JPS60246038A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS60246038A JPS60246038A JP59100407A JP10040784A JPS60246038A JP S60246038 A JPS60246038 A JP S60246038A JP 59100407 A JP59100407 A JP 59100407A JP 10040784 A JP10040784 A JP 10040784A JP S60246038 A JPS60246038 A JP S60246038A
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- JP
- Japan
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- group
- recording medium
- layer
- information recording
- optical information
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は特に光安定性および耐読出し回数を向上させた
光情報記録媒体に関する。
光情報記録媒体に関する。
従来、回転しているディスク状の情報記録媒体にレーザ
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。この種の情報記録装置に用いられる情
報記録媒体としては基板、金属反射膜および色素を含む
半透明着色層から構成されているものが知られている。
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。この種の情報記録装置に用いられる情
報記録媒体としては基板、金属反射膜および色素を含む
半透明着色層から構成されているものが知られている。
この記録媒体は色素を含む半透明着色層に入射するレー
ザ光が金属反射膜に達して反射されるようＫして反射光
を検出し易いようにしたものであって、この際前記金属
反射膜は着色層のみでは不足する反射光量を補５ために
設けられている。しかしながら、金属反射膜の存在は情
報記録媒体の構成を複雑にすると共に高コスト化の原因
となっている。そこで、反射率の高いブロンズ光沢のあ
る有機色素単層膜を使用して上記欠点を除去することが
提案されている。特に、記録膜として光吸収の大きいシ
アニン色素を用いると、膜厚３００Ｘ〜６００５Ｌで金
属光沢（反射率２０〜３０チ）を示す光吸収反射膜が得
られ、レーザ記録可能で、反射読出しが可能になる。特
にレーザ光源として波長７５０〜８５０ ｎｍの半導体
レーザを用いると装置の小型化が可能になるという利点
が得られた。しかしながら、有機色素は一般に酸化を受
けて保存性が低下するという問題があった。
ザ光が金属反射膜に達して反射されるようＫして反射光
を検出し易いようにしたものであって、この際前記金属
反射膜は着色層のみでは不足する反射光量を補５ために
設けられている。しかしながら、金属反射膜の存在は情
報記録媒体の構成を複雑にすると共に高コスト化の原因
となっている。そこで、反射率の高いブロンズ光沢のあ
る有機色素単層膜を使用して上記欠点を除去することが
提案されている。特に、記録膜として光吸収の大きいシ
アニン色素を用いると、膜厚３００Ｘ〜６００５Ｌで金
属光沢（反射率２０〜３０チ）を示す光吸収反射膜が得
られ、レーザ記録可能で、反射読出しが可能になる。特
にレーザ光源として波長７５０〜８５０ ｎｍの半導体
レーザを用いると装置の小型化が可能になるという利点
が得られた。しかしながら、有機色素は一般に酸化を受
けて保存性が低下するという問題があった。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、その
目的は有機色素膜の光に対する安定性を改良し信頼性お
よび読出し回数の向上を図ることにある。また、本発明
の目的は高い記録密度とＣハ比を有するとともに保存性
のすぐれた光情報記録媒体を提供することである。
目的は有機色素膜の光に対する安定性を改良し信頼性お
よび読出し回数の向上を図ることにある。また、本発明
の目的は高い記録密度とＣハ比を有するとともに保存性
のすぐれた光情報記録媒体を提供することである。
〔構 成〕
上記目的を達成するために、本発明は後記の一般式（１
２で表わされる金属錯体を有機色素薄膜記録層および必
要に応じて設けられる下引き層および保護層のうちの少
なくとも一つの層に含有させることにある。
２で表わされる金属錯体を有機色素薄膜記録層および必
要に応じて設けられる下引き層および保護層のうちの少
なくとも一つの層に含有させることにある。
本発明において用いられる金属錯体は、下記一般式（υ
（式中、ＭはＮ１、ｐｔまたはｐｄを表わし、ＡはＮま
