JPS60246244A - 光フアイバの製造方法 - Google Patents
光フアイバの製造方法Info
- Publication number
- JPS60246244A JPS60246244A JP59099587A JP9958784A JPS60246244A JP S60246244 A JPS60246244 A JP S60246244A JP 59099587 A JP59099587 A JP 59099587A JP 9958784 A JP9958784 A JP 9958784A JP S60246244 A JPS60246244 A JP S60246244A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- gas
- filament
- silicone resin
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光ファイバの製造方法に関し、とくにガラス強
度保持のため線引き直後に施す一次被覆として二液性の
熱硬化型シリコン樹脂を用いる光ファイバの製造方法に
関するものである。
度保持のため線引き直後に施す一次被覆として二液性の
熱硬化型シリコン樹脂を用いる光ファイバの製造方法に
関するものである。
技術の背景
第１図ａ、ｂにそれぞれ光フアイバ素線および光フアイ
バ心線の断面構造を示す。光ファイバは、ガラス１０強
度を保持するため線引き直後に一次被覆２、たとえばシ
リコン樹脂の被覆が施されるが、−次彼覆材として二液
性の熱硬化型シリコン樹脂とアクリレート変性ＵＶ硬化
樹脂との二通りに大別される。第１図すの光フアイバ心
線は保護被覆層６、たとえばナイロンなどの被覆が施さ
れる。本発明の係る一次被覆材として用いられる二液性
の熱硬化型シリコン樹脂は、フェニル基縫性シロキサン
型の高屈折率タイプと、ジメチルシロキサン型の低屈折
率タイプがある。いずれの場倉も、その架橋（硬化）反
応は、基本的にはシラン基の水素とビニル基とが白金触
媒の存在下に付加重合反応を起して架橋していくもので
ある。
バ心線の断面構造を示す。光ファイバは、ガラス１０強
度を保持するため線引き直後に一次被覆２、たとえばシ
リコン樹脂の被覆が施されるが、−次彼覆材として二液
性の熱硬化型シリコン樹脂とアクリレート変性ＵＶ硬化
樹脂との二通りに大別される。第１図すの光フアイバ心
線は保護被覆層６、たとえばナイロンなどの被覆が施さ
れる。本発明の係る一次被覆材として用いられる二液性
の熱硬化型シリコン樹脂は、フェニル基縫性シロキサン
型の高屈折率タイプと、ジメチルシロキサン型の低屈折
率タイプがある。いずれの場倉も、その架橋（硬化）反
応は、基本的にはシラン基の水素とビニル基とが白金触
媒の存在下に付加重合反応を起して架橋していくもので
ある。
従来技術と問題点
従来の一次被覆材として二液性の熱硬化型シリコン樹脂
を使用した光ファイバは、経時劣化として、ガラス中の
一〇Ｈ基による吸収の増加により伝送損失が増加する現
象が見出され、この現象は水素がガラス中の酸素原子と
結合［７て一〇Ｈ基に変化することに起因するためであ
る。すなわち、次の反応が生起することによる。
を使用した光ファイバは、経時劣化として、ガラス中の
一〇Ｈ基による吸収の増加により伝送損失が増加する現
象が見出され、この現象は水素がガラス中の酸素原子と
結合［７て一〇Ｈ基に変化することに起因するためであ
る。すなわち、次の反応が生起することによる。
一８ｌ−０−８ｌ−＋Ｈ，−＋５Ｉ−ＯＨ（１１Ｇｅ
ＯＳｔ ＋Ｈｇ →Ｇｅ ＯＨ（２）発明の目的 本発明は従来の欠点？除去し、光ファイバの経時劣化特
性として、−ＯＨ基の吸収槽による伝送損失の増加を起
すことのない安定な光ファイバの製造方法ケ提供するこ
とを目的とするものである。
ＯＳｔ ＋Ｈｇ →Ｇｅ ＯＨ（２）発明の目的 本発明は従来の欠点？除去し、光ファイバの経時劣化特
性として、−ＯＨ基の吸収槽による伝送損失の増加を起
すことのない安定な光ファイバの製造方法ケ提供するこ
とを目的とするものである。
発明の構成
本発明は、ガラス強度ヲ保持するため、線引き直後に施
す一次肢榎材として二液性の熱硬化型シリコン樹脂乞用
いて光ファイバを製造する場合、素線状態または心線状
態の光ファイバに対し塩素ガスまたは弗素ガスでガス処
理を行う工程を含む光ファイバの製造方法である。とく
に−法被覆材として二液性熱硬化型シリコン樹脂を硬化
させた直後に連続して塩素ガスまたは弗素ガスによるガ
ス処理を行うことも含むことを特徴とする。
す一次肢榎材として二液性の熱硬化型シリコン樹脂乞用
いて光ファイバを製造する場合、素線状態または心線状
態の光ファイバに対し塩素ガスまたは弗素ガスでガス処
理を行う工程を含む光ファイバの製造方法である。とく
