JPS60240167A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS60240167A JPS60240167A JP59097318A JP9731884A JPS60240167A JP S60240167 A JPS60240167 A JP S60240167A JP 59097318 A JP59097318 A JP 59097318A JP 9731884 A JP9731884 A JP 9731884A JP S60240167 A JPS60240167 A JP S60240167A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- photoelectric conversion
- semiconductor layer
- type semiconductor
- hydrogen
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
- H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/128—Annealing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は光電変換装置特に太陽電池、フォトセンサ、蛍
光灯電池等に用いられるＰＩＮタンデム型非単結晶半導
体装置に関するものである。
光灯電池等に用いられるＰＩＮタンデム型非単結晶半導
体装置に関するものである。
「従来の技術１
アモルファス半導体を用いてタンデム型光電変換装置に
ＰＩＮＰＩＮ接合を有し、一方の■型半導体装置の光学
的エネルギバンド中として１．７〜１．８ｅＶを有する
ａ−３ｉ：Ｈ（水素が添加されたアモルファス半導体）
及び他方のＩ型半導体の光学的エネルギバンド中として
１．４〜１．６ｅＶを有するａ−３ｉｘＧｅ＋−ｘ（０
＜Ｘ＜１）とする構造が知られている。
ＰＩＮＰＩＮ接合を有し、一方の■型半導体装置の光学
的エネルギバンド中として１．７〜１．８ｅＶを有する
ａ−３ｉ：Ｈ（水素が添加されたアモルファス半導体）
及び他方のＩ型半導体の光学的エネルギバンド中として
１．４〜１．６ｅＶを有するａ−３ｉｘＧｅ＋−ｘ（０
＜Ｘ＜１）とする構造が知られている。
かかる構造に用いるａ−３ｉｘＧｅ１−ｘ（０＜Ｘ＜１
） （以下シリコン・ゲルマニューム化合物ともいう）
は、高価な反応性気体であるゲルマン（ＧｅＨ４）と、
シラン（ＳｉＨ４）とのプラズマ気相反応によって任意
の化学量論比を有する材料を作ることができる。そして
この特性は、ゲルマニュームを増加するにつれて光学的
Ｅｇを下げることが可能であるが、しかし他方、電気特
性のキャリアの移動度は急速に低下してしまった。
） （以下シリコン・ゲルマニューム化合物ともいう）
は、高価な反応性気体であるゲルマン（ＧｅＨ４）と、
シラン（ＳｉＨ４）とのプラズマ気相反応によって任意
の化学量論比を有する材料を作ることができる。そして
この特性は、ゲルマニュームを増加するにつれて光学的
Ｅｇを下げることが可能であるが、しかし他方、電気特
性のキャリアの移動度は急速に低下してしまった。
このためかかるＥｇを異ならせるタンデム型セルの５ｉ
ｘＧｅ＋−ｘ（０＜Ｘ４）を用いるアモルファス半導体
装置においては根本的大問題が存在してしまった。
ｘＧｅ＋−ｘ（０＜Ｘ４）を用いるアモルファス半導体
装置においては根本的大問題が存在してしまった。
その結果、光学的な光電変換が行われる波長領域を大き
くさせ得るタンデム型セルにその光励起されたキャリア
が再結合して消滅してしまうため外に取り出すことが非
効率的であり、結果として変換効率の向上につながらな
かった。
くさせ得るタンデム型セルにその光励起されたキャリア
が再結合して消滅してしまうため外に取り出すことが非
効率的であり、結果として変換効率の向上につながらな
かった。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明はＥｇとして１．４〜１．６ｅＶを有する非単結
晶半導体としてその電気特性においてアモルファス珪素
