JPS60234383A - 電子なだれ光検知器 - Google Patents
電子なだれ光検知器Info
- Publication number
- JPS60234383A JPS60234383A JP60077532A JP7753285A JPS60234383A JP S60234383 A JPS60234383 A JP S60234383A JP 60077532 A JP60077532 A JP 60077532A JP 7753285 A JP7753285 A JP 7753285A JP S60234383 A JPS60234383 A JP S60234383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- light
- electric field
- type
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/12—Active materials
- H10F77/124—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs
- H10F77/1243—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs characterised by the dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H10F30/2255—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers form heterostructures, e.g. SAM structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/12—Active materials
- H10F77/124—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs
- H10F77/1248—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs having three or more elements, e.g. GaAlAs, InGaAs or InGaAsP
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
１５ この発明はＰｎ接合周辺の電界を低くして表面漏
洩電流と縁降伏の可能性を低減した電子なだれ光検知器
に関する。
洩電流と縁降伏の可能性を低減した電子なだれ光検知器
に関する。
１１００−１’７００ｎｍの波長範囲内で動作する光通
借方２０式は、光フアイバ内の分散と損失が一般にこの
波長範囲で極めて低いため、大きな重要性を含んでいる
。２ 元Ｉエニー■族合金とそれらの固溶体を含むヘテ
ロ接合装置は、その電子のノくンドギャツフ。
借方２０式は、光フアイバ内の分散と損失が一般にこの
波長範囲で極めて低いため、大きな重要性を含んでいる
。２ 元Ｉエニー■族合金とそれらの固溶体を含むヘテ
ロ接合装置は、その電子のノくンドギャツフ。
がこの波長範囲で生じ、格子整合のへテロ接合が５組成
を変えることにより得られるため・この用途に特に有用
なことが知られている。特に、Ｉｎｐの基板上の工ｎＸ
Ｇａ５ ＡｓＸＰの３元および４元の合金は発光器と検
知器の双方に有用な材料であることが判っている。
を変えることにより得られるため・この用途に特に有用
なことが知られている。特に、Ｉｎｐの基板上の工ｎＸ
Ｇａ５ ＡｓＸＰの３元および４元の合金は発光器と検
知器の双方に有用な材料であることが判っている。
１ｏ この様な材料を用いた電子なだれ光検知器の性能
を害して来た諸問題には、吸光領域用の３元および４元
の化合物内においてユ、５ Ｘ １０５Ｖ ／ Ｃｓ程
度の電界で起る総トンネル効果と、縁降伏と１接合周辺
における表面漏洩電流の増倍作用がある。ト１５ ンネ
ル効果１ｄｐｎ接合をその高電界が狭いノくンドギャッ
プの材料内の吸光領域から離れた広い・くンドギャップ
の材料内に来る様に位置決めするごとにより減じられて
来た。これがいわゆるＳＡＭ型（吸光増倍分離型）の電
子なだれ光検知器構面である０２０ Ｐ＋型基板Ｎ型広
いバンドギャップ領域・Ｎ型吸光領域および接触用Ｎ十
型キャップを含むＳＡＭ型電子なだれ光検知器では、側
面に傾斜を付けるか表面に勾配を設けてメサ構造を形成
することにより縁降伏と表面電流が減じられるが、この
構造にはいくつかの欠点がある。すなわち、接触下の領
域が増倍していて・キャップ側から光が照射するときは
空乏領域が吸光層を通って延びる必要があって界面状態
からの暗電流が高くなり、基板側から照射するときは自
