JPS602388B2 - イオンエツチング装置 - Google Patents
イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS602388B2 JPS602388B2 JP5364280A JP5364280A JPS602388B2 JP S602388 B2 JPS602388 B2 JP S602388B2 JP 5364280 A JP5364280 A JP 5364280A JP 5364280 A JP5364280 A JP 5364280A JP S602388 B2 JPS602388 B2 JP S602388B2
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- ion etching
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Links
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 title claims description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子サィクロトロン共鳴形のイオン源を使用す
る式のイオンエッチング装置に関する。
る式のイオンエッチング装置に関する。
従釆この種装置として、比較的大口蓬のイオン化室内に
、外周の励磁ソレノィドにより磁場を生じさせる一方、
導波管を介してマイクロ波を導入して、該室内に電子の
サィクロトロン共鳴を生じさせてプラズマを発生させ、
該プラズマのイオンをその前面の比較的大口径の引出電
極により引出してその前方の反応室内にイオンシヤワを
生じさせ、これを該室内のウェハその他のサブストレー
トに作用させてこれにイオンエッチング処理を施すよう
にした式のものは知られるが、この場合該イオン化室内
の該磁場は半径方向に均一ではなく、該共鳴条件を満す
位置は半径方向の比較的狭い範囲内に限られ、これに伴
い該プラズマの密度は半径方向に均一でなく、かくて該
プラズマから引出されるイオン電流の密度は半径方向に
不均一となって最良の条件下においてもその分布は１０
％程度の相違を有し、従って該サブストレート上のエッ
チング深さは１０％程度の差異を生じ、これは好ましく
ない。これを換言すれば、エッチングレートの分布は１
０％或はそれ以上となって良好な製品を得られない不都
合を伴う。本発明はか）る不都合のない装置を得ること
をその目的としたもので、比較的大口径のイオン化室内
に、外周の励磁ソレノィドにより磁場を生じせる一方、
導波管を介してマイクロ波を導入して、該室内に電子の
サィクロトロン共鳴を生じさせてプラズマを発生させ、
該プラズマのイオンをその前面の比較的大口径の引出電
極により引出してその前方の反応室内にイオンシャワを
生じさせこれを該室内のウェハその他のサブストレート
に作用させてこれにイオンエッチング処理を施すように
した式のものにおいて、該励磁ソレノィドの励磁電流を
予定のプログラムに従って時間と共に繰返し変化させて
イオンビームの密度分布を半径方向に繰返し変化させ、
該分布を時間平均において均一化するようにして成る。
、外周の励磁ソレノィドにより磁場を生じさせる一方、
導波管を介してマイクロ波を導入して、該室内に電子の
サィクロトロン共鳴を生じさせてプラズマを発生させ、
該プラズマのイオンをその前面の比較的大口径の引出電
極により引出してその前方の反応室内にイオンシヤワを
生じさせ、これを該室内のウェハその他のサブストレー
トに作用させてこれにイオンエッチング処理を施すよう
にした式のものは知られるが、この場合該イオン化室内
の該磁場は半径方向に均一ではなく、該共鳴条件を満す
位置は半径方向の比較的狭い範囲内に限られ、これに伴
い該プラズマの密度は半径方向に均一でなく、かくて該
プラズマから引出されるイオン電流の密度は半径方向に
不均一となって最良の条件下においてもその分布は１０
％程度の相違を有し、従って該サブストレート上のエッ
チング深さは１０％程度の差異を生じ、これは好ましく
ない。これを換言すれば、エッチングレートの分布は１
０％或はそれ以上となって良好な製品を得られない不都
合を伴う。本発明はか）る不都合のない装置を得ること
をその目的としたもので、比較的大口径のイオン化室内
に、外周の励磁ソレノィドにより磁場を生じせる一方、
導波管を介してマイクロ波を導入して、該室内に電子の
サィクロトロン共鳴を生じさせてプラズマを発生させ、
該プラズマのイオンをその前面の比較的大口径の引出電
極により引出してその前方の反応室内にイオンシャワを
生じさせこれを該室内のウェハその他のサブストレート
に作用させてこれにイオンエッチング処理を施すように
した式のものにおいて、該励磁ソレノィドの励磁電流を
予定のプログラムに従って時間と共に繰返し変化させて
イオンビームの密度分布を半径方向に繰返し変化させ、
該分布を時間平均において均一化するようにして成る。
本発明実施の１例を別紙図面に付説明する。
図面で１は比較的大口径の円腕状のイオン化室を示し、
該室１内に外周の励磁ソレノイド２により磁場を生じさ
せると共に、これにその背面からマグネトロンによるマ
イクロ波を導波管３を介して導入させ、かくて該室１内
には鰭子のサイクロトロン共鳴を生じてプラズマが発生
されるようにした。該プラズマのイオンはその前面の比
較的大口径の引出電極４で引出されてその前方の反応室
５内にイオンシャワを生じ、該シャワは該室５内のター
ンテ−ブル６上のウェハその他のサブストレート７に作
用し、これにイオンエッチング処理が施されるようにし
た。図面で８は真空ポンプに蓬る排気口、９はガス源に
蓮る給気口を示し、該ガス源のガスとしては例えばＣＦ
４、Ｃよ６等を使用する。以上は従来のものと特に異る
ことなく、この場合該励磁ソレノィド２の励磁電流は予
め一定であり、これによれば前記したようにイオンビー
ムの密度分布は半径方向に不均一となり、例えば１０％
程度のばらつきをもつもので、例えば第２図に線ａで示
される通りであり、これはエッチングレートについても
略同様の分布となり、これは好ましくない。
該室１内に外周の励磁ソレノイド２により磁場を生じさ
せると共に、これにその背面からマグネトロンによるマ
イクロ波を導波管３を介して導入させ、かくて該室１内
には鰭子のサイクロトロン共鳴を生じてプラズマが発生
されるようにした。該プラズマのイオンはその前面の比
較的大口径の引出電極４で引出されてその前方の反応室
５内にイオンシャワを生じ、該シャワは該室５内のター
ンテ−ブル６上のウェハその他のサブストレート７に作
用し、これにイオンエッチング処理が施されるようにし
た。図面で８は真空ポンプに蓬る排気口、９はガス源に
