JPS60238246A - 真空吸着台 - Google Patents
真空吸着台Info
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- JPS60238246A JPS60238246A JP9161784A JP9161784A JPS60238246A JP S60238246 A JPS60238246 A JP S60238246A JP 9161784 A JP9161784 A JP 9161784A JP 9161784 A JP9161784 A JP 9161784A JP S60238246 A JPS60238246 A JP S60238246A
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- Japan
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- suction
- grooves
- vacuum suction
- holes
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は吸気作用によって半導体ウェハーガラス基板等
の被吸着部材を載台の吸着面上に吸着固定するための真
空吸着台に関するものである。
の被吸着部材を載台の吸着面上に吸着固定するための真
空吸着台に関するものである。
例えば集積回路用のシリコンウェハに精密研摩加工を施
したり一液晶表示装置用のガラス基板に又はガラス基板
等の精密な測定をする場合などにバー載台土に吸気作用
によって前記シリコンウェハーガラス基板を吸着同定す
る。この固定方法として従来は一金属製の載台の上面に
溝や孔を形成して吸着する方法や、載台として中心に多
孔質の物質を用い−その外縁を通気性のなし・金属で包
囲して吸着する方法が採用されていた。
したり一液晶表示装置用のガラス基板に又はガラス基板
等の精密な測定をする場合などにバー載台土に吸気作用
によって前記シリコンウェハーガラス基板を吸着同定す
る。この固定方法として従来は一金属製の載台の上面に
溝や孔を形成して吸着する方法や、載台として中心に多
孔質の物質を用い−その外縁を通気性のなし・金属で包
囲して吸着する方法が採用されていた。
しかし、多孔質物質を用いる方法では一多孔質物質を通
気性のない金属で包囲することになるが一吸着面を構成
する物質と、その外縁を構成する物質とが異るので一熱
膨張係数の相違や一湿度による変形率の相違により吸着
面が歪んで5例えば厚さO,]〜0.5 mmの薄(・
ウェハを研摩するとき上から押圧すると一前記歪みに沿
って湾曲したりして−そのま又研摩すると抑圧を解いた
時−変形し、た部分が膨出して表面に現われ−これは平
面精度がかなり厳しい(例えば±5μm以内)精度を要
求されるウェハ研摩においては無視できないものであヌ
、 しかも吸着面を研摩するときに研摩用の砥石や刃物を損
傷し易いという欠点もあった。
気性のない金属で包囲することになるが一吸着面を構成
する物質と、その外縁を構成する物質とが異るので一熱
膨張係数の相違や一湿度による変形率の相違により吸着
面が歪んで5例えば厚さO,]〜0.5 mmの薄(・
ウェハを研摩するとき上から押圧すると一前記歪みに沿
って湾曲したりして−そのま又研摩すると抑圧を解いた
時−変形し、た部分が膨出して表面に現われ−これは平
面精度がかなり厳しい(例えば±5μm以内)精度を要
求されるウェハ研摩においては無視できないものであヌ
、 しかも吸着面を研摩するときに研摩用の砥石や刃物を損
傷し易いという欠点もあった。
また−前述の砥石や刃物の損傷をできるだけ防止するた
めに外縁を合成樹脂にすることも考えられるが−この場
合は載台を形成するときに一樹脂が多孔質内部を通って
吸着面上に浮き出てきたり一膨張率の相違により吸着面
に凹凸が生じたり一変形したりするという欠点があった
。
めに外縁を合成樹脂にすることも考えられるが−この場
合は載台を形成するときに一樹脂が多孔質内部を通って
吸着面上に浮き出てきたり一膨張率の相違により吸着面
に凹凸が生じたり一変形したりするという欠点があった
。
本発明は一上述の如〈従来の真空吸着台の欠点に鑑みな
されたもので一吸着台本体を多孔質物質の基台と積層さ
れた通気性のない無気孔物質の薄層と同じく無気孔物質
の外縁部により焼成形成後−前記吸着面を形成する無気
孔薄層に吸着用の溝又は孔を複数条又は複数個形成し一
前記溝又は孔は前記多孔質基台に達する如く構成した促
−米にない真空吸着台を提供しようとするものである。
されたもので一吸着台本体を多孔質物質の基台と積層さ
れた通気性のない無気孔物質の薄層と同じく無気孔物質
の外縁部により焼成形成後−前記吸着面を形成する無気
孔薄層に吸着用の溝又は孔を複数条又は複数個形成し一
前記溝又は孔は前記多孔質基台に達する如く構成した促
−米にない真空吸着台を提供しようとするものである。
つぎに本発明の一実施例としてシリコンウェハなダイヤ
