JPS60235790A - 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成長方法 - Google Patents
半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成長方法Info
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- JPS60235790A JPS60235790A JP8967684A JP8967684A JPS60235790A JP S60235790 A JPS60235790 A JP S60235790A JP 8967684 A JP8967684 A JP 8967684A JP 8967684 A JP8967684 A JP 8967684A JP S60235790 A JPS60235790 A JP S60235790A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＧａＡｓ Ｉ Ｃ用半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の
成長方法に関するものである。
成長方法に関するものである。
半絶縁性ＧａＡｓ単結晶はＧａＡｓ電界効果トランジス
タ、ＧａＡａ集積回路、さらには光−電子集積回路など
の基板として能動素子、受動素子、配線などを絶縁分離
する役割を果している。このために散水されている比抵
抗はｌＯΩ−Ｃ以上とされている。
タ、ＧａＡａ集積回路、さらには光−電子集積回路など
の基板として能動素子、受動素子、配線などを絶縁分離
する役割を果している。このために散水されている比抵
抗はｌＯΩ−Ｃ以上とされている。
不純物を意図的に添加せずに成長したＣｒａＡｓ単結晶
は石英るつほなどの成長炉拐やＧａ ＋ Ａｓなどの原
料から混入するＳｉやＳなどの不純物元素による汚染が
避けられず、少なくともｌＸｌ０ ｃｍ Ｊ−）上、多
い場合には１０ ｔ：ｍ 程度に１で不純物で汚染され
ている。これらのＳｉ、ＳはＧａＡｓ結晶中では浅いド
ナー準位を形成するので極めて低い抵抗率のＧａＡｓ単
結晶しか得られない。そこで従来は前記の浅いドナー準
位の電子を補償すべく、深いアクセフ０夕準位を形成す
るＣ「を意図的に過剰に添加してＧａＡｓ単結晶の半絶
縁化を図っていた。しかしＣ「を添加した半絶縁性Ｇａ
Ａｓには、浅いドナー電子の補償にを与しない過剰のＣ
ｒによる深いアクセプタによって、ＩＩ形の導電層を多
酸すべくイオン注入法などでドーグしたＳｎなどがつく
る浅いドナーの電子も捕獲されてしまうという問題があ
った。注入ＳｎなどがＣｒによって補償される割合はＣ
ｒのイ・・け１なｅｔυ−がどのＧａＡｓ単結晶に対し
ても一定であれは常に一定になるはずであるが、Ｃｒの
偏析係数（６Ｘ １（１’ ）が著しく小さいためにイ
ンゴット結晶の成長方向でＣｒ１度が大きく変化し、そ
の結束、前記の補償の割合もインゴット結晶の成長方向
で大きく異なるという欠点を有していた（応用物理、４
９巻Ｐ、６５０．１９８０）。
は石英るつほなどの成長炉拐やＧａ ＋ Ａｓなどの原
料から混入するＳｉやＳなどの不純物元素による汚染が
避けられず、少なくともｌＸｌ０ ｃｍ Ｊ−）上、多
い場合には１０ ｔ：ｍ 程度に１で不純物で汚染され
ている。これらのＳｉ、ＳはＧａＡｓ結晶中では浅いド
ナー準位を形成するので極めて低い抵抗率のＧａＡｓ単
