JPS60246411A - 加熱体から引渡された熱量を測定し、かつ加熱体を流過する流体流を制御するための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、加熱体から室へ引渡される熱量を測定し、同
時に、加熱体を流過し室温度を調整するために熱担体と
して役立つ流体流を制御するための装置であって、一定
の流体流を流過させるための１流調整装置と、シグナル
発生器によって制御弁を介して前制御されかつ流体流を
遮断又は流過するために流体流のエネル−’ｔ”Ｋよっ
て切換えられる開閉弁と、加熱体及び電子工学ユニット
の送り路及び戻り路のためのそれぞれ１つの温度フィー
ラとから成っており、該温度フイーラが、電気量に変換
されるそれぞれの温度差の値を積分すること罠よって熱
量を検出するよう罠なっている形式のものに関する。

従来の技術 前述の形式の装置は、ヨーロッパ特許出願公開第００１
８５６６号明細書（同出願人Ｎｒ、　８０　１０２　１
１８．９’）において公知である。このような公知の装
置は、流体流の制御と同時に、引渡さＪ′Ｌだ熱量の測
定の課題を解決することはできるが、しかしとりわけ製
作技術上及び取付上の媛点において不正確でありかつ高
価である。このばあいの量流鳩整装置の調整部材は、シ
リンダ管内で摺動可能な調量ピストンから成っており、
このことＫよってとりわけ著しく汚染された加熱水のば
あいには腐食及びダスト堆積により故障及び狂いを生ぜ
しめ、しかも摺動する調整部材を締付ける結果になる。

さらにこのようなピストン状の調整部材のばあいＫは、
摩擦により高い作業圧を必要とし、従って高いポンゾ圧
が必要となる。可動な弁ピストンを備えた開閉弁も、汚
染された加熱水のばあいに簡単に勅かなくなり、かつ仁
のような開閉弁の開放及び閉鎖のさいに漏れ損失を生ぜ
しめ、このことＫよって測定を誤ることになる。

発明の課題 本発明の課題は、実際に確実に機能を発揮し、かつとり
わけヤス）Ｋ敏感でなく、長期間安定しており、かつ正
確であり、さらにわずかな作業力で上のでありかつ電気
エネルギの消費がわずかですむような前述の形式の装置
を提供することである。

課題を解決するための手段 前述の課題を解決するため［３ｍｌじた手段は、１流調
整装置の調整部材がダイヤフラムを有するダイヤフラム
弁として形成されており、かつ開閉弁の制御弁に双安定
形な制御部材が配属されており、この制御部材が制御弁
の弁体を、保持部材を介してその端部位置に保持しがっ
畢小の電気エネルギのみを必要とする電磁式の切換部材
を介して切・萎えるようになっており、前記切換部材が
シグナル発生器及び電子工学ユニットと接続されている
ことにある。

作　用 本発明により、１流調整装置の調整部材を、ダイヤフラ
ムを有するダイヤフラム弁として形成し、かつ開閉弁の
制御弁に双安定形な制御部材を配属することによって、
制御部材が、保持部材を斤して制御弁の弁体をその端部
位置に保持し、かつ最小の電気エネルギしか必要でない
電磁式の切換部材を介して前記弁体な切換える。前記切
換部材を、シグナル発生器及び電子工学ユニットと接続
させる。

実施態様 本発明の有利な実施態様によって、１流調整装置のため
に、第１のダイヤフラム弁のためのカスケードとしてダ
イヤフラムを有する少なくとも１つの別のダイヤスラム
弁がｉｋ列に接続されていてかつ共通のケーシング内に
配置されており、さらに絞りがダイヤフラム弁に配属さ
れていることによって、高い正確性が得られ、このばあ
い第１のダイヤフラム弁は粗調整に役立ち、かつ第２の
ダイヤプラム弁又＋′１別の段も微調整を生ぜしめ、従
って流体流は、導電網において大きな圧力変動があるば
あいにも常に確実に所望の一定の流過値に維持される。

さらに、開閉弁がダイヤフラムを有するダイヤフラム弁
として形成されており、このダイヤスラム弁が、量流調
贅装置の両方のダイヤスラム弁と一緒に流体流のための
共通の流通ケーシング内で互いに前後に配置されている
と、コンパクトなかつ唯１つのケーシング内圧収容され
る装置が提供され、この装置は一体に形成される形式に
より、熱量測定のための、並びに流体流から引渡される
熱量の調整のための液圧式部材を含んでいる。このよう
な６つのダイヤフラム弁は構造上も特ＫＷＳ単に形成さ
れかつケーシング内に互いに上下に収容され、かつ簡単
に運動する大きな面のダイヤフラムの移動のために小さ
な調節力しか必要で：ｔい。

さらに有利な実施態様によれば、１流調整装置を通過す
る流量が変１ヒ可能又は交遺可能な絞りによって調節可
能でら９、さらに゛亀子工学ユニット内で流体の調節さ
れる流量が、強制的にあるいは熱量測定を実施するさい
にコード１ヒされた形状で調節することによって考慮さ
れるようになっている。このことＫよって、加熱体を流
過する流体流は、使用される絞りもしくは絞り調整圧相
応１−でその都度必要とされる熱量引渡しに適合され、
かつ同時に調節された流量が電子工学ユニットに送られ
、従って常に熱量測定のために正しい流過値が使用さｎ
うる。

有利には、圧力差が少なくとも、量流調整装置のダイヤ
フラム弁の１つにおいて、このダイヤスラム弁の前方に
一列に配置された絞りとして作用するダイヤフラム弁に
よって形成され、このことによって変〔ヒ可能な差圧が
微調整のための制御ベースとして与えられる。

さらに、標準の加熱体接続部を備えていて、かつ成子工
学ユニット及び指示及び調節部材を受容する弁ケーシン
グ部分を支持するコンパクトな弁構成ユニットＫまとめ
られたコンパクト装置が、従来の加熱体弁の代わりに簡
単に加熱体導管に８組込まれる。

さらに１流体流ひいては室温度の調整が開閉弁の開閉を
レリー４する調節可能なシグナル発生器を介して行なわ
れ、該シグナル発生器が電子工学ユニットの調整装置と
接続される。

さらに、シグナル発生器の入力信号値又は目標値が時間
にわたって所定の値に従って自動的に変化されると、シ
グナル発生器の目標値は時間に関連して電子工学ユニッ
トの調整装置によって所定の値に自動的に切換えられる
。このため使用者によって選ばれる種々のプロセスプロ
グラムが予めプログラミングされ、あるいは使用者によ
って電子工学ユニット内圧設けられたマイクロプロセッ
サを介して唯１つのプロセスプログラムが部分プログラ
ムＡ−ら組立てられる。

さら；で、エネルギ供給のために１　ソーラセルあるい
は流体流にチャージされたエネルギな電気エネルギに変
換するための半導体熱電対が設けられており、このこと
Ｋよって補助・ぐソテリの組込みを全く断念することが
できる。

別の実施態様によれば、流れ又は流体静止を指示するシ
グナルを電子工学ユニットに引渡す流れ報矧器が装置に
設けられてい乙。この流れ報知器によって、温度ツイー
ンの温度差の値の積分が、流れを報知するさいにレリー
ズされ、かつ流体静止を報知するさいすなわち開閉弁の
閉鎖時に再びストップされ、このことによって熱量は簡
単な形式で確実に検出される。