たは＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｎ−を表わし、Ｘは水素、ハロゲン
、０１〜Ｃ６アルキル基またはアミノ基を表わし、ｙｌ
およびＹ２は同じかまたは異なっていてもよ（そしてそ
れぞれは水素、ハロゲン、アルキル基、ニトロ基、０１
〜Ｃ６アルコキシスルホニル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキルス
ルホニル基、カルバモイル基、Ｃ２〜Ｃ６アルキルカル
パモイル基、ｃ２〜ｃ６アルコキシカルパモイル基、Ｃ
７〜Ｃ１１アリルカルバモイル基または０７〜Ｃ１１ア
リルオキシカルボニル基を表わす）で表わされる。この
金属錯体の代表例を以下にあげるが、これらに限定され
るものではない。
たは＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｎ−を表わし、Ｘは水素、ハロゲン
、０１〜Ｃ６アルキル基またはアミノ基を表わし、ｙｌ
およびＹ２は同じかまたは異なっていてもよ（そしてそ
れぞれは水素、ハロゲン、アルキル基、ニトロ基、０１
〜Ｃ６アルコキシスルホニル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキルス
ルホニル基、カルバモイル基、Ｃ２〜Ｃ６アルキルカル
パモイル基、ｃ２〜ｃ６アルコキシカルパモイル基、Ｃ
７〜Ｃ１１アリルカルバモイル基または０７〜Ｃ１１ア
リルオキシカルボニル基を表わす）で表わされる。この
金属錯体の代表例を以下にあげるが、これらに限定され
るものではない。
Ｘ ＹＩ Ｙ２ Ａ Ｍ
Ａ５−Ｃｊ ＨＨＮ Ｎｉ
Ｂ ３−Ｎ（ＣＨ３）２ ＨＨＮ Ｎｉｃ ２−Ｎ（ｍ
３）２５−ｃｐ ＨＮ ＮＩＤ Ｈ３−ＣＡ’ Ｈ４−
と斗ＮＩ ＥＨ３−ＯＣＨ５ＨＮ Ｎｉ Ｆ ＨＨＨＮ Ｐｄ ＧＨ５−ＯＣＨ３！１−０ＣＨ３Ｎ ＰｔＨＨ５−ＣＩ
３−ＣＡ！ ＝ＣＦ）ＣＴｈ−Ｎ−ＮｉＩ Ｈ５”Ｃ
３Ｈ６−８０ｄ（３−Ｃ−）１６−８Ｏ５ＨＮ Ｎ１Ｊ
２−ＣＨ，、Ｉ（ＨＮ Ｐｔ Ｋ ！Ｉ−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）２ ＨＨＮ ＮｉＬ Ｈ３−
ＣＯＮＨ２３−ＣＯＮＨ２Ｎ ＮｉＭ ＨＨＨＮ Ｎ１ 本発明における上記一般式（１）の金属錯体は記録層に
かぎらず他の層にも含有させることができるが色素膜記
録層中には全固形分に対して２〜６０重量％好ましくは
５〜４０重量−の割合で含有させそして下引き層または
保護層中には全固形分に対して２〜１００重量％好まし
くは２０〜１００重量−の割合で含有させることができ
る。
３）２５−ｃｐ ＨＮ ＮＩＤ Ｈ３−ＣＡ’ Ｈ４−
と斗ＮＩ ＥＨ３−ＯＣＨ５ＨＮ Ｎｉ Ｆ ＨＨＨＮ Ｐｄ ＧＨ５−ＯＣＨ３！１−０ＣＨ３Ｎ ＰｔＨＨ５−ＣＩ
３−ＣＡ！ ＝ＣＦ）ＣＴｈ−Ｎ−ＮｉＩ Ｈ５”Ｃ
３Ｈ６−８０ｄ（３−Ｃ−）１６−８Ｏ５ＨＮ Ｎ１Ｊ
２−ＣＨ，、Ｉ（ＨＮ Ｐｔ Ｋ ！Ｉ−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）２ ＨＨＮ ＮｉＬ Ｈ３−
ＣＯＮＨ２３−ＣＯＮＨ２Ｎ ＮｉＭ ＨＨＨＮ Ｎ１ 本発明における上記一般式（１）の金属錯体は記録層に
かぎらず他の層にも含有させることができるが色素膜記
録層中には全固形分に対して２〜６０重量％好ましくは
５〜４０重量−の割合で含有させそして下引き層または
保護層中には全固形分に対して２〜１００重量％好まし
くは２０〜１００重量−の割合で含有させることができ
る。
なお、金属錯体を２層以上にわたって含有させる場合は
各層についての上記範囲内の割合でそれぞれの層に添加
する。
各層についての上記範囲内の割合でそれぞれの層に添加
する。
本発明における有機色素薄膜記録層は使用するレーザ光
の波長に吸収能をもつ色素からなりさらに必要に応じて
他の成分例えばバインダー、安定剤などを含有すること
もできる。また、記録層は単層であってもあるいは他の
層例えば反射層との複層であってもよい。記録層の形成
は蒸着スパッタリング、ＣＶＤまたは溶液塗布などの通
常の手段によって行なうことができ、塗布法を用いる場
合には有機溶媒例えばジクロルエタンに溶解してスプレ
ー、ローラーコーティング、ディッピングおよびスピン
ニングなどの慣用のコーティング法によって行なわれる
。記録層の膜厚は１００又〜５μｍ好ましくは２ｏｏＸ
〜２ｐが適当である。
の波長に吸収能をもつ色素からなりさらに必要に応じて
他の成分例えばバインダー、安定剤などを含有すること
もできる。また、記録層は単層であってもあるいは他の
層例えば反射層との複層であってもよい。記録層の形成
は蒸着スパッタリング、ＣＶＤまたは溶液塗布などの通
常の手段によって行なうことができ、塗布法を用いる場
合には有機溶媒例えばジクロルエタンに溶解してスプレ
