JPS60245111A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
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- JPS60245111A JPS60245111A JP10190684A JP10190684A JPS60245111A JP S60245111 A JPS60245111 A JP S60245111A JP 10190684 A JP10190684 A JP 10190684A JP 10190684 A JP10190684 A JP 10190684A JP S60245111 A JPS60245111 A JP S60245111A
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- Japan
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- film
- layer
- polyacetylene
- oxide film
- capacitor
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、有機高誘電体を固体電解質して用いたコン
デンサに関する。
デンサに関する。
従来、固体電解コンデンサでは、アルミニウムなどの皮
膜形成性金属に酸化アルミニウムなどの陽極酸化皮膜を
形成したものを陽極側電極とし、さらにその表面部に二
酸化マンガンやTCNQ (7,7,8,8テトラシア
ノキノジメタン)塩などの固体電解質を付着したものが
用いられている。
膜形成性金属に酸化アルミニウムなどの陽極酸化皮膜を
形成したものを陽極側電極とし、さらにその表面部に二
酸化マンガンやTCNQ (7,7,8,8テトラシア
ノキノジメタン)塩などの固体電解質を付着したものが
用いられている。
しかしながら、固体電解質として二酸化マンガンを用い
た場合には、二酸化マンガン層を形成する時に生ずるそ
の熱分解作用によって陽極側電極の酸化皮膜が損傷する
などの不都合に加え、二酸化マンガンによる陽極酸化皮
膜の修復性が低いなどの欠点を有する。
た場合には、二酸化マンガン層を形成する時に生ずるそ
の熱分解作用によって陽極側電極の酸化皮膜が損傷する
などの不都合に加え、二酸化マンガンによる陽極酸化皮
膜の修復性が低いなどの欠点を有する。
また、固体電解質として有機半導体であるTCNQ塩を
用いた場合には、通常、TCNQ塩が粉末状の結晶をな
しているので、高い電導度を有するとともに、二酸化マ
ンガンに比較して良好な皮膜修復性を有しているものの
、電導度が固定的であるために、所望の電気的特性に応
じた固体電解コンデンサを実現することが困難であった
。
用いた場合には、通常、TCNQ塩が粉末状の結晶をな
しているので、高い電導度を有するとともに、二酸化マ
ンガンに比較して良好な皮膜修復性を有しているものの
、電導度が固定的であるために、所望の電気的特性に応
じた固体電解コンデンサを実現することが困難であった
。
この発明は、誘電体酸化皮膜にドープされたポリアセチ
レンを固体電解質として用いることにより、誘電体酸化
皮膜の修復性を損なうことなく、しかも抵抗損失を適当
な範囲に設定し得るなど、所望の電気的特性が得られる
ようにしたコンデンサを提供しようとするものである。
レンを固体電解質として用いることにより、誘電体酸化
皮膜の修復性を損なうことなく、しかも抵抗損失を適当
な範囲に設定し得るなど、所望の電気的特性が得られる
ようにしたコンデンサを提供しようとするものである。
この発明は、皮膜形成性金属に誘電体酸化皮膜を形成す
るとともに、この誘電体酸化皮膜にポリアセチレンをド
ープしてポリアセチレン層を形成した電極を用いている
。
るとともに、この誘電体酸化皮膜にポリアセチレンをド
ープしてポリアセチレン層を形成した電極を用いている
。
皮膜形成性金属に形成された誘電体酸化皮膜にポリアセ
チレンをドープして、その表面にプリアセチレン層を形
成することにより、誘電体酸化皮膜の修復性を損なうこ
とがなく、抵抗損失を適当な範囲に調整し、所望の電気
的特性が得られる。
チレンをドープして、その表面にプリアセチレン層を形
成することにより、誘電体酸化皮膜の修復性を損なうこ
とがなく、抵抗損失を適当な範囲に調整し、所望の電気
的特性が得られる。
以下、この発明を図面に示した実施例に基づき説明する
。
。
第1図はこの発明のコンデンサの実施例を示し、この実
施例はスタック型の固体電解コンデンサを構成している
。すなわち、コンデンサ素子2は板状をなして積層され
、各素子2の相対向する陽極側電極および陰極側電極に
は、それぞれ陽極側リー1゛4および陰極側リード6が
電気的に接続されている。ここで、積層されたコンデン
サ素子2は、クランピング板8を介して外装ケース板1
0により両側から挟持されるようになっている。
施例はスタック型の固体電解コンデンサを構成している
。すなわち、コンデンサ素子2は板状をなして積層され
、各素子2の相対向する陽極側電極および陰極側電極に
は、それぞれ陽極側リー1゛4および陰極側リード6が
電気的に接続されている。ここで、積層されたコンデン
サ素子2は、クランピング板8を介して外装ケース板1
0により両側から挟持されるようになっている。
第2図は前記コンデンサ素子2の電極構造を示している
。すなわち、アルミニウムなどの皮膜形成性金属で陽極
側電極12が形成され、この陽極側電極12の表面層に
は、たとえば、化学的エツチングによって拡面処理が施
された後、化成によって生成される酸化アルミニウムか
らなる誘電体酸化皮膜14が形成されている。
。すなわち、アルミニウムなどの皮膜形成性金属で陽極
側電極12が形成され、この陽極側電極12の表面層に
は、たとえば、化学的エツチングによって拡面処理が施
された後、化成によって生成される酸化アルミニウムか
らなる誘電体酸化皮膜14が形成されている。
この誘電体酸化皮膜14には、アセチレンガス雰囲気中
におけるアセチレン重合によってポリアセチレン層16
が形成されている。すなわち、このポリアセチレン層1
6には、たとえば5フツ化ヒ素のようなドーパントが化
学的手法によりドープされており、固体電解質層をなし
