JPS60241929A - 成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、包接錯体の単分子膜、乃至単分子層累積膜を
成膜する成膜方法に関する。

［背景技術］ 近年、有機材料の進歩は目ざましく、これを薄膜化した
種々のデバイス、例えば記録媒体等の作成や提案がなさ
れている。

例えば、有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光
記録媒体については１例えば特開昭５８−１６９４８号
公報、特開昭５８−１２５２４８号公報にも開示されて
いる。いずれも有機色素を記録層とし、レーザビームに
より記録再生を行なうレーザ記録媒体に関するものであ
る。特に、特開昭５８−１２５２４ｆ１号公報に開示さ
れた媒体は、 一般式（Ｉ） で表わされるシアニン系色素の薄膜を記録層とするもの
である。（１）式で表わされるシアニン系色素溶液を回
転塗布機などを用いて、１００ＯＡ以下の厚さ、例えば
約３０ＯＡの厚さにプラスチック基板上に塗布し薄膜を
形成する。膜内の分子分布配向がランダムであると、光
照射に伴って膜内で光の散乱が生じ、微視的にみた場合
各光照射の度に生ずる化学反応の度合が異なってくる。

そこで記録媒体としては、膜内の分子分布、配向が一様
になっていることが望ましく、またできる限り膜厚が薄
いことが、記録の高密度化のために要請される。しかし
ながら、塗布法による場合、膜厚においては３００八程
度が限界であり、膜内の分子分布、配向がランダムであ
ることは解決しがたいことであった。

レジスト材料の一つとして光量子効率が大でかつ優れた
解像力を有するものとして提案されていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デバイス、電気−音響デバイス、圧・焦電デバイス
等にも応用されることが、特開昭５６−４２２２９号公
報、特開昭５８−４３２２０号公報などに示されている
。

近時においては、ジアセチレン化合物累積膜の製造方法
の改良について特開昭５８−１１１０２９号公報に示さ
れている。かかる発明にて製造された基板１−のジアセ
チレン化合物累積膜は紫外線を照射することにより重合
させてジアセチレン化合物重合体膜を作り、或はマスキ
ングして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合部分
を除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回路素
子として使用される。

しかし、これらはいずれもジアセチレン化合物に限るも
のであり、薄膜光学デバイスとして使用するときに、一
度記録したものの消去の可能性については述べられてい
ない。

一方、上述欠点を解決すべく、分子内に親木基、疎水基
及び少なくとも１個の不飽和結合を有する１種類の光重
合性モノマーの単分子膜又は単分子層累積膜を基板上に
形成して記録層としたことを特徴とする、反復使用可能
な光記録媒体が特願昭５８−１９０８３２号の光記録媒
体に示されている。

これらのジアセチレン化合物累積膜にしても、光重合性
オレフィンモノマーの単分子膜若しくは単分子層累積膜
にしても、光反応性化合物に親木基、疎水基を導入して
、直接１＆板トに担持させる製法を採用している。従っ
て、種々の機能性膜を簡単に作製することが困難なのに
加えて、親木基、疎水基の導入に伴う光反応性の低下の
恐れがあった。更には、非常に高度な高密度記録を行う
際に重要となる、膜面内の分子配向の制御についても、
極めて複雑な操作が要求される問題があった。

［発明の開示］ 本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであって、本発
明の目的とするところは、ｌ）各種の機能性１模を比較
的簡単に作成することができ、２）その際、機能性分子
の持つ各種機能が、薄膜化した場合に於いても、損失若
しくは低下されることなく発現する様に膜化することが
可能であり、更には、３）に記の薄膜化に於いて、特別
な操作を行うことなしに、膜構成分子が膜面内方向に対
して、高度の秩序構造を持って配向させ得るような新規
な成膜方法を提供することにある。又、かかる成膜方法
を用いて、種々の有機デバイスを、安易にかつ高品質に
提供し得るようにすることにある。

本発明のト記目的は、以下の本発明によって達成される
。

水相と気相とから成る系の水相にに、その分子内に親水
性部位、疎水性部位及び低分子との包接が可能な部位（
包接部位）を有する分子（ホスト分子）又は該ホスト分
子と該ホスト分子に包接されるに包接される別種の分子
（ゲスト分子）とを溶解して成る溶液を展開し、該気相
をゲスト分子ガス雰囲気として該水相」二にホスト分子
とゲスト分子とからなる包接錯体の単分子膜を形成し、
該包接錯体の単分子膜又は単分子層累積膜を相体上に成
膜することを特徴とする包接錯体の単分子膜又は単分子
層累積膜の成膜方法。