由キャリヤの吸収により量子効率が低下する・この様な
理由で・Ｎ十型基板、Ｎ型広バンドギヤツプ領域、Ｎ型
吸光領域およびｐ十型キャップを含むメサ構造が最も良
いが、表面勾配は周辺の電界を強めるから、光で発生さ
ｈだキャリヤの電子なだれ増倍しか起らない様に表面の
電界を減することを考える必要がある。
を害して来た諸問題には、吸光領域用の３元および４元
の化合物内においてユ、５ Ｘ １０５Ｖ ／ Ｃｓ程
度の電界で起る総トンネル効果と、縁降伏と１接合周辺
における表面漏洩電流の増倍作用がある。ト１５ ンネ
ル効果１ｄｐｎ接合をその高電界が狭いノくンドギャッ
プの材料内の吸光領域から離れた広い・くンドギャップ
の材料内に来る様に位置決めするごとにより減じられて
来た。これがいわゆるＳＡＭ型（吸光増倍分離型）の電
子なだれ光検知器構面である０２０ Ｐ＋型基板Ｎ型広
いバンドギャップ領域・Ｎ型吸光領域および接触用Ｎ十
型キャップを含むＳＡＭ型電子なだれ光検知器では、側
面に傾斜を付けるか表面に勾配を設けてメサ構造を形成
することにより縁降伏と表面電流が減じられるが、この
構造にはいくつかの欠点がある。すなわち、接触下の領
域が増倍していて・キャップ側から光が照射するときは
空乏領域が吸光層を通って延びる必要があって界面状態
からの暗電流が高くなり、基板側から照射するときは自
由キャリヤの吸収により量子効率が低下する・この様な
理由で・Ｎ十型基板、Ｎ型広バンドギヤツプ領域、Ｎ型
吸光領域およびｐ十型キャップを含むメサ構造が最も良
いが、表面勾配は周辺の電界を強めるから、光で発生さ
ｈだキャリヤの電子なだれ増倍しか起らない様に表面の
電界を減することを考える必要がある。
電子なだれ光検知器は、第１の導電型の吸光領域と、こ
の吸光領域の上にあって、周辺帯域より厚い中心帯域を
有する第１の導電型の第１領域と、この第１領域の上に
ある反対の導電型の第２領域とを含み、逆バイアス時に
ピーク電界が中心帯域で高くなってこの帯域においての
み光で発生したキャリヤの顕著な増倍が起るようになっ
ている。
の吸光領域の上にあって、周辺帯域より厚い中心帯域を
有する第１の導電型の第１領域と、この第１領域の上に
ある反対の導電型の第２領域とを含み、逆バイアス時に
ピーク電界が中心帯域で高くなってこの帯域においての
み光で発生したキャリヤの顕著な増倍が起るようになっ
ている。
第１図および第２図において、同一素子は同じ数字で示
す。
す。
第１図の光検知器１０は第１および第２の主表面上４、
］６を持つ基板１２と、その第１の主表面１４を覆う吸
光領域１８を含み、その吸光領域１日の上Ｋｄ衣表面０
を持つ緩衝領域１９がある。その表面２０の上には比較
的厚い中心帯域２２ａと比較的薄い周辺帯域２２１）を
持つ第１領域２２があり、この第１領域２２は中心帯域
２２ａの上の中心表面部分２４ａと周辺帯域２２ｂの上
の周辺表面部分２４ｂとから成る表面２４を有する。こ
の表面２４の上には表面２８を持つ第２領域２６があり
、その表面２８の上には第１の電気接触３０があり、第
２の主表面１６の上には第２の電気接触３２がある。こ
の光検知器ユＯにまた側面３４に傾斜が与えられている
。
］６を持つ基板１２と、その第１の主表面１４を覆う吸
光領域１８を含み、その吸光領域１日の上Ｋｄ衣表面０
を持つ緩衝領域１９がある。その表面２０の上には比較
的厚い中心帯域２２ａと比較的薄い周辺帯域２２１）を
持つ第１領域２２があり、この第１領域２２は中心帯域
２２ａの上の中心表面部分２４ａと周辺帯域２２ｂの上
の周辺表面部分２４ｂとから成る表面２４を有する。こ
の表面２４の上には表面２８を持つ第２領域２６があり
、その表面２８の上には第１の電気接触３０があり、第
２の主表面１６の上には第２の電気接触３２がある。こ
の光検知器ユＯにまた側面３４に傾斜が与えられている
。
第２図の光検知器５０は第２領域２６が中心部分２２ａ
上より周辺部分２２ｂ上で厚く、平面状の表面５４を持
つ点で検知器］Ｏと異る。
上より周辺部分２２ｂ上で厚く、平面状の表面５４を持
つ点で検知器］Ｏと異る。
基板１２、吸光領域１８、緩衝領域１８、緩衝領域１９
および第１領域２２ｉｄ同じ導電型、第２領域２６は反
対の導電型で、界面２４ｖ？−ｐｎ接合を形成している
。
および第１領域２２ｉｄ同じ導電型、第２領域２６は反
対の導電型で、界面２４ｖ？−ｐｎ接合を形成している
。
吸光、緩衝、第１および第２の各領域１８、ユ９．２２
・２６を形成する材料はその格子常数が基板１２のそれ
と約０．５係以内で整合する様に選ぶのが好ましい。
・２６を形成する材料はその格子常数が基板１２のそれ
と約０．５係以内で整合する様に選ぶのが好ましい。
基板１２は約５Ｘ１０７ｃｍ’の濃度に硫黄をドーピン
グしたｎ型ＩｎＰの様な半導体材料で構成され、その構
