JPS6024332A - ３−５族化合物半導体スクラツプの処理法 - Google Patents
３−５族化合物半導体スクラツプの処理法Info
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- JPS6024332A JPS6024332A JP58130994A JP13099483A JPS6024332A JP S6024332 A JPS6024332 A JP S6024332A JP 58130994 A JP58130994 A JP 58130994A JP 13099483 A JP13099483 A JP 13099483A JP S6024332 A JPS6024332 A JP S6024332A
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- compound semiconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、本発明は、ＩｎＰを主成分とし、 、（）ａＡｓ−Ｇ
ａＰなどのＩｎＰ以外の化合物半導体を含むスクラップ
から、有価物であるＩｎ−Ｇａを分離・回収する方法に
関する０ Ｂ−ｖ族化合物半導体を用いた素子の製造工程には、（
１）原料元素からの化合物半導体合成。
ａＰなどのＩｎＰ以外の化合物半導体を含むスクラップ
から、有価物であるＩｎ−Ｇａを分離・回収する方法に
関する０ Ｂ−ｖ族化合物半導体を用いた素子の製造工程には、（
１）原料元素からの化合物半導体合成。
（２）合成した化合物からの単結晶製造、（３）単結晶
からの製品切り出し・研磨等の加工、（４）加工単結晶
表面での素子作成等の段階があるが、これら工程での製
品歩留りは低く、一般に使用した原料の９０係前後は工
程上のロスとなる。これらの工程で生じたスクラップに
はＧａ・Ｉｎ等の高価な希元素が主に化合物半導体の形
で多Ｂ゛に含まれており、これらの有価物を回収するこ
とは。
からの製品切り出し・研磨等の加工、（４）加工単結晶
表面での素子作成等の段階があるが、これら工程での製
品歩留りは低く、一般に使用した原料の９０係前後は工
程上のロスとなる。これらの工程で生じたスクラップに
はＧａ・Ｉｎ等の高価な希元素が主に化合物半導体の形
で多Ｂ゛に含まれており、これらの有価物を回収するこ
とは。
経済性や資源の有効利用の点で重要な意味を持っている
。
。
本発明は、ｍ−ｖ族化合物半導体スクラップのうちで、
特に工ｎＰの製造・加工工程で生じるＩｎＩ’を主成分
とし、若干の他の化合物半導体を含んだスクラップから
、有価物であるＩｎ−Ｇａを高収率で安全に分離・回収
することを目的として−る。
特に工ｎＰの製造・加工工程で生じるＩｎＩ’を主成分
とし、若干の他の化合物半導体を含んだスクラップから
、有価物であるＩｎ−Ｇａを高収率で安全に分離・回収
することを目的として−る。
化合物半導体スクラップからの有価物回収のプロセスに
は、■化合物半導体を分解し、Ｉｎ−Ｇａを分離・回収
可能な形とする。■Ｇａ・Ｉｎを分離するの２つの段階
がある。
は、■化合物半導体を分解し、Ｉｎ−Ｇａを分離・回収
可能な形とする。■Ｇａ・Ｉｎを分離するの２つの段階
がある。
■の分解法としては、（１）熱分解法、 （ｉｉ）湿式
処理法の２つが応用できる。しかし、熱分解法では化合
物半導体の成分であるＰやＡｓが揮発して凝縮した時に
有毒で自然発火性の黄リンや黄色ヒ素を生じるため処理