本発明に用いられるホスト分子としては、分子内の適当
な位置に親水性部位、疎水性部位及び少なく共１ケ所の
他種分子との包接錯体を形成可能な部位を有する分子で
あれば広く使用することができる０分子内に親木性部位
や疎水性部位を形成し得る構成要素としては、一般に広
く知られている各種の親木基や疎水基等が代表的なもの
として挙げられる。他種分子との包接錯体を形成し得る
部位は、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、エス
テル基、アミン基、ニトリル基、チオアルコール基、イ
ミノ基等の導入によって形成される。このようなホスト
分子を、一般式（Ｉｌａ）〜（ＩＩｃ）で示される水酸
基を持つホスト分子を例として、以下に具体的に説明す
る。

（ココテ、Ｘ−ＨまたはＣ６Ｉｓ　’ｔ’ある。）すな
わち、分子内に親木性部位および疎水性部位を有すると
は、例えば上式に於いてＲ１部及び１２部の何れか一方
に親水性部位が存在し、他方に疎水性部位が存在するか
、Ｒ１部及びＲ２部が両部以外の残りの部との関係に於
いて共に親水性、若しくは疎水性を示すことを言う。Ｒ
１部及び、Ｒ２部の構造に関して、疎水性部位を導入す
る場合には特に炭素原子数５〜３ｏの長鎖アルキル基が
、又親水性部位を導入する場合には特に炭素原子数１〜
３ｏの脂肪酸が望ましい。

本発明に於けるホスト分子を更に具体的に示せば、例え
ば以下に列挙するアセチレンジオール誘導体（Ｎｏ、１
−Ｎｏ、’８．　Ｎｏ、１８〜Ｎｏ、２１）、ジアセチ
レンジオール誘導体（Ｎｏ、７〜Ｎｏ、Ｉ２．　Ｎｏ、
２２〜ｌｂ　、２？）、ハイドロキノン誘導体（Ｎｏ、
１３〜Ｎｏ、１５゜陥、２８〜Ｆ＆）　、３０）等が利
用し得るものとして挙げられる。尚、以下の例における
　ｍ、ｒｌは、正の整数を、Ｚは、−Ｃｌ−Ｔａ　マタ
は−ｃＯＯＨヲ、ｐｈは、　−Ｃ６ＩＩｓを示すものと
する。

〔アセチレンジオール柄尋体の例〕

ｎ１ ８０２ｍ＋ｎ≧１１．ｎ≧Ｏ ｎ２ ８０部ｍ＋ｎ≧１１．ｎ≧Ｏ １ｋｌＢ ８０部ｍ　＋　ｎ≧８＋ｎ≧１ ｎ４ ９− ８０部ｍ＋ｎ≧８ｗｎ≧１ ５ ８０部ｍ＋ｎ≧８．ｎン０ 阻６ ８０部ｍ＋ｎ≧８．ｎ≧０ 〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕 ｎ７ １０− ８０≧ｍ＋ｎ≧（１、ｎ≧０ Ｎ１１８ ８０≧ｍ＋ｎ≧９＋ｎ≧Ｏ ｎ９ ８０≧ｍ＋ｎ≧５　＋　ｎ≧Ｉ ｎ１Ｏ ８０≧ｒｎ　＋　ｎ≧５　＋　ｎ≧ｌ …１１ ８０≧ｍ＋ｎ≧５．ｎ≧０ 陰１２ ８０≧ｍ＋ｎ≧５．ｎ≧０ 〔ハイドロキノン誘導体の例〕 陽１８ ８０≧ｍ＋ｎ≧１８．ｎ≧０ ＃姐１４ ．０Ｈ ８０≧ｍ−１−ｎ≧＄）、ｎ≧１ 陽】５ ０■ ｎ ）３０≧Ｉｎ　＋　１２９　＊　ｎ≧０〔アセチレンジ
オール誘導体）例〕 陽１６ ８０≧ｎ≧５ ）ｈ１７ ８０≧ｎ≧５ Ｎｌ［１１８ ８０≧ｎ≧４ １９ ８０≧ｎ≧４ ｎ２０ ８０≧ｎ２：４ ｊ社″２１ ８０≧ｎ≧４ −１４．− 〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕 陽２２ ８０≧ｎ≧８ ｎ２Ｂ ８０≧ｎ≧８ 阻２４ ８０≧ｎ≧１ 陽ｚ５ ８０≧ｎ≧１ ｎ９６ ８０≧ｎ≧１ ｍ２？ ８０≧ｎ≧１ 〔ハイドロキノン誘導体の例〕 階２８ Ｒ Ｈ ８０≧ｎ≧５ を姐２９ １１ ８０≧ｎ≧１ Ｎｎｈ。