、このドーパントの種類や濃度に応じて所望の電気型導
度が得られる。
におけるアセチレン重合によってポリアセチレン層16
が形成されている。すなわち、このポリアセチレン層1
6には、たとえば5フツ化ヒ素のようなドーパントが化
学的手法によりドープされており、固体電解質層をなし
、このドーパントの種類や濃度に応じて所望の電気型導
度が得られる。
ポリアセチレン層160表面には、酸化による劣化を防
止し、空気安定性を図るため、保護膜としてたとえば、
ポリピロール、ポリチオフェンなどの81111層18
が、電解重合、プラズマ重合などの手法により形成され
ている。
止し、空気安定性を図るため、保護膜としてたとえば、
ポリピロール、ポリチオフェンなどの81111層18
が、電解重合、プラズマ重合などの手法により形成され
ている。
このように構成されているので、ポリアセチレン層16
のドーパントの各種選択により、所望の容量に応じて、
所望の電気的特性、例えば誘電損失の低減を図ることが
できる。
のドーパントの各種選択により、所望の容量に応じて、
所望の電気的特性、例えば誘電損失の低減を図ることが
できる。
なお、前記実施例では、薄膜層18を導電性の良好なポ
リピロール、ポリチオフェンなどで形成するようにした
が、第3図に示すように、フィルム層18Aを非導電性
のポリエチレン、ポリスチレンなどで形成するようにし
ても良い。この場合、電極接続用リードは、たとえば、
フィルム層18Aの表面に堆積させた導電層20を介し
て接続する。
リピロール、ポリチオフェンなどで形成するようにした
が、第3図に示すように、フィルム層18Aを非導電性
のポリエチレン、ポリスチレンなどで形成するようにし
ても良い。この場合、電極接続用リードは、たとえば、
フィルム層18Aの表面に堆積させた導電層20を介し
て接続する。
また、陰極側電極には、通常のエツチングされた金属箔
を用いても、同様の効果が期待でき、陽極側電極には、
エツチング処理を施していない皮膜形成性金属からなる
プレーン箔を用いても同様にコンデンサ素子を構成でき
る。
を用いても、同様の効果が期待でき、陽極側電極には、
エツチング処理を施していない皮膜形成性金属からなる
プレーン箔を用いても同様にコンデンサ素子を構成でき
る。
以上説明したように、この発明によれば、皮膜形成性金
属のように面に形成された誘電体酸化皮膜にポリアセチ
レンをドープして形成されたポリアセチレン層を固体電
解質として用いたので、優れた皮膜修復性を有するとと
もに、ドーパントの種類や濃度に応じて、任意に所望の
電気的特性を得ることができる。
属のように面に形成された誘電体酸化皮膜にポリアセチ
レンをドープして形成されたポリアセチレン層を固体電
解質として用いたので、優れた皮膜修復性を有するとと
もに、ドーパントの種類や濃度に応じて、任意に所望の
電気的特性を得ることができる。
第1図はこの発明のコンデンサの実施例を示す分解斜視
図、第2図はコンデンサ素子の電極構造を示す断面図、
第3図はコンデンサ素子の電極構造の他の実施例を示す
断面図である。 12・・・皮膜形成性金属、14・・・誘電体酸化皮膜
、16・・・ポリアセチレン層、18・・・保II膜と
しての薄膜層。
図、第2図はコンデンサ素子の電極構造を示す断面図、
第3図はコンデンサ素子の電極構造の他の実施例を示す
断面図である。 12・・・皮膜形成性金属、14・・・誘電体酸化皮膜
、16・・・ポリアセチレン層、18・・・保II膜と
しての薄膜層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 +11 皮膜形成性金属に誘電体酸化皮膜を形成すると
ともに、この誘電体酸化皮膜にポリアセチレンをドープ
してポリアセチレン層を形成した電極を用いたことを特
徴とするコンデンサ。 (2)前記ポリアセチレン層には、その表面に保護膜が
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載のコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190684A JPS60245111A (ja) | 1984-05-20 | 1984-05-20 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190684A JPS60245111A (ja) | 1984-05-20 | 1984-05-20 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245111A true JPS60245111A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14312946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190684A Pending JPS60245111A (ja) | 1984-05-20 | 1984-05-20 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102309A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造法 |
| US5019949A (en) * | 1988-05-20 | 1991-05-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
-
1984
- 1984-05-20 JP JP10190684A patent/JPS60245111A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102309A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造法 |
| US5019949A (en) * | 1988-05-20 | 1991-05-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
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