体の残部を支持するに十分な一般に約０．３〜０．４卯
の厚さを有する。主表面１４は通常力ロー酸と臭素の１
係メタノール溶液で処理して各層ノ被着前に表面の汚染
と傷を除く。
グしたｎ型ＩｎＰの様な半導体材料で構成され、その構
体の残部を支持するに十分な一般に約０．３〜０．４卯
の厚さを有する。主表面１４は通常力ロー酸と臭素の１
係メタノール溶液で処理して各層ノ被着前に表面の汚染
と傷を除く。
吸光領域１８は１．１００〜ｉ’７００ｎｍの範囲内の
所要波長の光を吸収する材料で構成さｈ−る。適当な材
料としては１６５０ｎｍ未満の波長の光を吸収するＩｎ
。、５３Ｇａ。、４’ｉＩＡθと、例えばジャーナル・
オブ・エレクトロニク・’？テリアルズ（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔ′ｒｏｎｉｃＭａ、ｔｅｒｉａ、
１ｅ ）第９巻（１９８０）第９７７頁にオルセン（０
１，５ｅｎ）等により開示されたようなＸとｙの選択に
より決まる最大波長以下の波長の光を吸収するＩｎＸＧ
ａニーＸＡＳｙｐニー７がある。この領域は僅かにＶ型
の導電性であることが好ましく、通常ドナー濃度約３×
ユＯ１５／−未満、好ましくはユＯ１５／ａｒｔ’未満
の未ドープ材料として被着される。このドーング濃度で
は、通常光検知器に印加される電圧において電界が約１
．５ Ｘ １０”Ｖ ７ｃｍ未満になる。この領域の厚
さは約５〜１５μで、約８〜１２μが好ましい。
所要波長の光を吸収する材料で構成さｈ−る。適当な材
料としては１６５０ｎｍ未満の波長の光を吸収するＩｎ
。、５３Ｇａ。、４’ｉＩＡθと、例えばジャーナル・
オブ・エレクトロニク・’？テリアルズ（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔ′ｒｏｎｉｃＭａ、ｔｅｒｉａ、
１ｅ ）第９巻（１９８０）第９７７頁にオルセン（０
１，５ｅｎ）等により開示されたようなＸとｙの選択に
より決まる最大波長以下の波長の光を吸収するＩｎＸＧ
ａニーＸＡＳｙｐニー７がある。この領域は僅かにＶ型
の導電性であることが好ましく、通常ドナー濃度約３×
ユＯ１５／−未満、好ましくはユＯ１５／ａｒｔ’未満
の未ドープ材料として被着される。このドーング濃度で
は、通常光検知器に印加される電圧において電界が約１
．５ Ｘ １０”Ｖ ７ｃｍ未満になる。この領域の厚
さは約５〜１５μで、約８〜１２μが好ましい。
緩衝領域１９は通常吸光領域１８と第１領域２２０間の
漸変または一定のバンドギャソプエネルギヲ持つＩｎａ
Ｇａ□、ＡＳｂｐニーゎの様な材料から成り、その厚さ
は普通０．５μである。こび）領域はへテロ接合におけ
る原子価帯の不連続部付近の電荷キャリヤの累積に関係
する検知器の応答の遅れを防ぐために用いられるが、こ
れを省略することもできる。
漸変または一定のバンドギャソプエネルギヲ持つＩｎａ
Ｇａ□、ＡＳｂｐニーゎの様な材料から成り、その厚さ
は普通０．５μである。こび）領域はへテロ接合におけ
る原子価帯の不連続部付近の電荷キャリヤの累積に関係
する検知器の応答の遅れを防ぐために用いられるが、こ
れを省略することもできる。
第１領域２２は・電気接触３０．３２の間に十分な逆バ
イアスが印加されたとき吸光領域ＩＥ３ＶＣ光により発
生したキャリヤの電子なだれ式増倍を生ずるに十分な中
心帯域２２ａの厚さと導電度変更剤濃度を持つＮ型Ｉｎ
Ｐのような半導体材料で構成される。
イアスが印加されたとき吸光領域ＩＥ３ＶＣ光により発
生したキャリヤの電子なだれ式増倍を生ずるに十分な中
心帯域２２ａの厚さと導電度変更剤濃度を持つＮ型Ｉｎ
Ｐのような半導体材料で構成される。
中心帯域２２ａにおける導電度変更剤の過剰面積濃度は
約２．５〜４ Ｘ １０１２／ ｃｍであることを要し
、中心帯域２２ａの厚さＸ。は約０．６〜４μ、導電度
変更剤濃度は通常約ユ〜８Ｘ１０１６／ｃｍ’である。
約２．５〜４ Ｘ １０１２／ ｃｍであることを要し
、中心帯域２２ａの厚さＸ。は約０．６〜４μ、導電度
変更剤濃度は通常約ユ〜８Ｘ１０１６／ｃｍ’である。
第１領域２２の導電度変更剤の過剰濃度に一般に吸光領
域１８や緩衝領域１９のそれの１０倍以上高いが、２０
倍以上高いことが好寸しい。また周辺帯域２２ｂの厚さ
ＸｐはＸ。の０．６倍以下が好ましい。
域１８や緩衝領域１９のそれの１０倍以上高いが、２０
倍以上高いことが好寸しい。また周辺帯域２２ｂの厚さ
ＸｐはＸ。の０．６倍以下が好ましい。
第１１域２６は通常亜鉛のアクセプタを約１ｏ１８／−
以上含むＩｎＰの様な半導体材料で構成され、その厚さ
は約１〜２μである。
以上含むＩｎＰの様な半導体材料で構成され、その厚さ
は約１〜２μである。
第１の電気接触３０は第２領域２６がｐ型のとき真空蒸
着ＶＣＪ、す被着さｈた金亜鉛合金から成り、通常第２
領域２Ｇの中心帯域２２ａ上の部分力・ら検知器に光が