０Ｍ １７− 以上挙げた化合物はホスト分子に長鎖アルキル基や長鎖
カルボン酸等を置換させて親木性や疎水性を導入した点
を除けばそれ自体既知の化合物であり、又、長鎖アルキ
ル基等で修飾されていないホスト分子が、種々のゲスト
分子と結晶性の包接錯体を形成する点に関しても、日本
化学会誌間、２２３９頁−２４２頁（１８８３年）に述
べられている。しかしながら、これら包接錯体の単分子
膜、乃至単分子層累積膜の形成方法について報告された
例はない。

これらホスト分子と包接錯体を作り得るゲスト分子とし
ては、一般に、ホスト分子と強い水素結合を形成し得る
分子が望ましい、従って、先に述べた如く、ホスト分子
が包接部位として水酸基を有する場合には、ゲスト分子
として、アルデヒド、ケトン、アミン、スルフオキシド
等を挙げることができる。また、ゲスト分子としては他
に、各種ハロゲン化合物、或いはπ−電子系化合物。

即ちアルケン、アルキン、及びアレーン等を選ぶ事もで
きる。何れにせよ、形成される包接錯体が所望の機能を
示す構造を有する分子が選ばれて、前述の如き種々のデ
バイスが作成される。

このようなゲスト分子を、例えば記録媒体等に利用可能
なものを例として具体的に示せば、ゲスト分子の列華を
利用した記録媒体等に利用し得るような、以下に列挙す
るようなものが挙げられる。

即ち、ケトン（Ｎｏ　、４２）、１，２−エポキシプロ
パンなどのエポキシド（Ｎｏ、４３）、エチレンイミン
（Ｎｏ、４４）、ベンゼア　（Ｎｏ、４５）、ジクロル
メタン、クロロホルムなどの塩化物（Ｎｏ、４８　、　
ＮＯ，４？）、臭化メチルなどの臭化物（Ｉｔ＋、４Ｂ
）等である。

１ 陽、４２　Ｒ−Ｃ−Ｒ（Ｒ＝−ＣＨ３，−Ｃ２Ｈ５）Ｎ
ｏ、４６　０Ｈ７ｃ１２ 崩、４７　ＣＨＣｌ３ Ｎｏ、４８　Ｃ）Ｉ３Ｂｒ 本発明ではこのようなホスト分子およびゲスト分子から
成る包接錯体の膜化を、一般に有機化合物の単分子膜ま
たは単分子層累積膜を作成する方法として広く知られて
いるｉＬａｎｇ層ｕｉｒらの開発したラングミュア・プ
ロジェット法（ＬＢ法）を応用して行なう、　ＬＢ法は
、例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子に
おいて、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度
に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向け
て単分子の層になることを利用して単分子膜または単分
子層の累積膜を作成する方法である。水面］二の単分子
層は二次元系の特徴をもつ０分子がまばらに散開してい
るときは、一分子当り面ＭＡと表面圧ｎとの間に二次元
理想気体の式、 ｎＡ＝　ｋＴ が成り立ち、゛気体膜″゛となる。ここに、ｋはポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“°凝縮膜（また
は固体膜）°゛になる。凝縮膜はガラス基板などの種々
の材質や形状を有する担体の表面へ一層ずつ移すことが
できる。このＬＢ法では、１１体を水面を上下に移動さ
せたり（垂直浸漬法）、水面と水平になるように接触さ
せたり（水平伺着法）、あるいは水面上で相体を回転さ
せたり　（円筒回転法）すること等によって相体上に単
分子膜または単分子層累積膜を成膜する。この方法を利
用した、本発明のゲスト分子を包接するホスト分子の単
分子膜（これを単鎖体分子膜と呼ぶことにする）、若し
くは単鎖体分子層累積膜の成膜方法を以下に示す、尚、
本発明では上記の如き成膜を水相と気相とから成る系で
行なう、具体的には［Ａ］〜［Ｂ］に示す２法が挙げら
れる。