ー、ローラーコーティング、ディッピングおよびスピン
ニングなどの慣用のコーティング法によって行なわれる
。記録層の膜厚は１００又〜５μｍ好ましくは２ｏｏＸ
〜２ｐが適当である。
以下に本発明の記録層に使用される色素の代表例を１〜
ＸＩｆｉとしてあげるがこれに限定されるものではない
。
ＸＩｆｉとしてあげるがこれに限定されるものではない
。
１、フタロシアニン系化合物
ただし、Ｍは水素、酸化バナジウム、銅、ベリリウム、
マグネシウム、カルシウム、亜鉛、カドミウム、バリウ
ム、アルミニウム、錫、鉛、バナジウム、クロミウム、
マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ノ・ロゲン化錫、
ノ）ロゲン化アルミニウムなどがあげられ、特に好まし
いものは水素、鉛、ニッケル、コバル）、銅、酸化バナ
ジウム、塩化アルミニウムおよび塩化錫などがあげられ
る。Ｘは水素および塩素、臭素、沃素および弗素などの
ハロゲンを示しそしてｎは１〜１６の整数である。
マグネシウム、カルシウム、亜鉛、カドミウム、バリウ
ム、アルミニウム、錫、鉛、バナジウム、クロミウム、
マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ノ・ロゲン化錫、
ノ）ロゲン化アルミニウムなどがあげられ、特に好まし
いものは水素、鉛、ニッケル、コバル）、銅、酸化バナ
ジウム、塩化アルミニウムおよび塩化錫などがあげられ
る。Ｘは水素および塩素、臭素、沃素および弗素などの
ハロゲンを示しそしてｎは１〜１６の整数である。
Ｌ テトラデヒドロコリン系化合物
ただし、Ｒはアルキル、カルボアルコキシ例えばＣＯＯ
Ｃ２Ｈ５などを表わし、Ｒ１は水素、アルキルなどを表
わし、ＭはＨ，Ｎ１（ＩＩ）、ｃｏ（Ｉｔ）、Ｃｏ１１
）などを表わし、そしてＸはＢｒ、 ＣｌＯ２などを表
わす。
Ｃ２Ｈ５などを表わし、Ｒ１は水素、アルキルなどを表
わし、ＭはＨ，Ｎ１（ＩＩ）、ｃｏ（Ｉｔ）、Ｃｏ１１
）などを表わし、そしてＸはＢｒ、 ＣｌＯ２などを表
わす。
■、ジオキサジン化合物およびその誘導体ａ） 芳香族
アミンとフルオラニル、クロラニル、クロラニル、ヨー
ドアニルとの縮合閉環反応生成物 Ｘ λ Ａ：非置換または置換芳香族アミンの残基Ｘ ： −Ｆ
、 −ＣＬ、 −Ｂｒ、 −Ｉｘ ニーＦ、−Ｃｔ、−
Ｂｒ、−工 Ｒ： −Ｔ−Ｔ、−ＮＯ２、−ＮＨ２、−０ＣＪ、−０
Ｃ２Ｈ５、−Ｆ。
アミンとフルオラニル、クロラニル、クロラニル、ヨー
ドアニルとの縮合閉環反応生成物 Ｘ λ Ａ：非置換または置換芳香族アミンの残基Ｘ ： −Ｆ
、 −ＣＬ、 −Ｂｒ、 −Ｉｘ ニーＦ、−Ｃｔ、−
Ｂｒ、−工 Ｒ： −Ｔ−Ｔ、−ＮＯ２、−ＮＨ２、−０ＣＪ、−０
Ｃ２Ｈ５、−Ｆ。
−ＣＬ、−Ｂｒ、−工、芳香族基
ｍ％ ｎ ： １〜４
Ｗ、）リフエツジチアジン化合物
ただし、Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なっていても
よくそしてそれぞれは水素原子、ハロゲン、アルキル基
、フェニル基およびアルキル、アルコキシ、カルボキシ
ル、カルボン酸塩基、ハロゲン、水酸基、スルホン酸基
およびスルホン酸塩基の１種またはそれ以上によって置
換されたフェニル基を表わす。
よくそしてそれぞれは水素原子、ハロゲン、アルキル基
、フェニル基およびアルキル、アルコキシ、カルボキシ
ル、カルボン酸塩基、ハロゲン、水酸基、スルホン酸基
およびスルホン酸塩基の１種またはそれ以上によって置
換されたフェニル基を表わす。
■、フェナンスレン誘導体
Ｒ： ＣＲ２，０２Ｈ５などのアルキル基Ｘ ： ＢＦ
４、ｃｔｏ４ Ｒ噌 Ｒ１： ＣＲ２、Ｃ２）（５などのアルキル基Ｘ ：
ＢＦ４、ｃｔｏ ４ ■、シアニン化合物 ただし、Ｒ１およびＢ２は同じかまたは異なっていても
よくそしてそれぞれアルキル基、ヒドロキシアルキル基
、アルコキシアルキル基、アラルキル基、カルボキシア
ルキル基、アルカリ金属陽イオンと結合したカルボキシ
アルキレート基、スルホアルキル基、スルホアルキル基
ｔ タはアルカリ金属陽イオンと結合したスルホネート
アルキル基を表わし、ｚｌおよびｚ２は５員または６員
の複素環または５Ｍまたは６員の複素環を含む縮合環を
形成することのできる原子団を表わし、ｔは１〜４の整
数を表わしそして又は酸アニオンを表わす。
４、ｃｔｏ４ Ｒ噌 Ｒ１： ＣＲ２、Ｃ２）（５などのアルキル基Ｘ ：
ＢＦ４、ｃｔｏ ４ ■、シアニン化合物 ただし、Ｒ１およびＢ２は同じかまたは異なっていても
よくそしてそれぞれアルキル基、ヒドロキシアルキル基
、アルコキシアルキル基、アラルキル基、カルボキシア
ルキル基、アルカリ金属陽イオンと結合したカルボキシ
アルキレート基、スルホアルキル基、スルホアルキル基
ｔ タはアルカリ金属陽イオンと結合したスルホネート
アルキル基を表わし、ｚｌおよびｚ２は５員または６員