結晶しか得られない。そこで従来は前記の浅いドナー準
位の電子を補償すべく、深いアクセフ０夕準位を形成す
るＣ「を意図的に過剰に添加してＧａＡｓ単結晶の半絶
縁化を図っていた。しかしＣ「を添加した半絶縁性Ｇａ
Ａｓには、浅いドナー電子の補償にを与しない過剰のＣ
ｒによる深いアクセプタによって、ＩＩ形の導電層を多
酸すべくイオン注入法などでドーグしたＳｎなどがつく
る浅いドナーの電子も捕獲されてしまうという問題があ
った。注入ＳｎなどがＣｒによって補償される割合はＣ
ｒのイ・・け１なｅｔυ−がどのＧａＡｓ単結晶に対し
ても一定であれは常に一定になるはずであるが、Ｃｒの
偏析係数（６Ｘ １（１’ ）が著しく小さいためにイ
ンゴット結晶の成長方向でＣｒ１度が大きく変化し、そ
の結束、前記の補償の割合もインゴット結晶の成長方向
で大きく異なるという欠点を有していた（応用物理、４
９巻Ｐ、６５０．１９８０）。
本発明の目的は、従来の半絶縁性ＧａＡｓ結晶で生じて
いたように問題を解決してイオン注入法などでドープし
たドナー不純物の補償割合がインゴット結晶の成長方向
で完全に一定になるような半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成
長方法を提供することにある。
いたように問題を解決してイオン注入法などでドープし
たドナー不純物の補償割合がインゴット結晶の成長方向
で完全に一定になるような半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成
長方法を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明はＧａとＡｓとの化学量論的組成比（Ｇａ／Ａｓ
）が１．．００００００１〜］、、 １２７６５９８で
、酸素（０）濃度が６ Ｘ １０ −Ｉ Ｘ １０１８
ｃ＋ｎ−’であるＧａＡｓ多結晶インゴットを成長させ
る工程、該多結晶インコ゛ットの少くともテール（ｔａ
ｉｌＪ分を含む端部を切断除去する工程、次に端部を除
去した該ＧａＡｓ多結晶を溶融してＧａＡｓのメルトを
形成する工程、該メルトからＧａＡｓ単結晶を成長させ
る工程を何うことを特徴とする半絶縁性ＧａＡｓ単結晶
の成長力法である。
）が１．．００００００１〜］、、 １２７６５９８で
、酸素（０）濃度が６ Ｘ １０ −Ｉ Ｘ １０１８
ｃ＋ｎ−’であるＧａＡｓ多結晶インゴットを成長させ
る工程、該多結晶インコ゛ットの少くともテール（ｔａ
ｉｌＪ分を含む端部を切断除去する工程、次に端部を除
去した該ＧａＡｓ多結晶を溶融してＧａＡｓのメルトを
形成する工程、該メルトからＧａＡｓ単結晶を成長させ
る工程を何うことを特徴とする半絶縁性ＧａＡｓ単結晶
の成長力法である。
Ｇａ／Ａｓ ） １なる化学量論的組成比を有する単結
菖すなわち八８が不足するＧａＡｓ単結晶においては価
′電子帯上端から７７ｍｅＶの位置に浅い７クセゾタ準
鼠が形成されることが知られており、この７７ｍｅＶの
浅いアクセプタ準位ＶｉＡ＋＋の格子点からＡ３が抜け
１生じたＡ３空孔にＧａが侵入して形成されると考えら
れている（参考文献Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ
ｅＨｅｒｓ、ｖｏｌ ４０ ＋ ＰＰ８９８〜９０１）
。ＧａＡｓ中のＧａ又はＡ８の濃度はアヴォガドロ数か
ら約２．’２Ｘ１０ 個ｃｒｎ””になるが、前記の７
７ｍｅＶのアクセプタ準位が密度でたとえば２．２Ｘ１
０ σ 発生するにはＧａ／Ａｓの化学量論的な組成比
