JPS60241329A - A/d変換回路 - Google Patents

A/d変換回路

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Publication number
JPS60241329A
JPS60241329A JP9654884A JP9654884A JPS60241329A JP S60241329 A JPS60241329 A JP S60241329A JP 9654884 A JP9654884 A JP 9654884A JP 9654884 A JP9654884 A JP 9654884A JP S60241329 A JPS60241329 A JP S60241329A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
circuit
voltage comparison
reference voltage
bits
Prior art date
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Pending
Application number
JP9654884A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Ouchi
大内 篤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9654884A priority Critical patent/JPS60241329A/ja
Publication of JPS60241329A publication Critical patent/JPS60241329A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、A/D変換回路に関するもので、例えば、
1チツプの半導体集積回路に内蔵される高速型のA/D
変換回路に利用して有効な技術に関するものである。
〔背景技術〕
従来より、高速A/D変換方式の1つとして、全並列比
較方式が公知である(例えば、日刊工業新聞社から昭和
55年11月30日に発行された「マイコンエイジのA
/D −D/A変換技術1の82頁〜84頁参照)。
この全並列比較方式のA/D変換回路にあっては、その
電圧比較回路の数が膨大になるという欠点がある。例え
ば、8ビツトのA/D変換回路では、255個もの電圧
比較回路が必要になるものである。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、回路の簡素化を図ったA/D変換回
路を提供することにある。
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、判定基準電圧のうち上位ビットに相当する判
定基準電圧群と下位ビットに相当する判定基準電圧群と
に分けて、アナログマルチプレクサにより上位ビットに
相当する判定基準電圧を電圧比較回路に供給して第1回
目の電圧比較動作と、この電圧比較出力に従って上記ア
ナログマルチプレクサを切り換えてその量子化誤差内に
おける下位ビットの判定基準電圧を上記電圧比較化に供
給して第2回目の電圧比較動作とによりA/D変換動作
を行うものである。
〔実施例〕
第1図には、この発明の一実施例のプロ・ツク図が示さ
れている。同図の各回路ブロックを構成する回路素子は
、公知の半導体集積回路の製造技術によって、特に制限
されないが、単結晶シリコンのような半導体基板上にお
いて形成される。
直列抵抗網R/2.R・・・、R/2は、基準電圧V 
refを分圧して判定基準電圧を形成する基準電圧発生
回路を構成する。
この実施例では、電圧比較回路の数を削減するために、
上記判定基準電圧は、上位ピントと下位ビットに分けら
れ、それぞれマルチプレクサMPXを介して電圧比較回
路に供給される。例えば、4ビツトのディジタル出力信
号を得る場合には、第2図に示すように、vO〜V15
の相当する判定基準電圧うち、VO,V4.VB及びV
15が上記上位ビット用の判定基準電圧としてマルチプ
レクサMPXを介して電圧比較回路VCI〜VC4に供
給される。上記電圧比較回路VCI〜VC4の他方の入
力端子には、それぞれ入力アナログ電圧Vinが共通に
供給される。
上記電圧比較回路vci〜VC4の出力信号は、デコー
ダDCRに供給され、ここで2進のディジタル信号が形
成される。この実施例では、2回に分けて上位ビット分
のディジタル変換と下位ビット分のディジタル変換を上
記電圧比較回路VCI〜VC4により行うので、特に制
限されないが、上記デコーダDCHにより形成されたそ
れぞれの変換出力は、一旦ラッチ回路FFI、FF2に
より保持される。また、上記下位ビットのディジタル変
換のための判定基準電圧は、上記上位ピントのディジタ
ル変換出力により選択される。すなわち、上位ビットの
ディジタル変換における量子化誤差内の判定基準電圧が
マルチプレクサMPXにより選ばれて上記電圧比較化v
ci〜VC4に供給され、下位ビットのディジタル変換
動作が行われる。
この実施例のA/D変換回路の動作を第2図にに示した
動作概念図を参照して説明する。
例えば、4ビツトのA/D変換動作を行う場合、4個の
電圧比較回路vci〜VC4を用いて、2回に分けて電
圧比較動作を行うことにより、上位2ビツトと下位2ビ
ツトのA/D変換動作を行うものである。すわなち、第
1回目のA/D変換動作の時には、マルチプレクサMP
Xにより判定基準電圧V4.V8.V12及びV15を
上記電圧゛比較回路VCI〜VC4に供給する。今、入
力電圧Vinが上記判定基準電圧v8〜V12の間なら
、例えば、判定基準電圧v4とVBを受ける電圧比較回
路VC3,VC4の出力が論理“1″になるので、デコ
ーダOCRは、2進数で10を送出する。この上位ビッ
トの10により、マルチプレクサMPXは、上記判定基
準電圧による量子化誤差内の下位ビットに相当する判定
