JPS6024019A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JPS6024019A JPS6024019A JP59104586A JP10458684A JPS6024019A JP S6024019 A JPS6024019 A JP S6024019A JP 59104586 A JP59104586 A JP 59104586A JP 10458684 A JP10458684 A JP 10458684A JP S6024019 A JPS6024019 A JP S6024019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heaters
- wafer
- wafers
- holder part
- shield plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空すなわち減圧気相中でウェハ面に蒸着ある
いはエツチング等の表面処理を施すための真空表面処理
装置の改良に関するものである。
いはエツチング等の表面処理を施すための真空表面処理
装置の改良に関するものである。
たとえば、減圧気相中でウェハ等の板状物の表面処理を
行なう装置については、特公昭50−9471号に示め
されている。
行なう装置については、特公昭50−9471号に示め
されている。
真空蒸着、スパッタ蒸着、イオンブレーティングあるい
はスパッタエツチング等によるウェハの表面処理におい
ては、例えば蒸着膜の結晶粒の均一化をはかるなどの目
的でウェハを加熱してやる必要がある場合が多い。この
ような場合、従来装置においては、真空槽内にガラスカ
バー等を設けたランプヒーターを設置し、これによりウ
ェハホルダ上のつ1ハを表面から加熱していた。
はスパッタエツチング等によるウェハの表面処理におい
ては、例えば蒸着膜の結晶粒の均一化をはかるなどの目
的でウェハを加熱してやる必要がある場合が多い。この
ような場合、従来装置においては、真空槽内にガラスカ
バー等を設けたランプヒーターを設置し、これによりウ
ェハホルダ上のつ1ハを表面から加熱していた。
しかし、上述の如き従来装置においては、ヒーターがウ
ェハ面以外に真空槽内面をも加熱するため、脱ガスによ
る真空度の低下、あるいは雰囲気中への不純ガスの混入
等が生ずる欠点があった。
ェハ面以外に真空槽内面をも加熱するため、脱ガスによ
る真空度の低下、あるいは雰囲気中への不純ガスの混入
等が生ずる欠点があった。
また、比較的低真空(約10 Torr)中でなされる
スパッタリングによる蒸着などでは、飛しょうする蒸着
物質の粒子が、ガスによる散乱をうけ、ランプのガラス
カバー面にも付着し、短時間のうちにヒーターの効率が
低下するとともに加熱温度も低下し、ひいては使用不能
となるなどの欠点があった。
スパッタリングによる蒸着などでは、飛しょうする蒸着
物質の粒子が、ガスによる散乱をうけ、ランプのガラス
カバー面にも付着し、短時間のうちにヒーターの効率が
低下するとともに加熱温度も低下し、ひいては使用不能
となるなどの欠点があった。
本発明は、前述の如き従来装置の欠点を解消し、効率良
くウェハ部分のみを加熱しうるウヱノ・加熱・保持手段
を有する新規な構成忙なる真空表面処理装置を提供する
目的でなされたものである。
くウェハ部分のみを加熱しうるウヱノ・加熱・保持手段
を有する新規な構成忙なる真空表面処理装置を提供する
目的でなされたものである。
本発明の装置の一実施例は、ウェハホルダ・−を、熱輻
射に対して透明なる材料で構成し、上記ウェハホルダー
の裏側にヒーターを配設しさらに反射板を兼ねるシール
ド板で上記ヒーターおよびホルダーの 面をシールドし
たことを特徴とするものである。
射に対して透明なる材料で構成し、上記ウェハホルダー
の裏側にヒーターを配設しさらに反射板を兼ねるシール
ド板で上記ヒーターおよびホルダーの 面をシールドし
たことを特徴とするものである。
図は、本発明の一実施例による真空表面処理装置の真空
槽内におけるウェハ加熱・保持手段の一部を示すもので
あり、図示の部分はスパッタ・タゲソトの回りを公転す
るようになっている。即ち、本実施例の装置は、ウェハ
ホルダ一部を石英板lとステンレス・スチール等からな
る接続部材2で環状に構成し、上記ウェハホルダーの裏
側にランプヒーター8および反射板を兼ねるシールド板
4を取付けてなるものである。
槽内におけるウェハ加熱・保持手段の一部を示すもので
あり、図示の部分はスパッタ・タゲソトの回りを公転す
るようになっている。即ち、本実施例の装置は、ウェハ
ホルダ一部を石英板lとステンレス・スチール等からな
る接続部材2で環状に構成し、上記ウェハホルダーの裏
側にランプヒーター8および反射板を兼ねるシールド板
4を取付けてなるものである。
ここで、上記シールド板4はMO等の耐熱金属からなる
板を断面放物線状となるように円曲せしめて構成し、ヒ
ーターからの熱線をウェハ上に反射せしめると同時に蒸
着物質がヒーター上に付着するものを防止するものであ
る。
板を断面放物線状となるように円曲せしめて構成し、ヒ
ーターからの熱線をウェハ上に反射せしめると同時に蒸
着物質がヒーター上に付着するものを防止するものであ
る。
上述の如き装置によれば、ホルダ一部1に装填されたウ
ェハ5はヒーター8によって、ホルダ一部1の裏面から
加熱されるために、前述の如く、蒸着部質によってヒー
ターの熱線が真空槽内面を照射して有害な脱ガスの混入
や真空度低下を招くこともなくなる。その上、ウェノ・
を、所望とする一定の温度に均一に加熱することが可能
となり、蒸着膜の結晶粒径の均一化による膜質の安定化
。
ェハ5はヒーター8によって、ホルダ一部1の裏面から
加熱されるために、前述の如く、蒸着部質によってヒー
ターの熱線が真空槽内面を照射して有害な脱ガスの混入
や真空度低下を招くこともなくなる。その上、ウェノ・
を、所望とする一定の温度に均一に加熱することが可能
となり、蒸着膜の結晶粒径の均一化による膜質の安定化
。
表面反射率の向上、エレクトロマイグレーションの抑制
等、多大の効果を得ることができた。
等、多大の効果を得ることができた。
図は本発明の一実施例による真空表面処理装置のウェハ
ホルダーの一部を示す斜視図である。 1・・・ホルダ一部、2・・・接合部材、3・・・ヒー
ター、4・・・反射板を兼ねるシールド板、5・・・つ
Sノ・。
ホルダーの一部を示す斜視図である。 1・・・ホルダ一部、2・・・接合部材、3・・・ヒー
ター、4・・・反射板を兼ねるシールド板、5・・・つ
Sノ・。
Claims (1)
- 1、 ウェハの裏面より熱輻射により前記ウェハを加熱
できるようにしてなり、気相中または真空中でウェハの
表面に表面処理を施す表面処理装置であって、上記輻射
の効果を減少させる部分への不所望な部材の被着を防止
する部材の少なくとも1部を熱輻射の反射部材としたこ
とを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59104586A JPS6024019A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59104586A JPS6024019A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 表面処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12834578A Division JPS5555536A (en) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | Device for treating surface under vacuum |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024019A true JPS6024019A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=14384538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59104586A Pending JPS6024019A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024019A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS445160Y1 (ja) * | 1966-03-07 | 1969-02-25 | ||
| JPS5555536A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Device for treating surface under vacuum |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP59104586A patent/JPS6024019A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS445160Y1 (ja) * | 1966-03-07 | 1969-02-25 | ||
| JPS5555536A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Device for treating surface under vacuum |
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