に−法被覆材として二液性熱硬化型シリコン樹脂を硬化
させた直後に連続して塩素ガスまたは弗素ガスによるガ
ス処理を行うことも含むことを特徴とする。
発明の実施例
従来の光ファイバの経時劣化の主要因である水素の発生
源としては種々考えられるが、−法被覆材として使用さ
れる二液性の付加重合型シリコン樹脂も、硬化後もなお
相当量の水素ガスを生成することが判明した。すなわち
架橋にあずからないシラン基（−８ｔ−Ｈ基）が相当量
の割合で残存しており、このシラン基が加水分解または
熱により水素ガスを発生することがわかった。すなわち
次の反応の生起することによる。
源としては種々考えられるが、−法被覆材として使用さ
れる二液性の付加重合型シリコン樹脂も、硬化後もなお
相当量の水素ガスを生成することが判明した。すなわち
架橋にあずからないシラン基（−８ｔ−Ｈ基）が相当量
の割合で残存しており、このシラン基が加水分解または
熱により水素ガスを発生することがわかった。すなわち
次の反応の生起することによる。
一８ｔ −Ｈ＋Ｈ，Ｏ→−８ｌ −ＯＨ＋Ｈｔ↑ （３
）−８ｔ−Ｈ＋ −８ｉＯＨ→−８１−０−８ｌ 十工
Ｈ２↑ （４）本発明は、−法被覆材として使用する二
液性の付加重合型シリコン樹脂の硬化後も、架橋にあず
からないシラン基が加水分解または熱により水素ガスな
発生しないよう失効させるため、塩素ガスまたは弗素ガ
スのハロゲンガスで熱硬化後のシリコン樹脂をガス処理
する工程を行うものである。
）−８ｔ−Ｈ＋ −８ｉＯＨ→−８１−０−８ｌ 十工
Ｈ２↑ （４）本発明は、−法被覆材として使用する二
液性の付加重合型シリコン樹脂の硬化後も、架橋にあず
からないシラン基が加水分解または熱により水素ガスな
発生しないよう失効させるため、塩素ガスまたは弗素ガ
スのハロゲンガスで熱硬化後のシリコン樹脂をガス処理
する工程を行うものである。
すなわちシラン基の水素と塩素ガスまたは弗素ガスなど
のハロゲンガスが次のような関係で置換反応を起し、シ
ラン基から加水分解や熱により水素の生成する反応を起
させないようにしたものである。次にその反応式を示す Ｓｉ Ｈ＋Ｃ１２→−８ｔ −Ｃ１＋ ＨＣｔ↑ （５
）−８ｔ −Ｈ＋ Ｆｚ →−８ｔ−Ｆ 十ＨＦ ↑
（６）−８］−Ｃ１＋Ｈ，Ｏ→ −８ｔ−ＯＨ十ＨＣ６
↑ （カー３１−１；’ ＋Ｈ！Ｏ→−８ｉ −ＯＨ＋
ＨＦ’↑ （８）本発明による残留シラン基（−８ｌ−
Ｈ）の水素基な奪う方法として、塩素ガスまたは弗素ガ
スでガス処理する工程？含むことにより、残留シラン基
から水素を発生することを抑止することができる。
のハロゲンガスが次のような関係で置換反応を起し、シ
ラン基から加水分解や熱により水素の生成する反応を起
させないようにしたものである。次にその反応式を示す Ｓｉ Ｈ＋Ｃ１２→−８ｔ −Ｃ１＋ ＨＣｔ↑ （５
）−８ｔ −Ｈ＋ Ｆｚ →−８ｔ−Ｆ 十ＨＦ ↑
（６）−８］−Ｃ１＋Ｈ，Ｏ→ −８ｔ−ＯＨ十ＨＣ６
↑ （カー３１−１；’ ＋Ｈ！Ｏ→−８ｉ −ＯＨ＋
ＨＦ’↑ （８）本発明による残留シラン基（−８ｌ−
Ｈ）の水素基な奪う方法として、塩素ガスまたは弗素ガ
スでガス処理する工程？含むことにより、残留シラン基
から水素を発生することを抑止することができる。
さらにガラス強度の観点からは、弗化水素ガスはガラス
表面を侵蝕し、強度低下の誘因となる恐れがあるので、
好ましくは塩素ガス処理がより適切である。
表面を侵蝕し、強度低下の誘因となる恐れがあるので、
好ましくは塩素ガス処理がより適切である。
本発明による塩素ガスまたは弗素ガスによるガス処理方
法は、−次被覆のみを施した素線状態または更に保護被
覆層としてナイロンなどの二次被覆を施した心線状態で
の処理が容易である。本発明は、更にガス処理工程を光
ファイバの線引き時に同時に行うことに発展させたこと
も一つの態様である。第２図に本発明の線引き時にガス
処理工程を同時に含ませた方法を説明する概略図を示す
。
法は、−次被覆のみを施した素線状態または更に保護被
覆層としてナイロンなどの二次被覆を施した心線状態で
の処理が容易である。本発明は、更にガス処理工程を光
ファイバの線引き時に同時に行うことに発展させたこと
も一つの態様である。第２図に本発明の線引き時にガス
処理工程を同時に含ませた方法を説明する概略図を示す
。
４はプリフォーム、５は加熱抵抗炉、６はシリコン塗布
装置、７は硬化炉、８はガス処理装置、９はキャプスタ
ン、１０は巻取り機である。
装置、７は硬化炉、８はガス処理装置、９はキャプスタ
ン、１０は巻取り機である。
シリコン樹脂をシリコン塗布装置６で線引きしたガラス
に塗布し、硬化炉７によりシリコン樹脂を硬化させた後
、巻取り機１０により巻取る前に設けたガス処理装置８
により、たとえば塩素ガス。
に塗布し、硬化炉７によりシリコン樹脂を硬化させた後
