をさらＫはるかに下方へｒＡ節すりこと罠より得られ
うることを示唆する。
フラックス中の多縦の他元素は同辺されるべきであり。
例えは、バリウム（同１０〜１５）およびカドミウム（
しＩ１１〜５）は、ＤＦを劣化させΦ作用を（４する。
しＩ１１〜５）は、ＤＦを劣化させΦ作用を（４する。
珪素（例１，２および６）は、ｌａ′温焼結を行なう場
合硼系程有効ではない。
合硼系程有効ではない。
従って、ＩＩＩＩ素は著◇しく有利であり、かつ面木の
モルｔ、ｔは少くとも珪素の２倍でなければならない。
モルｔ、ｔは少くとも珪素の２倍でなければならない。
全てりフラックスまたは冷仄物がなけれは、前ｍｉ：２
ｑｉａ Ｍのチタン献マグネシウム亜鉛は１２５０Ｃ
で焼結すると■」明した。他のｆ、験において、偶然に
も、わすＤ）な皺のチタンばカルシウムの暉加がＴＣＣ
を下方へ満開するだけでな（、また′焼結温度をｉａ減
させるように配・、恨された。クリえは、ＣａＴｉＯ３
５垂ｊｌｔ ％のぶ加が１２００′ＣＫＧける焼結を許
容する。
ｑｉａ Ｍのチタン献マグネシウム亜鉛は１２５０Ｃ
で焼結すると■」明した。他のｆ、験において、偶然に
も、わすＤ）な皺のチタンばカルシウムの暉加がＴＣＣ
を下方へ満開するだけでな（、また′焼結温度をｉａ減
させるように配・、恨された。クリえは、ＣａＴｉＯ３
５垂ｊｌｔ ％のぶ加が１２００′ＣＫＧける焼結を許
容する。
大きいマグネシウム言分を角するチタンばマグネシウム
亜鉛を例２６〜２７で試・灰した。この高マグネシウム
セラミックは、タムセラミックス社（ＴＡＭ Ｃｅｒａ
ｍｌｃｓ Ｃ０ｒｐＯｒａＬ１０ｎ＋ Ｎｌａｇａｒａ
Ｆａｌｌｓ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ ）により供６ ｇれ
た名称”タム“（ＴＡＭ ） 、％ ５２２２であり。
亜鉛を例２６〜２７で試・灰した。この高マグネシウム
セラミックは、タムセラミックス社（ＴＡＭ Ｃｅｒａ
ｍｌｃｓ Ｃ０ｒｐＯｒａＬ１０ｎ＋ Ｎｌａｇａｒａ
Ｆａｌｌｓ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ ）により供６ ｇれ
た名称”タム“（ＴＡＭ ） 、％ ５２２２であり。
この材料は、ル「成かほぼＭｇ％ｚｎ、 Ｔ ｉ ０３
である。
である。
第 ２ 次
２６ｂｃａｏ：２ｓｉｏ２６．Ｌ） １１Ｕ□” −−
−２４ＣｄＯ：２ＺｎＯ：８２０＋ ６．Ｑ ＩＩＵ［
Ｉ Ｕ、υ３ Ｐ８Ｐ６７２ｂ ４１．８ＣｄＯ：ｌｊ
、２Ｂｉ２０３：１７Ｐｂｏニア、５Ｚｎｏ＋ １１８
２０３’１６Ｓｉ０２：１．ｂＡ１２０３ Ｄ−ＬＪ
ＩＩ［ＪＬＪ”Ｌｌ、１６ Ｐ２ＬＬＩ ＦＥＵＤ井蒼
ナタンばカルシウムｋ ’ｂ％加せす第２衣において、
マグネシウムＶこｔ ｔｒ Ｍｇ曇Ｚｎ３．ＴｉＯ３’
ｔ ＣａＴｉＯ３７，５＆ ’ｋｍ ％と甘しυ）つ七
の後に６１虞の７ラツクスの１梱と脅し、１１００”Ｏ
Ｋ低減させた・焼結−厘、すなわら１１５００の固相移
１を有する７ ０ Ａｇ ３０ Ｐｄ 、ｆｆｌ設′畦
虜に開用１−るための冴全焼結一度と丁Φ。例２６にお
いて、６里址チの珪融カドミウムは、焼結を生じさせる
のに不十分であ９６例２４にす６いて、６ルｌｊ［％の
、！ｌＩ！鉛にＭむ輔藏カドミウム亜鉗は、十分な焼結
および州轟に低いＤＦか得られ金。
−２４ＣｄＯ：２ＺｎＯ：８２０＋ ６．Ｑ ＩＩＵ［
Ｉ Ｕ、υ３ Ｐ８Ｐ６７２ｂ ４１．８ＣｄＯ：ｌｊ
、２Ｂｉ２０３：１７Ｐｂｏニア、５Ｚｎｏ＋ １１８
２０３’１６Ｓｉ０２：１．ｂＡ１２０３ Ｄ−ＬＪ
ＩＩ［ＪＬＪ”Ｌｌ、１６ Ｐ２ＬＬＩ ＦＥＵＤ井蒼
ナタンばカルシウムｋ ’ｂ％加せす第２衣において、
マグネシウムＶこｔ ｔｒ Ｍｇ曇Ｚｎ３．ＴｉＯ３’