の複素環または５Ｍまたは６員の複素環を含む縮合環を
形成することのできる原子団を表わし、ｔは１〜４の整
数を表わしそして又は酸アニオンを表わす。
■、メロシアニン化合物
上記■のシアニン化合物を示す一般式におい１
寝、アントラキノン誘導体
下記の構造式〔１〕および（Ｉｌ〕によって表わすこと
ができる。
ができる。
構造式［１）
ただし、Ｘｌ、ｘ２． ｘ５およびＸ４はそれぞれ水素
、アルキル素、ヒト四キシル基、ニトロ基、アミン基、
シアノ基およびハロゲンを表わし、Ｙは水素およびスル
ホネート基を表わし、Ａｒ１は水素、フェニル基、ナフ
チル基およびそれらのスルホン化物および塩を表わしそ
して前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基、アルキルカルボニル基、メチルチオ基、ハロゲン
およびフェニルカルボニル基によって置換されていても
よくぞしてＡｒ２は水素、フェニル基、 およびそれらのスルホン化物および塩を表わしそして前
記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基、アミン基、
アルキルカルボニル基、７エ二ルカルボニル基およびハ
ロゲンによって置換されていてもよい。
、アルキル素、ヒト四キシル基、ニトロ基、アミン基、
シアノ基およびハロゲンを表わし、Ｙは水素およびスル
ホネート基を表わし、Ａｒ１は水素、フェニル基、ナフ
チル基およびそれらのスルホン化物および塩を表わしそ
して前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基、アルキルカルボニル基、メチルチオ基、ハロゲン
およびフェニルカルボニル基によって置換されていても
よくぞしてＡｒ２は水素、フェニル基、 およびそれらのスルホン化物および塩を表わしそして前
記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基、アミン基、
アルキルカルボニル基、７エ二ルカルボニル基およびハ
ロゲンによって置換されていてもよい。
構造式［１１）
ただし、ｘｌ、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は上記と同じ意味
を有し、！５は水素および−ＮＨ−Ａｒ１を表わし、２
は水素、−ＮＴ（−Ａｒ１および−８−Ａｒ１を表わし
そしてＡｒ１は上記と同じ意味を有する。
を有し、！５は水素および−ＮＨ−Ａｒ１を表わし、２
は水素、−ＮＴ（−Ａｒ１および−８−Ａｒ１を表わし
そしてＡｒ１は上記と同じ意味を有する。
特に構造式［１１）のようにインダンスレン骨格をもつ
化合物は゛極大吸収波長が８００ ｎｍ付近であるため
、半導体レーザ用の材料としては最適である。
化合物は゛極大吸収波長が８００ ｎｍ付近であるため
、半導体レーザ用の材料としては最適である。
上記構造式（１）および［１１）で表わされるアントラ
キノン誘導体の例を以下に示す。
キノン誘導体の例を以下に示す。
１−アミノ−４−（４−スルホン酸フェニルアミノ）
−６，７−ジニトロアント２キノンナトリウム塩、１−
アニリノ−２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−メト
キシフェニルアミノ）アントラキノン、８．１７−ビス
−（４−メトキシフェニルアミノ）−インダンスレン、
１，４−ヒス（６−スルホン酸ナトリウム−４−メトキ
シフェニルアミノ） −６，７−ジシアツアントラキノ
ン、１．４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−ク
ロロフェニルアミノ）−５，８−シフ＊。
−６，７−ジニトロアント２キノンナトリウム塩、１−
アニリノ−２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−メト
キシフェニルアミノ）アントラキノン、８．１７−ビス
−（４−メトキシフェニルアミノ）−インダンスレン、
１，４−ヒス（６−スルホン酸ナトリウム−４−メトキ
シフェニルアミノ） −６，７−ジシアツアントラキノ
ン、１．４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−ク
ロロフェニルアミノ）−５，８−シフ＊。
アントラキノン、１−（２−メチルフェニルアミノ）−
２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−アミノンエニル
アミノ） −６，７−シニトロアントラキノン、１．４
−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−アニリノ−１
−アントラキノリルアミノ）べ／ゼン、１，４−ビス（
４−（４−スルホン酸ナトリウム＝フェニルアミノ）−
１−アントラキノリルアミノ）ベンゼンなどをあげるこ
とができる。