操作が極めて危険であり。
処理法の２つが応用できる。しかし、熱分解法では化合
物半導体の成分であるＰやＡｓが揮発して凝縮した時に
有毒で自然発火性の黄リンや黄色ヒ素を生じるため処理
操作が極めて危険であり。
装置の作成・運転は困難である。一方、湿式処理の場合
も、化合物半導体の反応性が低いため。
も、化合物半導体の反応性が低いため。
極めて濃厚な酸や酸化性試薬を化合物半導体に対し大過
剰に用いる必要があり、このようｋＸｎ−Ｇａに対し多
量の酸や試薬を含有した浸出液からＩｎ−Ｇａを分離・
回収することは技術的にも困難で、また経済性の点でも
問題がある。
剰に用いる必要があり、このようｋＸｎ−Ｇａに対し多
量の酸や試薬を含有した浸出液からＩｎ−Ｇａを分離・
回収することは技術的にも困難で、また経済性の点でも
問題がある。
発明者は、上記以外の化合物半導体スクラップの処理法
を検討した結果、溶融アルカリに対する反応性の差を利
用して、化合物半導体混合物の中の工ｎＰのみを選択的
に分解して他の化合物半導体を分離しＩｎを金属状態で
回収できること、及び酸化剤を含んだ溶融アルカリによ
りｍ−Ｖ族化合物半導体が比較的容易に分解することを
見出した。
を検討した結果、溶融アルカリに対する反応性の差を利
用して、化合物半導体混合物の中の工ｎＰのみを選択的
に分解して他の化合物半導体を分離しＩｎを金属状態で
回収できること、及び酸化剤を含んだ溶融アルカリによ
りｍ−Ｖ族化合物半導体が比較的容易に分解することを
見出した。
本発明は、化合物半導体スクラップを溶融状態のアルカ
リにより処理して、工ｎＰのみを分解してＩｎを回収し
、かつ工ｎＰ以外の化合物半導体を分離し１次に分離し
た化合物半導体を酸化剤を含んだ溶融状態のアルカリ（
以後酸化性溶融アルカリとも略称する）により分解して
、Ｉｎ・Ｇａ を通常の湿式分解・回収が容易な形とし
て回収すること全特徴とするものである。
リにより処理して、工ｎＰのみを分解してＩｎを回収し
、かつ工ｎＰ以外の化合物半導体を分離し１次に分離し
た化合物半導体を酸化剤を含んだ溶融状態のアルカリ（
以後酸化性溶融アルカリとも略称する）により分解して
、Ｉｎ・Ｇａ を通常の湿式分解・回収が容易な形とし
て回収すること全特徴とするものである。
捷ず特許請求の範囲第１項記載の発明について述べる。
■ｎＰは溶融アルカリ金属水酸化物と反応して分解し、
金属Ｉｎを遊離する。アルカリとして。
金属Ｉｎを遊離する。アルカリとして。
Ｎａ ＯＨを用いた場合１反応は次の式で表わされる。
２、ＩｎＰ＋１ＯＮａＯＨ−＋ ２Ｉｎ ＋ ２ Ｎａ
５ＰＯ，＋２ Ｎａ２Ｏ＋ ５ Ｈ２−（１）これに対
して他の化合物半導体ＧａＡＥ］・ＧａＰ−ＩｎＡｓな
どはアルカリと反応するものの、この反応は工ｎＰの分
解と較べて極めて遅く、またＧａ系の化合物半導体では
分解しても遊離のＧａは生じず。
５ＰＯ，＋２ Ｎａ２Ｏ＋ ５ Ｈ２−（１）これに対
して他の化合物半導体ＧａＡＥ］・ＧａＰ−ＩｎＡｓな
どはアルカリと反応するものの、この反応は工ｎＰの分
解と較べて極めて遅く、またＧａ系の化合物半導体では
分解しても遊離のＧａは生じず。
全てアルカリ中に溶解する。従って９種々の■−■族化
合物半導体の混合物を溶融アルカリで処理すれば、工ｎ
Ｐのみが選択的に分解して金屈工ｎを生じ、■ｎＰ以外
の化合物半導体は、ごく一部が反応するのみで大部分は
未反応のまま残存する。これら化合物半導体は、金Ｆｉ
Ｉｎに対しＩｎ の融点付近ではほとんど溶解しない