ｔ ＣａＴｉＯ３７，５＆ ’ｋｍ ％と甘しυ）つ七
の後に６１虞の７ラツクスの１梱と脅し、１１００”Ｏ
Ｋ低減させた・焼結−厘、すなわら１１５００の固相移
１を有する７ ０ Ａｇ ３０ Ｐｄ 、ｆｆｌ設′畦
虜に開用１−るための冴全焼結一度と丁Φ。例２６にお
いて、６里址チの珪融カドミウムは、焼結を生じさせる
のに不十分であ９６例２４にす６いて、６ルｌｊ［％の
、！ｌＩ！鉛にＭむ輔藏カドミウム亜鉗は、十分な焼結
および州轟に低いＤＦか得られ金。
これらは、それぞれ例１〜４で使用したのと同２５ Ｊ
ｋ ｍ％でさえセラミックｆＬ！：児全に焼結丁ＱのＶ
Ｃｉ＜不十分であり、そのφ尖ρ）大きいＤＦおよび大
ごいＴＣＣに反映され℃いる。
ｋ ｍ％でさえセラミックｆＬ！：児全に焼結丁ＱのＶ
Ｃｉ＜不十分であり、そのφ尖ρ）大きいＤＦおよび大
ごいＴＣＣに反映され℃いる。
約１〜２５は、ウエーハコンデン？ Ｋ Ｊ ｊΦ。
第６衣に、７０ Ａｇ／ ３０ ｐｄ也憤を何する４つ
の群のモノリッツクセラミックコンデンサから市ら第１
たテゞ−タ乞交とＮ５た。このも舎 Ｊ−ｔｌぞノ′ｊ
例２６袷よひ・２４のフシツクスフ１史↓１１シた？１
Ｊ２５および２７において、さら［予１．１の４ Ｉｌ
ｌ Ｉ＋ｉ矛の珪を俊カドミウムが、’晃請’；”：・
ｔじ／、） カ１＋、４ ｔ、七ノリシックセラミック
１１１ａ１４ ’！勿の過大なＱＹ小す。
の群のモノリッツクセラミックコンデンサから市ら第１
たテゞ−タ乞交とＮ５た。このも舎 Ｊ−ｔｌぞノ′ｊ
例２６袷よひ・２４のフシツクスフ１史↓１１シた？１
Ｊ２５および２７において、さら［予１．１の４ Ｉｌ
ｌ Ｉ＋ｉ矛の珪を俊カドミウムが、’晃請’；”：・
ｔじ／、） カ１＋、４ ｔ、七ノリシックセラミック
１１１ａ１４ ’！勿の過大なＱＹ小す。
し１２７の硼酸カドミウム亜冷が後れた特ロミをボ丁。
注目されるのは、このモノリシックのＤ Ｆかウェーハ
のそれよりも低いことでＤ）Φが、！ＩｉＪ述の曳尿は
、このような←ｌ！Ｉ ５ｊ￥馨１処めて小ざいＩＩη
のウェーハコンデンサでイｉ ｒｌうことの困熾注と関
連している。
のそれよりも低いことでＤ）Φが、！ＩｉＪ述の曳尿は
、このような←ｌ！Ｉ ５ｊ￥馨１処めて小ざいＩＩη
のウェーハコンデンサでイｉ ｒｌうことの困熾注と関
連している。
第 ６ 表
２６ ５ｃａｏ：２ｓｉｏ、 ４．０ １１１０ Ｕ、
Ｕ３５ Ｐ２ＯＰ５ＵＬＩ２７ ＣｄＯ：２ＺｎＯ：８
２０３ ４−０ １１００ ０．０Ｉ Ｐ２り Ｐ５３
２８ＣｄＯ：２ＺｎＯ：８２０３４．０ ＋１Ｌｌ［Ｉ
Ｕ、０１ Ｐ５ Ｐ３Ｌ１２９２ＭｇＯ：ｔｌｓ０３
４．ＯＮＵＯ［１，０２Ｐ７ Ｐ５０例ン８において
、ｌ／ｌＩ４のフラックスを匝Ｈ１丁Φとともに同じ比
奴＝１能な結果が潜らＪまた。まｌこｔＭホマグネシウ
ムーま、丙２？のモノリフツクコンデンサ甲で後れた結
果馨生じＱ。最後の６つのこれら七ノリシックコンデン
ｆＶＣおいて、きらにｂ丁ＩＰ ７．Ｃ慮りＣａ’Ｉ’
ｆ０３の水加か、ＴＣＣを零付近と丁ΦことをボしＩこ
。ｉＶ６．８虚絋饅が破過に遅いものと期待されり０ ナタ／、ｉカルシウムは、チクンＵマグネ／ウム亜ｍｌ
中ではいｆｇｒイ腿を有しθ）つグロック中のＱ７２相
として４仕す０゜ ｉＡｌの有々すな実軸列の誘屯体材料乞角するコノｆ’
ンサの涌れ抵抗測シｉｆｔ イボなうため、４つの大き
い１４００ｐｆコｙデフ ｆ ｆ 、並列に接続しかつ
１５０’Ｄに加熱した。１６０ボルトの尚ＤＣ屯圧を加
えると、これら未件下の１れ４訛は８ Ｘ １０’ Ｍ
オーム（または８ Ｘ １ ［１”オーム）であった。
Ｕ３５ Ｐ２ＯＰ５ＵＬＩ２７ ＣｄＯ：２ＺｎＯ：８
２０３ ４−０ １１００ ０．０Ｉ Ｐ２り Ｐ５３
２８ＣｄＯ：２ＺｎＯ：８２０３４．０ ＋１Ｌｌ［Ｉ