実施例 本発明による装［１１ｔ１０１は、流過ケーシング１０
２を有するコンパクトユニットから成っており、前記流
過ケーシンポを通って流体が流れかつこのケーシング内
圧は機械的な部材、とりわけ弁部材及び本発明による装
置の′亀一部材が収容されている。さらにユニッ）１０
１は、電子工学−１指示−１調節−もしくは信号発生部
材を収容しているケーシング部分１０３を有している。

流過ケーシング１０２は入口及び出口（第１図には出口
のみを示す）のための２つの接続部１０４が設けられて
おり、該接続部によって本発明による装置を、図示の実
施例において加熱装置の加熱体１０７への送り導管１０
６に、従来の弁と同様に差嵌めることができる（第２区
）。ユニツ）１０１に導管１０８が設けられており、導
管の自由端部には電気的な温度ツイーン１０９がたとえ
ばクリップ又は類似のもの内に収容されており、このク
リップｔま加熱体１０γからの戻し導ｆ１１１に固定さ
れる。

流過ケーシング１０２内には別の温度ツイーンが収容さ
れており（図示せず）、この温度ツイーンによって刃口
熱体１０７への送り導管１０６内の送り温度が直接測定
される。抵抗温度計、熱電対あるいは有利な亀子式′成
流センサのような４々の温度ツイーンを取付けることが
でき、これらの温度ツイーンは絶対温度に比例する電流
シグナルを引渡しがっこれらを直列に接続することがで
き、従って送り導ｆ１０６と戻し導管１１１との間の温
度差に比例する電流シグナルを直接生じる。ばあいによ
っては活発な熱電対（ペルチア（Ｐｅｌｔｉｅｒ）−素
子）によって、有利には緩衝アキュムレータナ使用して
本発明による装置の電子工学のためのエネルギが、測定
流体流の熱エネルぞから周知の形式で得られる。

エレクトロニクスを受容するケーシング部分１０３が指
示部材１１２を有しており、この指示部材によって、加
熱体１θγ内で消費された、もしくはこの加熱体によっ
て引渡されたエネルギを、たとえば比較ユニットにおい
て指示しかつ読み敗ることができる。さらに、室目標温
度あるいは時間にわたって目標温度のプロセスを調節も
しくは予め選ぶことができるサーモスタットの調節装置
１１３が設けられている。ケーシング部分１０３に室温
度ツイーン１１４が組込まれていて、この温度フｆ−ラ
が室の実際温度を測定し、この実際温度が、加熱体１０
１のための流過ケーシング１０２を通る流過を調整する
だめの瞬間的な目標温度と比較される。

ケーシング部分に組込゛まれた調節装置１１３の他に、
第２図に示されるような遠隔目標値調節装置１１３ａ及
び／又は遠隔温度ツイーン１１４ａを設けることもでき
る。

第６図には本発明による装置１０１のゾロツク制御回路
図が示されている。加熱体１ｏγへの送り導管１０６に
は、図示の実施例において流体のだめの共通の流過ケー
シング１０２においてまず、流体流の遮断及び通過のた
めの弁機構６１が配置されており、しかもこの弁機構６
１は開閉弁として形成された主弁６２と制御部材６３と
を有している。制御部材６３は調整装置１７８によって
、実際の入力信号値又はシグナル発生器１１３を介して
調節される実際の目標値と、室温度ツイーン１１４の実
際値との間の比較に関連して調整される。シグナル発生
器１１３及び室温度ツイーン１１４の代わりに１別の制
御パルスを、たとえば時間ゾログラムによって与えるこ
ともできる。流体流の切換えを、以下に説明する形式で
個々に行彦う。弁機構６１に１流調整装置１が後置され
ており、この１流調整装置１は、調節可能な校り８を介
する調Ｉ（７）ＩＫ、調整段６及び後続の補正段又はカ
スケード１６によって常にコンスタントな１流を出口３
へ、ひいては加熱体１０７へ流過させる。

流通ケーシング１０２にはさらに流れ報知器５８が設け
られており、この流れ報知器は、１流調整装置によって
調整された流体流が送り導ｆ！ｆ１０６を通るか、ある
いは流体流が弁機構６１によって遮断されるかを確認す
る。流れ報知器５８によって測定された情報はケーシン
グ部分１０３における電子工学ユニット１１γにさらに
引渡される。このことは、加熱体１０７への送り導管１
０６もしくは加熱体からの戻し導管１１１における温度
ツイーン１０９，１１８によって測定される温度につい
ても同様である。このようＫして得られた情報は、次い
で絞り調整すなわち所定の流量を考慮して、たとえばコ
ード化される形式で電子工学ユニット１１７において処
理される。次いで測定の結果もしくは合算が指示装置１
１２を介して示される。要するに全体的に本発明による
装置１０１によってエネルギ量が検出され、このエネル
だ量が何個のアクチュエータによって加熱体１０７に引
渡され、このばあい引渡されたエネルギ量は調整装置７
８によって調整されもしくは所定の形式で制御される。

流過ケーンフグ１０２内に共通に収容された機械的かつ
電磁的な調整ユニットが第４図において概略的に示され
ている。

加熱装置におけるそれぞれの流体流の遮断及び通過のた
めの弁機構６１は、開閉弁として形成された主弁６２と
、第４図において原理のみを示す制御弁を有する制御部
材６３とを有する。主弁６２がダイヤフラム６４を有し
てお９、このダイヤフラムの外周縁が外側ケーシングの
壁又Ｖｉ暇付部材（両方とも第４図に図示せず）に固定
されている。ダイヤフラム６４は７エルＡ）区域Ｍ（第
５図）の環状範囲においてのみ弾性的であり、かつこの
こと妊よって本来のダイヤフラムとして形成されており
、かつダイヤフラムの支持区域の中央範囲に剛性のプレ
ート状の弁カバー７１を有している。弁カバー７１には
、ダイヤフラム６４の入口４９に向かう側にリング状の
弁座７２が配属されており、もしくはこの弁座７２が弁
カバー７１に対向して位置している。弁カベ−７１がリ
ング又は渦巻ばね７３によって弁座７２に圧着される。

弁カバーγ１が弁座１２に載着されると、主弁６２は閉
鎖され、従って入口２から出口２ａへの流体流が１流調
整装置１へ流れない。

ダイヤフラム６２の弁座γ２とは反対側において人口２
から室５５へ、バイパス又は接続導管５２が案内されて
いる。同様の形式で、室５５から出口２ａヘバイパス５
４が通じている。

構成上は弁カバー１１を通る通路として構成することが
できるバイパス５４には絞り開口６５を形成するこ七が
でき、この絞り開口にフィルタロ６が前置されている。

バイパス５４に設けられた制御部材６３が弁を有してお
り、この弁によってバ・ｒパス５４を室５５から出口２
ａへ開放又は遮断することができる。出口２ａへのバイ
パス５４のインゼクタ状の接続部６７は、人口２から主
弁６２を通ってバイパス５４の出口２ａへ流体流に存在
する流体がインゼクタ原理により引き裂かれ、かつこの
ことＫよってバイパス５４内で、かつ制御部材６３が開
口するさいに室５５内に負圧が生ぜしめられるように形
成されている。