ため溶融アルカ′り処理後８回収した金属Ｉｎを溶融し
て瀘過すれば未反応化合物半導体を分離し、を丘は純粋
な金属Ｉｎを回収できる。
合物半導体の混合物を溶融アルカリで処理すれば、工ｎ
Ｐのみが選択的に分解して金屈工ｎを生じ、■ｎＰ以外
の化合物半導体は、ごく一部が反応するのみで大部分は
未反応のまま残存する。これら化合物半導体は、金Ｆｉ
Ｉｎに対しＩｎ の融点付近ではほとんど溶解しない
ため溶融アルカ′り処理後８回収した金属Ｉｎを溶融し
て瀘過すれば未反応化合物半導体を分離し、を丘は純粋
な金属Ｉｎを回収できる。
溶融アルカリ処理に用いるアルカリとしてはＮａ０Ｈ−
ＫＯＨ々どのアルカリ金属水酸化物及びこれらに融点の
低下・反応の促進等の目的で他の無機塩類を添加したも
のが利用できるが、安価であること・入手が容易である
ことなどの点から、ＮａＯＨが適している。
ＫＯＨ々どのアルカリ金属水酸化物及びこれらに融点の
低下・反応の促進等の目的で他の無機塩類を添加したも
のが利用できるが、安価であること・入手が容易である
ことなどの点から、ＮａＯＨが適している。
溶融アルカリ処理の対象とするスクラップは特に制限は
々い。通常の化合物半導体スクラップの場合、化合物半
導体以外の混入成分としては、セラコラ・石英・ガラス
などの無機物と。
々い。通常の化合物半導体スクラップの場合、化合物半
導体以外の混入成分としては、セラコラ・石英・ガラス
などの無機物と。
′ワックス・切削油などの有機物があるが、これらは溶
融アルカリ処理により分解してアルカリスカムに溶解す
るか、又は未反応のまま金属Ｉｎに不溶の状態で残るた
め回収釦と容易に分離できる。
融アルカリ処理により分解してアルカリスカムに溶解す
るか、又は未反応のまま金属Ｉｎに不溶の状態で残るた
め回収釦と容易に分離できる。
溶融アルカリ処理を行うにあたって反応を円滑にし、か
つ処理温度をコントロールするためにスクラップを粉砕
することが好ましい。粉砕する粒径には、特に制限は々
いが、極端に細かいと分解で生じた金属Ｉｎ粒子が細か
くなりアルカリに溶解する反応が進みＩｎの回収車が低
下するので微細に砕くととは好ましくない。通常は。
つ処理温度をコントロールするためにスクラップを粉砕
することが好ましい。粉砕する粒径には、特に制限は々
いが、極端に細かいと分解で生じた金属Ｉｎ粒子が細か
くなりアルカリに溶解する反応が進みＩｎの回収車が低
下するので微細に砕くととは好ましくない。通常は。
１６メツシユ（１鍋）まで粉砕すれば十分である。
反応温度は高いほど迅速に工ｎＰを分解できるが、Ｉｎ
Ｐ以外の化合物半導体の分解や金、ｌＩｎのアルカリへ
の溶解などの副反応があるため極端な高温は不利であり
、３５０〜４５０℃の範囲。
Ｐ以外の化合物半導体の分解や金、ｌＩｎのアルカリへ
の溶解などの副反応があるため極端な高温は不利であり
、３５０〜４５０℃の範囲。
好ましくは３８０℃付近が適肖である。
処理にあたっては２分解時の発熱による極端な温度上昇
・大量のガス発生の危険を避けるため、あらかじめ溶融
したアルカリにスクラップ粉末を／Ｊ％量ずつ添加して
いく方法をとる。スクラップの処理に必要なアルカリの
量は、スクラップの組成により異々るが、■ｎＰを主成
分とするスクラップを溶ＷＩＩＮａＯＨにより処理する
場合は、アルカリスカムの粘重化を防ぐため、 Ｎａ０
Ｂ’（ｉ＝ （１）の反応に対し１．５〜４倍当量使用
する。スクラップ粉末の添加速度は、スクラップの組成