［Ａ］　目的とする包接錯体ホスト分子を溶剤、例えば
ベンゼン、クロロホルム等に溶解し、これを水相と気相
とから成る系の水相上に展開させる。次いで、気相側、
即ち系内の空間をゲスト分子ガス雰囲気とする。この時
、水相上のホスト分子が気相側のゲスト分子を包接し、
該水相上に包接錯体０ が膜状に析出する。即ち、これはゲスト分子が低沸点で
気化し易い性質を持つ化合物、例えばアセトン等の場合
、特に有効な方法である。

水相上に析出する包接錯体は、ホスト分子の構造がＮｏ
、１−Ｎｏ、１５に示したような分子の両端に親木性部
位（カルボキシル基）と疎水性部位（アルキル基）を併
有するものであれば、ゲスト分子の親木性および疎水性
のいかんにかかわらず、ホスト分子の親木性部位を水相
に向けた状態で水相」二に展開する。一方、ホスト分子
がＮｏ、ＩＥｌ　−Ｎｏ、３０に示した構造をとる場合
１分子の両端が疎水性部位のみで構成されるＺ−ＣＨ３
では、水相上に析出する包接錯体は、ゲスト分子の親水
性部位を水相に向けた第１図に示すような状態で水相上
に展開する。又、分子の両端が親木性部位のみで構成さ
れるＺ＝−ＣＯＯＨでは水相上に形成される包接錯体は
、ホスト分子の親水性部位を水相に向けた第２図に示す
ような状態で水相上に展開する。

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して広がりすぎな
いように仕切板（または浮子）を設けてＩｔ４開面積を
制限して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比
例した表面圧ｎを得る。この仕切板を動かし、展開面積
を縮少して膜物質の集合状！ｆｆｉを制御し、表面圧を
徐々に」−昇させ、累積膜の製造に適する表面圧■を設
定することができる。この表面圧を維持しながら静かに
清浄な担体を垂直に上下させることにより単錯体分子膜
が担体１−に移しとられる。単鎖体分子膜は以北で製造
されるが、単鎖体分子層累積膜は前記の操作を繰り返す
ことにより所望の累積度の単鎖体分子層累積膜が形成さ
れる。

単鎖体分子層を担体上に移すには、上述した垂直浸漬法
の他、水平付着法１回転円筒法などの方法による。水平
付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる方法で
、回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて単
鎖体分子層を担体表面に移しとる方法である。前述した
垂直浸せき法では、表面が親木性である担体を水面を横
切る方向に水中から引き」二げるとホスト分子の親木基
が担体側に向いた単鎖体分子層が担体上に形成される。

前述のように担体を上下させると、各行程ごとに１枚ず
つ単錯体分子層が積み重なっていく。

成膜分子の向きが引上げ行程と浸せき行程で逆になるの
で、この方法によると各層間はホスト分子の親木基と親
木基、ホスト分子の疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜
が形成される。それに対し、水平付着法は、担体を水面
に水平に接触させて移しとる方法で、ホスト分子の疎水
基が担体側に向いた単錯体分子層が担体上に形成される
。この方法では、累積しても、成膜分子の向きの交代は
なく全ての層において、＠水幕が担体側に向いたＸ型膜
が形成される０反対に全ての層において親木基が担体側
に向いた累積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて単分
子層を担体表面に移しとる方法である。

単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いる時には。

担体ロールから水相中に相体を押し出していく方法など
もとり得る。また、前述した親木基、神木３ 基の担体への向きは原則であり、担体の表面処理等によ
って変えることもできる。

以」−の成膜過程に於いて膜物質の面内方向の配向性制
御は従来、主として表面圧の制御に依って成されていた
訳であるが、膜物質が全稈単純な構造の化合物１例えば
直鎖脂肪酸等の場合を除き、高い秩序性を得ることは極
めて困難であった。然るに本発明に於いては、包接錯体
を膜物質に用いるので、高い秩序性を持つ膜を比較的簡
単に得ることができる。即ち、水相上に包接錯体が膜状
に析出した時点で、水素結合やファン・デル・ワールス
カ等に因ってホスト分子−ゲスト分子間、ホスト分子−
ホスト分子間、ゲスト分子−ゲスト分子間の立体的配置
は固定され、各ホスト分子及びゲスト分子は結晶格子的
秩序性を持って配列する。又、ゲスト分子のみが機能性
を持つ場合には、このゲスト分子への化学的修飾、即ち
、疎水基や親木基の導入を行わないので、膜化に伴う機
能の低下は生じない。