、巻取り機１０により巻取る前に設けたガス処理装置８
により、たとえば塩素ガス。
弗素ガスいずれの場合も、０．５Ｋｆ／ｃＪ〜５− の
ゲージ圧で１０秒間ガス処理を行った後巻取り機１０で
巻取る。なおガス処理装置８の出入口にはガス洩れのな
いよう気密封じおよびガス送出、排気処理機構を備えて
いる。
ゲージ圧で１０秒間ガス処理を行った後巻取り機１０で
巻取る。なおガス処理装置８の出入口にはガス洩れのな
いよう気密封じおよびガス送出、排気処理機構を備えて
いる。
本発明により得られた光ファイバの特性を次に示す。
従来の光フアイバ素線および本発明による光ファイバ素
線ヲ２００℃にて２０時間放置した後の伝送損失の変化
量を第１表に示した。
線ヲ２００℃にて２０時間放置した後の伝送損失の変化
量を第１表に示した。
＊）−ＯＨ基の吸収ピークの波長
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、−夕波覆材として
二液性の熱硬化型シリコン樹脂を用いる光ファイバの製
造方法において、素線状態または心線状態に塩素ガスま
たは弗素ガスにてガス処理を行うことにより、−ＯＨ基
の吸収槽に基く光ファイバの経時特性としての伝送損失
の劣化を防止でき、その効果が大きい。
二液性の熱硬化型シリコン樹脂を用いる光ファイバの製
造方法において、素線状態または心線状態に塩素ガスま
たは弗素ガスにてガス処理を行うことにより、−ＯＨ基
の吸収槽に基く光ファイバの経時特性としての伝送損失
の劣化を防止でき、その効果が大きい。
第１図ａ、ｂはそれぞれ光ファイバの素線および心線の
断面図、第２図は本発明による光ファイバの製造方法の
概要を説明する図である。 １・・・ガラス、２・・・−夕波覆、６・・・二次被覆
、４・・・プリフォーム、５・・・加熱抵抗炉、６・・
・シリコン塗布装置、７・・・硬化炉、８・・・ガス処
理装置、９・・・キャプスタン、１０・・・巻取り機 特許出願人 住友電気工業株式会社（外１名）代理 人
弁理士玉蟲久五部
断面図、第２図は本発明による光ファイバの製造方法の
概要を説明する図である。 １・・・ガラス、２・・・−夕波覆、６・・・二次被覆
、４・・・プリフォーム、５・・・加熱抵抗炉、６・・
・シリコン塗布装置、７・・・硬化炉、８・・・ガス処
理装置、９・・・キャプスタン、１０・・・巻取り機 特許出願人 住友電気工業株式会社（外１名）代理 人
弁理士玉蟲久五部
Claims (2)
- （１） ガラス強度を保持するため線引き直後に施す一
次被覆材として二液性の熱硬化型シリコン樹脂を用いる
光ファイバの製造方法において、前記光ファイバの一次
被覆を施した素線状態または保護被覆層として二次被覆
を施した心線状態にて塩素ガスまたは弗素ガスにてガス
処理を行う工程を含むことを特徴とする光ファイバの製
造方法。 - （２）前記塩素ガスまたは弗素ガスにて行うガス処理工
程を前記−法被覆材の二液性の熱硬化型シリコン樹脂を
硬化させた直後に連続して行うことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099587A JPS60246244A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 光フアイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099587A JPS60246244A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 光フアイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246244A true JPS60246244A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH05355B2 JPH05355B2 (ja) | 1993-01-05 |
Family
ID=14251222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59099587A Granted JPS60246244A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246244A (ja) |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP59099587A patent/JPS60246244A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05355B2 (ja) | 1993-01-05 |
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