入射する様に周辺帯域２２ｂの上に配置されて１この接
触から検知器に注入されたキャリヤは全く増倍されない
様になっている。第２の電気接触３２は基板］２がｎ型
のとき真空蒸着により被着さり、た金錫合金から成る。
着ＶＣＪ、す被着さｈた金亜鉛合金から成り、通常第２
領域２Ｇの中心帯域２２ａ上の部分力・ら検知器に光が
入射する様に周辺帯域２２ｂの上に配置されて１この接
触から検知器に注入されたキャリヤは全く増倍されない
様になっている。第２の電気接触３２は基板］２がｎ型
のとき真空蒸着により被着さり、た金錫合金から成る。
基板１２と第１および第２の領域２２．２６ハ検知ずべ
き波長の光に対して実質的に透明であることが好捷しい
。
き波長の光に対して実質的に透明であることが好捷しい
。
この光検知器の動作時には、電気接触３０．３２の間に
逆バイアスが印加され、第１領域内の空乏領域の幅を拡
げる。第１図の線Ａ−Ａに沿う中心帯域２２ａ内の空乏
領域の幅は電圧の上昇と共に増大し、中心帯域２２ａが
完全に空乏化したとき電界は約４〜４．５Ｘ１０ Ｖｌ
ｏｎの値に達する。印加電圧を更に上昇させると空乏領
域が吸光領域１８に進入し、ここでは中心帯域２２ａで
電子なだれ降伏に十分な電界ＥＭＡに達するまで電界が
約１．ＯＸ １０５Ｖ ／Ｃｒｎ以七ｎ以外しない。
逆バイアスが印加され、第１領域内の空乏領域の幅を拡
げる。第１図の線Ａ−Ａに沿う中心帯域２２ａ内の空乏
領域の幅は電圧の上昇と共に増大し、中心帯域２２ａが
完全に空乏化したとき電界は約４〜４．５Ｘ１０ Ｖｌ
ｏｎの値に達する。印加電圧を更に上昇させると空乏領
域が吸光領域１８に進入し、ここでは中心帯域２２ａで
電子なだれ降伏に十分な電界ＥＭＡに達するまで電界が
約１．ＯＸ １０５Ｖ ／Ｃｒｎ以七ｎ以外しない。
この電界は不純物；濃度の差と第１領域２２の厚さの変
化に関係する。急峻なｐ、ｎ接合を仮定し、吸光領域１
Ｂと共に緩衝領域ユ９を含ませると、空乏領域が吸光領
域１８に進入したとき第１図の線Ａ−ＡＫ沿うピーク電
界ＥＭＡは次の様になる。
化に関係する。急峻なｐ、ｎ接合を仮定し、吸光領域１
Ｂと共に緩衝領域ユ９を含ませると、空乏領域が吸光領
域１８に進入したとき第１図の線Ａ−ＡＫ沿うピーク電
界ＥＭＡは次の様になる。
ＥＭＡ−Ｔ（ＮＩＸｃ十Ｎ２ｗｃ）
ここでｑは電子電荷、εは誘電常数、Ｎ１は導電度変更
剤濃度、Ｎ２は導電度変更剤濃度、Ｗは吸光領域１８内
の空乏領域幅である。この第１項は中心帯域２２ａの空
乏化に要する電界を表わす。電子なだれ増倍用の電界が
ほぼ５ Ｘ １０５Ｖ ／ ｌであれば、こび）電界は
約３．５ Ｘ １ｏ５ｖ ／α以上、約４．７×ユｏ”
ｖカ以下でなければならず、約４．５ Ｘ １０５Ｖ
／αが好捷しい。この電界分布を第３図に実線で示すが
、ここで横軸の数字は各界面の引用数字である。
剤濃度、Ｎ２は導電度変更剤濃度、Ｗは吸光領域１８内
の空乏領域幅である。この第１項は中心帯域２２ａの空
乏化に要する電界を表わす。電子なだれ増倍用の電界が
ほぼ５ Ｘ １０５Ｖ ／ ｌであれば、こび）電界は
約３．５ Ｘ １ｏ５ｖ ／α以上、約４．７×ユｏ”
ｖカ以下でなければならず、約４．５ Ｘ １０５Ｖ
／αが好捷しい。この電界分布を第３図に実線で示すが
、ここで横軸の数字は各界面の引用数字である。
周辺帯域２２１）も逆バイアス電圧の印加により完全に
空乏化さね、るが、この部分は薄いため第１図の線Ｂ−
Ｂに沿う最大電界〜Ｂは中心帯域２２ａにおけるそれよ
り弱く、また電子なだれ増倍に必要な電界より弱い。空
乏領域が吸光領域ユ８に進入したときの周辺帯域２２ｂ
の電界〜Ｂσ次の様［なる。
空乏化さね、るが、この部分は薄いため第１図の線Ｂ−
Ｂに沿う最大電界〜Ｂは中心帯域２２ａにおけるそれよ
り弱く、また電子なだれ増倍に必要な電界より弱い。空
乏領域が吸光領域ユ８に進入したときの周辺帯域２２ｂ
の電界〜Ｂσ次の様［なる。
ＢＭＢ＝ ７ （Ｎ１Ｘｐ＋ Ｎ２Ｗｐ）ここでＸｐは
周辺領域２２ｂの厚さ、Ｗｐは周辺における吸光領域１
８内の空乏領域の深さである。ｘｐ ＜ｘｏで、−〉Ｗ
ｃのため、周辺のへテロ接合における電界は検知器の中
心におけるより強い。この電界分布を第３図に破線で示
す。
周辺領域２２ｂの厚さ、Ｗｐは周辺における吸光領域１
８内の空乏領域の深さである。ｘｐ ＜ｘｏで、−〉Ｗ
ｃのため、周辺のへテロ接合における電界は検知器の中
心におけるより強い。この電界分布を第３図に破線で示
す。
光検知器１０の各半導体領域は、液相または好ましくは
米国特許第４１１６″７３３号開示のような気相のエピ
タキシャル技法を用いて・基板表面に順次形成すｆ′Ｌ
ばよい。所要の導電度変更剤濃度を持つＶ型吸光層、第
１のｎ型、ＴｎＰ層および第２のｐ型工ｎｐ層を気相エ
ピタキシャル法によりｎ型ＩｎＰウェハの主表面に順次