Ｕ、０１ Ｐ５ Ｐ３Ｌ１２９２ＭｇＯ：ｔｌｓ０３
４．ＯＮＵＯ［１，０２Ｐ７ Ｐ５０例ン８において
、ｌ／ｌＩ４のフラックスを匝Ｈ１丁Φとともに同じ比
奴＝１能な結果が潜らＪまた。まｌこｔＭホマグネシウ
ムーま、丙２？のモノリフツクコンデンサ甲で後れた結
果馨生じＱ。最後の６つのこれら七ノリシックコンデン
ｆＶＣおいて、きらにｂ丁ＩＰ ７．Ｃ慮りＣａ’Ｉ’
ｆ０３の水加か、ＴＣＣを零付近と丁ΦことをボしＩこ
。ｉＶ６．８虚絋饅が破過に遅いものと期待されり０ ナタ／、ｉカルシウムは、チクンＵマグネ／ウム亜ｍｌ
中ではいｆｇｒイ腿を有しθ）つグロック中のＱ７２相
として４仕す０゜ ｉＡｌの有々すな実軸列の誘屯体材料乞角するコノｆ’
ンサの涌れ抵抗測シｉｆｔ イボなうため、４つの大き
い１４００ｐｆコｙデフ ｆ ｆ 、並列に接続しかつ
１５０’Ｄに加熱した。１６０ボルトの尚ＤＣ屯圧を加
えると、これら未件下の１れ４訛は８ Ｘ １０’ Ｍ
オーム（または８ Ｘ １ ［１”オーム）であった。
抜だ測定を、ｆｉの感度で、１．りＸ１０７オームにな
った至諷（２５′Ｃ）１μに外」申すΦようにして行っ
た（これはは戚ＶＣ副建することができなかった）。こ
の、ｉｊｇ’ｉ４Ｌ体材料の相応丁Φ活注化エネルイ特
注は０．５８Ｖであると判明した。
った至諷（２５′Ｃ）１μに外」申すΦようにして行っ
た（これはは戚ＶＣ副建することができなかった）。こ
の、ｉｊｇ’ｉ４Ｌ体材料の相応丁Φ活注化エネルイ特
注は０．５８Ｖであると判明した。
チタン鍍マグネシウム！１１！此かゾチタン鍍マダイゾ
ウムのように不還元註でありうΦというロ■ｄピ註は、
前述の本山・佇ｃｆＦ明則ジ第４５０８５７Ｌ１号によ
り示唆されていり。もしチタン版マグネシウム亜玲か不
還元注たりえたならは、こハは、鋼筐たは圏の安１１１
＋１な礒基陛金桶屯憾と、一台ゼΦことを０１能にす０
０ ９６．４ （Ｍｇ、ｆａ ＺｎＭ Ｔ” ０３ ） ６
−６ （ＣａＴｉ○３）およびＭｇｏ ： Ｂ２Ｏ３の
ウェーハコンデン？ン、ｊβ累１０−９気圧の還元雰囲
気中で１ｏ６５”Ｃで２時間焼成し熟成させた。このブ
ロックは半導体であった。その色調は、債Ａ焼成麦罠示
される背萼のクリーム色よりはむしろ〃灰色であった。
ウムのように不還元註でありうΦというロ■ｄピ註は、
前述の本山・佇ｃｆＦ明則ジ第４５０８５７Ｌ１号によ
り示唆されていり。もしチタン版マグネシウム亜玲か不
還元注たりえたならは、こハは、鋼筐たは圏の安１１１
＋１な礒基陛金桶屯憾と、一台ゼΦことを０１能にす０
０ ９６．４ （Ｍｇ、ｆａ ＺｎＭ Ｔ” ０３ ） ６
−６ （ＣａＴｉ○３）およびＭｇｏ ： Ｂ２Ｏ３の
ウェーハコンデン？ン、ｊβ累１０−９気圧の還元雰囲
気中で１ｏ６５”Ｃで２時間焼成し熟成させた。このブ
ロックは半導体であった。その色調は、債Ａ焼成麦罠示
される背萼のクリーム色よりはむしろ〃灰色であった。
駅インキをブロック終端部に自相しかつ仝紮（中で８０
［Ｊ ＝Ｏで焼成し、淑端子を形成した。この全スを
焼成か、実際の丹戚化およびクリーム色への山啼ヲ生じ
た。しかしながら、これらコンデンサのＱが匣めて低く
、かつこれらは使用不ｎごであった。
［Ｊ ＝Ｏで焼成し、淑端子を形成した。この全スを
焼成か、実際の丹戚化およびクリーム色への山啼ヲ生じ
た。しかしながら、これらコンデンサのＱが匣めて低く
、かつこれらは使用不ｎごであった。
不殆明のコンデンサ中のチタン版マグネ／ウム亜此組成
切が還元雰囲気中で焼成されえない足せよ、これらは低
融点の７０ Ａｇ ３ （Ｊ Ｐｄ−倹をき何す９こと
ができθ）っ１１ Ｕ Ｏ”Ｃで惨めてわ１゛かなフラ
ックスを圧用し・焼１戎されΦことができ；かつこれら
は有利に憧めて大きい。１直を示す。
切が還元雰囲気中で焼成されえない足せよ、これらは低