モンド粒子の回転研摩砥石で超精密に研摩するための研
夢装置における真空吸着台について説明する。
モンド粒子の回転研摩砥石で超精密に研摩するための研
夢装置における真空吸着台について説明する。
図において一カップ形回転研摩砥石20は回転軸21を
中心に高速で回転する。被吸着部材であるシリコンウェ
ハ1′0は一上面にICやLSIが所定の間隔で多数個
卵膜されるためのもので一表面が精密に研摩されなけれ
ばならない。11は前記ウェハ10を吸着固定するため
の真空吸着台で−この真空吸着台11は無機物−例えば
磁器質やガラス質等を用いて一体に構成され一上面吸着
部12はウェハ10を載置したとき密接して相互間に空
隙ができないように平坦に研摩されている。
中心に高速で回転する。被吸着部材であるシリコンウェ
ハ1′0は一上面にICやLSIが所定の間隔で多数個
卵膜されるためのもので一表面が精密に研摩されなけれ
ばならない。11は前記ウェハ10を吸着固定するため
の真空吸着台で−この真空吸着台11は無機物−例えば
磁器質やガラス質等を用いて一体に構成され一上面吸着
部12はウェハ10を載置したとき密接して相互間に空
隙ができないように平坦に研摩されている。
真空吸着台11は例えばアランダム砥粒6o番〜100
番位の粗い粒子を用いて適度の気孔率を得られるように
し、た基台16と一気密性をもった無気孔無機質の一薄
層の上面吸着部12と−同じく気密性をもった無気孔無
機質の外縁部14によって構成されている。前記上面吸
着部12は更に前記基台13に到達する如く溝又は孔1
2aが全面にわたって適度の間隔をもって複数条又は複
数個形成され後述する如く吸気装置(図示せず)作動時
に吸着可能な構成となっている、 本実施例の製造法について記述すると一〇iJ述の如く
適度の気孔率をもった基台16と気密性を有する無気孔
無物質の薄層の上面吸着部12と外縁部11iを一体焼
成した後に一被吸着物に合せて溝又は孔を基台16に到
達するように形成し、更に土面を平坦になるよう精密に
研摩仕上げをする。
番位の粗い粒子を用いて適度の気孔率を得られるように
し、た基台16と一気密性をもった無気孔無機質の一薄
層の上面吸着部12と−同じく気密性をもった無気孔無
機質の外縁部14によって構成されている。前記上面吸
着部12は更に前記基台13に到達する如く溝又は孔1
2aが全面にわたって適度の間隔をもって複数条又は複
数個形成され後述する如く吸気装置(図示せず)作動時
に吸着可能な構成となっている、 本実施例の製造法について記述すると一〇iJ述の如く
適度の気孔率をもった基台16と気密性を有する無気孔
無物質の薄層の上面吸着部12と外縁部11iを一体焼
成した後に一被吸着物に合せて溝又は孔を基台16に到
達するように形成し、更に土面を平坦になるよう精密に
研摩仕上げをする。
基台16、吸着部12.外縁部14はいずれも物理的性
質が同じが非常に近似したものを選択することにより、
前述した従来の欠点である熱膨張係数の相違や一湿度に
よる変形率の相違による吸着面の歪み一吸着面研摩時に
おける研摩用砥石や刃物の1貝偏などを防止することが
できる。真空吸着台11と中間部材15との接合部には
吸着および洗浄用の溝16−17−18が形成され−こ
れら溝1117−18は導通孔19を介して吸気装置(
図示せず)と洗浄装置(図示せず)に連結さ [れ、吸
気装置作動時には吸着用として、洗浄装置作動時には洗
浄用として作用する。
質が同じが非常に近似したものを選択することにより、
前述した従来の欠点である熱膨張係数の相違や一湿度に
よる変形率の相違による吸着面の歪み一吸着面研摩時に
おける研摩用砥石や刃物の1貝偏などを防止することが
できる。真空吸着台11と中間部材15との接合部には
吸着および洗浄用の溝16−17−18が形成され−こ
れら溝1117−18は導通孔19を介して吸気装置(
図示せず)と洗浄装置(図示せず)に連結さ [れ、吸
気装置作動時には吸着用として、洗浄装置作動時には洗
浄用として作用する。
また−図示されていなし・が、回転研摩砥石2゜の研摩
個所に対応して一冷却及び切屑排除のために水などを噴
射するノズル等が設けられていることは従来構造と同じ
である。
個所に対応して一冷却及び切屑排除のために水などを噴
射するノズル等が設けられていることは従来構造と同じ
である。
このような構成に′おいて一吸気装置により吸気すると
mm通孔19を介した溝16−17−18で真空吸着台
11の内部のエアを吸引するのでウェハ1[]は上上面
吸着部2に略一様な力で吸着固定される。
mm通孔19を介した溝16−17−18で真空吸着台
11の内部のエアを吸引するのでウェハ1[]は上上面
吸着部2に略一様な力で吸着固定される。
こ〜で一研摩が終ると一吸気装置を止めてウェハ10の
吸着を解く、次に洗浄装置より洗浄用の水を送り出すと
−この水が導通孔19を介して溝1117−18から真
空吸着台11の内部に圧入されて溝又は孔12aを通し
てウェハ1oを吸着部12から浮き上がらせ剥離し易(
すると共に一溝又は孔12a部分に入り込んだ研摩屑や