２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−アミノンエニル
アミノ） −６，７−シニトロアントラキノン、１．４
−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−アニリノ−１
−アントラキノリルアミノ）べ／ゼン、１，４−ビス（
４−（４−スルホン酸ナトリウム＝フェニルアミノ）−
１−アントラキノリルアミノ）ベンゼンなどをあげるこ
とができる。
■、キサンチン系化合物
Ｒ１： −ＯＨ，−０、−Ｎ（Ｒ）２ （Ｒ−ＣｒＣ１
ｏアルキル基）Ｒ２： −Ｎ （Ｒ）２−Ｘ−（Ｘ−−
酸アニオ７ 、 Ｒ＝ＣＩ−ｃ１０アルキル基） Ｒ４： Ｌ Ｃ１−Ｃ２Ｑアルキル、８０３Ｎａｓ Ｂ
ＯＳＨｓｓｏ２ｎ（Ｒ）２ （Ｒ−Ｃ４−Ｃｌ Ｑアル
キル基〕、Ｃ０ＯＨ。
ｏアルキル基）Ｒ２： −Ｎ （Ｒ）２−Ｘ−（Ｘ−−
酸アニオ７ 、 Ｒ＝ＣＩ−ｃ１０アルキル基） Ｒ４： Ｌ Ｃ１−Ｃ２Ｑアルキル、８０３Ｎａｓ Ｂ
ＯＳＨｓｓｏ２ｎ（Ｒ）２ （Ｒ−Ｃ４−Ｃｌ Ｑアル
キル基〕、Ｃ０ＯＨ。
Ｃ００ＮａＳＣｏｏＫ
Ｘ、）リフェニルメタン系化合物
Ｒ＋ ： Ｈ４−Ｎ（Ｒ）２ （Ｒ−Ｃ１〜Ｃ＋ｏアル
キル基）、Ｃｌ−０２０アルキル、−０Ｈ Ｒ２： Ｉ（、−Ｎ（Ｒ）２ （Ｒ−Ｃｌ−０１０アル
キル基）、Ｃｌ−Ｃ２０アルキル、−０Ｈ Ｒ４，二Ｈ％Ｃｌ−０２．アルキル、ノーロゲン、８０
５Ｈ。
キル基）、Ｃｌ−０２０アルキル、−０Ｈ Ｒ２： Ｉ（、−Ｎ（Ｒ）２ （Ｒ−Ｃｌ−０１０アル
キル基）、Ｃｌ−Ｃ２０アルキル、−０Ｈ Ｒ４，二Ｈ％Ｃｌ−０２．アルキル、ノーロゲン、８０
５Ｈ。
−Ｎ（Ｒ）２ （Ｒ−ｃｌ−ｃＩ Ｑアルキル基）Ｘθ
：酸アニオン Ｘｌ、クロコニクム系色素 ただし、Ｘは発色団を示し、Ｍｅは陽イオン゛を示しモ
してＹθは陰イオンを表わすが発色団中に陰イオンが含
有されるときにはＹ’に末存在しないものとする。
：酸アニオン Ｘｌ、クロコニクム系色素 ただし、Ｘは発色団を示し、Ｍｅは陽イオン゛を示しモ
してＹθは陰イオンを表わすが発色団中に陰イオンが含
有されるときにはＹ’に末存在しないものとする。
Ｘ］、クロコン系
し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基あるいは置換または未置換のア
リール基を示す。
ルキル基、アルコキシ基あるいは置換または未置換のア
リール基を示す。
■、ビリリウム系化合物
ムθ
Ａθ
式中、
ｘｌおよびＸ２：硫黄原子、酸素原子またはセレン原子
を示す。
を示す。
ｚｌ：置換されてもよいビリリウム、チオピリリウム、
セレナピリリウム、ベンゾビリリウム、ベンゾチオピリ
リウム、ペンゾセレナビリリクム、ナフトピリリウム、
ナフトチオピリリウムまたはナフトセレナピリリウムを
完成する必要な原子群からなる炭化水素基を示す。
セレナピリリウム、ベンゾビリリウム、ベンゾチオピリ
リウム、ペンゾセレナビリリクム、ナフトピリリウム、
ナフトチオピリリウムまたはナフトセレナピリリウムを
完成する必要な原子群からなる炭化水素基を示す。
ｚ２：置換されてもよいビラン、チオビラン、セレナビ
ラン、ベンゾビラン、ベンゾチオビラン、ベンゾセレナ
ビラン、ナフトピラン、ナンドチオビランまたはナフト
セレナビランを完成するに必要な原子群からなる炭化水
素基を示す。
ラン、ベンゾビラン、ベンゾチオビラン、ベンゾセレナ
ビラン、ナフトピラン、ナンドチオビランまたはナフト
セレナビランを完成するに必要な原子群からなる炭化水
素基を示す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５およびＲ４：水素原子、置換もしくは
未置換のアルキル基または置換もしくは未置換のアリー
ル基を示す。
未置換のアルキル基または置換もしくは未置換のアリー
ル基を示す。
Ｒ５、Ｒ６およびＲ７：水素原子、ハロゲン原子、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のア
リール基または置換もしくは未置換の７ラルキル基を示
す。
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のア
リール基または置換もしくは未置換の７ラルキル基を示
す。
Ａθ：ハロゲンイオン、過酸化物イオン、パラトルエン
スルホン酸イオン、ＢＦ４″′、５ｂＦ６−１ＡｓＦ６
−などの酸イオンを示す。
スルホン酸イオン、ＢＦ４″′、５ｂＦ６−１ＡｓＦ６
−などの酸イオンを示す。
ｍおよびｔ：１または２を示す。
ｎ：０．１または２を示す。
また、本発明の記録媒体に必要に応じて設けられる下引
き層および保護層については、下引鎗層は（ａ）接着性
の向上、（ｂ）水またはガスなどのバリヤー、（０）記
録層の保存安定性の向上および←）反射率の向上、（ｅ
）プレグルーブの形成などを目的として使用される。（