を用いるに比べてより高い（従来は低５＞）移動度を有
する水素またはハロゲン元素が添加されている多結晶ま
たは単結晶を含む結晶化度の助長された半導体材料（以
下多結晶半導体材料とし）う）を用いたことにある。さ
らにこの材料にゲルマニュームのごとく地球上の主成分
でなし）希少価値の材料を用いないことにある。
晶半導体としてその電気特性においてアモルファス珪素
を用いるに比べてより高い（従来は低５＞）移動度を有
する水素またはハロゲン元素が添加されている多結晶ま
たは単結晶を含む結晶化度の助長された半導体材料（以
下多結晶半導体材料とし）う）を用いたことにある。さ
らにこの材料にゲルマニュームのごとく地球上の主成分
でなし）希少価値の材料を用いないことにある。
ｒ問題を解決する手段」
本発明はかかる問題を解決するため、アモルファスを含
む非単結晶半導体特に不純物（酸素、窒素、炭素、リン
またはホウ素等の不純物）のそれぞれがが１原子％以下
しか含有しなし）、かつ水素またはハロゲン元素が再中
心中和用およびエネルギバンド巾増加用に添加された半
導体（珪素）を用いる第１のＰＩＮ接合と、この■型半
導体とは同一主成分材料であって強光照射アニール、即
ちＬ＾（炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたはエキシマ
レーザによるアニールまたは水銀灯、可視光）１０ゲン
ランプ等の強光照射によるアニールを含む）によりその
半導体を多結晶化または結晶化度を助長し、かつ水素ま
たはハロゲン元素の含有量を減少させた第２のＰＩＮ接
合のＩ型半導体層とを有せしめたことである。
む非単結晶半導体特に不純物（酸素、窒素、炭素、リン
またはホウ素等の不純物）のそれぞれがが１原子％以下
しか含有しなし）、かつ水素またはハロゲン元素が再中
心中和用およびエネルギバンド巾増加用に添加された半
導体（珪素）を用いる第１のＰＩＮ接合と、この■型半
導体とは同一主成分材料であって強光照射アニール、即
ちＬ＾（炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたはエキシマ
レーザによるアニールまたは水銀灯、可視光）１０ゲン
ランプ等の強光照射によるアニールを含む）によりその
半導体を多結晶化または結晶化度を助長し、かつ水素ま
たはハロゲン元素の含有量を減少させた第２のＰＩＮ接
合のＩ型半導体層とを有せしめたことである。
本発明に用いる多結晶半導体は基板として５０〜５００
μもの厚さを有する多結晶基板でなく、０．１〜１０μ
の厚さの薄膜アモルファス半導体を形成した後、被膜に
損傷（スパッタ）を与えない強光アニールにより結晶化
を助長した多結晶半導体を用いたことにある。
μもの厚さを有する多結晶基板でなく、０．１〜１０μ
の厚さの薄膜アモルファス半導体を形成した後、被膜に
損傷（スパッタ）を与えない強光アニールにより結晶化
を助長した多結晶半導体を用いたことにある。
特にこの光アニールにより結晶化を助長する方法はすで
に形成されている被膜にプラズマ処理のごとき被膜の損
傷を与えるプロセスを有していない。また熱アニールの
ごと＜７００〜９００℃で結晶化をさせる場合にはそれ
以前の３５０〜４５０℃の低い温度で水素またはハロゲ
ン元素が完全に放出され再結合中心を発生してしまうが
、かかるプラズマアニールおよび熱アニールのプロセス
でない方式を採用したことが本発明をディバイスレベル
にまで完成された大きな特長である。
に形成されている被膜にプラズマ処理のごとき被膜の損
傷を与えるプロセスを有していない。また熱アニールの
ごと＜７００〜９００℃で結晶化をさせる場合にはそれ
以前の３５０〜４５０℃の低い温度で水素またはハロゲ
ン元素が完全に放出され再結合中心を発生してしまうが
、かかるプラズマアニールおよび熱アニールのプロセス
でない方式を採用したことが本発明をディバイスレベル
にまで完成された大きな特長である。
「作用」
その結果、従来より公知の第１、第２の半導体もともに
珪素（水素またはハロゲン元素を含む）とし、材料的化
学的量論比の違いによるタンデム構造即ちＳｔと５ｉｘ
Ｇｅ、−Ｘによるタンデム構造ではなく、材料は同一で