今や弁機構６１ひいてはとりわけ主弁６２が閉じられる
と、主弁６２の前方に圧力Ｐｌａが、出口２ａＫｔ−１
ｔ、前記圧力Ｐｉａより低い圧力Ｐ１が生じる。このよ
うな閉鎖状態のはあいＫ、制御部材６３も閉じている。

それ故に室５５内の圧力ｐ１ｂは、絞り開口６５を介し
て入口２内の圧力ＰＩ＆にバランスされる。それ故に、
ダイヤフラム６４の弁座Ｔ２とは反対の側において、こ
のダイヤフラムにばね力Ｔ３の他に圧力ｐ１ｂが作用す
る。ダイヤフラム６４の弁座７２に向かう側において、
ダイヤフラムの相応する部分面圧圧力Ｐｉａ及びＰｌが
作用する。圧力Ｐ１が弁機構６１の最低圧であるので、
室５５からダイヤフラム６４に作用する力は常に弁座Ｔ
２から作用する力より高く、従って弁はこのばあいに閉
じたままである。

今や調整パルスによって制御弁を有する制御部材６３が
開放されると、室５５内の圧力Ｐ１ｂが低下しかつでき
るだけ小さな圧力降下によって出口２ａにおけ゛る圧力
Ｐ１に通じる。通路γ６（第５図）より小さな横断面を
有する絞り開口６５に基づいて、室５５は接続導管５２
を介して迅速には充てんされず、従って圧力Ｐ１ａを有
する入口２と圧力ｐ１ｂを有する室５５との間に圧力差
が生じる。このことによって圧力Ｐ１ａは、圧力Ｐ１ａ
とｐｌｂとの圧力差が小さいばあいＫも弁カバー７１を
弁座７２から突き放し、かつこのことによって主弁６２
が開放する。さらに、出口２ａＫおけるバイパス５４の
インビクタ状の接続部６Ｔによって、室５５内の圧力ｐ
１ｂが出口２ａＶＣおける圧力Ｐ１より小さくなり、従
って主弁６２の開放後もこれを確実に開放させたまま圧
する。弁機構６１の閉鎖のために１ひいては入口２から
出口２ａへの流体流の遮断のために１パルスによって制
御部材６３の制御弁が閉鎖される。このことによって室
５５内で、背圧が圧力Ｐｉａを有する入口２と室５５内
の低い圧力ｐ１ｂとの間にまず存在する圧力差によって
生せしめられ、従って絞り開口６５を介して次第に室５
５内の圧力ｐ１ｂは、室５５内の圧力ｐ１ｂ及びばね７
３の力が入口２における圧力Ｐ１ａと出口２における圧
力Ｐ１のダイヤフラムに反作用する力Ｋまさりかつこの
ことＫよって主弁６２が閉鎖されるまで圧力ＰｉａＫ近
づけられる。ばねγ３はすでＫ、流れが存在するぼろい
Ｋも差圧を制限する。さらにばねＴ３は・ダイヤフラム
ロ４の振動を阻止する。

図示の実施例のばあい、流体流の遮断もしくは通過のた
めの弁機構６１内に無接触の、又は接近スイッチとして
の流れ報知器が収容されており、この流れ報知器によっ
て、流体が流れるか又は全く流れないかが確認される。

このため図示の実施例では弁ダイヤフラム６４の上方に
所謂リードスイッチ５６が配置されている。ダイヤフラ
ム６４もしくは（のダイヤフラム力／ぐ−の中心に永久
磁石５７が取付けられており、この永久磁石はリードス
イッチ５６に対する間隔の変ｆヒに基づいてダイヤフラ
ム６４の運動によってリードスイッチ５６を切換える。

弁機構６１の出口２ａは、入口２ａとして調整段６及び
補正段又はカスケード１６を有する１流調整装置１に通
じる。このばあい弁機構６１が開放するばあい、入口２
もしくは１流調整装置１０入口（２ａ）から出口３へ、
入口と出口との間の圧力差に無関係に一定の流過が行な
われる。

入口２ａは、調整段６として示されたダイヤフラム弁の
ダイヤフラム４の片側に通じる。このことによってダイ
ヤフラム４は、入口に向かう側においてここで生ぜしめ
られる圧力ＰＩＫよって負荷される。

分岐導管７が、圧力Ｐ１を圧力Ｐ２に減少する調節可能
な絞り８を介して調整段６のダイヤフラム４の他方側へ
案内されている。

調整段６は、少なくとも１つのほぼ扁平なダイヤフラム
４を有しており、このダイヤフラムの周縁が、外側ケー
シング（図示せず）Ｋ取付けられたカートリッジ９の壁
に同定されている。ダイヤフラム４は環状範囲でのみ弾
性的であり、このことＫよつ゛て本来のり９イヤフラム
として形成されていてかつ中央範囲で＠１１性のプレー
ト状の弁カバー１１を有している。弁カバー１１に、ダ
イヤフラム４の入口２ａとは反対の側においてリング状
の弁座１２が配属されており、もしくは弁カバー１１に
対向している。弁座１２がカートリッジ９と不動に結合
されている。弁座１２はカー）　ＩＪツジによって全体
的に取囲まれる平面のわずかな面のみを囲んでいる。

弁カベ−１１は弁座１２に対向するばね１３によ゛つて
弁座１２から前方へ押付けられる。弁カバー１１と弁座
１２との間の変【ヒされる通路は変［ヒ可能な絞りとし
て作用し、従って弁座１２によって取囲まれる室の内側
に一般的に圧力Ｐ２より低い圧力Ｐ６が生せしめられる
。要するにダイヤフラムの出口とは反対の側において、
圧力ｐ２．ｐ３並びにこれらに配置された面によって規
定される力が生じる。調整段６にカスケード１６として
示される別の〃９イヤフラム弁が列状に後置されている
。第４図の概略図においてはカスケード１６が調整段６
と同様に示されているが、調整時にはカスケード１６の
寸法を調整段６の寸法と異ならせることができる。

