JPS60245233A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60245233A JPS60245233A JP10208684A JP10208684A JPS60245233A JP S60245233 A JPS60245233 A JP S60245233A JP 10208684 A JP10208684 A JP 10208684A JP 10208684 A JP10208684 A JP 10208684A JP S60245233 A JPS60245233 A JP S60245233A
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- nitride film
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- titanium nitride
- titanium
- titanium tetrachloride
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にバリア膜で
ある窒化チタン膜を半導体基板上に堆積する半導体装置
の製造方法に関する。
ある窒化チタン膜を半導体基板上に堆積する半導体装置
の製造方法に関する。
（従来技術）
従来、バリアメタルである窒化チタン膜の形成方法とし
ては、スパヅタ法、チタンへの窒素のイオン注入法、あ
るいはチタンを窒素雰囲気中で熱処理する方法が知られ
ている。
ては、スパヅタ法、チタンへの窒素のイオン注入法、あ
るいはチタンを窒素雰囲気中で熱処理する方法が知られ
ている。
そのうち、スパッタによる窒化チタン膜の形成法は、一
般的であるが、スパッタダメージによる素子特性の劣化
及びスパッタ中の残留ガスのトリ込みによる膜質の不安
定が大きいという欠点を有し、それに加え処理能力が低
いという欠点もあった。また第２の方法としてのチタン
への窒素イオン注入法では、極めて大量の窒素イオンド
ーズが必要のため、処理能力が極めて低く、又、イオン
注入ダメージも大きいので実用的でなかった。さらに第
３の方法であるチタンの窒素中での熱処理法は、通常用
いられる１００ＯＡ程度の厚さのチタンを完全に窒化す
るには現実的には無理であ夛、膜厚全体にわたって均一
な膜が得られないという欠点があった。
般的であるが、スパッタダメージによる素子特性の劣化
及びスパッタ中の残留ガスのトリ込みによる膜質の不安
定が大きいという欠点を有し、それに加え処理能力が低
いという欠点もあった。また第２の方法としてのチタン
への窒素イオン注入法では、極めて大量の窒素イオンド
ーズが必要のため、処理能力が極めて低く、又、イオン
注入ダメージも大きいので実用的でなかった。さらに第
３の方法であるチタンの窒素中での熱処理法は、通常用
いられる１００ＯＡ程度の厚さのチタンを完全に窒化す
るには現実的には無理であ夛、膜厚全体にわたって均一
な膜が得られないという欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、処理能力を充分大
きくでき、かつ半導体基板表面に均一に均質な窒化チタ
ン膜を形成することの可能な半導体装置の製造方法を提
供することにある。
きくでき、かつ半導体基板表面に均一に均質な窒化チタ
ン膜を形成することの可能な半導体装置の製造方法を提
供することにある。
（発明の構成）
本発明の半導体装置の製造方法は、四塩化チタンとアン
モニアを主原料とし、１気圧ｇ低い雰囲気での気相成長
法によシ窒化チタン膜を半導体基板表面に堆積すること
により構成される。
モニアを主原料とし、１気圧ｇ低い雰囲気での気相成長
法によシ窒化チタン膜を半導体基板表面に堆積すること
により構成される。
（作用）
本発明においては、液体の充分蒸気圧の高い四塩化チタ
ンとアンモニアガスを主原料にすることにより通常用い
られる減圧気相成長装置をそのまま利用して窒化チタン
膜を形成することが出来るため、充分大量の基板を処理
することが可能となる。また減圧気相成長法のため膜厚
及び膜質の均一性も良い状態で得ることが可能である。
ンとアンモニアガスを主原料にすることにより通常用い
られる減圧気相成長装置をそのまま利用して窒化チタン
膜を形成することが出来るため、充分大量の基板を処理
することが可能となる。また減圧気相成長法のため膜厚
及び膜質の均一性も良い状態で得ることが可能である。
素子特性の劣化は認められない。
従って本発明方法で窒化チタン１ｌＩ３！を形成した半
導体装置の特性は、ばらつきがすくなく、かつ信頼性の
高いものとなる。
導体装置の特性は、ばらつきがすくなく、かつ信頼性の
高いものとなる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第４図は本発明の第１の実施例を説明す不ための減圧気
相成長装置の説明図である。
相成長装置の説明図である。
第１図において、反応室１２には、外部から反応室内部
が均一に加熱されるように赤外線ヒータ１３が設けられ
ている。反応ガ漬導入管１１が反応室中央にＴ字型の形
状で設けられ、上部水平管の下方にはガス吹出孔が設け
られそいる。四塩化チタンの蒸気とアンモニアガス及び