を理想的には１．０００００２０４、− にあるいはＧａ／Ａｓの重量比で０．９３０５９４５Ａ
すると良い。この例で示した１、０００００２０なる組
成比の実現はＡ８圧の制御が容易なボート成長法や液相
成長法による結晶成長法では容易である。
菖すなわち八８が不足するＧａＡｓ単結晶においては価
′電子帯上端から７７ｍｅＶの位置に浅い７クセゾタ準
鼠が形成されることが知られており、この７７ｍｅＶの
浅いアクセプタ準位ＶｉＡ＋＋の格子点からＡ３が抜け
１生じたＡ３空孔にＧａが侵入して形成されると考えら
れている（参考文献Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬ
ｅＨｅｒｓ、ｖｏｌ ４０ ＋ ＰＰ８９８〜９０１）
。ＧａＡｓ中のＧａ又はＡ８の濃度はアヴォガドロ数か
ら約２．’２Ｘ１０ 個ｃｒｎ””になるが、前記の７
７ｍｅＶのアクセプタ準位が密度でたとえば２．２Ｘ１
０ σ 発生するにはＧａ／Ａｓの化学量論的な組成比
を理想的には１．０００００２０４、− にあるいはＧａ／Ａｓの重量比で０．９３０５９４５Ａ
すると良い。この例で示した１、０００００２０なる組
成比の実現はＡ８圧の制御が容易なボート成長法や液相
成長法による結晶成長法では容易である。
ＧａＡｓ単結晶が１０７０−副以上の半絶縁性を有する
罠は次の関係式が成立することが必要である。
罠は次の関係式が成立することが必要である。
０ ＜： Ｎ８Ａ Ｎｓｏ ＜ＮＤＤ
ここでＮ５ＡＩＮＳＤは浅いアクセプタの濃度、ドナー
の濃度で、ＮＯＤは深いドナーの濃度である。この関係
式からＮｓＡ＞ Ｎｓｏの条件下でＮ１１１以上のＮＯ
Ｄが実現できるならげＧａＡｓ単結晶は充分に半絶縁化
することが理解できよう。したがってＧａ／Ａｓ ＞
１であるＧａＡｓ単結晶で形成される７７ｍｅＶの浅い
アクセプタの濃度ｈＪｓＡ以上に深いドナー準位の濃度
Ｎｏｏが実現できれば該ＧａＡｓ単結晶は半絶縁化する
。
の濃度で、ＮＯＤは深いドナーの濃度である。この関係
式からＮｓＡ＞ Ｎｓｏの条件下でＮ１１１以上のＮＯ
Ｄが実現できるならげＧａＡｓ単結晶は充分に半絶縁化
することが理解できよう。したがってＧａ／Ａｓ ＞
１であるＧａＡｓ単結晶で形成される７７ｍｅＶの浅い
アクセプタの濃度ｈＪｓＡ以上に深いドナー準位の濃度
Ｎｏｏが実現できれば該ＧａＡｓ単結晶は半絶縁化する
。
深いドナー準位を形成する元素としては０．７６ ｅ
Ｖの酸素がある。この深いドナー準位の電子が自由電子
になる可能性は著しく低い。たとえはＮｏｏ÷２．２Ｘ
１０ ｃｍ としても室温で深いドナーによる自由電子
の発生は濃度で１．４ Ｘ １０’麹−’程度にしかな
らなく、１．０ｍ 程度のｎ形動作間の自由電子濃度に
比較して無視できるような影響にしかならない。したが
ってイオン注入法などで形成したｎ形動作１−の自由電
子濃度は７７ｍｅＶの浅いアクセプタ濃度と、注入イオ
ンによる浅いドナー濃度とだけで決定される。しかも、
化学量論比がＧａ／Ａｓ ） １で生じる浅いアクセプ
タ濃度はＭｇ 。
Ｖの酸素がある。この深いドナー準位の電子が自由電子
になる可能性は著しく低い。たとえはＮｏｏ÷２．２Ｘ
１０ ｃｍ としても室温で深いドナーによる自由電子
の発生は濃度で１．４ Ｘ １０’麹−’程度にしかな
らなく、１．０ｍ 程度のｎ形動作間の自由電子濃度に
比較して無視できるような影響にしかならない。したが
ってイオン注入法などで形成したｎ形動作１−の自由電
子濃度は７７ｍｅＶの浅いアクセプタ濃度と、注入イオ