［Ｂ］水相と気相とから成る系の気相側、即ち系内２４
゜ の空間をゲスト分子ガス雰囲気とする０次に［１的とす
る包接錯体のホスト分子とゲスト分子とを溶剤に溶解し
、これを水相上に展開させて包接錯体を膜状に析出させ
る。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の成
膜操作については、［Ａ］１と示した方法に準する。

この方法では、［Ａ］とは異なり、ホスト分子とゲスト
分子とをあらかじめ溶解しておくので。

ホスト分子の包接能力が弱い場合に有効である。

また、気相側をゲスト分子ガス雰囲気としておくので、
ホスト分子とともに水相上に展開されるゲスト分子が気
化し易い場合に、ゲスト分子の気化を押えるこよもでき
る。

上述の方法によって担体上に形成ぎれる単錯体分子膜及
び単鎖体分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性を
有しており、しかも膜化に際して各種４１１能が損失も
しくは低下することもない、また、上記成膜方法はその
原理からも分る通り、非常に簡易な方法であり、このよ
うな膜を用いる各種デバイスを安易かつ高品質に提供す
ることが町６ 能である。

以下、」１記方法を用いて作成した単錯体分子膜、乃至
単鎖体分子層累積膜を有するデバイスの例として、ゲス
ト分子の昇華を利用した記録媒体を示し、本発明につい
て更に詳細に説明する。

例えばホスト分子としてＮｏ、１〜３０の何れかと、Ｎ
ｏ、４２、Ｎｏ、４４等のゲスト分子を組合わせて、ホ
スト分子対ゲスト分子の組成比（−Ｏ１比）がｌ：ｌ乃
至ｌ：２の包接錯体を形成する。この単鎖体分子膜若し
くは単鎖体分子層累積膜にあるパターンに従ってこれら
ゲスト分子が包接錯体より解離して気化するに十分なエ
ネルギーを有するレーザ光や電子線等を照射すると非照
射部位に於いては、ゲスト分子はホスト分子に包接され
たままであるので上記パターンに従った記録が成された
ことになる。

記録された情報の読み取りは、ゲスト分子としてＮｏ、
４２．を用いた場合にはこれらの化合物が持つカルボニ
ル基に基づく紫外光吸収の有無を読みとることにより成
される。又、レーザ光や電子線７ 照射前後の膜の構造変化をシュリーレン法により読み取
ることもでき、この方法は、ゲスト分子としてＮｏ、４
２、Ｎｏ、４４を用いた場合にも有効である。又、Ｎｏ
、４２を含む単錯体分子膜乃至単鎖体分子層累積膜なＳ
ｅ、　ＺｎＯ，ＣｄＳ等の光導電体層にに形成すること
により包接錯体部とゲスト分子のみの部位との吸光度の
差を電気的に読み取ることもＯｆ能である。

以上の記録媒体に於いて膜厚は、特に１００〜１０００
Ａのものが好ましい。

以］−述べた、本発明における単鎖体分子膜または単分
子層累積膜を形成する相体は特に限定されないが、担体
表面に界面活性物質が付着していると、単鎖体分子層を
水面から移しとる時に、単鎖体分子膜が乱れ良好な単鎖
体分子膜または中錯体分子層累積膜ができないので相体
表面が清浄なものを使用する必要がある。使用すること
のできる相体の例としては、ガラス、アルミニウムなど
の金属、プラスチック、セラミックなどが挙げられる。

８ 担体上の単鎖体分子膜または単錯体分子層累積膜は、十
分に強く固定されており担体からの剥離、剥落を生じる
ことはほとんどないが、付着力を強化する目的で相体と
単鎖体分子膜または単鎖体分子層累積膜の間に接着層を
設けることもできる。さらに単鎖体分子層形成条件例え
ば水相の水素イオン濃度、イオン種、水温、担体上げ下
げ速度あるいは表面圧の選択等によって付着力を強化す
ることもできる。