基準電圧v9〜C12を選択して、上記電圧比較化VC
I〜VC4に供給する。これにより、上記同様にして下
位ビットのA/D変換動作を行うものである。すなわち
、図示しないが、上記入力信号Vinが判定基準電圧V
IOとVllの間なら、上記同様にして2進数の10を
送出する。これにより、1回目のA/D変換動作により
形成された上位ビットの10を加えて2進数で4ビツト
からなる1010(10進数で10)が得られる。
なお、6ビツトのA/D変換動作を行う場合には、上位
3ビツトと下位3ビツトのように分割できるので、電圧
比較回路の°数は8個により構成できるものであり、8
ビツトのA/D変換動作を行う場合には、上位4ビツト
と下位4ビツトのように分割できるので、電圧比較回路
の数は16個により構成できるものである。
〔効 果〕
(1)電圧比較動作を上位ビットの下位ビットの2回に
分↓すて行うことにより、電圧比較回路の数大幅に削減
できるから、回路の簡素化を図ることができるという効
果が得られる。ちなみに、8ビツトのA/D変換回路を
構成する場合、従来の全並列比較方式では合計255個
もの電圧比較回路が必要であるのに対して、上述のよう
に16個と約1/16もの削減を図ることができる。
(2)電圧比較動作を2回に分けて行うものであるので
、従来の全並列比較方式よりは遅くなるが、他の逐次比
較方式等に比べて高速なA/D変換動作を行わせること
ができるという効果が得られる。
(3)上記電圧比較回路により上位ピントと下位ビット
の比較動作を行うものであるので、その比較出力を受け
るデコーダも供用できるから、上記(1)と相俟って回
路の簡素化を図ることができるという効果が得られる。
(4)上記(3)により、回路の素子数が大幅に低減で
きるから、半導体集積回路化に適したA/D変換回路を
得ることができるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、マルチプレク
サMPXの切り換えは、電圧比較回路の出力又はデコー
ダの出力により行うものであっちもよい。また、各回路
は、MOSFET (絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ)又はバイポーラ型トランジスタにより構成すること
ができるものである。特にMOSFETを用い他場合に
は、伝送ゲー)MOSFETを用いてアナログマルチプ
レクサを構成できるから、回路の簡素化が図られる。
〔利用分野〕
この発明は、A/D変換回路として広く利用できるもの
である。例えば、極めて簡単な回路で構成できるから、
lチップのマイクロコンピュータに内蔵させることがで
きるものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例を示すブロック図、 第2図は、そのA/D変換動作を説明するための概念図
である。 VCI〜VC4・・電圧比較回路、MPX・・マルチプ
レクサ、DCR・・デコーダ、FF 1゜代理人弁理士
 向fiIl 明大 第 1 図 第 2 図 (VFeチ)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、判定基準電圧を形成する基準電圧発生回路と、この
    基準電圧発生回路により形成された判定基準電圧のうち
    上位ビットに相当する判定基準電圧群と下位ビットに相
    当する判定基準電圧群とを選択的に伝達するアナログマ
    ルチプレクサと、上記分割された判定基準電圧群の数に
    相当する数の電圧比較回路とを含み、上記アナログマル
    チプレクサにより上位ビットに相当する判定基準電圧を
    上記電圧比較回路に供給して第1回目の電圧比較動作を
    行い、この電圧比較出力に従って上記アナログマルチプ
    レクサを切り換えてその量子化誤差内における下位ビッ
    トの判定基準電圧を上記電圧比較化に供給して第2回目
    の電圧比較動作を行うものとしたことを特徴とする。A
    /D変換回路。 2、上記A/D変換回路は、1チツプの半導体集積回路
    装置内に構成されるものであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のA/D変換回路。 3、上記A/D変換回路は、偶数ビットのディジタル信
    号を形成するものであることを特徴とする特許請求の範
    囲第1又は第2項記載のA/D変換回路。
JP9654884A 1984-05-16 1984-05-16 A/d変換回路 Pending JPS60241329A (ja)

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JP (1) JPS60241329A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01168123A (ja) * 1987-07-29 1989-07-03 Samsung Semiconductor & Teleommun Co Ltd マルチプレクシング並列アナログディジタル変換器
JPH02215229A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Nec Ic Microcomput Syst Ltd A/d変換器
JPH04360419A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Nec Ic Microcomput Syst Ltd A/dコンバータ回路

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JPH02215229A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Nec Ic Microcomput Syst Ltd A/d変換器
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