・粒径・処理温度・処理スケールにより調節する必要が
ある。
・大量のガス発生の危険を避けるため、あらかじめ溶融
したアルカリにスクラップ粉末を／Ｊ％量ずつ添加して
いく方法をとる。スクラップの処理に必要なアルカリの
量は、スクラップの組成により異々るが、■ｎＰを主成
分とするスクラップを溶ＷＩＩＮａＯＨにより処理する
場合は、アルカリスカムの粘重化を防ぐため、 Ｎａ０
Ｂ’（ｉ＝ （１）の反応に対し１．５〜４倍当量使用
する。スクラップ粉末の添加速度は、スクラップの組成
・粒径・処理温度・処理スケールにより調節する必要が
ある。
反応後、生じた金ｓ工ｎは、溶融状態のま捷スカムと分
離するか、又は全体を放冷してからスカムを水浸出して
水溶性部分を除きＩｎを回収する。回収した金屈工ｎは
、前記の溶融炉過処理により、未反応粉末などの不純物
を分離する。
離するか、又は全体を放冷してからスカムを水浸出して
水溶性部分を除きＩｎを回収する。回収した金屈工ｎは
、前記の溶融炉過処理により、未反応粉末などの不純物
を分離する。
ＧａＡｓ −ＧａＰ々どのＩｎＰ以外の化合物半導体も
その一部分は溶融アルカリにより分解してアルカリスカ
ムに溶解し、またけ微細な粉末と々っでスカム中に懸消
する。また２分解生成したＩｎの一部がスカムに溶解す
る。スカムに溶解したＧａ・Ｉｎは、スカム水浸出液を
中牙口してｐＨ６〜８とすれば水酸化物と々って完全に
沈殿する。寸た。スカムにＩＢｉ ？Ｂした未反応化合
物半導体の微粉末も、水酸化物のゲル状沈殿にとらえら
れて沈殿するため、スカムに混入したＧａ・Ｉｎ有価成
分は完全に回収される。中和処理で回収した水酸化物沈
殿を希０で侵出すれば３通常の湿式１程（イオン交換・
溶媒抽出）で処理可能ガ溶液としてＧａ・Ｉｎが回収で
きる、中和処理後の炉液は、公知の手段によってＡｓ除
去処理を行った後に廃棄する。
その一部分は溶融アルカリにより分解してアルカリスカ
ムに溶解し、またけ微細な粉末と々っでスカム中に懸消
する。また２分解生成したＩｎの一部がスカムに溶解す
る。スカムに溶解したＧａ・Ｉｎは、スカム水浸出液を
中牙口してｐＨ６〜８とすれば水酸化物と々って完全に
沈殿する。寸た。スカムにＩＢｉ ？Ｂした未反応化合
物半導体の微粉末も、水酸化物のゲル状沈殿にとらえら
れて沈殿するため、スカムに混入したＧａ・Ｉｎ有価成
分は完全に回収される。中和処理で回収した水酸化物沈
殿を希０で侵出すれば３通常の湿式１程（イオン交換・
溶媒抽出）で処理可能ガ溶液としてＧａ・Ｉｎが回収で
きる、中和処理後の炉液は、公知の手段によってＡｓ除
去処理を行った後に廃棄する。
次に特許請求の範囲第２項記載の発明について述べる。
溶融アルカリに酸化剤を添加すれば、アルカリ単独では
分解し々い工ｎＰ以外のｍ−ｖｉ化合物半導体も全て分
解が可能である。酸化剤としては溶融アルカリと混合す
るものであれば大半の化合物が利用できるが１例えばＮ
ａＯＨに添加する酸化剤としては亜硝酸す） ＋Ｊウム
ＮａＮ○２が利用できる。ＮａＯＨ系の酸化性融剤を用
いると。
分解し々い工ｎＰ以外のｍ−ｖｉ化合物半導体も全て分
解が可能である。酸化剤としては溶融アルカリと混合す
るものであれば大半の化合物が利用できるが１例えばＮ
ａＯＨに添加する酸化剤としては亜硝酸す） ＋Ｊウム
ＮａＮ○２が利用できる。ＮａＯＨ系の酸化性融剤を用
いると。
次の反応によりｍ−ｖ族化合物半導体の構成成分は、全
てアルカリスカムに可溶方形となることが判明した。
てアルカリスカムに可溶方形となることが判明した。
