JPS6023430B2 - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS6023430B2 JPS6023430B2 JP52049962A JP4996277A JPS6023430B2 JP S6023430 B2 JPS6023430 B2 JP S6023430B2 JP 52049962 A JP52049962 A JP 52049962A JP 4996277 A JP4996277 A JP 4996277A JP S6023430 B2 JPS6023430 B2 JP S6023430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble memory
- magnetic bubble
- output signal
- memory device
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリデバイス、特に静電結合雑音
を低減させた磁気バブルメモリデバイスに関するもので
ある。
を低減させた磁気バブルメモリデバイスに関するもので
ある。
一般に、磁気バブルメモリデバイスは、磁性薄膜および
この磁性薄膜上に形成された軟強磁性体薄膜のパタンよ
りなる磁気バブルメモリチップと、上記チップと外部回
路間との信号伝搬を行なうリード線と、上記チップに対
して水平な回転磁界を与えるコイルブロックと、上記チ
ップに対して垂直なバイアス磁界を与える磁石ブロック
とから主に構成されており、上記軟強磁性体薄膜のパタ
ンに磁気バブルを発生、転送および分割させることによ
って所望の情報を書込み、記憶、議出しを行なっている
。
この磁性薄膜上に形成された軟強磁性体薄膜のパタンよ
りなる磁気バブルメモリチップと、上記チップと外部回
路間との信号伝搬を行なうリード線と、上記チップに対
して水平な回転磁界を与えるコイルブロックと、上記チ
ップに対して垂直なバイアス磁界を与える磁石ブロック
とから主に構成されており、上記軟強磁性体薄膜のパタ
ンに磁気バブルを発生、転送および分割させることによ
って所望の情報を書込み、記憶、議出しを行なっている
。
第１図ａ，ｂは従来の磁気バブルメモリデバイスの一例
を示す要部破砕平面図、そのＡ−Ａ′断面図である。
を示す要部破砕平面図、そのＡ−Ａ′断面図である。
同図において、１はセラミックなどによって形成された
絶縁基板であり、この絶縁基板１のほぼ中央部には、磁
気バブルメモリ素子２が埋設して固定配置されている。
そして、この磁気バブルメモリ素子２内の図示しない磁
気バブル検出器の出力信号は、上記絶縁基板１上に導電
部材を印刷塗布などの方法によって被着形成された配線
パタンからなる出力信号配線３ａ，３ｂを介して絶縁基
板１の端部に設けられた出力信号端子４ａ，４ｂにそれ
ぞれ接続されている。また、上記磁気バブルメモリ素子
２が収納された絶縁基板１は、その外周面側にそれぞれ
×軸万向にＸコイル５ａおよびＹ軸方向にＹコイル５ｂ
が互いに直交して巻回され、上記磁気バブルメモリ素子
２に回転磁界を供給している。このように構成された磁
気バブルメモリデバイスにおいて、磁気バブルメモリ素
子２内の磁気バブル検出器によって検出された微小な磁
気バブル検出信号は、出力信号配線３ａ，３ｂおよび出
力端子４ａ，４ｂを介して図示しない外部の差動増幅器
に供給され、増幅されるとともに、検出信号の蓋信号に
よって約４ｍＶの磁気バブルメモリ出力信号を得ている
。
絶縁基板であり、この絶縁基板１のほぼ中央部には、磁
気バブルメモリ素子２が埋設して固定配置されている。
そして、この磁気バブルメモリ素子２内の図示しない磁
気バブル検出器の出力信号は、上記絶縁基板１上に導電
部材を印刷塗布などの方法によって被着形成された配線
パタンからなる出力信号配線３ａ，３ｂを介して絶縁基
板１の端部に設けられた出力信号端子４ａ，４ｂにそれ
ぞれ接続されている。また、上記磁気バブルメモリ素子
２が収納された絶縁基板１は、その外周面側にそれぞれ
×軸万向にＸコイル５ａおよびＹ軸方向にＹコイル５ｂ
が互いに直交して巻回され、上記磁気バブルメモリ素子
２に回転磁界を供給している。このように構成された磁
気バブルメモリデバイスにおいて、磁気バブルメモリ素
子２内の磁気バブル検出器によって検出された微小な磁
気バブル検出信号は、出力信号配線３ａ，３ｂおよび出
力端子４ａ，４ｂを介して図示しない外部の差動増幅器
に供給され、増幅されるとともに、検出信号の蓋信号に
よって約４ｍＶの磁気バブルメモリ出力信号を得ている
。
しかしながら、上記構成による磁気バブルメモリデバィ
スにおいて、回転磁界を発生するＸコイル５ａおよびＹ
コイル５ｂは、第２図ａに示したように、そのコイルの
軸０方向（Ｌ方向）に対しての電圧ＶＬの分布は第２図
ｂに示したように一様増加あるいは一様減少の関数を有
している。
スにおいて、回転磁界を発生するＸコイル５ａおよびＹ
コイル５ｂは、第２図ａに示したように、そのコイルの
軸０方向（Ｌ方向）に対しての電圧ＶＬの分布は第２図
ｂに示したように一様増加あるいは一様減少の関数を有
している。
一方、このように、端子電圧の電位分布が異なったＸコ
イル５ａ，Ｙコイル５ｂは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に
それぞれ直交して組合され、上記出力信号配線３ａ，３