被着する。この第２層の表面の各Ｂ ヲ８１０２のエツ
チングマスクで覆い、第２８の周辺部とその下の第１層
の一部を臭素の１ｃＩ）メタノール溶液による化学エツ
チングで除去する。こ１７）マスクを除いて第２層と第
１層の露出部の上に更［ｐ型工ｎＰ層を被着した後、こ
の第３層の上ＶＣ電気接触を被着し、写真製版法により
これを画定する。次に各層にメザをエツチングした後通
常の方法で各検知器を分離する。第１層の露出表面上ゐ
ｐ型領域はイオン注入や拡散法で形成することもできる
。
米国特許第４１１６″７３３号開示のような気相のエピ
タキシャル技法を用いて・基板表面に順次形成すｆ′Ｌ
ばよい。所要の導電度変更剤濃度を持つＶ型吸光層、第
１のｎ型、ＴｎＰ層および第２のｐ型工ｎｐ層を気相エ
ピタキシャル法によりｎ型ＩｎＰウェハの主表面に順次
被着する。この第２層の表面の各Ｂ ヲ８１０２のエツ
チングマスクで覆い、第２８の周辺部とその下の第１層
の一部を臭素の１ｃＩ）メタノール溶液による化学エツ
チングで除去する。こ１７）マスクを除いて第２層と第
１層の露出部の上に更［ｐ型工ｎＰ層を被着した後、こ
の第３層の上ＶＣ電気接触を被着し、写真製版法により
これを画定する。次に各層にメザをエツチングした後通
常の方法で各検知器を分離する。第１層の露出表面上ゐ
ｐ型領域はイオン注入や拡散法で形成することもできる
。
光検知器５０は光検知器１０と同様にウエノ・上に各層
を順次被着することにより製作することができる。表面
の各部を５１０２の拡散用ｉ ｆｔはイオン注入用マス
クで覆い、追加のアクセプタを拡散またはイオン注入す
ることにより第２領域２６の周辺部を形成した後、標準
の技法を用いて追込み拡散捷たは焼きならしを行う。次
に電気接触とメサを形成し、各検知器を分離する。この
方法を用いると、再生長の工程が省略される。
を順次被着することにより製作することができる。表面
の各部を５１０２の拡散用ｉ ｆｔはイオン注入用マス
クで覆い、追加のアクセプタを拡散またはイオン注入す
ることにより第２領域２６の周辺部を形成した後、標準
の技法を用いて追込み拡散捷たは焼きならしを行う。次
に電気接触とメサを形成し、各検知器を分離する。この
方法を用いると、再生長の工程が省略される。
第１図および第２図はこの発明の電子なだれ光検知器の
２種の実施例の断面図、第３図は第１図の光検知器の線
Ａ−Ａと線Ｂ−ＢＫ沿う電界分布を示す図である。 １０・・・光検知器、１２・・・基板、１４・・・第１
の主表面、１８・・・吸光領域、２２・・・第１の領域
、２２ａ・・・中心帯域、２２１）・・・周辺帯域、２
６・・・第２の領域、３０・・・第１の電気接触、３２
・・・第２の電気接触。 特許出願人 アールンーエー インコーポレーテツ代
理 人 清 水 哲 はが２名
２種の実施例の断面図、第３図は第１図の光検知器の線
Ａ−Ａと線Ｂ−ＢＫ沿う電界分布を示す図である。 １０・・・光検知器、１２・・・基板、１４・・・第１
の主表面、１８・・・吸光領域、２２・・・第１の領域
、２２ａ・・・中心帯域、２２１）・・・周辺帯域、２
６・・・第２の領域、３０・・・第１の電気接触、３２
・・・第２の電気接触。 特許出願人 アールンーエー インコーポレーテツ代
理 人 清 水 哲 はが２名
Claims (1)
- ５（１） 第１の主表面を持つ第１の導電型の基板と・
この第１の主表面上にある第１の導電型の吸光領域と、
上記吸光領域の上にあって、周囲の周辺帯域より厚い中
心帯域を有する第１の導電型の第１の領域と、この第１
の領域上にある反対の導電型１ｏの第２の領域と、上記
第２の領域に対する第１の電気接触と・上記基板に対す
る第２の電気接触とを含む電子なだれ光検知器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CA451681 | 1984-04-10 | ||
| CA451681 | 1984-04-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234383A true JPS60234383A (ja) | 1985-11-21 |
Family
ID=4127622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60077532A Pending JPS60234383A (ja) | 1984-04-10 | 1985-04-10 | 電子なだれ光検知器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4586066A (ja) |
| JP (1) | JPS60234383A (ja) |
| DE (1) | DE3512385A1 (ja) |
| FR (1) | FR2562715A1 (ja) |