Ｉ ｎ Ｐ ＋ ６ＮａＯＨ＋ ４（ｏ）→Ｎａ３工ｎ
０３＋Ｎａ、、ＰＯ４＋ ３Ｈ２０−＝ （２）ＧａＡ
ｓ−ｉ−６ＮａＯＨ＋４（０）→Ｎａ５Ｇａ０３＋Ｎａ
５ＡｓＯ４＋ ５Ｈ２０−（３）スカムに溶解した成分
のうち、 ＧａとＩｎはスカム水浸出液を中和すれば水
酸化物と力って沈殿し、容易に回収される。回収した水
酸化物沈殿を希鉱酸に溶解すれば２通常の湿式分離・精
製工程で処理可能なＧａ 、 Ｉｎ溶液が得られる。
０３＋Ｎａ、、ＰＯ４＋ ３Ｈ２０−＝ （２）ＧａＡ
ｓ−ｉ−６ＮａＯＨ＋４（０）→Ｎａ５Ｇａ０３＋Ｎａ
５ＡｓＯ４＋ ５Ｈ２０−（３）スカムに溶解した成分
のうち、 ＧａとＩｎはスカム水浸出液を中和すれば水
酸化物と力って沈殿し、容易に回収される。回収した水
酸化物沈殿を希鉱酸に溶解すれば２通常の湿式分離・精
製工程で処理可能なＧａ 、 Ｉｎ溶液が得られる。
上記の酸化性溶融アルカリによる分解処理の対象となる
スクラップは、特に制限はない。化合物半導体のスクラ
ップには、ワックスなどの有機物が含まれる場合がある
が、あらかじめ単独の溶融アルカリにより処理して分離
した残渣の場合は、最初のスクラップに含寸れた有機物
はほとんどが連発、又は分解してム渣には残らぬため、
酸化性溶融アルカリによる処理には問題がない。
スクラップは、特に制限はない。化合物半導体のスクラ
ップには、ワックスなどの有機物が含まれる場合がある
が、あらかじめ単独の溶融アルカリにより処理して分離
した残渣の場合は、最初のスクラップに含寸れた有機物
はほとんどが連発、又は分解してム渣には残らぬため、
酸化性溶融アルカリによる処理には問題がない。
分解に使用するアルカリと酸化剤の使用量・混合比率は
、スクラップの組成によりやや異なるが、一般には迅速
に分解するためにアルカリ・酸化剤とも予想される必要
量の２〜３倍を用いる。例えばＮａＯＨ−ＮａＮＯ２系
の場合は、ＮａＯＨ：ＮａＮ０゜を重量比６：１の混合
物とし、スクラップ重量の４〜５倍々いしそれ以上を使
用する。
、スクラップの組成によりやや異なるが、一般には迅速
に分解するためにアルカリ・酸化剤とも予想される必要
量の２〜３倍を用いる。例えばＮａＯＨ−ＮａＮＯ２系
の場合は、ＮａＯＨ：ＮａＮ０゜を重量比６：１の混合
物とし、スクラップ重量の４〜５倍々いしそれ以上を使
用する。
処理にあたっては１反応を円滑にするためスクラップを
粉砕する。粒径は特に細かくする必要はなく、１〜２霞
以下であれば十分である。
粉砕する。粒径は特に細かくする必要はなく、１〜２霞
以下であれば十分である。
温度は、融剤の融点以上であれば、特に問題なく処理で
きるが、Ｎａ０Ｈ−ＮａＮＯ２系の場合３５０〜４００
℃の範囲で十分である。
きるが、Ｎａ０Ｈ−ＮａＮＯ２系の場合３５０〜４００
℃の範囲で十分である。
処理後、放冷したスカムを水浸出すればＧａは水に溶け
、Ｉｎは一部加水分解して水酸化物となるが全て水に懸
濁する。このスカム浸出液をｐＨ６〜８に中和すれば、
溶解したＧａ・Ｉｎのほとんどが水酸化物となって沈殿
し液中残存濃度は１０ｐｐｍ以下となる。中和後、沈殿
を分離した後のろ液は公知の手段によってＡｓ除去処理
を行った後に廃棄する。
、Ｉｎは一部加水分解して水酸化物となるが全て水に懸
濁する。このスカム浸出液をｐＨ６〜８に中和すれば、
溶解したＧａ・Ｉｎのほとんどが水酸化物となって沈殿
し液中残存濃度は１０ｐｐｍ以下となる。中和後、沈殿
を分離した後のろ液は公知の手段によってＡｓ除去処理