カスケード１６も調整段６と同様にダイヤフラムカバー
２１を有するり９イヤフラム１４を有しており、このダ
イヤフラムに弁座２２が配属されており、適当な圧力状
態のさいにはね２３によってダイヤフラムカバー２１が
弁座２２から前方へ押付けられる。弁１６のばね２３及
び弁座２２とは反対側の室が、ダイヤフラム４の、カス
ケード１６のばね２３及び弁座２２に向かう側における
圧力Ｐ２を生じる室と接続されており、従ってカスケー
ド１６の前述の室内にやはり圧力Ｐ２が生じる。横断面
においてリング状の弁座１２の内側から接続部１Ｔが、
ダイヤフラム１４の弁座２２に向かう側圧おけるカスケ
ード１６の弁座２２を取囲む室に通じていて、従ってこ
の外側室内に弁座１２の内側と同じ圧力、要するに圧力
Ｐ３が生じる。このことによって調整段６が、この調整
段６のだめの調整可能な絞り８に相応してカスケード１
６のだめの変化可能な絞りとして作用する。このばあい
電流調整装置１の出口３には、実施例において、出口３
と弁座２２との間に別の調整可能な絞り又はカスケード
１６に相応する別のカスケードが配置されていない限り
では、弁牢２２の内側と同じ圧力Ｐ４が生じる。調整可
能な絞り８は定置の遮へい部材から成っており、この遮
へい部材を、移動可能な遮へい部材に対して、これと−
緒に、たとえば鋭いエッヂを形成される変゛化可能な政
り開口を形成するように移動させることができる。とり
わけ、なかんずく小さな絞り開口のばあいにできるだけ
円形の開口を形成するような絞り開口のほぼ円形の制限
部が有利であり、すなわち小さくてかつ円形の制限外周
を有する大きな面が有利である。生ぜしめられた最小の
絞り開口は、たとえば半円形及び半玉方形になる。絞り
開口を鋭いエツジを有してかつできるだけ円形状に構成
することによって、汚れが堆積することによる絞り開口
面の変ｆヒが阻止される。しかし移動可能な絞りの代わ
りに、交換可能な円形状の嵌込み遮へい部材を設けるこ
ともできる。一種類だけの調整ユニット及び種々異なる
嵌込み遮へい部材によって、種種異なる流過値を有する
電流調整装置を多数類別することができる。

以下に第５図について説明する。第５図には、電流調整
装置１及び一体成形された双安定性の開閉弁機構６１を
有する本発明によるコンパクトな装置が縦断面で示され
ている。ユニット全体が、入口２のための接続片３２及
び出口３のための接続片３３を有する外側のケージング
３１内に収容されている。弁機構６１も１流調整装置１
の弁装置（６，１６）も、ケージング３１内に取付けら
れたカートリッジ９内に配置されている。

このばあい入口２が室３４に通じる。入口２に対向して
、前述の調整段６としてのダイヤフラム弁６のダイヤフ
ラム４が配置さ几ている。

ダイヤフラム４の周面がカートリッジ９内に定置に締付
けられており、これに対してダイヤフラムの中央部分が
剛性の弁カバー１１として形成されている。弁カバー１
１の室３４とは反対の側圧弁座１２が設けられており、
この弁座はやはりカートリッジ９内に定＃ＬＫ配置され
ている。弁座１２の外壁が截頭円すい膨圧形成されてお
り、この弁座は弁カバー１１に向かって先細にされてい
る。このことＫよって弁座１２の別の部分に、その運動
が弁座１２における中間範囲での接触の危険によって阻
止されることなじにげね１３を当接させることができる
。ばね１３の、弁座１２とは反対の側が、弁カバー１１
を押付けかつそれ故に弁が無圧状態で開放されて保持さ
れる。室３４が詳しくは図示しない貫通孔を介して側方
の室３６と、この室３６内で室３４内と同じ圧力Ｐ１が
生じるように接続されている。室３６は、ノ・ノドル３
７によって外方から調節される絞り８を介して、弁座１
２を取囲む環状室３８と流体接続されてお９、この環状
室内には圧力Ｐ１より小さい圧力Ｐ２が生じる。支配的
な圧力状態に基づくダイヤフラム弁６の開放度に応じて
、弁座１２によって環状室３８に対して１Ｉｔｌｊ限さ
れた弁座１２の内室３９内には、一般的に圧力Ｐ２より
低い圧力ｐ３が生じる。ダイヤフラム弁６の上側に直接
、前述のカスケード１６としての別のダイヤフラム弁１
６が配置されており、このばあいダイヤフラム弁として
の弁の構成に基づいて低い構造高さのコンパクトな装置
が得られる。ダイヤフラム弁１６がダイヤフラム１４を
有しており、このダイヤフラムはやはりその外周縁にお
いて、カートリッジ９と不動に結合された部分を介して
締込まれておりかつその中央範囲には弁カバー２１を有
している。ダイヤフラム１４によって室４４が環状室４
８から仕切られており、この環状室４８がやはり少なく
とも一部分範囲にわたって截頭円すい状に形成された弁
座２２を暇囲んでおり、この弁座が内室４９を囲む。弁
座２２の外側範囲が、相応する形式でばね２３のための
支承部として役立ち、ばね２３の外側１部が弁カバー２
１に当接しかつ無圧状態でこの弁カバーを弁座２２から
前方へ押す。

室４４が通路５１を介して環状室３８と接続されており
、これに対して弁座１２の内室３９がダイヤフラム１４
の上側の環状室４８と接読部５０を介して接続されてい
る。弁座２２によって環状室４８に対して制限されてい
て、この譲状室４８内の圧力Ｐ６より低い圧力Ｐ４を有
する入口室４９が、開閉弁機構６１及びカートリッジの
外側に１とりわけカートリッジ９の外壁とケーシング３
１の壁の内側との間に存在する中間室５３とケーシング
３１の出口３によって接続されている。このば６い本発
明による１流調整装置には、流れ報知器５８としての無
接触式又は接近スイッチが組込まれている。このために
弁カバー１１の下側にり−ｒスイッチ５６が配置されて
いる。弁カバー１１の中央には永久磁石５γが取付けら
れており、この永久磁石は、弁カバー１１の運動によっ
てリードスイッチ５６への接近な変ｆヒさせることに基
づいてリードスイッチを切換える。

弁機構６１全体はやはり共通のクーソング３１内に収容
されている。入口室４９が弁座７２によって取囲まれて
おり、弁座はさらに環状通路の形状の中間室５３の一部
分てよって取囲布れている。弁座Ｔ２の上方には弁カバ
ー７１を有するダイヤフラム６４が配置されている。ダ
イヤフラム６４はばねγ３によって弁座７２に圧着され
る。第５図から特に判るように１人口室４９から室５５
への接続導管５２が、弁カバ−７１に配置された開口６
５を有しており、このばあい絞り開口６５にフィルタ６
６が前接続されている。室５５から狭幅の通路γ６が第
４図のバイパス５４に通じており、このバイパスは第５
図の実施例ではまず別の室（５４）として、次いでイン
ゼクタ接続部６７の前方で環状ネとして形成されている
。

通Ｍ７６が所属する制御弁７７を有する制御部材６３は
本発明により以下のように形成されている。制御部材６
３はまず調整装置γ８を有しており、この調整装置忙よ
って、たとえば温度変化もしくはある程度の温度限度の
超過又は下回り又は別のシグナルを制限する制御パルス
が有利には双安定形の磁石機構７日を負荷する。双安定
形の磁石機構Ｔ９によって弁ピストン８１が、これに固
定された接極子８２を介して、通路Ｔ６が接続又は開放
されるように運動される。弁ピストン８１が下方位置に
あると、通路１６ひいては制御弁７７は閉鎖され、弁ぎ
ストン８１が接極子８２によって上方位置にあると、通
路７６ひいては制御弁１１は：開放される。このこと罠
よって、磁石機構はわずかなエネルギを可能にし、かつ
磁石機構を切換えのためにのみ受容しなければならず、
しかし両方の位置に弁ピストン８１を保持するために弁
ピストン８１又はプランジャが補助はね８３と接続され
ていないので、弁ピストン８１とは反対側の補助ばね端
部が保持部８４に固定されている。