ンによる浅いドナー濃度とだけで決定される。しかも、
化学量論比がＧａ／Ａｓ ） １で生じる浅いアクセプ
タ濃度はＭｇ 。
Ｍｎ 、 Ｃなどのドープで問題となるような偏析係数
が１でないために生じる結晶成長方向での濃度の変動が
本質点にないのでｎ形動作ノーの自由電子濃度をインゴ
ット単結晶のいかなる部分から切り出した基板に対して
も常に一定の値にできる特長がある。
が１でないために生じる結晶成長方向での濃度の変動が
本質点にないのでｎ形動作ノーの自由電子濃度をインゴ
ット単結晶のいかなる部分から切り出した基板に対して
も常に一定の値にできる特長がある。
次にメルトの組成の最適な範囲とＧａΔＳ沖結晶の高純
度化の方法について述べる。単結晶中のＧａとＡ８との
化学量論的組成比（Ｇａ／Ａｓ）が１．００００００
］以下の場合には７７ｍｅＶの浅いアクセプタは殆ど形
成されない。また該（Ｇａ／Ａｓ）が１．１２７６５９
８を超えるとＧａＡｓ中に金属Ｇａが析出したり、多結
晶しか形成されなくなることが分った。したがって単結
晶を得るには本発明のとと（Ｇａ／Ａｓはｔ、ｏｏｏｏ
ｏｏｌ〜１．１２７６５９８が最適な範囲となる。一方
、酸素のドープ量が多すぎても単結晶は成長せず、酸素
のドープ量が少なくても結晶は半絶縁化しない。従って
酸素のドープ量の範囲はメルト中のＧａＡｓに対しては
０２のモル比で１０−７〜１０４、単結晶に対してはＯ
＃度で６×１０〜Ｉ Ｘ １０１１０ｌ８’である。Ｇ
ａＡｓ多結晶を溶融して単結晶を再成長させる場合でも
該ＧａＡｓ多結晶中の０（７１１度はＩ Ｘ Ｉ ０１
８ｃｎｒ−’以下が良い。またＧａＡｓ多結晶から単結
晶を再成長することにより、成長炉材や原料から混入す
る不純物元素の濃度を低減させることができる。すなわ
ち、不純物の偏析係数が１からずれているのでインゴッ
ト結晶のシード（Ｓｅｅｃｌ）側又はテール（Ｔａ ｉ
１ ）側で次式に従って不純物濃度ここでＮｉは全長
りのインゴット結晶の７一ド側肩部から測りた距離Ｘで
の注目している不純物ａ度、Ｎｏ Ｖｉｘ ＝ ０にお
ける該注目不純物の濃度、ｋは偏析係数を示す。すなわ
ちｋ＜１ではテール側でＮｉが噌太し、ｋ〉１ではシー
ド側でＮｉが増大する。
度化の方法について述べる。単結晶中のＧａとＡ８との
化学量論的組成比（Ｇａ／Ａｓ）が１．００００００
］以下の場合には７７ｍｅＶの浅いアクセプタは殆ど形
成されない。また該（Ｇａ／Ａｓ）が１．１２７６５９
８を超えるとＧａＡｓ中に金属Ｇａが析出したり、多結
晶しか形成されなくなることが分った。したがって単結
晶を得るには本発明のとと（Ｇａ／Ａｓはｔ、ｏｏｏｏ
ｏｏｌ〜１．１２７６５９８が最適な範囲となる。一方
、酸素のドープ量が多すぎても単結晶は成長せず、酸素
のドープ量が少なくても結晶は半絶縁化しない。従って
酸素のドープ量の範囲はメルト中のＧａＡｓに対しては
０２のモル比で１０−７〜１０４、単結晶に対してはＯ
＃度で６×１０〜Ｉ Ｘ １０１１０ｌ８’である。Ｇ
ａＡｓ多結晶を溶融して単結晶を再成長させる場合でも
該ＧａＡｓ多結晶中の０（７１１度はＩ Ｘ Ｉ ０１
８ｃｎｒ−’以下が良い。またＧａＡｓ多結晶から単結
晶を再成長することにより、成長炉材や原料から混入す
る不純物元素の濃度を低減させることができる。すなわ
ち、不純物の偏析係数が１からずれているのでインゴッ
ト結晶のシード（Ｓｅｅｃｌ）側又はテール（Ｔａ ｉ
１ ）側で次式に従って不純物濃度ここでＮｉは全長
りのインゴット結晶の７一ド側肩部から測りた距離Ｘで