を行った後に廃棄する。
本発明における化合物半導体スクラップ溶融アルカリ処
理用の装置の例を図１に示した。単独の溶融アルカリを
用いる時も、酸化性溶融アルカリを用いる時も図１の同
一の装置で処理可能である。図の１は反応容器、２は溶
体攪拌用のインペラーで、これらは溶融アルカリへの耐
食性を考慮して、鉄やステンレス製のものを用いる。ア
ルカリ３は、あらかじめ容器１の中に入れておき電気炉
で加熱溶融する。溶融アルカリを攪拌しなから４の添加
用じょうごを用いてスクラップの粉末７を加える。処理
装置は、アルカリ飛沫が飛び散るのを防ぐため、フタ５
で恍い、ガスやミストを排覚口６から排気する。
理用の装置の例を図１に示した。単独の溶融アルカリを
用いる時も、酸化性溶融アルカリを用いる時も図１の同
一の装置で処理可能である。図の１は反応容器、２は溶
体攪拌用のインペラーで、これらは溶融アルカリへの耐
食性を考慮して、鉄やステンレス製のものを用いる。ア
ルカリ３は、あらかじめ容器１の中に入れておき電気炉
で加熱溶融する。溶融アルカリを攪拌しなから４の添加
用じょうごを用いてスクラップの粉末７を加える。処理
装置は、アルカリ飛沫が飛び散るのを防ぐため、フタ５
で恍い、ガスやミストを排覚口６から排気する。
特許請求の範囲第１項の発明および第２項の発明を紹み
合わせた。 ＩｎＰを主成分とする化合物半導体スクラ
ップの処理フローの例を図２に示した。対象とするスク
ラップは粉砕後、単独の溶融アルカリにより工ｎＰ ｆ
分解して金属Ｉｎとする０スカムに混入したＧａ・Ｉｎ
はスカム水浸出液を中和して回収する。分解で回収した
金属Ｉｎは、溶融状態で小孔を通して未反応残渣を分離
する。濾過したＩｎは、そのままＩｎの製造工程。
合わせた。 ＩｎＰを主成分とする化合物半導体スクラ
ップの処理フローの例を図２に示した。対象とするスク
ラップは粉砕後、単独の溶融アルカリにより工ｎＰ ｆ
分解して金属Ｉｎとする０スカムに混入したＧａ・Ｉｎ
はスカム水浸出液を中和して回収する。分解で回収した
金属Ｉｎは、溶融状態で小孔を通して未反応残渣を分離
する。濾過したＩｎは、そのままＩｎの製造工程。
例えばＩｎ電解精製工程に戻し、容易に工留用用途に問
題ない縮度（９９，９９係）に精製することができる。
題ない縮度（９９，９９係）に精製することができる。
回収Ｉｎの濾過で得られる残漬には、ＩｎＰ以外の化合
物半導体、特にＧａを成分とする半導体が濃縮されて残
っている。これらの残渣及びもともと工ｎＰ含有量が少
なく、溶融アルカリ処理にｉる予備的なＩｎＰ ５＋解
処理を行うのに適して込ないスクラップは、寸とめて酸
化性溶融アルカリにより分解してスカムに溶かし、スカ
ム水浸出液を中和してＧａ・Ｉｎを′水酸化物沈殿゛と
して回収し、Ｇａ・Ｉｎ分離回収工程に戻す。
物半導体、特にＧａを成分とする半導体が濃縮されて残
っている。これらの残渣及びもともと工ｎＰ含有量が少
なく、溶融アルカリ処理にｉる予備的なＩｎＰ ５＋解
処理を行うのに適して込ないスクラップは、寸とめて酸
化性溶融アルカリにより分解してスカムに溶かし、スカ
ム水浸出液を中和してＧａ・Ｉｎを′水酸化物沈殿゛と
して回収し、Ｇａ・Ｉｎ分離回収工程に戻す。
上記処理でスカム浸出液を中和して、Ｇａ・Ｉｎを除い
た液は、公知の方法によりＡ８除去工程にかけた後、廃
棄する。
た液は、公知の方法によりＡ８除去工程にかけた後、廃
棄する。
最後に、実施例により本発明を説明する。
実施例１