補助ばね８３は、制御弁７７を閉鎖状態で十分な力（数
グラム）で弁座に押付けかつこのことＫよって気密に保
持する働きを有する。しかも原則的に１この機能を補助
ばねなしに、たとえば強磁性に形成された弁ピストン８
１を弁座に引き寄せる通路７６における小さな永久磁石
によって満たすことができる。このばあい原則的に、制
御弁７７もしくは弁ピストン８１がその両端部位置（開
放及び閉鎖）Ｋそれぞれ、小さな永久磁石によって保持
され、及び゛電磁的な機構の両方向の磁石パルスによっ
て上方もしくは下方へ切換えられる。補助ばね８３を、
制御弁Ｔ７の開放もしくは閉鎖位ＩＫ相応する双安定形
の２つの位置を有する渦巻ばねとして形成することもで
きる。制御弁γγがその両方の位置、要するに閉鎖位置
又は開放位置に保持され、及びこの位置で補助ばね８３
によって保持されるばあいに１磁石機構７９はそれぞれ
切換えのためＫのみばね８３の保持力を克服しなければ
ならない。磁石機構を作用すると、ばね８３がその他方
の双安定形の位置に切→央えられかつ制御弁γγがその
別の位１１に、もたらされ、委するに一方位置から閉鎖
位置へ、あるいは閉鎖位置から開放位置へもたらされる
。

両方の位置に制御弁７γを保持する機能が、補助ばね、
渦巻ばねによって又は永久磁石によって保証されている
ことＫよって、磁石機構７９は切換えるためのエネルギ
のみを必要とし、制御弁γγを一方又は両方の位置に保
持するためのエネルギな必要としない。このばあいエネ
ルギの全消費は小さいので、ＬＲ６の大きさの２つの任
意の小さな補助バッテリを有するこの２うな双安定形な
加熱弁を一年以上運転させることができる。

弁機構６１全体の切換えは、第４図で示す形式を参照し
て行なわれ、それ故に以下には述べない。

双安定形な磁石機構７９の実施例が第６図に示されてい
る。磁石機構７９がＵ字状のヨーク８６及び０Ｔ＃Ｊの
接極子８２を有する磁気回路を有しており、前記接極子
は弁ぎストン８１（第５図）と結合されている。ヨーク
８６のウェブ８γは普通の形式で励磁コイル８８によっ
て取囲まれている。特にヨーク８６が軟磁性の拐料から
成っているのに対して、軟磁性のヨーク８６の・却８９
の間に永久磁石９１が取付けられている。このばあい磁
界及び磁力の状態は、永久磁石９１がヨークｄ６の両方
の脚８９及び図示されない励磁コイル８８を介して弁ピ
ストン８１を有する接極子８２を第６図に示された引出
された位置に確実に保持し、しかしそれ以上は図面にお
いて破線で示された位置から引出されないようＫなって
いる。

今や永久磁石によって接極子を介して形成された磁界が
、励磁コイルの切換えＫよって永久磁石の磁界に対して
収束磁界として作用する反作用の磁界に切換えられると
、接極子は少なくともヨーク８９から落下し、このばあ
い補助ばねを有して構成するさいに収束磁界が永久磁石
の磁界を、補助ばね８３が制御弁７７の閉鎖位置に相応
する位置に押付けられるまで克服することができる。し
かし原則的には、接極子８２にたとえば種々に選ばれた
磁界の他に重力のみが作用することで十分である。

永久磁石の磁界を強化する磁界が励磁コイル８８を切換
えることによって切換えられると、接極子は破線で示さ
れた閉鎖位置から図示された開放位置（第６図）に引出
され、かつこのばあいばあいによっては渦巻ばね又は従
来のばねの力及び／又は重力が克服され、かつ接極子は
あらゆるばあいに励磁コイル８８を遮断するさいに第６
図に示された上方の位置に保持される。

磁界強化のために、脚８９は嘴断面減少部９０を有して
いる。

双安定形の制御部材がたとえば、磁気的な及び機械的な
双安定形部材、又は従来の磁石機構を有する機械的な双
安定形部材（渦巻ばね）又は片側で作用する機械的な力
（普通のばね力、重力）を有する双安定形の磁石機構を
有することができ、このばあいもちろん前述の構成が有
利である。

切換えのだめＫのみわずかな、しかし切換え状態でエネ
ルギ消費なしに保持される切換えエネルギを必要とする
ので、弁機構６１の前述の機能は図示の双安定形な制御
部材６３によって実施される。

以下に開閉弁機構６１の有利な構成を補足的に説明する
。

絞り一ロ６５が、たとえば０．５ｍ、有利には０．３と
０．６！１１の間の直径を有してできるだけ小さく選ば
れると、きわめてわずかな流体量だけが流過てきる。し
かし絞り開口６５Ｖｉ、ダスト堆積によって完全に塞が
れることはほとんどない。このために絞り開口は一面で
は円形状Ｋかつ鋭いエツジの遮へい縁を有して形成され
、ここにはダスト堆積を形成することができない。

さらに絞り開口６５ＫＶｉなお細かいフィルタ６６が前
接続される。フィルタ６６はわずかに流過する流ｔＫ比
べて大きな表面を有しており、従って極めて長い期間の
後もダストによって完全に塞がれることはない。有利に
はフィルタが２つの区域に分けられ、このばあい一方の
区域は流体を流され、かつ他方の区域は流さ扛ない。流
体を流される区域には、流れによっである程度の自浄作
用が帰られ、これに対して流されない区域ではほとんど
消えた流れ速度により相応してわずかなダストがフィル
タに達する。フィルタの流体を流されない区域はたとえ
ば上方に配置されておし、従って重いダスト部分は全く
それ杖上は一緒に引出されない。このば必いダストの種
類に応じて、両方の区域の一方又は他方がわずかにダス
トに弱く製造される。しかし両方の区域はそれぞれ、小
さな絞り開口６５のために長い年月の十分な流過のみを
保証するような大きさである。フィルタ６６のために、
小さな容積でフィルタ表面を増大するために多数のひだ
を有するフィルタ装置を選ぶこともできる。フィルタは
、非強磁性材料、たとえばグラスチック織物又は青銅か
ら成っている。このばあい、極めて薄い焼結フィルタ又
はろ布でもよい。フィルタの細孔の大きさは、フィルタ
開口のたとえば’Ａ−’Ａｏの大きさに選ばれる。

制御弁７γにおける通路γ６の寸法は、絞り開口６５よ
り明らかに大きく選ばれなければならず、通路７６の直
径は有利には１〜２１ｒｍの間であり、従って絞り開口
６５に対する通路７６の面積比は５〜１０である。

前述のことから、コンパクトな構成を維持するばあいに
開閉弁機構６１と１流調整装置１との互いに前後した配
置を任意に交換することができる。ばあいＫよっては流
れセンサ５４をさらに任意な形式で配置することができ
る。

ｆｆｏ熱体１０γへの、及び加熱体１０７を通る流体の
流過を調整すること及び開閉弁機構６１を開放するさい
に流量を一定に保持することが以下のように行なわれる
。

調節装置ｔ１１３を介して、加熱体１０γを設けている
室のだめの目標温度値が調節され、もしくは目標温度の
ためのゾログラムが予め選ばれる。このばあい調整装置
において室温度の実際値が室温度フィーラ１１４を介し
て測定され、かつ目標値と比較される。実際値が瞬間的
な目標値にわたって変化されると、調整装置が弁機構６
１に切換えパルスな、シかも実際値が目標値より低下す
るさいに開放パルスを、かつ実際値が目標値より上昇す
るさい忙閉鎖パルスを与える。