の注目している不純物ａ度、Ｎｏ Ｖｉｘ ＝ ０にお
ける該注目不純物の濃度、ｋは偏析係数を示す。すなわ
ちｋ＜１ではテール側でＮｉが噌太し、ｋ〉１ではシー
ド側でＮｉが増大する。
したがってＧａとＡｓとから直接合成して単結晶を成長
するより、１ず直接合成して多結晶を成長させておき、
次に該多結晶で不純物の少ない中間部分から切り出した
多結晶を溶融して単結晶を再成長させると、再成長した
単結晶の不純物濃度の平均値を多結晶の場合より低くで
きる。
するより、１ず直接合成して多結晶を成長させておき、
次に該多結晶で不純物の少ない中間部分から切り出した
多結晶を溶融して単結晶を再成長させると、再成長した
単結晶の不純物濃度の平均値を多結晶の場合より低くで
きる。
以下に本発明の実施例について説明する。第１図は本発
明の詳細な説明に使用する水平ブリツノマン法の結晶成
長炉の断面図である。１ず最初にＧａＡｓ多結晶を成長
する方法を第１図を用いて説明する。石英製の封管され
た反応管１の一方の側にＧａＡａの種結晶２とＧａ／Ａ
ｍの重量比が０．９６８５７６になるようなＧａとＡａ
との混合物４を入れた熱合成法の窒化ピロン製ボート３
を配置する。ＧａとＡａとの混合物４にはＡ Ｉ！＋２
０ｓとして添加したＯ２５がＧａＡａに対するモル比で
１．２５Ｘ１０ だけ含ませている。さらに拡散バリア
６をへだてた反応管１の他方の側に粉末Ａｓ ７を、結
晶成長中にＧａとＡ、ｓとの混合物４からのＡａが離脱
を生じない程度の圧力が維持できる量だけ置く。成長に
際しては、反応管ｌを１２５０℃以上に加熱して混合物
４のメルト（ｍｅ ｌ ｔ ）を形成し、さらに粉末Ａ
ａ７を６１０℃に加熱してＡＩ＋蒸気８を発生させる。
明の詳細な説明に使用する水平ブリツノマン法の結晶成
長炉の断面図である。１ず最初にＧａＡｓ多結晶を成長
する方法を第１図を用いて説明する。石英製の封管され
た反応管１の一方の側にＧａＡａの種結晶２とＧａ／Ａ
ｍの重量比が０．９６８５７６になるようなＧａとＡａ
との混合物４を入れた熱合成法の窒化ピロン製ボート３
を配置する。ＧａとＡａとの混合物４にはＡ Ｉ！＋２
０ｓとして添加したＯ２５がＧａＡａに対するモル比で
１．２５Ｘ１０ だけ含ませている。さらに拡散バリア
６をへだてた反応管１の他方の側に粉末Ａｓ ７を、結
晶成長中にＧａとＡ、ｓとの混合物４からのＡａが離脱
を生じない程度の圧力が維持できる量だけ置く。成長に
際しては、反応管ｌを１２５０℃以上に加熱して混合物
４のメルト（ｍｅ ｌ ｔ ）を形成し、さらに粉末Ａ
ａ７を６１０℃に加熱してＡＩ＋蒸気８を発生させる。
次にメルトの耐塵を種結晶２に接した部分から順次１０
５０〜１２００℃に下げてＧａＡａ多結晶インゴットを
３０ａ；／ｈの速度で成長させる。以上の工程で成長し
た多結晶の化学量論的組成比は１．０ （１００ｆ）０
９であった。次に多結晶インコ゛ットのテール側から２
０チの部分と種結晶部分を切断除去して不純物ｉＦ度の
大きな部分を除外した。
５０〜１２００℃に下げてＧａＡａ多結晶インゴットを
３０ａ；／ｈの速度で成長させる。以上の工程で成長し
た多結晶の化学量論的組成比は１．０ （１００ｆ）０
９であった。次に多結晶インコ゛ットのテール側から２
０チの部分と種結晶部分を切断除去して不純物ｉＦ度の
大きな部分を除外した。
次に第２図の炉を用いてＧ ａＡ ！１単結晶を成長す
る方法をＭ３ｖ明する。第１図と同様に反応管ｌの一方
の側にＧａＡ８Ｑ種結晶２とテール側を切断除去したＡ
ｉｊ記多結晶インゴット４１を入れた窒化ボロン製、＋