ａ）の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹
脂、ボリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリ
コーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質およびシラン
カップリング剤などを用いることができ、（ｂ）の目的
に対しては上記高分子材料以外に無機化合物例えばＢ１
０２、Ｍｇｐ２．８１０、ＴｌＯ２、ＺｎＯ２、ＴｉＮ
。
き層および保護層については、下引鎗層は（ａ）接着性
の向上、（ｂ）水またはガスなどのバリヤー、（０）記
録層の保存安定性の向上および←）反射率の向上、（ｅ
）プレグルーブの形成などを目的として使用される。（
ａ）の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹
脂、ボリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリ
コーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質およびシラン
カップリング剤などを用いることができ、（ｂ）の目的
に対しては上記高分子材料以外に無機化合物例えばＢ１
０２、Ｍｇｐ２．８１０、ＴｌＯ２、ＺｎＯ２、ＴｉＮ
。
ＳｉＮなど、金属または半金属例えばＺｎ、 Ｃｕ、８
゜Ｎ１％Ｃｒ、 Ｇｅ、Ｂｅ、Ａｕ、 Ａｇ、 Ａｔな
どを用いることができ、（０）の目的に対しては上記（
ａ）および（ｂ）について例示したような材料そして（
ｄ）の目的に対しては金属例えばＡｇ、Ａｔ、金属光沢
を有する色素例えばメタン系色素、キサンチン系色素な
どを用いることができる。上記（ｅ）の目的としては紫
外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用
いることができる。下引き層の膜厚は［Ｌ１〜５０ ｐ
ｒｎ好ましくは［Ｌ２〜１０μｍが適当である。
゜Ｎ１％Ｃｒ、 Ｇｅ、Ｂｅ、Ａｕ、 Ａｇ、 Ａｔな
どを用いることができ、（０）の目的に対しては上記（
ａ）および（ｂ）について例示したような材料そして（
ｄ）の目的に対しては金属例えばＡｇ、Ａｔ、金属光沢
を有する色素例えばメタン系色素、キサンチン系色素な
どを用いることができる。上記（ｅ）の目的としては紫
外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用
いることができる。下引き層の膜厚は［Ｌ１〜５０ ｐ
ｒｎ好ましくは［Ｌ２〜１０μｍが適当である。
また、保護層はキズ、ホコリ、汚れなどからの保護およ
び記録層の化学的安定性の向上を目的として設けられ、
その材料としては下引き層と同じ材料を使用することが
できる。保護層の膜厚は０．０５μｍ以上好ましくは５
μｍ以外が適当である。
び記録層の化学的安定性の向上を目的として設けられ、
その材料としては下引き層と同じ材料を使用することが
できる。保護層の膜厚は０．０５μｍ以上好ましくは５
μｍ以外が適当である。
また、本発明における基板は基板側から書込み記録を行
なう場合は使用レーザ光に対して透明でなければならず
、また記録側から行なう場合は透明である必要はない。
なう場合は使用レーザ光に対して透明でなければならず
、また記録側から行なう場合は透明である必要はない。
基板としてはガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレートが通常使用されるがその他記録媒体に使用
されるものならどれでもよい。
タクリレートが通常使用されるがその他記録媒体に使用
されるものならどれでもよい。
次に、図面について本発明による光情報記録媒体の構成
を説明する。
を説明する。
第１図に示すように、本発明の光情報記録媒体は基本的
には基板１上に上記一般式（１）の化合物を含む有機色
素薄膜記録層２を設けたものである。また、記録層は光
反射層と光吸収層とを任意の順序で組合せた２層構成と
することもできる。
には基板１上に上記一般式（１）の化合物を含む有機色
素薄膜記録層２を設けたものである。また、記録層は光
反射層と光吸収層とを任意の順序で組合せた２層構成と
することもできる。
また、第２図ないし第４図に示すように第１図の構成の
ものにさらに下引層３および／または保護層４を設けた
構成とすることもできる。
ものにさらに下引層３および／または保護層４を設けた
構成とすることもできる。
さらに、本発明による光情報記録媒体の別の構成として
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い有
機薄膜記録層２を内側に配置して密封したいわゆるエア
ーサンドインチ構造にしてもよいし、保護層４を介して