弁機構６１の主弁６２が調整装置７８の調整パルスによ
って、第４図において示された形式を考慮して開放され
、かつこのことによって入口室４９から環状通路５３（
第５図）への通路が解放されると、１流調整装置１が以
下の形式で作用する： 流体が入口２を介して供給されるので室３４が無圧にな
るばあいに、ダイヤフラム弁６がその全開放位置罠位置
せしめられ、これはダイヤフラム４がばね１３の作用の
みで弁座１２から前方へ押付けられるからである。運転
状態で１流調整装置の前方に系統圧Ｐ１が形成される。

１流調整装置の後方には、アクチュエータにおける作業
抵抗によって規定されている圧力Ｐ４がある。交換可能
な作業抵抗及び交換可能な系統圧によって、圧力Ｐ１と
Ｐ４との間の圧力降下が変化される。このばらい一定の
流過のために調節可能な絞９８における一定の圧力降下
が前提とされ、このばあい得ようとする定格流過を得る
ために、最少抵抗又は圧力限界が必要である。しかし作
業圧が大きいと、余剰圧は調整段６及びカスケード１６
における絞りによって収り消され、このことによって流
過は小さな許容誤差範囲内で一定のままである。

弁に２いて流れが存在しないと、要するにダイヤフラム
４に圧力が作用しないと、調整可能なダイヤフラム弁６
．１６が開放される。ダイヤフラム４，１４がばね１３
．２３によって相応する弁座１２．２２から前方へ押出
される。

入口２において流れ及び高くされた系統圧Ｐ１が生じる
さいに、まずダイヤフラム４はさらに弁座１２に圧着さ
れる。同時に流体が調節可能な絞り８を介して環状基３
８内に流れ、ここで圧力Ｐ２が調節されかつこの環状基
から弁座１２の内側の内室３９内へ弁力・々−１１と弁
座１２との間の弁開口を介して流れ、ここで次いでまず
圧力Ｐ３が調節される。圧力Ｐ２及びＰ６によってダイ
ヤフラム４に作用する力が、圧力ばかりとして作用する
ダイヤフラム４を、圧力降下ｐ２−ｐ３の変（ヒが圧力
ｐ１　ｙｐ３の変化に相応しかつこのことによって圧力
降下ｐ１−Ｐ２が調節絞妙においてはぼ一定のままであ
るように調節するまで圧力Ｐ１によって制限される力に
抵抗する。しかし圧力降下ｐ２−ｐ５が妨害要因を規定
し、従って前記の圧力差は、それ・が流通誤差を越える
値に達するさいにさら番で減少されなければならない。

このために別のダイヤフラム弁又はカスケード１６が役
立つ。このばあいには、ダイヤフラム弁又はカスケード
が前述の調整段６によって圧力差ｐ２−ｐ３を制御ペー
スとして有しているので標準圧が変化可能である。この
ばあい弁１６を介して調節される圧力差ｐ３−ｐ４は小
さく、従って申し分なく一定の流過が得られる。一般的
にはカスタ−１で十分である。特別のばあいには、カス
グー１１６の後に別のカスケードを配置することもでき
る。

本発明により、ダイヤフラム弁を２段又は多段に配置す
ることによって、極めて正確な、長期間安定的な、ダス
）Ｋ敏感でないかつコンパクトな１流調整装置が提供さ
れ、この１流調整装置は広い作業圧範囲で作動すること
ができる。調節可能な絞り８．３７によって目標流過量
が選ばれる。

加熱水圧おいて起りうる粗いダストを妨ぐために、人口
に交換可能なフィルタ、たとえば０．２ｉｉ＋の幅の目
を有するｆｉｐ４ミル４フイルタけることができる。細
いダストは電流調整装置の機能を妨害しない。

ダイヤフラム４，１４が有利にははぼ扁平に形成されて
おり、すなわち夕ゝイヤフラムは比較的小さなフェルト
区域Ｍと、これの間に位置する比較的大きな支持面とを
有している。その上、ダイヤフラムはたとえば３ｇ／、
、１ｒＬ２より小さいダイヤフラム面と大きな行程量の
極めて小さな固有強度を有している。このため、なかん
づくロールダイヤフラム、みぞ付ダイヤフラム又は圧縮
された扁平ダイヤフラＬが役立つ。材料として、たとえ
ばＦｉＰＤＭ及び５５〜７０°のショア硬度及びたとえ
ば０．２〜０．４ｎの厚さのヴイトン（ｖｉｔｏｎ）が
役立つ。高い過圧が考慮されなければならないばあいに
、高圧にさらされるダイヤフラムを織物挿入体によって
補強することもできる。

最良の結果ができるだけ大きなダイヤフラム面によつＸ
”！　？ＩＪ”ｙ　、；＞そ眉・友にタ゛イヤフラム直
径は有利にはへ’４１［１１，匝、もしくはケーシング
３１の内径の少なくとも７０％である。弁座１２゜２２
の開口は、−面では高い調整正確さを得るために比較的
小さく、しかし他面では弁における流れ抵抗をあまり大
きくしない。それ故に良好な結果は、弁面径がダイヤフ
ラム直径の３５〜４５％であるばあいに得られる。

所望の高さの流量及び作業圧の小さな限界を得るため番
て、さらに流れ抵抗を小さく保持する。このため所定の
ケーシング直径のぼろいに、ダイヤスラム及び流入及び
流出通路の寸法が大きく保持されかつダイヤフラムの締
付は範囲のだめの壁４ｗを含む壁厚さが小さく保持され
る。このためダイヤフラムを、第５図に示されるように
隆起部による代わりに薄い壁Ｗに直接締付’ｆ　％接着
又は加硫することができる。電流調整装置を通る流れ路
全体において、必要な鋭い遮へい部材を除いて、制限部
が縁及び角隅なしにできるだけ平らに、円くかつ連続的
に形成される。直径Ｖを有する連続的な流入通路５０及
び直径Ｒを有する流出通路５３０代わりに、半径方向の
小区分を設けることもでき、従って要するに通路５０．
５３が第５図の断面図において互いに並列に配置される
のでになく、互いにタンデム配列に配置される。しかも
外側のケーシング３１の形状を正方形に形成することも
でき、このばあい円形状ダイヤスラムによって被われな
い角隅において、流入−及び流出通路５０．５３のだめ
のスペースが設けられている。

電流調整装置を前述の構成より構成することによって、
極めて有利な結果、たとえば％インチ弁及び標準接続部
のための以下のような極めて有利な結果が得られるニ ー　ｏ、ｉバールより小さい作業圧の限界−少なくとも
２００１　／　ｎの量流 −トマールを超える圧力までの極めて広い作業圧範囲に
わたる２％の正確性 所望の使用に応じて、所定の方針による構成を適合させ
ることができる。