ステンレス製１００−ビーカー（５０ｆ３Ｘ７０ｈ）に
５０９のＮａＯＨをとり、電気炉に入れて加熱溶融した
。
５０９のＮａＯＨをとり、電気炉に入れて加熱溶融した
。
溶体の温度を３８０℃とし、攪拌しながら１６〜３２メ
ツシユ（１〜α５爛）に粉砕したＩｎＰ粉末１０．０８
ｆとＧａＡｓ Ｏ，５２４６ｆの混合物を５０分かけて
加え、添加彼さらに２０分加熱して反応を完結させた。
ツシユ（１〜α５爛）に粉砕したＩｎＰ粉末１０．０８
ｆとＧａＡｓ Ｏ，５２４６ｆの混合物を５０分かけて
加え、添加彼さらに２０分加熱して反応を完結させた。
ＩｎＰは大部分が分解し２表面に未反応黒色粉の付着し
た金、ｌｌＩｎの小塊と粉末８．８８ｔを回収した。金
属塊を溶融して底面に約１調ρの小孔を持った容器を用
いて濾過し、光沢のある金属粒２．４１ ｆを得た（Ｉ
ｎ回収率３０係）。回収した金属Ｉｎの発光定性分析結
果は表１のとおりであった。未反応の黒色粉は多量のメ
タルが付着した鋳造カスとして回収された。スクラップ
中のＧａＡｓのうち２４憾が主に微細な懸濁粉末として
スカムに混入した。スカム水浸出液に混入したＧａ・Ｉ
ｎは、液をｐＨ７に中和すると沈殿し、中和後液中の残
存ｍ°はＧａ（ｓり、Ｉｎ（０，５ｍｇであった。
た金、ｌｌＩｎの小塊と粉末８．８８ｔを回収した。金
属塊を溶融して底面に約１調ρの小孔を持った容器を用
いて濾過し、光沢のある金属粒２．４１ ｆを得た（Ｉ
ｎ回収率３０係）。回収した金属Ｉｎの発光定性分析結
果は表１のとおりであった。未反応の黒色粉は多量のメ
タルが付着した鋳造カスとして回収された。スクラップ
中のＧａＡｓのうち２４憾が主に微細な懸濁粉末として
スカムに混入した。スカム水浸出液に混入したＧａ・Ｉ
ｎは、液をｐＨ７に中和すると沈殿し、中和後液中の残
存ｍ°はＧａ（ｓり、Ｉｎ（０，５ｍｇであった。
中和沈殿を１ 、ＨＯ’ｌで浸出するとＧａ”Ｘｎ水酸
化物は溶解し、未反応のＧａＡｓ粉末は溶は残った。
化物は溶解し、未反応のＧａＡｓ粉末は溶は残った。
実施例２
ステンレス製１００ｆ１ｄ！、ビーカーに１５ｔのＮａ
ＯＨ。
ＯＨ。
５ｔのＮａＮＯ２をとり、電気炉に入れて加熱溶融した
。溶体の温度を６８０℃とし、攪拌しながずれかを０，
５を加えそれぞれ３０分反応させる実験を別個にＮ行っ
た。どの実験の場合も、前記化合物半導体は完全に分解
し、アルカリスカム水浸出液を中和および沈殿戸別する
ことにより、実験に供された化合物粉末中のＩｎ−Ｇａ
の９８〜１００係を回収することができた。
。溶体の温度を６８０℃とし、攪拌しながずれかを０，
５を加えそれぞれ３０分反応させる実験を別個にＮ行っ
た。どの実験の場合も、前記化合物半導体は完全に分解
し、アルカリスカム水浸出液を中和および沈殿戸別する
ことにより、実験に供された化合物粉末中のＩｎ−Ｇａ
の９８〜１００係を回収することができた。
表１
工ｎＰ ＋ （）ａＡｅ混合粉末からの回収Ｉｎの発光
定性分析結果（発光強度） ０： 認めら九々い １： 極めて弱く認められる２：
弱く認れられる ３： 明確に認められる４： 強く
認められる ５： 相当強く認められる
定性分析結果（発光強度） ０： 認めら九々い １： 極めて弱く認められる２：
弱く認れられる ３： 明確に認められる４： 強く
認められる ５： 相当強く認められる
図１は酸化性溶融アルカリ処理用の装俗の一例を９図２
は全体の処理フローを示す。 特許出願人 日本鉱柴株式会社 代理人 弁理士（７５６９）並川啓志 第１図