蓮る給気口を示し、該ガス源のガスとしては例えばＣＦ
４、Ｃよ６等を使用する。以上は従来のものと特に異る
ことなく、この場合該励磁ソレノィド２の励磁電流は予
め一定であり、これによれば前記したようにイオンビー
ムの密度分布は半径方向に不均一となり、例えば１０％
程度のばらつきをもつもので、例えば第２図に線ａで示
される通りであり、これはエッチングレートについても
略同様の分布となり、これは好ましくない。
即ちエッチングレートの分布は５％或はそれ以下の例え
ば３％程度とされるが好ましい。本発明によれば、か）
る要求に通合すべく、前記した励磁電流を予定のプログ
ラムに従って、時間と共に繰返し変化させるもので、こ
れを詳述すれば次の通りである。即ち前記した励磁電流
を加減すれ‘よ、イオンビームの密度分布は例えば第２
図に線ａで示す状態から、第３図に線ｂで示すように中
心にピークをもつ状態に得られ「或は更に第４図に線ｃ
で示すように周辺部にピークをもつ状態に得られ、これ
を換言すれば密度分布のピークは中心から半径方向に内
外に移動され得るもので、かくて該電流を時間と共に繰
返し変化させれば該分布はそのピークが半径方向に内外
に繰返し移動された状態となり「かくして全体として時
間平均において半径方向に均一化されたものに得られる
。該電流の変化は予定のプログラムは実験により得るこ
とが可能であり、その制御は例えばマイクロコンピュー
タにより行わせれば足りる。
ば３％程度とされるが好ましい。本発明によれば、か）
る要求に通合すべく、前記した励磁電流を予定のプログ
ラムに従って、時間と共に繰返し変化させるもので、こ
れを詳述すれば次の通りである。即ち前記した励磁電流
を加減すれ‘よ、イオンビームの密度分布は例えば第２
図に線ａで示す状態から、第３図に線ｂで示すように中
心にピークをもつ状態に得られ「或は更に第４図に線ｃ
で示すように周辺部にピークをもつ状態に得られ、これ
を換言すれば密度分布のピークは中心から半径方向に内
外に移動され得るもので、かくて該電流を時間と共に繰
返し変化させれば該分布はそのピークが半径方向に内外
に繰返し移動された状態となり「かくして全体として時
間平均において半径方向に均一化されたものに得られる
。該電流の変化は予定のプログラムは実験により得るこ
とが可能であり、その制御は例えばマイクロコンピュー
タにより行わせれば足りる。
かくて、発明者の実験によれば、その分布、従ってエッ
チングレートの分布を３％程度となし得ることが確認さ
れた。このように本発明によるときは、イオンビームの
密度分布を時間平均において半径方向に均一化するもの
で、優れたエッチング処理を得ることが出来、その作動
は単に励磁電流を制御するのみで比較的簡単である等の
効果を有する。
チングレートの分布を３％程度となし得ることが確認さ
れた。このように本発明によるときは、イオンビームの
密度分布を時間平均において半径方向に均一化するもの
で、優れたエッチング処理を得ることが出来、その作動
は単に励磁電流を制御するのみで比較的簡単である等の
効果を有する。
第１図は本発明装置の１例の裁断側面線図、第２図乃至
第４図はその作動特性の線図である。 １・・・・・・イオン化室、２・・・・・・励磁ソレノ
ィド、３・・・・・・導波管、４・・・・・・引出電極
、５・・・・・・反応室、７”””サプストレート。 第１図 第２図 第３図 第４図
第４図はその作動特性の線図である。 １・・・・・・イオン化室、２・・・・・・励磁ソレノ
ィド、３・・・・・・導波管、４・・・・・・引出電極
、５・・・・・・反応室、７”””サプストレート。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １ 比較的大口径のイオン化室内に、外周の励磁ソレノ
イドにより磁場を生じさせる一方、導波管を介してマイ
クロ波を導入して、該室内に電子のサイクロトロン共鳴
を生じさせてプラズマを発生させ、該プラズマのイオン
をその前面の比較的大口径の引出電極により引出してそ
の前方の反応室内にイオンシヤワを生じさせ、これを該
室内のウエハその他のサブストレートに作用させてこれ
にイオンエツチング処理を施すようにした式のものにお
いて、該励磁ソレノイドの励磁電流を予定のプログラム
に従って時間と共に繰返し変化させてイオンビームの密
度分布を半径方向に繰返し変化させ、該分布を時間平均
において均一化するようにして成るイオンエツチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5364280A JPS602388B2 (ja) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5364280A JPS602388B2 (ja) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | イオンエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56152969A JPS56152969A (en) | 1981-11-26 |
| JPS602388B2 true JPS602388B2 (ja) | 1985-01-21 |
Family
ID=12948549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5364280A Expired JPS602388B2 (ja) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602388B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0692638B2 (ja) * | 1986-04-03 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | 薄膜装置 |
| DE3729347A1 (de) * | 1986-09-05 | 1988-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasmaprozessor |
| KR880013424A (ko) * | 1987-04-08 | 1988-11-30 | 미타 가츠시게 | 플라즈머 장치 |
-
1980
- 1980-04-24 JP JP5364280A patent/JPS602388B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56152969A (en) | 1981-11-26 |
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