JPS6024057A - ハイブリツド素子 - Google Patents
ハイブリツド素子Info
- Publication number
- JPS6024057A JPS6024057A JP58132244A JP13224483A JPS6024057A JP S6024057 A JPS6024057 A JP S6024057A JP 58132244 A JP58132244 A JP 58132244A JP 13224483 A JP13224483 A JP 13224483A JP S6024057 A JPS6024057 A JP S6024057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- battery
- memory element
- vessel
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- H10B99/10—Memory cells having a cross-point geometry
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
電池を同一の容器内に設置したハイブリッド素子に関す
る。
る。
従来、メモリ素子のバックアップ電源は、プリント基板
に別途設置した電池によるのが一般的であった。しかし
ながら、ＩＣのメモリ容量が増加し、かつ消費電力が非
常に小さくなってきていることより、ＩＣ単位でメモリ
バンクアップができることが望まれるようになってきた
。
に別途設置した電池によるのが一般的であった。しかし
ながら、ＩＣのメモリ容量が増加し、かつ消費電力が非
常に小さくなってきていることより、ＩＣ単位でメモリ
バンクアップができることが望まれるようになってきた
。
本発明者らは、そのような要望に応えるべく種々研究を
重ねた結果、ＩＣ容器が取出端子を多く要するため、メ
モリ素子に比べて大きく作られていることに着目し、メ
モリバックアンプ電源用電池をメモリ素子と同一の容器
内に設置することによって、ＩＣ単位でメモリバンクア
ップができることを見出し、本発明を完成するにいたっ
た。
重ねた結果、ＩＣ容器が取出端子を多く要するため、メ
モリ素子に比べて大きく作られていることに着目し、メ
モリバックアンプ電源用電池をメモリ素子と同一の容器
内に設置することによって、ＩＣ単位でメモリバンクア
ップができることを見出し、本発明を完成するにいたっ
た。
本発明のハイブリッド素子において、メモリ素子は従来
から使用されているメモリ素子をそのまま使用すればよ
いが、容器はセラミック製にし、バンクアンプ電源用電
池としては固体電解質電池を用いるのが−好ましい。こ
れは、固体電解質電池は漏液の心配がなくかつ自己放電
が少なくて長期安定性が高く、またセラミックスは防水
性、耐気体透過性が良好で水や気体が透過しに＜（、電
池の活物質と水や気体との反応を防止するのに好ましい
からである。また、固体電解質電池であれば漏液の心配
がないので、容器の穴の底部や封目板の内面を導電性の
材料で形成することにより、電池ケースや電池蓋の必要
がなく、電池の小型化に際して好都合であるからである
。
から使用されているメモリ素子をそのまま使用すればよ
いが、容器はセラミック製にし、バンクアンプ電源用電
池としては固体電解質電池を用いるのが−好ましい。こ
れは、固体電解質電池は漏液の心配がなくかつ自己放電
が少なくて長期安定性が高く、またセラミックスは防水
性、耐気体透過性が良好で水や気体が透過しに＜（、電
池の活物質と水や気体との反応を防止するのに好ましい
からである。また、固体電解質電池であれば漏液の心配
がないので、容器の穴の底部や封目板の内面を導電性の
材料で形成することにより、電池ケースや電池蓋の必要
がなく、電池の小型化に際して好都合であるからである
。
そして、メモリ素子は汚染されると性能劣化が著しいこ
とから、メモリ素子とバックアップ電源用電池の設置に
際して、容器にそれらメモリ素子と電池を収容するため
の穴を別々に設けるのが好ましい。また、そのような観
点から、設置に際しては、まずメモリ素子をメモリ素子
用の穴に収容し、封目板で封口して密閉状態にしてから
、バックアップ電源用電池を電池用の穴に収容するのが
好ましい。
とから、メモリ素子とバックアップ電源用電池の設置に
際して、容器にそれらメモリ素子と電池を収容するため
の穴を別々に設けるのが好ましい。また、そのような観
点から、設置に際しては、まずメモリ素子をメモリ素子
用の穴に収容し、封目板で封口して密閉状態にしてから
、バックアップ電源用電池を電池用の穴に収容するのが
好ましい。
さらに、電池収容用のスペースが小さく限られているこ
とから、バックアップ電源用電池としては二次電池が好
ましく、特に薄膜固体電解質二次電池が体積の小さい電
池を作ることができ、本発明のハイブリッド素子におけ
るバックアップ電源として非常に好適である。
とから、バックアップ電源用電池としては二次電池が好
ましく、特に薄膜固体電解質二次電池が体積の小さい電
池を作ることができ、本発明のハイブリッド素子におけ
るバックアップ電源として非常に好適である。
次に本発明の実施例を図面とともに説明する。
まず、第１図により本発明のハイブリッド素子の構造を
説明すると、容器１はセラミック基で、このセラミック
製容器１にはメモリ素子を収容するための穴２とそのバ