は全体の処理フローを示す。 特許出願人 日本鉱柴株式会社 代理人 弁理士（７５６９）並川啓志 第１図
Claims (2)
- （１） ＩｎＰを主成分とし、ＧａＡｓ−ＧａＰ等の１
ｎＰ以外の化合物半導体を含んでいるｍ−ｖ族化合物半
導体のスクラップから有価物としてＩｎ・Ｇａを分離・
回収するに当たり、当該スクラップを溶融状態のアルカ
リ金属水酸化物により処理して工ｎＰを分解し、生じた
金属Ｉｎと工ｎＰ以外の化合物半導体を分離することを
特徴とするｍ−ｖ族化合物半導体スクラップの処理法。 - （２） ＧａＡｓ −ＧａＰなどの工ｎＰ以外の化合物
半導体を主な成分として含むｍ−ｖ族化合物半導体スク
ラップから有価物としてＩｎ−Ｇａを分離・回収するに
当たり、当該スクラップを酸化剤を含んだ溶融状態のア
ルカリ金属水酸化物により処理することを特徴とするｍ
−ｖ族化合物半導体スクラップの処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130994A JPS6024332A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | ３−５族化合物半導体スクラツプの処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130994A JPS6024332A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | ３−５族化合物半導体スクラツプの処理法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024332A true JPS6024332A (ja) | 1985-02-07 |
| JPS6324055B2 JPS6324055B2 (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=15047444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58130994A Granted JPS6024332A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | ３−５族化合物半導体スクラツプの処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007056337A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Dowa Holdings Co Ltd | インジウム回収方法 |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP58130994A patent/JPS6024332A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007056337A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Dowa Holdings Co Ltd | インジウム回収方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324055B2 (ja) | 1988-05-19 |
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