単分子膜または単分子層累積膜の上に保護膜を設けるこ
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の選択によって保ｉ＃膜は設けても設けなくてもよい。

以下に、本発明の実施例として、」１記記録媒体の作成
例を示し、本発明について更に具体的に説明する。尚、
以下の例におけるＮｏ、１３０〜Ｎｏ、６５の化合物は
、第１表に示す。

実施例１ ホスト分子として、Ｎｏ、８５のアセチレンジオールを
クロロホルムに溶かした後、ｐＨ８，５、塩化カドミウ
ム濃度４×ｌθ″４Ｍの水相上に展開させた。

溶媒のクロロホルムを蒸発除去させた後、系の気相側を
アセトンで飽和させた。このアセトン雰囲気下１表面圧
を３５ｄｙｎｅｇ／ａｍにまで高めて包接錯体を膜状に
析出させた後、気相側のアセトンを空気若しくは窒素で
置換した０次いで、表面圧を一定に保ちながら、表面が
十分に清浄なガラス基板を上下速度２ｃ−／■ｉｎで水
面を横切る方向に静かにに下させ、単鎖体分子膜を基板
」二に移しとり、単鎖体分子膜及び３　、５　、９　、
１５．１８層に累積した中錯体分子層累積膜を記録層と
する記録媒体を製造した。この累積行程に於いて、基板
を水相から引き上げる都度に３０分間以上放置して基板
に付着している水分を蒸発除去した。成膜装置としては
。

英国Ｊｏｙｃｅ社製のＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｔｒｏｕｇｈ
　４を使用した。

応用例１ 実施例１で作成した記録媒体にパターンに従ってレーザ
光を照射したところ、照射部位だけゲスト分子、即ちア
セトン分子が、気化除去され、その部分の吸収スペクト
ル強度（入膳ａｘ＝２８０ｎ諧）が減少し、情報の記録
が成された０分子オーダーの高密度記録がｒｉ（能であ
った。又、ゲスト分子の有無をシュリーレン法を用いて
読みとることによる記録再生方法も可能であった。この
該記録媒体をアセトン気流中に１時間放置したところ、
アセトンの除去された部位に再びアセトンが包接され、
記録が消去されると共に、再記録が可能であった。

この記録消去　再記録のプロセスは少なくとも数十回の
使用に耐え、反復使用が可能であることを確認した。

実施例２〜５．応用例２〜５ 実施例１、応用例１のホスト分子Ｎｏ、８５の代わりに
Ｎｏ、８０〜Ｎｏ、８３を用いた場合にも実施例１、応
用例１と同様の結果が得られた。

実施例６〜９ ホスト分子としてＮｏ、８０〜Ｎｏ、８３を用い、クロ
ロホルムに溶かした後、ｐｉ（８，５、塩化カドミウム
濃度４　Ｘ　１０′４Ｍの水相−にに展開させた。この
際、系の気相側をクロロホルムでほぼ飽和させた。溶Ｉ
ＪＪ（源側）のクロロホルムがほぼ気化するのを待って
　（約５分）、表面圧を３５ｄｙｎｅｇ／ｃｍにまで高
めて包接錯体を膜状に析出させた後、気相側のクロロホ
ルムを空気、若しくは窒素で置換した０次いで、表面圧
を一定に保ちながら表面が十分に清浄なガラス基板を上
下速度、２ｃｍ／ｗｉｎにて水面を横切る方向に静かに
上下させ、単鎖体分子膜を基板上に移しとり、単鎖体分
子膜及び３，５，９゜１５．１１３層に累積した単錯体
分子層累積膜を記録層とする記録媒体を製造した。

応用例６〜９ 実施例６〜９で作成した記録媒体にパターンに従ってレ
ーザ光を照射したところ、照射部位だけ、ゲスト分子、
即ちクロロホルムが、気化除去され記録が成された０分
子オーダーの高密度記録が可能であった。このゲスト分
子の部分的除去に伴う膜の形状変化をシュリーレン法を
用いて読みとることにより情報の再生が可能であった。

該記録媒体をクロロホルム気流中に１時間放置したとこ
１ ろ、クロロホルム分子が再包接され、記録が消去される
と同時に再記録が可能であった。この記録消去→＋１ｆ
記録のプロセスは、少なくとも数十回の使用に耐え、反
復使用が可能であることを確認した。