′その上、材料を選択するさいに、種々の部材が電気化
学的にかつ化学的に抵抗されるように、す′なわちこれ
らの部材が流体流会において、かつ取囲まれたケーシン
グ及び導管に関して化学的に反応しないように考、這さ
れてい乙。たとえば真ちゅうケーシングにおいて弁ばね
１３゜２３がばね青銅又は酸に強いスチールから成って
いる。

第５図のリングはねの代わりに、板ばね又はねじりばね
のような他のばねを収付けることもできる。有利にはな
かんづく、ケーシングの低い全高及び短い接続通路を可
能にするコンパクトなさらばねを取付けることもできる
。しかも原理的にはばねをダイヤフラムに組込むことも
できる。

流れ報知器５８が流れを確認するかしないかに関連して
、温度スペース１１３９　、１１８の温度差が測定され
かつ電子工学ユニット１１γにおいて絞り８を介する流
量のコード１ヒされた調節が増幅され、かつ弁機構６１
の開放時間にわたって、合算されたエネルギ消費が比較
又は絶対値において指示装置１１２を介して指示される
（第６図）ように積分もしくは合算される。

電気的な加工は、たとえば直列の電流センサ（ＬＭ２３
４）を使用して行なわれ、このばあい゛電流センサは温
度差に比例する電流シグナルを与え、この電流／グナル
がコンデンサを介してはく動に変換され、もしくはＡ／
Ｄ変換器を介してさらに加工及び集計される。

以上述べた図示の実施例を個々にもしくは組合せること
Ｋよって、本発明の櫨々の有利な実施態様が得られる。

発明の効果 本発明により、流量調整装置の調整部材をダイヤフラム
弁として形成することＫよって、流体流内で摺動する部
材が確実に排除され、従って罵い摩擦又は汚染によって
惹起される調整部材の締付けがもはや行なわれない。こ
のばあいダイヤフラムは、大きな作業範囲で極めて小さ
な背圧で作業でき、かつ少ない単純な構成部分によって
のみ構成される。ｉｌＪ御弁に配属された特別な双安定
形制御部材によって、制御弁の可動な弁体が電気的なエ
ネルギ消費なしに保持部材を介して確実にその端部位置
に保持され、従って双安定形制御部材の電磁式切換部材
は、小さな制御弁体のみを切換えるだけでよい。開閉弁
自体の切換えのために、流体の固有エネルギが利用され
、それ故に開閉弁の切換えのための調整ｙＪ？ルスのレ
リーズのためＫは極めてわずかな電気エネルギしか必要
でなく、従って電子工学ユニットにも給電する小さな補
助ペラテリーを有する装置の長期の運転が可能である。