ｂがこのＸコイル５ａおよびＹコイル５ｂの開口端側か
ら引き出されている構成となっている。このため、Ｘ，
Ｙコイル５ａ，５ｂと出力信号配線３ａ間と、Ｘ，Ｙコ
イル５ａ，５ｂと出力信号配線３ｂ間との間にわずかな
静電容量差（容量結合のアンバランス）があると、出力
端子４ａと出力端子４ｂとの間ではそれぞれ振幅の異な
った静電結合雑音が検出信号に重畳し、差敷増幅器で検
出信号を増幅する際、その静電結合雑音の差分（アンバ
ランス分）が増幅され、磁気バブルメモリ出力信号のＳ
／Ｎ比を著しく低下させてしまい、磁気バブルメモリ出
力の判別を極めて困難なものにしてしまうなどの欠点を
有している。したがって、本発明の目的は、上記の欠点
を改善するためになされたものであり、静電結合雑音を
低減させ、磁気バブルメモリ出力信号のＳノＮ比を大幅
に向上させた磁気バブルメモリデバイスを提供すること
にある。
イル５ａ，Ｙコイル５ｂは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に
それぞれ直交して組合され、上記出力信号配線３ａ，３
ｂがこのＸコイル５ａおよびＹコイル５ｂの開口端側か
ら引き出されている構成となっている。このため、Ｘ，
Ｙコイル５ａ，５ｂと出力信号配線３ａ間と、Ｘ，Ｙコ
イル５ａ，５ｂと出力信号配線３ｂ間との間にわずかな
静電容量差（容量結合のアンバランス）があると、出力
端子４ａと出力端子４ｂとの間ではそれぞれ振幅の異な
った静電結合雑音が検出信号に重畳し、差敷増幅器で検
出信号を増幅する際、その静電結合雑音の差分（アンバ
ランス分）が増幅され、磁気バブルメモリ出力信号のＳ
／Ｎ比を著しく低下させてしまい、磁気バブルメモリ出
力の判別を極めて困難なものにしてしまうなどの欠点を
有している。したがって、本発明の目的は、上記の欠点
を改善するためになされたものであり、静電結合雑音を
低減させ、磁気バブルメモリ出力信号のＳノＮ比を大幅
に向上させた磁気バブルメモリデバイスを提供すること
にある。
このような目的を達成するために、本発明による磁気バ
ブルメモリデバイスは、回転磁界発生コイルの電位分布
の低圧側から磁気バブルメモリ素子の出力信号配線を引
き出すようにしたものである。
ブルメモリデバイスは、回転磁界発生コイルの電位分布
の低圧側から磁気バブルメモリ素子の出力信号配線を引
き出すようにしたものである。
以下図面を用いて本発明による磁気バブルメモリデバイ
スについて詳細に説明する。第３図は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一例を示す要部平面図であり、
第１図ａ，ｂと同記号は同一要素となるのでその説明は
省略する。
スについて詳細に説明する。第３図は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一例を示す要部平面図であり、
第１図ａ，ｂと同記号は同一要素となるのでその説明は
省略する。
同図において、５ａ，は回転磁界発生Ｘコイル５ａの電
位分布の低圧側であり、５ａ２はその高圧側である。ま
た、５０は回転磁界発生Ｙコイル５ｂの電位分布の低圧
側であり、５Ｑはその高圧側である。このように構成さ
れた回転磁界発生用Ｘ，Ｙコイル５ａ，５ｂにおいて、
このＸ，Ｙコイル５ａ，５ｂの端子電圧の電位分布が低
い低圧側５ａ，と５ｂ，とによって構成された関口部５
ｃ側から上記磁気バブルメモリ素子２の出力信号配線３
ｃ，３ｄを引き出し、出力端子４ｃ，４ｄに接続されて
いる。つまり、回転磁界発生Ｘコイル５ａ，Ｙコイル５
ｂの電位分布の低い開□部側に配線パタンからなる出力
信号配線３ｃ，３ｄを絶縁基板１上に被看形成したもの
である。このように構成された磁気バブルメモリデバイ
スにおいて、回転磁界発生用×コイル５ａ，Ｙコイル５
ｂの電位分布の低い低圧側５ａ，，５ｂ，の開□部５ｃ
側から出力信号配線３ｃ，３ｄを引き出したことによっ
て、出力信号配線３ｃ，３ｄに華畳される静電結合雑音
は従釆に比べて約１／１０以下となるとともに、静電結
合のアンバランス分の雑音が従来の１．３ｍＶに比べて
０．５ｍＶ以下に低減させることができた。
位分布の低圧側であり、５ａ２はその高圧側である。ま
た、５０は回転磁界発生Ｙコイル５ｂの電位分布の低圧
側であり、５Ｑはその高圧側である。このように構成さ
れた回転磁界発生用Ｘ，Ｙコイル５ａ，５ｂにおいて、
このＸ，Ｙコイル５ａ，５ｂの端子電圧の電位分布が低
い低圧側５ａ，と５ｂ，とによって構成された関口部５
ｃ側から上記磁気バブルメモリ素子２の出力信号配線３
ｃ，３ｄを引き出し、出力端子４ｃ，４ｄに接続されて
いる。つまり、回転磁界発生Ｘコイル５ａ，Ｙコイル５
ｂの電位分布の低い開□部側に配線パタンからなる出力
信号配線３ｃ，３ｄを絶縁基板１上に被看形成したもの
である。このように構成された磁気バブルメモリデバイ
スにおいて、回転磁界発生用×コイル５ａ，Ｙコイル５
ｂの電位分布の低い低圧側５ａ，，５ｂ，の開□部５ｃ
側から出力信号配線３ｃ，３ｄを引き出したことによっ
て、出力信号配線３ｃ，３ｄに華畳される静電結合雑音
は従釆に比べて約１／１０以下となるとともに、静電結
合のアンバランス分の雑音が従来の１．３ｍＶに比べて
０．５ｍＶ以下に低減させることができた。
したがって、磁気バブルメモリ出力信号のＳ／Ｎ比が大
幅に改善され、磁気バブルメモリ出力の判別を容易に行