ゴミを洗い流して洗浄する、 発明の効果〕 上述の説明からも明らかな如く一本発明の構成によれば
一真空吸着台を構成する基台、上面吸着部、外縁部が物
理的に近似した素材を選択して使用できるので熱変形−
湿度変形などの影響の受け難い高精度の真空吸着台を提
供できる。更に一前記した基台−上面吸着部、外縁部が
前述の如(物理的に近似し7たものであることから吸着
面を仕上げ加工する場合でも砥石など工具を損傷するお
それがなく均一に仕上げることができる−など実用上非
常に有効な真空吸着台を提供できる。
吸着を解く、次に洗浄装置より洗浄用の水を送り出すと
−この水が導通孔19を介して溝1117−18から真
空吸着台11の内部に圧入されて溝又は孔12aを通し
てウェハ1oを吸着部12から浮き上がらせ剥離し易(
すると共に一溝又は孔12a部分に入り込んだ研摩屑や
ゴミを洗い流して洗浄する、 発明の効果〕 上述の説明からも明らかな如く一本発明の構成によれば
一真空吸着台を構成する基台、上面吸着部、外縁部が物
理的に近似した素材を選択して使用できるので熱変形−
湿度変形などの影響の受け難い高精度の真空吸着台を提
供できる。更に一前記した基台−上面吸着部、外縁部が
前述の如(物理的に近似し7たものであることから吸着
面を仕上げ加工する場合でも砥石など工具を損傷するお
それがなく均一に仕上げることができる−など実用上非
常に有効な真空吸着台を提供できる。
尚一本実施例においては前述した基台−上面吸着部一外
縁部の素材につ℃・では物理的に近似なも外縁部とは異
なる素材(例えば研削性のよいもの)の選択使用も可能
である。
縁部の素材につ℃・では物理的に近似なも外縁部とは異
なる素材(例えば研削性のよいもの)の選択使用も可能
である。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
11・・・・・・真空吸着台、12・・・・・・上面吸
着部。 12a・・・・・・溝又は孔、13・・・・・・基台−
11i・・・・・・外縁部−15・・・・・・中間部材
。 成性中、願人 シチズン時計株寸△ン十)
着部。 12a・・・・・・溝又は孔、13・・・・・・基台−
11i・・・・・・外縁部−15・・・・・・中間部材
。 成性中、願人 シチズン時計株寸△ン十)
Claims (1)
- 半導体ウェハなどの被吸着部材を真空吸引により密着さ
せろ平面状の吸着面を有する真空吸着台において一真空
吸着台は多孔質物質からなる基台と一該基台に積層され
た無気孔物質薄層の上面吸着部と一無気孔物質の外縁部
とfより構成し−it記士面吸着部は前記基台に達する
深さの吸着用溝又は孔を有することを特徴とする真空吸
着台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161784A JPS60238246A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 真空吸着台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161784A JPS60238246A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 真空吸着台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60238246A true JPS60238246A (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14031528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9161784A Pending JPS60238246A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 真空吸着台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60238246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014216230A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 日産自動車株式会社 | ワーク保持用の治具、および膜電極接合体の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9161784A patent/JPS60238246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014216230A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 日産自動車株式会社 | ワーク保持用の治具、および膜電極接合体の製造方法 |
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