キャリアガスとしての窒素ガスが、ガス混合装置にて混
合された後、前記導入管１１を通して反応室１２内に１
０のように導かれる。反応室１２は排気装置１５によシ
約０．３〜０．５Ｔｏｒｒに保たれ、また反応室１２の
内部は５００〜６５０℃の範囲で窒化チタン膜が半導体
基板１４０表面に堆積する。
が均一に加熱されるように赤外線ヒータ１３が設けられ
ている。反応ガ漬導入管１１が反応室中央にＴ字型の形
状で設けられ、上部水平管の下方にはガス吹出孔が設け
られそいる。四塩化チタンの蒸気とアンモニアガス及び
キャリアガスとしての窒素ガスが、ガス混合装置にて混
合された後、前記導入管１１を通して反応室１２内に１
０のように導かれる。反応室１２は排気装置１５によシ
約０．３〜０．５Ｔｏｒｒに保たれ、また反応室１２の
内部は５００〜６５０℃の範囲で窒化チタン膜が半導体
基板１４０表面に堆積する。
また、第２の実施例として、反応室内部に平朽平板電極
を半導体基板設置場所の上下に設けて反応ガスをプラズ
マ励起することにより更に反応温度を低くすることがで
きる。
を半導体基板設置場所の上下に設けて反応ガスをプラズ
マ励起することにより更に反応温度を低くすることがで
きる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、処理能力が大き
く、かつ素子特性の劣化がない状態で、均一な膜厚でか
つ均質な膜質でバリアメタルたる窒化チタン膜を半導体
基板表面に堆積することが可能となる。
く、かつ素子特性の劣化がない状態で、均一な膜厚でか
つ均質な膜質でバリアメタルたる窒化チタン膜を半導体
基板表面に堆積することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための双互気相成
長装置の断面図である。 １−０・・・・・・反応ガス、１１・・・・・・反応ガ
ス導入管、１２・・・・・・反応室、１３・・・・・・
赤外線ヒーター、１４・・・・・・半導体基板、１５・
・・・・・排気装置。 代理人 弁理士 内 原 晋１．ｙ； ５ ｊＰ７７閲
長装置の断面図である。 １−０・・・・・・反応ガス、１１・・・・・・反応ガ
ス導入管、１２・・・・・・反応室、１３・・・・・・
赤外線ヒーター、１４・・・・・・半導体基板、１５・
・・・・・排気装置。 代理人 弁理士 内 原 晋１．ｙ； ５ ｊＰ７７閲
Claims (1)
- 四塩化チタンとアンモニアを主原料とし１気圧よシ低い
雰囲気での気相成長法により窒化チタン膜を半導体基板
表面に堆積する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10208684A JPS60245233A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10208684A JPS60245233A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245233A true JPS60245233A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14317962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10208684A Pending JPS60245233A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245233A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300321A (en) * | 1992-05-12 | 1994-04-05 | Kawasaki Steel Corporation | Process for depositing titanium nitride film by CVD |
| EP1641031A3 (en) * | 2004-09-22 | 2007-09-05 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
| US7629256B2 (en) | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10208684A patent/JPS60245233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300321A (en) * | 1992-05-12 | 1994-04-05 | Kawasaki Steel Corporation | Process for depositing titanium nitride film by CVD |
| EP1641031A3 (en) * | 2004-09-22 | 2007-09-05 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
| US7629256B2 (en) | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
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