あってモホロジ的（結晶構造的）に異ならせるタンデム
構造即ち一方はアモルファス、他方は多結晶というごと
きの結晶化度の違いを１型半導体層に有せしめることに
よりＥｇに０．１５ｅＶ以上の差を有せしめることに成
功した。
珪素（水素またはハロゲン元素を含む）とし、材料的化
学的量論比の違いによるタンデム構造即ちＳｔと５ｉｘ
Ｇｅ、−Ｘによるタンデム構造ではなく、材料は同一で
あってモホロジ的（結晶構造的）に異ならせるタンデム
構造即ち一方はアモルファス、他方は多結晶というごと
きの結晶化度の違いを１型半導体層に有せしめることに
よりＥｇに０．１５ｅＶ以上の差を有せしめることに成
功した。
以下にその実施例により本発明を説明する。
「実施例１」
第１図にその対応した図面を示す。
基板として厚さ１．１ｍｍのガラス基板（１）を用いた
。この上面に酸化スズ透光性導電膜が第１の電極（２）
として形成されている。この上面にプラズ？ＣＶＩｌ法
によりＰ型半導体（ＳｉｘＣ，−、Ｏ＜Ｘ＜１ 平均厚
さ１００〜２００人）（３）−水素が添加されたＩ型珪
素半導体（厚さ２０００） （ホウ素、酸素等の不純物
はそれぞれ１原子％以下）（４） −Ｎ型微結晶半導体
（５）（厚さ４００人）による第１のＰｉＮ接合の非単
結晶半導体（１１）、さらにこの上面に、Ｐ型半導体Ｓ
ｉｘＣ１−ｘ （０＜Ｘ４ 厚さ１〜２００ 人）（６
）−水素が添加されたＩ型珪素半導体（厚さ６０００人
）（７） −Ｎ型徽結晶珪素半導体（８）による第２の
ＰＩＮ接合に非単結晶半導体（１２）を積層してＰＩＮ
ＰＩＮ接合に形成した。
。この上面に酸化スズ透光性導電膜が第１の電極（２）
として形成されている。この上面にプラズ？ＣＶＩｌ法
によりＰ型半導体（ＳｉｘＣ，−、Ｏ＜Ｘ＜１ 平均厚
さ１００〜２００人）（３）−水素が添加されたＩ型珪
素半導体（厚さ２０００） （ホウ素、酸素等の不純物
はそれぞれ１原子％以下）（４） −Ｎ型微結晶半導体
（５）（厚さ４００人）による第１のＰｉＮ接合の非単
結晶半導体（１１）、さらにこの上面に、Ｐ型半導体Ｓ
ｉｘＣ１−ｘ （０＜Ｘ４ 厚さ１〜２００ 人）（６
）−水素が添加されたＩ型珪素半導体（厚さ６０００人
）（７） −Ｎ型徽結晶珪素半導体（８）による第２の
ＰＩＮ接合に非単結晶半導体（１２）を積層してＰＩＮ
ＰＩＮ接合に形成した。
この工程の後、超高圧水銀灯（出力５に―）の６００ｎ
ｍ以上の波長光をフィルタでカントし、２５０〜６００
ｎｍの波長として照射した。この照射光はシリンドリカ
ル石英レンズにより集光し、中３ｍｍ長さ１０ｃｍのス
リット状の強光として被照射面に受光させ、この受光下
をＸテーブルに配設した照射光を操作（速度５ｃｍ／分
〜５０ｃｍ／分）した。基板温度は室温〜４００℃例え
ば２１０℃とした。すると第２のＰ、ＩＮ接合をする半
導体はＮ型微結晶半導体の結晶性を有し、Ｉ型半導体内
に柱状（カラムナ状）に結晶化層を成長させることがで
きた。この結晶化はＰ型半導体が炭素を含むＳｉχＣ１
−Ｘ （０＜Ｘ＜１）であるためここでブロックされた
。
ｍ以上の波長光をフィルタでカントし、２５０〜６００
ｎｍの波長として照射した。この照射光はシリンドリカ
ル石英レンズにより集光し、中３ｍｍ長さ１０ｃｍのス
リット状の強光として被照射面に受光させ、この受光下
をＸテーブルに配設した照射光を操作（速度５ｃｍ／分
〜５０ｃｍ／分）した。基板温度は室温〜４００℃例え
ば２１０℃とした。すると第２のＰ、ＩＮ接合をする半
導体はＮ型微結晶半導体の結晶性を有し、Ｉ型半導体内
に柱状（カラムナ状）に結晶化層を成長させることがで
きた。この結晶化はＰ型半導体が炭素を含むＳｉχＣ１
−Ｘ （０＜Ｘ＜１）であるためここでブロックされた
。
結果として第１のＰＩＮ接合のＩ型半導体層はアモルフ
ァス構造が主体的であったため水素を１０〜２０原子χ
含み、光学的エネルギハンド巾が１．７〜１．８ｅＶを
有していた。しかし他方、第２のＰＩＮ接合のＩ型半導
体は多結晶構造を主体としており、その光学的Ｅｇとし
て１．４〜１．６ｅＶを有せしめることができ、そのＢ
ｇの差は０．１５〜０．４ｅνを有していた。対応した
エネルギバンド巾の一例を第１図（Ｂ）に示す 作製された光電変換装置（面積１．０５ｃｍ”）は以下