ｐルートを配置し、さらに拡散バリア６をへだてた他方
の側に粉末Ａｓ ７を置き、次に反応管１を１２５０℃
以上に加熱して多結晶インゴット４）を溶融してメルト
を形成し、同時に粉末Ａｓ ７を６１０℃に加熱してＡ
８蒸気８を発生させた。次に前記メルトの温度を種結晶
２に接した部分から順次１０５０〜１２００℃に下げて
ＧａＡｓ単結晶インゴットを３ａ＋／ｈの速度で成長さ
せた。
る方法をＭ３ｖ明する。第１図と同様に反応管ｌの一方
の側にＧａＡ８Ｑ種結晶２とテール側を切断除去したＡ
ｉｊ記多結晶インゴット４１を入れた窒化ボロン製、＋
ｐルートを配置し、さらに拡散バリア６をへだてた他方
の側に粉末Ａｓ ７を置き、次に反応管１を１２５０℃
以上に加熱して多結晶インゴット４）を溶融してメルト
を形成し、同時に粉末Ａｓ ７を６１０℃に加熱してＡ
８蒸気８を発生させた。次に前記メルトの温度を種結晶
２に接した部分から順次１０５０〜１２００℃に下げて
ＧａＡｓ単結晶インゴットを３ａ＋／ｈの速度で成長さ
せた。
以上の実施例で成長させた単結晶インゴットの成長方向
の不純物濃度の分布を０．Ｓｔ、Ｓに関し、第３図に実
線をもって示す。第３図中、横軸はインゴットの種結晶
側肩部からテール側の肩部までの距離を規格化して示し
、縦軸は不純物濃度を７「す。なお、第３図中、破線に
て示した分布は単結晶インゴットを成長するメルトに使
りた多結晶インゴットにおける不純物濃度分布である。
の不純物濃度の分布を０．Ｓｔ、Ｓに関し、第３図に実
線をもって示す。第３図中、横軸はインゴットの種結晶
側肩部からテール側の肩部までの距離を規格化して示し
、縦軸は不純物濃度を７「す。なお、第３図中、破線に
て示した分布は単結晶インゴットを成長するメルトに使
りた多結晶インゴットにおける不純物濃度分布である。
このように本上記工程で作製したＧａＡｓ単結晶の不純
物濃度はＧａＡｓ多結晶の場合より４０〜５０％の低減
がなされた。その結果、従来成長方法と比べて、結晶の
比抵抗はほぼ同じ（３Ｘ１０Ω−ｍ）であったが電子の
移動度は室温測定でも１５チも増大した４６００ｃＭＶ
Ｓ にもなシ、さらＶこイオン注入法になるｎ形動作間
を形成したところ、該動作層のキャリア濃度のばらつき
は２５％と小きく本発明の有効性が示された。
物濃度はＧａＡｓ多結晶の場合より４０〜５０％の低減
がなされた。その結果、従来成長方法と比べて、結晶の
比抵抗はほぼ同じ（３Ｘ１０Ω−ｍ）であったが電子の
移動度は室温測定でも１５チも増大した４６００ｃＭＶ
Ｓ にもなシ、さらＶこイオン注入法になるｎ形動作間
を形成したところ、該動作層のキャリア濃度のばらつき
は２５％と小きく本発明の有効性が示された。
以上の実施例で成長方法は水平ブリツノマン法について
述べたが液相エピタキシアル法や高圧チ１クラルーｘキ
（Ｃｙｏｃｈｒａｌａｋｉ）法によっても良い。
述べたが液相エピタキシアル法や高圧チ１クラルーｘキ
（Ｃｙｏｃｈｒａｌａｋｉ）法によっても良い。
寸だ酸素の冷加はＡ３２０ ｓでおこなったがＧａ２Ｏ
３でも良いことは云うまでもない。
３でも良いことは云うまでもない。
以上のように本発明はＧａとＡ８とを直接合成して化学
量論的組成比および酸素濃度が特定の範囲にある多結晶
を成長させ、次いでこの多結晶中の不純物が多い部分を
除去した後、その多結晶のメルトより単結晶を再成長さ
せるもので、本発明によるときには不純物濃度の少ない
単結晶を得ることができ、この単結晶のいかなる部分か
ら切シ出して、イオン注入法によシロ形動作層を形成し