なうことができる。以上説明したように、本発明による
磁気バブルメモリデバイスによれば、回転磁界発生コイ
ルの結合によって生ずる静電結合雑音を著しく低減させ
、磁気バブルメモリ出力信号のＳ／Ｎ比を大幅に向上さ
せることができ、磁気バブルメモリデバイスとしての品
質、性質等を大幅に高めることができるなどの優れた効
果を有する。
幅に改善され、磁気バブルメモリ出力の判別を容易に行
なうことができる。以上説明したように、本発明による
磁気バブルメモリデバイスによれば、回転磁界発生コイ
ルの結合によって生ずる静電結合雑音を著しく低減させ
、磁気バブルメモリ出力信号のＳ／Ｎ比を大幅に向上さ
せることができ、磁気バブルメモリデバイスとしての品
質、性質等を大幅に高めることができるなどの優れた効
果を有する。
第１図ａ，ｂは従来の磁気バブルメモリデバイスの一例
を示す要部破砕平面図、そのＡ−Ａ′断面図、第２図ａ
，ｂは回転磁界発生コイルの要部斜視図、その電位分布
特性図、第３図は本発明による磁気バブルメモリデバイ
スの一例を示す要部破砕平面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・…磁気バブルメモリ
素子、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ・・・・・・出力信号配
線、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ・・・・・・出力端子、５
ａ・…・・×コイル、５ａ．・・・・・・低圧側、５ａ
２・・・・・・高圧側、５ｂ・・…・Ｙコイル、５ｑ・
・・・・・低圧側、５Ｑ・・・・・・高圧側、５ｃ……
関口部。 第１図 第２図 第３図
を示す要部破砕平面図、そのＡ−Ａ′断面図、第２図ａ
，ｂは回転磁界発生コイルの要部斜視図、その電位分布
特性図、第３図は本発明による磁気バブルメモリデバイ
スの一例を示す要部破砕平面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・…磁気バブルメモリ
素子、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ・・・・・・出力信号配
線、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ・・・・・・出力端子、５
ａ・…・・×コイル、５ａ．・・・・・・低圧側、５ａ
２・・・・・・高圧側、５ｂ・・…・Ｙコイル、５ｑ・
・・・・・低圧側、５Ｑ・・・・・・高圧側、５ｃ……
関口部。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １ 絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された磁気バブ
ルメモリ素子と、前記絶縁基板上に被着形成されかつ前
記磁気バブルメモリ素子の微少出力信号を伝送する出力
信号配線と、前記磁気バブルメモリ素子の外周に巻回さ
れかつ前記磁気バブルメモリ素子に回転磁界を供給する
回転磁界発生コイルとを少なくとも有する磁気バブルメ
モリデバイスにおいて、前記出力信号配線を前記回転磁
界発生コイルの電位分布の低圧側に形成し、前記回転磁
界発生コイルから該出力信号配線に結合される静電結合
雑音を低減させたことを特徴とする磁気バブルメモリデ
バイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52049962A JPS6023430B2 (ja) | 1977-05-02 | 1977-05-02 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52049962A JPS6023430B2 (ja) | 1977-05-02 | 1977-05-02 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53136443A JPS53136443A (en) | 1978-11-29 |
| JPS6023430B2 true JPS6023430B2 (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=12845641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52049962A Expired JPS6023430B2 (ja) | 1977-05-02 | 1977-05-02 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023430B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239988A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ制御装置 |
-
1977
- 1977-05-02 JP JP52049962A patent/JPS6023430B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53136443A (en) | 1978-11-29 |
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