なおゲスト分子　（気相及び展開溶媒）として、ベンゼ
ン（Ｎｏ、４５．実施例１０、応用例ＩＯ）、ジクロル
メタン（Ｎｏ、４Ｅｆ、実施例１１．応用例１１）を用
いた場合にも同様の結果を得た。

実施例１２〜１７．応用例１２〜１７ ホスト分子としてＮｏ、６０〜Ｎｏ、８３、ゲスト分子
として１．２−エポキシプロパン（ＮＯ，４３）を用い
て実施例１と同様にして単錯体分子膜乃至、単錯体分子
層累積膜を記録層とする記録媒体を製造した（実施例１
２〜１５）、この際、予め水相側に１．２−エポキシプ
ロパン（Ｎｏ、４３）をｌ　Ｘｌ０−３〜Ｉ　Ｘ　１０
−’　Ｍ程度溶解させて、気相側のゲスト分子が、水中
に拡散するのを防止した。情報の記録、再生、及び消去
の方法並びに結果は応用例１と同様であった（応用例１
２〜１５）。

２ なお、ゲスト分子としてアセトン、エチレンイミン（Ｎ
ｏ、４４）を用いた場合も同様の結果を得た。

（実施例１６〜１７、応用例１６〜１７）。

実施例１８〜２１．応用例１８〜２１ ホスト分子としてＮｏ、８０〜Ｎｏ、８３、ゲスト分子
として臭化メチルＮｏ、４８を用いて実施例】と同様に
して単鎖体分子膜乃至単鎖体分子層累積膜を記録層とす
る記録媒体を製造した（実施例１８〜２１）。情報の記
録、再生及び消去の方法並びに結果は応用例１と同様で
あった（応用例１８〜２１）。

実施例２２〜２８．応用例２２〜２８ ホスト分子としてＮｏ、８４を用い、ゲスト分子にＮｏ
、４２〜Ｎｏ、４８を用いて単錯体分子膜乃至３゜５．
９層に累積した単鎖体分子層累積膜を作成した。この作
成方法はゲスト分子の種類によって、若干異なり、実施
例１〜２１に記した方法により作成した。かかる単鎖体
分子膜、乃至単錯体分子層累積膜を高圧水銀灯を用いて
全面露光してホスト分子を重合させて記録媒体を製造し
た（実施例２２〜２８）。

情報の記録、再生、及び消去の方法並びに結果は、応用
例１或いは応用例６〜１１と同様であった（応用例２２
〜２８）０本方法によればホスト分子の基板４１１着力
が、実施例　１〜２１に比べて、増大する。従って記録
媒体の化学的強度が相対的に大となり、反復使用回数を
少なくとも　１００回まで増大できることがわかった。

第１表 以上に説明した如く、本発明によって、１）各種の機能
性膜を比較的簡単に作成することができるようになった
。２）その際、機能性分子の持つ各種機能が、薄膜化し
た場合に於いても、損失若しくは低下されることなく発
現する様に膜化することが可能となった。更には、３）
上記の薄膜化に於いて、特別な操作を行うことなしに、
膜構成分子が膜面内方向に対して、高度の秩序構造を持
って配向させ得るようになった。又、４）種々の有機デ
バイスを、安易にかつ高品質に提供し得るようなった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明に係る包接錯体の水相上に於け
る状態を説明する説明図である。 １−−−ホスト分子　２−ｍ−ゲスト分子３−−−親木
性部位 ４−ｍ−長鎖アルキル部位 １０、　ｌｉ−一包接部位 １２、１３−−一被包接部位 １４−ｍ−長鎖脂肪酸部位 ５ １５−ｍ−疎水性部位 １６−−−水相 特許出願人　キャノン株式会社 ６ （ｂ） １図 （ｂ） 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 水相と気相とから成る系の水相上に、その分子内に親水
   性部位、疎水性部位及び包接部位を有するホスト分子又
   は該ホスト分子と該ホスト分子に包接されるゲスト分子
   とを溶解して成る溶液を展開し、該気相をゲスト分子ガ
   ス雰囲気として該水相上にホスト分子とゲスト分子とか
   らなる包接錯体の単分子膜を形成し、該包接錯体の単分
   子膜又は単分子層累積膜を担体上に成膜することを特徴
   とする包接錯体の単分子膜又は単分子層累積膜の成膜方
   法。