| GB (1) | GB2157490B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339413A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2581482B1 (fr) * | 1985-05-03 | 1987-07-10 | Labo Electronique Physique | Photodiode pin a faible courant de fuite |
| US4654678A (en) * | 1985-08-30 | 1987-03-31 | Rca, Inc. | Avalanche photodiode |
| US4700209A (en) * | 1985-10-30 | 1987-10-13 | Rca Inc. | Avalanche photodiode and a method of making same |
| CA1280196C (en) * | 1987-07-17 | 1991-02-12 | Paul Perry Webb | Avanlanche photodiode |
| CA2259502A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-01-08 | Advanced Photonix, Inc. | Avalanching semiconductor device having an epitaxially grown layer |
| TW480727B (en) * | 2000-01-11 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Laboratro | Semiconductor display device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4110778A (en) * | 1977-06-21 | 1978-08-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Narrow-band inverted homo-heterojunction avalanche photodiode |
| US4116733A (en) * | 1977-10-06 | 1978-09-26 | Rca Corporation | Vapor phase growth technique of III-V compounds utilizing a preheating step |
| US4442444A (en) * | 1980-07-08 | 1984-04-10 | Fujitsu Limited | Avalanche photodiodes |
| JPS5793585A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-10 | Fujitsu Ltd | Semiconductor photoreceiving element |
| US4471370A (en) * | 1981-04-24 | 1984-09-11 | At&T Bell Laboratories | Majority carrier photodetector |
| US4473835A (en) * | 1981-06-19 | 1984-09-25 | At&T Bell Laboratories | Long wavelength avalanche photodetector |
-
1984
- 1984-09-14 US US06/650,681 patent/US4586066A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-04-04 DE DE19853512385 patent/DE3512385A1/de not_active Withdrawn
- 1985-04-05 FR FR8505228A patent/FR2562715A1/fr active Pending
- 1985-04-09 GB GB08509109A patent/GB2157490B/en not_active Expired
- 1985-04-10 JP JP60077532A patent/JPS60234383A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339413A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置及びその製造方法 |