ックアンプ電源用電池を収容するための穴３が設けられ
ている。
説明すると、容器１はセラミック基で、このセラミック
製容器１にはメモリ素子を収容するための穴２とそのバ
ックアンプ電源用電池を収容するための穴３が設けられ
ている。
そして、まず、このセラミック製容器１のメモリ素子用
の穴２にメモリ素子４を入れ、常法によりワイヤーボン
ディング（第２図にワイヤーボンディングのイメージを
１０で示す）によって配線を行なった後、セラミック基
の封口板５を穴２のフランジ部２ａに融着して穴２の開
口部を封口する。
の穴２にメモリ素子４を入れ、常法によりワイヤーボン
ディング（第２図にワイヤーボンディングのイメージを
１０で示す）によって配線を行なった後、セラミック基
の封口板５を穴２のフランジ部２ａに融着して穴２の開
口部を封口する。
つぎに電池用の穴３に薄膜固体電解質二次電池６を入れ
る。この電池６は導電性基板６ａ上にケミカルペーパー
ディポジションにより二硫化チタンＪｉｉ＃６ｂを形成
し、その上部にＬｉ４Ｓｉ０４−Ｌｉ３ＰＯ４からなる
固体電解質層６ｃをスパッタ法により形成し、さらにそ
の上部にリチウム層６ｄを蒸着により形成することによ
ってつくられたものである。
る。この電池６は導電性基板６ａ上にケミカルペーパー
ディポジションにより二硫化チタンＪｉｉ＃６ｂを形成
し、その上部にＬｉ４Ｓｉ０４−Ｌｉ３ＰＯ４からなる
固体電解質層６ｃをスパッタ法により形成し、さらにそ
の上部にリチウム層６ｄを蒸着により形成することによ
ってつくられたものである。
電池６を収容した後、金属製の封口板７を穴３のフラン
ジ部３ａに融着する。なお、上記穴２．３のフランジ部
２ａ、３ａには、金属ロウ材を前もってつけておき、封
口板７の内側には電池押え用のばね８をスポット溶接に
より前もって取り付けておいた。電池用の穴３の底部は
金属蒸着膜で形成されており、電池６からの集電板を兼
ねており、メモリ素子用の穴２まで電気的に接続するよ
うになっている。９は取出用の外部端子で、この外部端
子９はメモリ素子用の穴まで電気的に接続するように構
成されている。なお電池６はその構成を明らかにするた
めに電池収容用の穴３の深ざより厚い厚さで表示されて
いるが、実際には穴３に収容できる厚さにつくられてい
る。具体的には導電性基板６ａの厚さが約１００μｍで
、二硫化チタン層６ｂ、固体電解質層６ｃおよびリチウ
ム層６ｄの３層合計で約１００μｍ厚で、電池全体とし
ての厚さが約２００μｍである。
ジ部３ａに融着する。なお、上記穴２．３のフランジ部
２ａ、３ａには、金属ロウ材を前もってつけておき、封
口板７の内側には電池押え用のばね８をスポット溶接に
より前もって取り付けておいた。電池用の穴３の底部は
金属蒸着膜で形成されており、電池６からの集電板を兼
ねており、メモリ素子用の穴２まで電気的に接続するよ
うになっている。９は取出用の外部端子で、この外部端
子９はメモリ素子用の穴まで電気的に接続するように構
成されている。なお電池６はその構成を明らかにするた
めに電池収容用の穴３の深ざより厚い厚さで表示されて
いるが、実際には穴３に収容できる厚さにつくられてい
る。具体的には導電性基板６ａの厚さが約１００μｍで
、二硫化チタン層６ｂ、固体電解質層６ｃおよびリチウ
ム層６ｄの３層合計で約１００μｍ厚で、電池全体とし
ての厚さが約２００μｍである。
次に上記容器における電池と容器との接続関係を第２図
により明らかにする。第２図において、１１はメタライ
ズセラミック基板で、この基板１１の電池用の穴３の底
部となる部分には前述のように金属蒸着膜１２が形成さ
れ、この金属蒸着膜１２がらり一ド用メタライズ１３が
メモリ素子用の穴２の底部に向けて設けられ、電池用の
穴３の底部とメモリ素子用の穴２は電気的に接続できる
ように構成されている。
により明らかにする。第２図において、１１はメタライ
ズセラミック基板で、この基板１１の電池用の穴３の底
部となる部分には前述のように金属蒸着膜１２が形成さ
れ、この金属蒸着膜１２がらり一ド用メタライズ１３が
メモリ素子用の穴２の底部に向けて設けられ、電池用の
穴３の底部とメモリ素子用の穴２は電気的に接続できる
ように構成されている。
メモリ素子用の穴２の底部１４の周辺部がらり一ド用メ
タライズ１５が基板１１の側面に向って形成され、該リ
ード用メタライズ１５の基板１１の側面近傍の部分には
銀ロウが付着され、該銀ロウ付は部分に外部端子９が融
着さ、れる。外部端子９の融着後、高温融着用ガラス１
６を介してセラミック基の中板１７を基板１１に融着す
る。中板１７にはメモリ素子用の穴２および電池用の穴
３が設けられ、穴２、３のフランジ部２ａ、３ａとなる
部分には封止用メタライズ１８．１９が設けられ、該封
止用メタライズ１８からメタライズ１９を通ってメモリ
素子用の穴２の底部へつながるリード用メタライズ２０
が形成され、穴３に収容された電池６がメモリ素子４の
バンクアップ用電源として働き得るようにされている。
タライズ１５が基板１１の側面に向って形成され、該リ
ード用メタライズ１５の基板１１の側面近傍の部分には
銀ロウが付着され、該銀ロウ付は部分に外部端子９が融
着さ、れる。外部端子９の融着後、高温融着用ガラス１
６を介してセラミック基の中板１７を基板１１に融着す
る。中板１７にはメモリ素子用の穴２および電池用の穴
３が設けられ、穴２、３のフランジ部２ａ、３ａとなる
部分には封止用メタライズ１８．１９が設けられ、該封
止用メタライズ１８からメタライズ１９を通ってメモリ