融点の７０ Ａｇ ３ （Ｊ Ｐｄ−倹をき何す９こと
ができθ）っ１１ Ｕ Ｏ”Ｃで惨めてわ１゛かなフラ
ックスを圧用し・焼１戎されΦことができ；かつこれら
は有利に憧めて大きい。１直を示す。
４ 図ＬＩＩｌり間車な睨明
第１図および弔２図は、本発明てよＱコンデンサの省漬
のそれぞれ１天〃ｌ！１列’（！ｌ” １５丁４■而区
ｊである。
のそれぞれ１天〃ｌ！１列’（！ｌ” １５丁４■而区
ｊである。
１０・・・セラミックゾロツク、１１・・・埋設置α４
Ｊ３゜１２・・・外部接点、１３・・・′ぼ怜、２０・
・・セラミックゾロツク、２１・・・１群の４ ｒ＋Ｑ
：４惟、２２・・・期の群の埋設電惰、２３．２４・
・・外部４子ｌｆ） − １１ １３−・ ＩＧ ｉ Ｆ工Ｇ ２ 乞うミソ７ノロソク １デを交ソート電オル （ネｙ
Ｊ３゜１２・・・外部接点、１３・・・′ぼ怜、２０・
・・セラミックゾロツク、２１・・・１群の４ ｒ＋Ｑ
：４惟、２２・・・期の群の埋設電惰、２３．２４・
・・外部４子ｌｆ） − １１ １３−・ ＩＧ ｉ Ｆ工Ｇ ２ 乞うミソ７ノロソク １デを交ソート電オル （ネｙ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｉＭＨｚで最低５０００のＱを荷するコンデンサに
おい工、緊密に焼成されたセラミックブロック（１０）
および前記ブロック中罠埋設されたＮｋ低１つの７−ト
亀憾（１１）より成り、目ｔＩＲ己最低１つの′電極（
１３）か１つのブロック面に延び、前記ブロックが前記
埋設された電極と同時焼成されており；前記グロックが
高温・焼成形のセラミック組成′４Ｉ！１９２〜９８嵐
ｋｌｋ％粘よび低温焼成形の硼ば塩７ラツクス８〜２真
鼠−より成り、前ｄＣ高温焼成形二 セラック組成物か実質的にチタ／ｒ：Ｉ！マグネ７ウム
亜鉛ソＯ〜ソ５重首チおよびチタン醒カルシウム１０〜
５皿童チより成ることを特徴とするモノリ７ツクセラミ
ツクコンデン？１２、前Ｈｅ低ｍ焼成形の硼酸塩フシッ
クスが５〜２ｍｊｔ斧の皺であることを′＃象とす金、
特許請求の範囲第１項記載りモノリフツクセラミックコ
ンデンサ。 ６、前記チタン醒マグネシウム亜鉛が、分子式：％式％ 〔式中、Ｘか０．５〜０．８５テア’）ａ−ッｙカＬ１
．２〜Ｕ、４である〕を有することヲ待叙とする、′特
許請求の範囲第１項記載の七ノリノックセラミックコン
デンサ。 ４、 前記チタン咳マグネシウム４１１！鉛がＭｇ、４
Ｚｎｙｓ’Ｉ’ＬＯ５テあり、カつ＠ｉｅ ＣａＴ
ｉ０３が前記＝ｍｓ成形セラミックの亜瀘の６．８％を
形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
モノリフツクセラミックコンデンサ。 ５、 前記硼＄ｍ７ラツクスカ、ｏＣｄ ： ２５ＬＯ
２＋ＣｄＯ： ２ ＺｎＯ： ８２０３ 、０．５７
ＺｎＯ： ０−６３８２０３ ＋ ６ ＭｇＯ： ８２
０３および２ ＭｇＯ： ＺｎＯ：６Ｂ２０３から選択
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記賊のモ
ノリフツクセラミックコンデンサ。 ６、 ０’ｔｌ記ブロツク中の８２０３の祷朧が、チタ
ニラム原子の連の１〜６．５モルパーセントであること
を特徴とする特ｉｆ’Ｆｊ？１求の範囲第１項ｍｌ叔の
モノリシックセラミックコンデンサ。 Ｚ 前ｄピッラックス中の硼素が、珪素の址の最低２倍
であることをｔＰｉ徴とする、特許請求の範囲第１項記
載のモノリシックセラミックコンデンサ。 ８、前記埋設′電極が、約１１５０’Ｃの融点を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１、！Ｊｌ記幀のモ
ノリシックセラミックコンデンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/597,907 US4533974A (en) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | Low-firing high Q monolithic ceramic capacitor |
| US597907 | 1984-04-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229323A true JPS60229323A (ja) | 1985-11-14 |
| JPH0415604B2 JPH0415604B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=24393411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60073669A Granted JPS60229323A (ja) | 1984-04-09 | 1985-04-09 | モノリシツクセラミツクコンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4533974A (ja) |
| JP (1) | JPS60229323A (ja) |
| BE (1) | BE902122A (ja) |
| CA (1) | CA1207042A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0155364B1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-03-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic materials for use in soliddielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| JPS60118666A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| US4845062A (en) * | 1987-10-19 | 1989-07-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-firing dielectric composition |
| US4882651A (en) * | 1988-12-05 | 1989-11-21 | Sprague Electric Company | Monolithic compound-ceramic capacitor |
| US5367430A (en) * | 1992-10-21 | 1994-11-22 | Presidio Components, Inc. | Monolithic multiple capacitor |
| US6251816B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-06-26 | Mra Laboratories, Inc. | Capacitor and dielectric ceramic powder based upon a barium borate and zinc silicate dual-component sintering flux |
| US6309995B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-10-30 | Mra Laboratories, Inc. | Magnesium zinc titanate powder with a barium boron lithium silicate flux and a multilayer ceramic COG capacitor made therefrom |
| US20040099999A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-05-27 | Borland William J. | Co-fired capacitor and method for forming ceramic capacitors for use in printed wiring boards |
| US7378363B2 (en) * | 2005-05-20 | 2008-05-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Dielectric ceramic composition having wide sintering temperature range and reduced exaggerated grain growth |
| AU2015202239B2 (en) * | 2010-08-24 | 2016-11-17 | Collagen Solutions Nz Limited | Biomaterials with enhanced properties and devices made therefrom |
| CN112624754B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-11-29 | 赣州中傲新瓷科技有限公司 | 高频电容器用ltcc瓷粉及其制备工艺 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101952A (en) * | 1976-08-17 | 1978-07-18 | Sprague Electric Company | Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor |
| US4308570A (en) * | 1980-02-25 | 1981-12-29 | Sprague Electric Company | High Q monolithic capacitor with glass-magnesium titanate body |
-
1984
- 1984-04-09 US US06/597,907 patent/US4533974A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-03-29 CA CA000477975A patent/CA1207042A/en not_active Expired
- 1985-04-04 BE BE0/214795A patent/BE902122A/fr not_active IP Right Cessation
- 1985-04-09 JP JP60073669A patent/JPS60229323A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4533974A (en) | 1985-08-06 |
| BE902122A (fr) | 1985-10-04 |
| JPH0415604B2 (ja) | 1992-03-18 |
| CA1207042A (en) | 1986-07-02 |
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