| US7875946B2 (en) | 2005-06-02 | 2011-01-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor photodetector that causes avalanche multiplication to occur only at photodetector portion located at central portion of mesa structure |
| US8772896B2 (en) | 2005-06-02 | 2014-07-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor photodetector that causes avalanche multiplication to occur only at photodetector portion located at central portion of mesa structure |
| US9276162B2 (en) | 2005-06-02 | 2016-03-01 | Fujitsu Limited | Semiconductor photodetector and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2562715A1 (fr) | 1985-10-11 |
| DE3512385A1 (de) | 1985-10-17 |
| GB2157490B (en) | 1987-12-02 |
| GB8509109D0 (en) | 1985-05-15 |
| US4586066A (en) | 1986-04-29 |
| GB2157490A (en) | 1985-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4684969A (en) | Heterojunction avalanche photodiode | |
| EP0156156A1 (en) | Avalanche photodiodes | |
| JPS62128183A (ja) | 歪導入領域をもつデバイス | |
| JPS6193681A (ja) | 半導体デバイス | |
| CA1262955A (en) | Avalanche photodiode and a method of making same | |
| US4587544A (en) | Avalanche photodetector | |
| US4586067A (en) | Photodetector with isolated avalanche region | |
| JPS60234383A (ja) | 電子なだれ光検知器 | |
| US4561007A (en) | Double mesa avalanche photodetector | |
| US4914494A (en) | Avalanche photodiode with central zone in active and absorptive layers | |
| JPH038117B2 (ja) | ||
| Capasso et al. | Channeling photodiode: A new versatile interdigitated p‐n junction photodetector | |
| JPS6222546B2 (ja) | ||
| JPS6285477A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH09223805A (ja) | 半導体導波路型受光器 | |
| JPH0648732B2 (ja) | 光起電力型赤外線検知器 | |
| JPH0437591B2 (ja) | ||
| JP2711055B2 (ja) | 半導体光検出器およびその製造方法 | |
| JPS6086877A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0231509B2 (ja) | ||
| JPS58162077A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH02228080A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0410233B2 (ja) | ||
| JPH04157769A (ja) | アバランシェ・フォトダイオードの製造方法 | |
| JPS62132375A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 |