素子用の穴２の底部へつながるリード用メタライズ２０
が形成され、穴３に収容された電池６がメモリ素子４の
バンクアップ用電源として働き得るようにされている。
そして、この中板１７に高温融着用のガラス２１を介し
てセラミック製の上板２２が融着され、穴２．３にそれ
ぞれメモリ素子４および電池６を収容し、封口板５およ
び７を穴２．３のフランジ部２ａ、３ｄに融着してハイ
ブリッド素子が完成される。
てセラミック製の上板２２が融着され、穴２．３にそれ
ぞれメモリ素子４および電池６を収容し、封口板５およ
び７を穴２．３のフランジ部２ａ、３ｄに融着してハイ
ブリッド素子が完成される。
実施例では穴２．３を上部側に設けたが、下部側（すな
わち外部端子９の脚が向いている側）に設けてもよい。
わち外部端子９の脚が向いている側）に設けてもよい。
また電池６からのリードを容器内部に配線したが、外部
端子を用いて行なうこともできる。また、電池の負極側
の集電に金属製の封目板を用いたが、これをセラミック
製のものにして、別途集電板を設けてもよい。
端子を用いて行なうこともできる。また、電池の負極側
の集電に金属製の封目板を用いたが、これをセラミック
製のものにして、別途集電板を設けてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、ＩＣ容器の空き
体積を利用してメモリ素子のバンクアンプ電源用電池を
設置することにより、同一容器内にメモリ素子とそのバ
ックアンプ電源用電池を設けた、それ自身でメモリ保持
機能を有するハイブリッド素子が提供される。
体積を利用してメモリ素子のバンクアンプ電源用電池を
設置することにより、同一容器内にメモリ素子とそのバ
ックアンプ電源用電池を設けた、それ自身でメモリ保持
機能を有するハイブリッド素子が提供される。
第１図は本発明のハイブリッド素子の一実施例を示す分
解斜視図であり、第２図は第１図に示すハイブリッド素
子に使用された容器の分解斜視図である。 １・・容器、 ２・・メモリ素子収容用の穴、３・・電
池収容用の穴、 ４・・メモリ素子、５・・封口板、
６・・電池、 ７・・封口板特許出願人 日立マクセル
株式会社 １２図
解斜視図であり、第２図は第１図に示すハイブリッド素
子に使用された容器の分解斜視図である。 １・・容器、 ２・・メモリ素子収容用の穴、３・・電
池収容用の穴、 ４・・メモリ素子、５・・封口板、
６・・電池、 ７・・封口板特許出願人 日立マクセル
株式会社 １２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１メモリ素子とメモリバックアップ電源用電池を同
一の容器内に設置したことを特徴とするハイブリッド素
子。 （２）容器をセラミック製にし、バックアップ電源用電
池として固体電解質電池を用いた特許請求の範囲第１項
記載のハイブリッド素子。 （３）容器にメモリ素子とバックアンプ電源用電池とを
収容する穴を別々に設け、それぞれの穴にメモリ素子と
バックアップ電源用電池を収容した後、封口板を容器に
融着して穴の開口部を封口した特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載のハイブリッド素子。 （４） メモリ素子用の穴にメモリ素子を収容し、封口
したのち、電池用の穴に電池を収容した特許請求の範囲
第３項記載のハイブリッド素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132244A JPS6024057A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | ハイブリツド素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132244A JPS6024057A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | ハイブリツド素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024057A true JPS6024057A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=15076733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132244A Pending JPS6024057A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | ハイブリツド素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627640A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラスの製造方法 |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP58132244A patent/JPS6024057A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627640A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラスの製造方法 |
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