電磁式切換部材をシグナル発生器及び電子工学ユニット
と接続させることによって、とりわけ室温度ツイーンに
よる電磁式切換部材の応答が、調節された目標値と実際
値とを比較するこＫよって時間制御との接続部において
も簡単に調整される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による装置の実施例の錯視図、第２図は
加熱体に本発明による装置を配置した状態を示す政略図
、第６図は本発明による装置のゾロツク制御回路図、第
４図は本発明による装置の概略図、第５図は本発明によ
る装置の実施例の縦断面図、第６図は磁石機構の詳細図
である。 １・・・１流調整装置、２・・・入口、２ａ・・出口又
は入口、３・・・出口、４・・・ダイヤフラム、６・・
・調整段、Ｔ・・・分岐導管、８・・・絞り、９・・・
カートリッツ、１１・・・弁カバー、１２・・・弁座、
１３・・・ばね、１４・・・ダイヤフラム、１６・・・
カスケード、１γ・・・ｍｔ部、２１・・・ダイヤフラ
ムカバー、２２・・・弁座、２３・・・ばね、３１・・
・ケーシング、３２．３３・・・接続片、３４・・・室
、３６・・・室、３γ・・・ハンドル、３８・・・環状
室、３９・・・内室、４４・・室、４８・・・環状室、
４９・・・入口室、５０・・・接続部、５１・・・通路
、５２・・・接続導管、５３・・・中間室、５４・・・
バイパス、５５・−・室、５６・・・リードスイッチ、
５７・・・永久磁石、５８・・・流れ報知器、６１・・
・弁機構、６２・・・主弁、６３・・・制御部材、６４
・・・ダイヤフラム、６５・・・２咬り開１コ、６６・
・・フィルタ、６γ・・・接続部、γ１・・・弁カバー
、γ２・・・弁座、γ３・・・ばね、７６・・・通路、
７γ・・・制御弁、７８・・・調整装置、γ９・・・磁
石機構、８１・・・弁ピストン、８２・・・接極子、８
３・・・補助ばね、８４・・・保持部、８６・・・ヨー
ク、８７・・・ウェブ、８Ｂ・・・励磁コイル、８９・
・・脚、９０・・・横断面減少部、９１・・・永久磁石
、１０１・・・装置、１０２・・・流通り−シング、１
Ｄ３・・・ケーシング部分、１０４・・・接続部、１０
６・・・送り導管、１０７・・・加熱体、１０８・・・
導管、１０ｇ・・・温度ツイーン、１１１・・・戻し導
管、１１２・・・指示部材、１１３・・・調節部材、１
１３ａ・・・遠隔目標値調節装置、１１４・・・室温度
ツイーン、１１４ａ・・・遠隔温度ツイーン、１１７区
子工学ユニット、１１８・・・温度フイーラ 第１頁の続き 優先権主張　６１％１年２月１７８＠西トイ■１嬉作２
月１７日［相］西トイ ０発　明　者　ブルーノ・シャイヴイ ラー ン（ＤＥ）［相］Ｐ３４０５８３５．４ン（ＤＥ）■Ｐ
　３４０５８４０．０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　加熱体から室へ引渡される熱量を測定し、同時に
   １加熱体を流過し、室温度を調整するために熱担体とし
   て役立つ流体流を制御するだめの装置であって、一定の
   流体流を流過させるための量流調整装置と、シグナル発
   生器によって制御弁を介して前制御されかつ流体流を遮
   断又は流過するために流体流のエネルギによって切換え
   られる開閉弁と、加熱体及び電子工学ユニットの送り路
   及び戻り路のためのそれぞれ１つの温度ツイーンとから
   成っており、該温度ツイーンが、電気量に変換さ九るそ
   れぞれの温度差の値を積分することによって熱量を検出
   するようになっている形式のものにおいて、量流ｖ４整
   装置（１）の調整部材がダイヤフラム（４）を有するダ
   イヤフラム弁（６）として形式されており、かつ開閉弁
   （６２）の制御弁（７γ）ＶＣ双安定形な制御部材（６
   ３）が配属されており、この制御部材が制御弁の弁体（
   ８１）を、保持部材（９１，８３）を介してその端部位
   置に保持しかつ最小の電気エネルギのみを必要とする電
   磁式の切換部材【７９）を介して切換えろよう罠なって
   おり、前記切換部材（７９）がシグナル発生器（１１３
   ，１１４）及び電子工学ユニツ）（７８，’１１７）と
   接続されていることを特徴とする、加熱体から引渡され
   た熱量を測定し、かつ加熱体を流過する流体流を制御す
   るだめの装置。 ２、ｉ流調整装置（１）のために、第１のダイヤフラム
   弁（６）のためのカスケードとしてダイヤフラム（１４
   ）を有する少なくとも１つの別のダイヤフラム弁（１６
   ）が直列に接続されていてかつ共通のケーシング（９，
   ３１）内に配置されており、さらに絞り（８）がダイヤ
   フラム弁（６）Ｋ配属されている特許請求の範囲第１項
   記載の装置。 ６．開閉弁がダイヤフラム（６４）を有するダイヤフラ
   ム弁（６２）として形成されており、このダイヤフラム
   弁が、量流調整装置（１）の両方のダイヤフラム弁（’
   ６　、１６　）　トー緒に流体流のための共通の流過ケ
   ーシング（３１，１０２）内で互いに前後に配置されて
   いる特許請求の範囲第２項記載の装置。 ４、　量流調整装置（６ｉ６）を通過する流量が変化可
   能又は交換可能な絞り（８）Ｋよって調節可能であり、
   さらに電子工学ユニット（１１７）内で流体の調節され
   る流量が、強制的にあるいは熱量測定を実施するさいに
   コード１ヒされた形状で調節することによって考慮され
   るようになっている特許請求の範囲第１項から第６項ま
   でのいずれか１項記載の装置。 ５、圧力差が少なくとも、量流調整装置（１）のダイヤ
   フラム弁（１６）の１つにおいて、このダイヤフラム弁
   の前方に一列に配置された絞りとして作用するダイヤス
   ラム弁（６）Ｋよって形成される特許請求の範囲第１項
   から第４項までのいずれか１項記載の装置。 ６、量流調整装置（１）のダイヤフラム弁（６，１６）
   と、ダイヤフラム弁として形成されていて制御弁（７７
   ）及び双安定形な制御部材（６３）を有する開閉弁（６
   ２）とがコンパクトな弁構成ユニット（１０２）にまと
   められており、この弁構成ユニットが標準の加熱体接続
   部（１０４’）を備えており、かつ従来の加熱体弁の代
   わりに加熱体導管（１０６）に組込まれており、さらに
   弁構成ユニット（１０２）が弁ケーシング部分（１０３
   ）を支持しており、この弁ケーシング部分内に電子工学
   ユニッ）（１１７）及び指示部材（１１２）並びに調節
   −もしくはシグナル発生器（１１３）が収容されている
   特許請求の範囲第１項から第５項までのいずれか１項記
   載の装置。 ７、　流体流ひいては室温度の調整が、開閉弁（６２）
   の、開閉をレリーズする貌節可能なシグナル発生器（１
   １３，１１４）を介して行なわれ、該ン〃ゝナル発生器
   が成子工学ユニット（１１７）ノ１ｉｌｌｉｌ整装置＜
   　７８　）　、！：接続さレル特許請求の範囲第１項か
   ら第６項までのいずれか１項記載の装置。 ８、　シグナル発生器（１１３，１１４）の入力信号値
   又は目標値が、時間にわたって所定の値に従って自動的
   に変化される特許請求の範囲第１項から第７項壕でのい
   ずれか１項記載の装置。 ２　エネルギ供給のために、ンーラセルあるいは流体流
   にチャージされたエネルギをギ１気エネルギに変換する
   だめの半導体熱電対が設けられている特許請求の範囲第
   １項から第８項までのいずれか１項記載の装置。 １０、流れ又は流体静止を指示するシグナルを引渡すだ
   めの流れ報知器（５８）が電子工学ユニツ）（１１７）
   Ｋ設けられており、前記流れ報知器が温度フィーラ（１
   ０６，１１８）の温度差の値の積分をレリーズしかつ再
   びストップする特許請求の範囲第１項から第９項までの
   いずれか１項記載の装置。 １１、：’＆れ報知器（５８）が、ダイヤフラム弁（６
   ，１６又は６２）に配属された無接触式のスイッチとし
   て形成されている特許請求の範囲第１０項記載の装置。 １２、ｊ＋イヤフラム弁（６）のダイヤスラム（４）の
   両側の圧力差を制限する、量流調整装置（１）の絞り（
   ８）が鋭いエツジの遮へい部材として形成さ１ている特
   許請求の範囲第１項から第１１項記載の装置。 １５、量流調整装置（１）及び開閉弁（６２）のダイヤ
   スラム（４，１４，６４）がはホ鋪平に１かつわずかな
   剛性を有して形成されており、さらにダイヤフラム面が
   ケーシング（３１）の横断面を大部分被っている特許請
   求の範囲第１項から第１２項までのいずれか１項記載の
   装置。 １４、開閉弁（６２）のための制御弁（７γ）の双安定
   形な制御部材（６３）のための保持部材が永久磁石（９
   １Ｌ補助ばね（８３）及び／又は渦巻ばねとして形成さ
   れている特許請求の範囲第１項から第１６項までのいず
   れか１項記載の装置。 １５、双安定形な成磁式の切換部材（７９）の可動な接
   極子（８２）が、補助ばね（８３）ＶＣよって閉鎖方向
   で負荷された制御弁（７７）の弁体（８１）と不動に結
   合されており、さらに永久磁石（９１）が、弁体（８１
   ）の開放位置のだめの保持部材としてケーシング（３１
   ）Ｋ配置されている特Ｎｆｒｐｉ求の範囲第１項から第
   １４項までのいずれか１項記載の装置。 １６、硝閉弁（６２）Ｋ制御弁（γ７）の接続室（５５
   ）への絞り形状の開口（６５）が設けられていて、かつ
   この開口（６５）の前方にフィルタ（６６）が接続され
   ている特許請求の範囲第１項から第１５項までのいずれ
   か１項記載の装置。 １７：　開閉弁（６２）の絞り形状の開口（６５）Ｋ対
   する制御弁（γ１）の通路（７６）の平面比が５から１
   ０の間である特許請求の範囲第１６項記載の装置。 １８、制御室（５４）から主流の流出通路（５３）に通
   じるイン・ビクタ状の接続部（６７）を有している特許
   請求の範囲第１項から第１７項までのいずれか１項記載
   の装置。 １９、ダイヤフラム弁（６，１６）及びダイヤフラム弁
   （８２）が、ダイヤフラム（４，１４，６４）の中央に
   設けられた１つの弁カバー（１１，２１，７１）を支持
   しており、この弁カバーに、横断面がり／グ状の弁座（
   １２，２２、７２）が配属されており、さらに弁カバー
   （１１，２１，７１）にはね（１３゜２３．７３）が作
   用する特許請求の範囲第１項から第１８項までのいずれ
   か１項記載の装置。 ２０、ダイヤフラム（４，１４，６４）が抵抗する材料
   から成っていてかつ３９　／　ｃＴＬ”より小さいタ゛
   イヤフラム面のわずかな固有強度を有している特許請求
   の範囲第１項から第１９項までのいずれか１項記載の装
   置。 ２１、ダイヤフラム（４，１４）がその周囲において、
   隆起部によって、又は接着あるいは加硫によってシール
   されて締込まれており、かつダイヤフラムに作用するば
   ね（１３，２３）が、その比例範囲でのみ必要とされて
   おり、さらにり゛イヤフラムが電気化学的に抵抗してい
   る特許請求の範囲第１項から第２０項までのいずれか１
   項記載の装置。