接着したいわゆる密着サンドイッチ構造（貼り合せ構造
）にしてもよい。
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い有
機薄膜記録層２を内側に配置して密封したいわゆるエア
ーサンドインチ構造にしてもよいし、保護層４を介して
接着したいわゆる密着サンドイッチ構造（貼り合せ構造
）にしてもよい。
ナオ、レーザ光源として波長７５０〜８５０ ｎｍの半
導体レーザを用いると装置の小型化が可能となる。半導
体レーザ用記録色素としてはシアニンおよびメロシアニ
ン化合物が最も好ましい。
導体レーザを用いると装置の小型化が可能となる。半導
体レーザ用記録色素としてはシアニンおよびメロシアニ
ン化合物が最も好ましい。
以下に実施例を掲げて本発明をさらに説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
実施例 １
厚さ１．２關のポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭ
ＭＡ Ｊと略記）基板上に、下記一般式（１）の色素と
前記化合物例の〕の金属錯体とを１００：２０の重量比
で混合し１，２−ジクロルエタン忙溶解した溶液をスピ
ナー塗布して厚さ約ｓｏｏ、Ｘの記録層を形成し記録媒
体を作製した。
ＭＡ Ｊと略記）基板上に、下記一般式（１）の色素と
前記化合物例の〕の金属錯体とを１００：２０の重量比
で混合し１，２−ジクロルエタン忙溶解した溶液をスピ
ナー塗布して厚さ約ｓｏｏ、Ｘの記録層を形成し記録媒
体を作製した。
実施例 ２
実施例１における金属錯体の代りに下記一般式（１）の
金属錯体を用いた以外は実施例１と同様にして記録媒体
を作製した。
金属錯体を用いた以外は実施例１と同様にして記録媒体
を作製した。
実施例 ３
厚さ１．２ ｍｓのＰＭＭＡ基板上に、下記一般式Ｑｌ
ｌ）の色素と下記一般式（ｍの金属錯体とを１００：２
０の重量比で混合し１，２−ジクロルエタンに溶解した
溶液をスピナー塗布して厚さ約５００に）記録層を形成
しさらにその上にＡｇを厚さ１００Ｘで蒸着して記録媒
体を作製した。
ｌ）の色素と下記一般式（ｍの金属錯体とを１００：２
０の重量比で混合し１，２−ジクロルエタンに溶解した
溶液をスピナー塗布して厚さ約５００に）記録層を形成
しさらにその上にＡｇを厚さ１００Ｘで蒸着して記録媒
体を作製した。
実施例 ４
実施例３における金属錯体の代りに前記化合物例（巧の
金属錯体を用いた以外は実施例３と同様にして記録媒体
を作製した。
金属錯体を用いた以外は実施例３と同様にして記録媒体
を作製した。
実施例 ５
厚さ１．２態のＰＭＭＡ基板上に、ポリビニルブチラー
ル（ヘキスト製Ｂ−６０Ｔ ）と実施例１で用いた金属
錯体とを１：１の重量比で混合しアルコール／アセｌ’
（１／１）に溶解した溶液をスピナー塗布して厚さ１．
５μｍの下引き層を形成しさらにその上に実施例１の一
般式（１）の色素だけからなる記録層を形成して記録媒
体を作製した。
ル（ヘキスト製Ｂ−６０Ｔ ）と実施例１で用いた金属
錯体とを１：１の重量比で混合しアルコール／アセｌ’
（１／１）に溶解した溶液をスピナー塗布して厚さ１．
５μｍの下引き層を形成しさらにその上に実施例１の一
般式（１）の色素だけからなる記録層を形成して記録媒
体を作製した。
実施例 ６
実施例１における色素の代りに下記一般式（７）の色素
を用いた以外は実施例１と同様にして記録媒体を作製し
た。
を用いた以外は実施例１と同様にして記録媒体を作製し
た。
実施例 ７
実施例３における色素の代りに下記一般式（資）の色素
を用いた以外は実施例３と同様釦して記録媒体を作製し
た。
を用いた以外は実施例３と同様釦して記録媒体を作製し
た。
実施例 ８
実施例１における色素の代りに下記一般式（至）の色素
を用いそして金属錯体として前記化合物例（イ）の金属
錯体を用いた以外は実施例１と同様にして記録媒体を作
製した。
を用いそして金属錯体として前記化合物例（イ）の金属
錯体を用いた以外は実施例１と同様にして記録媒体を作
製した。
実施例 ？
ＰＭＭＡ基板上に実施例１の色素だけからなる記録層を
設けさらにその上に前記化合物例（ロ）の金属錯体を真
空蒸着して厚さ１５ｏＸの保護層を設けて記録媒体を作
製した。
設けさらにその上に前記化合物例（ロ）の金属錯体を真
空蒸着して厚さ１５ｏＸの保護層を設けて記録媒体を作
製した。
実施例 １０
実施例１で形成した記録層に実施例９と同じ保護層を設
けて記録媒体を作製した。
けて記録媒体を作製した。
比較例 １
実施例１で用いた色素のみからなる記録層を形成した以
外は実施例１と同様にして記録媒体を作製した。
外は実施例１と同様にして記録媒体を作製した。
比較例 ２
実施例３で用いた色素のみからなる記録層を形成した以
外は実施例３と同様にして記録媒体を作製した。
外は実施例３と同様にして記録媒体を作製した。
比較例 ６