の通りである。
ァス構造が主体的であったため水素を１０〜２０原子χ
含み、光学的エネルギハンド巾が１．７〜１．８ｅＶを
有していた。しかし他方、第２のＰＩＮ接合のＩ型半導
体は多結晶構造を主体としており、その光学的Ｅｇとし
て１．４〜１．６ｅＶを有せしめることができ、そのＢ
ｇの差は０．１５〜０．４ｅνを有していた。対応した
エネルギバンド巾の一例を第１図（Ｂ）に示す 作製された光電変換装置（面積１．０５ｃｍ”）は以下
の通りである。
開放電圧 １．５６Ｖ
短絡電流 １１ｍＡ／ｃｍ２
曲線因子 ６２χ
変換効率 １０．６４χ
実施例２
第２図が対応した図面である。
基板として厚さ１００μのステンレス（１）を用いた。
この上面にＰ型半導体５ｉｘＣ＋−ｘ （０＜Ｘ４）（
厚さ２００人）（３）−水素または弗素が添加された珪
素を主成分とするアモルファス構造を主体とする■型半
導体（厚さ０．６μ）（４）−Ｎ型微結晶半導体（厚さ
３００人）（５）による第１のＰＩＮ接合を有する非単
結晶半導体（１１）を実施例１と同様に形成した。この
後、この第１のＰＩＮ接合の半導体（１１）に対し強光
アニールを実施例１と同様にして行い、Ｉ型半導体層の
結晶化を助長させ電気的特性を変化させた。この時基板
の温度は３００℃とし水素の（含有水素３〜７原子χと
推定される）脱ガス化をして光学的Ｅｇとしてｉ、４〜
１．６ｅνを得た。
厚さ２００人）（３）−水素または弗素が添加された珪
素を主成分とするアモルファス構造を主体とする■型半
導体（厚さ０．６μ）（４）−Ｎ型微結晶半導体（厚さ
３００人）（５）による第１のＰＩＮ接合を有する非単
結晶半導体（１１）を実施例１と同様に形成した。この
後、この第１のＰＩＮ接合の半導体（１１）に対し強光
アニールを実施例１と同様にして行い、Ｉ型半導体層の
結晶化を助長させ電気的特性を変化させた。この時基板
の温度は３００℃とし水素の（含有水素３〜７原子χと
推定される）脱ガス化をして光学的Ｅｇとしてｉ、４〜
１．６ｅνを得た。
さらにこの後、この表面をバッファＨＦ（ＩＰを水で１
／１０に希釈した）で洗浄し、このＮ型半導体面上にＰ
型５ｉｘ（＋−ｘ （０＜Ｘ４）半導体（６）７Ｉ型の
水素または弗素が添加された同一半導体材料（ここでは
珪素）半導体（厚さ２０００人）（７）−Ｎ型徽結晶珪
素半導体（厚さ３００人）（８）の第２のＰＩＮ接合の
半導体（１２）を形成した。この時のＰＩＮ接合の■型
半導体は水素が約２０原子χも添加されたアモルファス
的になるため、光学的Ｅｇは１．８ｅＶを有し対応した
エネルギバンド図を第２図（Ｂ）に示すが、第１の１型
半導体層とはその差が０．４ｅＶを有していた。
／１０に希釈した）で洗浄し、このＮ型半導体面上にＰ
型５ｉｘ（＋−ｘ （０＜Ｘ４）半導体（６）７Ｉ型の
水素または弗素が添加された同一半導体材料（ここでは
珪素）半導体（厚さ２０００人）（７）−Ｎ型徽結晶珪
素半導体（厚さ３００人）（８）の第２のＰＩＮ接合の
半導体（１２）を形成した。この時のＰＩＮ接合の■型
半導体は水素が約２０原子χも添加されたアモルファス
的になるため、光学的Ｅｇは１．８ｅＶを有し対応した
エネルギバンド図を第２図（Ｂ）に示すが、第１の１型
半導体層とはその差が０．４ｅＶを有していた。
さらにその上面にＩＴＯを電子ビーム蒸着法で形成した
。
。
得られた光電変換装置（面積１．０５ｃｍ”）の特性は
ＩＴＯ側より光照射以下の通りである。
ＩＴＯ側より光照射以下の通りである。
開放電圧 １．４７Ｖ
短絡電流 １２．３ｍ八へｃｍ２
曲線囚子 ６エχ
変換効率 １１．０３χ
「効果Ｊ
この発明は上記の問題を解決するためのものであり、と
もに珪素を主成分としてゲルマニューム、スズ、酸素、
炭素等の不純物は１原子％であるように努めた。その結
果、同一材料でモホロジ的に異ならせるハイブリッド構
造のタンデム構成とすることにより第１、第２の半導体
間の光学的εｇが０．１５〜０ 、４ｅＶも異なり、そ
の厚さは１０μ以下、一般にはＯ０１〜１μの薄膜の厚
さを有する２つの１型半導体層を含むＰＩＮＦＩＮ接合
のタンデム型光電変換装置を作ることできた。
もに珪素を主成分としてゲルマニューム、スズ、酸素、