ても動作層のキャリア濃度のばらつきの少ない半絶縁性
基板を得ることができる効果を有するものである。
量論的組成比および酸素濃度が特定の範囲にある多結晶
を成長させ、次いでこの多結晶中の不純物が多い部分を
除去した後、その多結晶のメルトより単結晶を再成長さ
せるもので、本発明によるときには不純物濃度の少ない
単結晶を得ることができ、この単結晶のいかなる部分か
ら切シ出して、イオン注入法によシロ形動作層を形成し
ても動作層のキャリア濃度のばらつきの少ない半絶縁性
基板を得ることができる効果を有するものである。
第１図、第２図は本発明の詳細な説明するための図で、
水平ブリッジマン法の封管炉の断面図、第３図は実施例
で得られた単結晶および中間の多結晶インゴットの不純
物濃度分布図である。１は反応管、２は種結晶、３はデ
ート、４はＧａとＡ３との混合物、４１は多結晶インゴ
ット、５は酸素、６は拡散バリア、７は粉末Ａ８．８は
Ａ３蒸気を示す。 特許出願人 日本電気株式会社 一〕＼ 苓３図 ０ ０．２ ０．４ ０．６ ０Ｂ１．０η／［
水平ブリッジマン法の封管炉の断面図、第３図は実施例
で得られた単結晶および中間の多結晶インゴットの不純
物濃度分布図である。１は反応管、２は種結晶、３はデ
ート、４はＧａとＡ３との混合物、４１は多結晶インゴ
ット、５は酸素、６は拡散バリア、７は粉末Ａ８．８は
Ａ３蒸気を示す。 特許出願人 日本電気株式会社 一〕＼ 苓３図 ０ ０．２ ０．４ ０．６ ０Ｂ１．０η／［
Claims (1)
- （１） ＧａとＡｓとの化学量論的組成比（Ｇａ／Ａり
が１．００００００１〜１．１２７６５９８で、酸素（
０）濃度が６×１０１５〜１×１０１８ｃＴｎ−３であ
るＧａＡｓ多結晶インコ゛ソトを成長させる工程、前記
ＧａＡｓ多結晶インコ゛ソトの少くともテール部分を含
む端部を切断除去する工程、端部を除去した該ＱａＡｓ
多結晶を溶融してＧａＡｓのメルトを形成する工程、該
メルトからＧａＡｓ 即結晶を成長させる工程を行うこ
とを特徴とする半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8967684A JPS60235790A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8967684A JPS60235790A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235790A true JPS60235790A (ja) | 1985-11-22 |
| JPH0569798B2 JPH0569798B2 (ja) | 1993-10-01 |
Family
ID=13977352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8967684A Granted JPS60235790A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235790A (ja) |
-
1984
- 1984-05-04 JP JP8967684A patent/JPS60235790A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569798B2 (ja) | 1993-10-01 |
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