実施例５において下引き層をブチラール樹脂のみで形成
した以外は実施例５と同様にして記録媒体を作製した。
した以外は実施例５と同様にして記録媒体を作製した。
上記実施例および比較例で作製した記録媒体に波長７９
０ ｎｍの半導体レーザ光を用いて基板側より記録周波
数０．６８７５ＭＨｚおよび線速１．５ｒｆｒ／ｓｅｃ
で情報を書込み再生し、そのスペクトル解析（スキャニ
ングフィルター、バンド幅３０ＫＨｚ）を行なって、初
期の反射率およびＣ／Ｎを測定した。次に１同じ記録媒
体に５４０００ルツクスのタングステン元を５０時間照
射した後の反射率およびＣ／Ｎを測定した。その結果を
以下の表にまとめて示す。
０ ｎｍの半導体レーザ光を用いて基板側より記録周波
数０．６８７５ＭＨｚおよび線速１．５ｒｆｒ／ｓｅｃ
で情報を書込み再生し、そのスペクトル解析（スキャニ
ングフィルター、バンド幅３０ＫＨｚ）を行なって、初
期の反射率およびＣ／Ｎを測定した。次に１同じ記録媒
体に５４０００ルツクスのタングステン元を５０時間照
射した後の反射率およびＣ／Ｎを測定した。その結果を
以下の表にまとめて示す。
上述のようにして構成された本発明の光情報記録媒体に
よれば光安定性が向上される結果信頼性および耐読出し
回数が大幅に向上される。
よれば光安定性が向上される結果信頼性および耐読出し
回数が大幅に向上される。
第１図ないし第４図は本発明の光情報記録媒体の構成を
示す断面図である。 １・・・基板、２・・・有機色素薄膜記録層、３・・・
下引き層、４・・・保護層。 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人 弁理士白下 白′ □
示す断面図である。 １・・・基板、２・・・有機色素薄膜記録層、３・・・
下引き層、４・・・保護層。 特許出願人 株式会社 リ コ − 代理人 弁理士白下 白′ □
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に直接または下引き層を介して有機色素薄膜記録
層を設けさらにその上に必要に応じて保護層を設けてな
る光情報記録媒体において、前記記録層、下引き層およ
び保護層のうちの少なくとも一つの層に、一般式 （式中、ＭはＮ１、ｐｔまたはＰｄを表わし、ＡはＮま
たは＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｎ−を表わし、Ｘは水素、ハロゲン
、０１〜Ｃ６アルキル基またはアミノ基ｔ−表わ・し、
ＹｌおよびＹ２は同じかまたは異なっていてもよくそし
てそれぞれは水素、ハロゲン、アルキル基、ニトロｆｉ
、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシスルホニル基、Ｃ１〜Ｃ６アル
キルスルホニル基、カルバモイル基、Ｃ２〜Ｃ６アルキ
ルカルパモイル基、０２〜ｃ６アルコキシカルパモイル
基、０７〜ｃ１１アリルカルバモイル基またはＣ７〜Ｃ
１１アリルオキシカルボニル基を表わす）で表わされる
金属錯体を含有せしめることを特徴とする、光情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100407A JPS60246038A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100407A JPS60246038A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246038A true JPS60246038A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14273120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59100407A Pending JPS60246038A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013057005A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Fujifilm Corp | 硬化性着色組成物およびカラーフィルタ |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59100407A patent/JPS60246038A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013057005A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Fujifilm Corp | 硬化性着色組成物およびカラーフィルタ |
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