炭素等の不純物は１原子％であるように努めた。その結
果、同一材料でモホロジ的に異ならせるハイブリッド構
造のタンデム構成とすることにより第１、第２の半導体
間の光学的εｇが０．１５〜０ 、４ｅＶも異なり、そ
の厚さは１０μ以下、一般にはＯ０１〜１μの薄膜の厚
さを有する２つの１型半導体層を含むＰＩＮＦＩＮ接合
のタンデム型光電変換装置を作ることできた。
さらにこのタンデム型接合をＰ’ＩＮＰＴＮ・・・・Ｐ
ＩＮとすることにより、三重構造またはそれ以上とする
ことが可能となった。
ＩＮとすることにより、三重構造またはそれ以上とする
ことが可能となった。
本発明は薄膜半導体であってホモロジ的な変化によりＥ
ｇを可変するため、材料の作製に微妙さが伴ったり、ま
た高価なゲルマン（ＧｅＨ４）をその結果として用いる
必要がないという特徴を有する。
ｇを可変するため、材料の作製に微妙さが伴ったり、ま
た高価なゲルマン（ＧｅＨ４）をその結果として用いる
必要がないという特徴を有する。
加えて強光アニールにより多結晶化特に電流の流れと同
一方向に結晶粒径が成長する柱状（ガラムナ）が形成さ
れる多結晶半導体を他方の狭いＥｇの半導体に有せしめ
たタンデム構造であることが電流を多量に取り出すこと
ができた大きな理由である。
一方向に結晶粒径が成長する柱状（ガラムナ）が形成さ
れる多結晶半導体を他方の狭いＥｇの半導体に有せしめ
たタンデム構造であることが電流を多量に取り出すこと
ができた大きな理由である。
加えて光照射側の１層は１つのＰＩＮ接合の時の１層の
厚さの０．５〜１μに比べてそれぞれが０．２）０．４
μと薄いため、光照射による空乏層中の低下に伴う劣
化を防ぐことができるという他の特長をも有する。
厚さの０．５〜１μに比べてそれぞれが０．２）０．４
μと薄いため、光照射による空乏層中の低下に伴う劣
化を防ぐことができるという他の特長をも有する。
第１図、第２図は本発明のタンデム型光電変換装置の縦
断面図（＾）およびエネルギハンド図（Ｂ）を示す。 特許出願人 株式全半導体エネルギー研究所 （Ａン （０） Ｘ２（支）
断面図（＾）およびエネルギハンド図（Ｂ）を示す。 特許出願人 株式全半導体エネルギー研究所 （Ａン （０） Ｘ２（支）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板または基板上の第１の電極と、少なくとも２つ
のＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体と、該半導体上に
第２の電極とを有し、前記ＰＩＮ接合における第１の夏
型半導体層と第２の夏型半導体層とは同一半導体材料を
主成分とし、エネルギバンド中が少なくとも０．１５ｅ
Ｖ以上の差を有し、前記小さいエネルギバンド中を有す
る半導体は前記大きいエネルギバンド中を有する半導体
に比べて結晶性を大きく有し、かつ、または水素または
ハロゲン元素の含有量を少なく有することを特徴とする
光電変換装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、第１の夏型半導体
層と同一主成分材料よりなる水素または弗素が添加され
、また他の不純物は１原子％以下しか含有しない珪素を
主成分とした半導体により第２の夏型半導体層が設けら
れたことを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097318A JPS60240167A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 光電変換装置 |
| US07/303,995 US4950614A (en) | 1984-05-15 | 1989-01-30 | Method of making a tandem type semiconductor photoelectric conversion device |
| US07/336,550 US4954856A (en) | 1984-05-15 | 1989-04-10 | Semiconductor photoelectric conversion device and method of making the same |
| US07/536,474 US5045482A (en) | 1984-05-15 | 1990-06-12 | Method of making a tandem PIN semiconductor photoelectric conversion device |
| US08/310,375 US5478777A (en) | 1984-05-15 | 1994-09-22 | Method of making a semiconductor photoelectric conversion device having a crystalline I-type layer |
| US08/527,345 US5580820A (en) | 1984-05-15 | 1995-09-12 | Method of forming a semiconductor material having a substantially I-type crystalline layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097318A JPS60240167A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240167A true JPS60240167A (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=14189132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097318A Pending JPS60240167A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60240167A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847669A (en) * | 1985-12-17 | 1989-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Tandem photoelectric conversion device |
| JP2012191188A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| RU2509392C2 (ru) * | 2008-08-01 | 2014-03-10 | Тел Солар Аг | Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5681981A (en) * | 1979-09-21 | 1981-07-04 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Semiconductor forming element for converting light to electric energy |
| JPS5799729A (en) * | 1981-10-20 | 1982-06-21 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semi-amorphous semiconductor |
| JPS58116779A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS58139478A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアス太陽電池 |
| JPS58171869A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59097318A patent/JPS60240167A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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