JPS60246545A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
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- JPS60246545A JPS60246545A JP10168684A JP10168684A JPS60246545A JP S60246545 A JPS60246545 A JP S60246545A JP 10168684 A JP10168684 A JP 10168684A JP 10168684 A JP10168684 A JP 10168684A JP S60246545 A JPS60246545 A JP S60246545A
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- conductive film
- photoconductive
- film
- transparent conductive
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高速度電子ビーム走査方式の光導型彫撮像管に
関するものである。
関するものである。
撮像管は従来はとんど低速度の電子ビームで走査する方
式（以下ＬＰ方式と記す）を用いているため、走査電子
ビーム抵抗に伴う８敏性残像が大きく、周辺解像度が、
悲＜、またビームベンゾインクによる画像の歪みが生し
やすいなどの欠点を有していた。上記問題点を改善する
方法として、高速度の電子ビームで走査する方式（以下
ＨＮ方式と記す）が提案されている（例えば特開昭５４
−４４４８７号）。第４図はＨＮ方式の動作原理の説明
図であって透光性導電膜１にカソード電極２より高い正
の電圧を印加し、光導電ターゲットの２次電子放出比δ
が１以上になるようにして使用する。
式（以下ＬＰ方式と記す）を用いているため、走査電子
ビーム抵抗に伴う８敏性残像が大きく、周辺解像度が、
悲＜、またビームベンゾインクによる画像の歪みが生し
やすいなどの欠点を有していた。上記問題点を改善する
方法として、高速度の電子ビームで走査する方式（以下
ＨＮ方式と記す）が提案されている（例えば特開昭５４
−４４４８７号）。第４図はＨＮ方式の動作原理の説明
図であって透光性導電膜１にカソード電極２より高い正
の電圧を印加し、光導電ターゲットの２次電子放出比δ
が１以上になるようにして使用する。
この状態で高速度電子ビームを走査すると、光導電ター
ゲット表面は２次電子３を放出してコレクタ電極４の電
位に平衡し、透光性絶縁基板５および透光性導電膜ｌを
通った光は光導電膜６て吸収され、電子−正孔対を発生
するが、電子が走査側へ流れて走査側電位を負の方向に
上陸させ、この下降分が信号として取出される。なお第
４図において、７は負荷抵抗、８はターゲット電圧であ
る。
ゲット表面は２次電子３を放出してコレクタ電極４の電
位に平衡し、透光性絶縁基板５および透光性導電膜ｌを
通った光は光導電膜６て吸収され、電子−正孔対を発生
するが、電子が走査側へ流れて走査側電位を負の方向に
上陸させ、この下降分が信号として取出される。なお第
４図において、７は負荷抵抗、８はターゲット電圧であ
る。
このような）ｉ Ｎ方式撮像管では、従来のＬ Ｉ）方
式に較べて（１）容量性残像が少ない、（２）周辺解像
度が良い、（３）画像歪みが少ない、などの利点がある
。
式に較べて（１）容量性残像が少ない、（２）周辺解像
度が良い、（３）画像歪みが少ない、などの利点がある
。
一般に光導型彫撮像管では、光による信号電流以外の電
流が信号として検出されるといわゆる暗電流となって、
Ｓ／Ｎ比、残像特性、色再現性等の劣化をひきおこす。
流が信号として検出されるといわゆる暗電流となって、
Ｓ／Ｎ比、残像特性、色再現性等の劣化をひきおこす。
ＨＮ方式撮像管においても上記のような暗電流をできる
だけ低く押えることが望ましい。そのためＨＮ方式撮像
管に関して、光導電膜の透光性導電膜側に電子の注入を
阻止するだめの層を、また上記光導電膜のビーム走査側
に正孔の注入を阻止するための層を設けることが考えら
れるが、これによって暗電流が減少してもなお十分では
なく、さらに走査電子ビームの量が増加すると暗電流が
その増加につれて増すという問題があった。
だけ低く押えることが望ましい。そのためＨＮ方式撮像
管に関して、光導電膜の透光性導電膜側に電子の注入を
阻止するだめの層を、また上記光導電膜のビーム走査側
に正孔の注入を阻止するための層を設けることが考えら
れるが、これによって暗電流が減少してもなお十分では
なく、さらに走査電子ビームの量が増加すると暗電流が
その増加につれて増すという問題があった。
本発明による撮像管は、ＨＮ方式の撮像管において、従
来より暗電流が小さく、かつ走査電子ビーム量が変って
も暗電流が増さないような撮像管を得ることを目的とす
る。
来より暗電流が小さく、かつ走査電子ビーム量が変って
も暗電流が増さないような撮像管を得ることを目的とす
る。
発明者らはＨＮ方式撮像管の暗電流に関して、光導電膜
内に注入された電子または正孔に起因する暗電流以外に
、透光性導電膜の光導電膜に覆われていない部分、およ
び透光性導電膜から信号電流を取出すための電極部分に
、走査電子ビームまたは２次電子が直接入射し、そこか
らさらに２次電子が放出されることによる暗電流成分が
あること、さらにそのような暗電流成分が走査電子ビー
ム量の変化によって暗電流が増えることの主要原因にな
っていることを発見した。第５図は発明者らが発見した
暗電流発生の機構を示す図で、リング状のインジウム９
を透光性導電膜１からの信号電流の取出し電極として用
いた場合のＨＮ方式撮像管の要部を示している。走査電
子ビーム１０で衝撃されることによって光導電ターゲッ
トから放出された２次電子１１およびメツシュ電極１２
から放出された２次電子、さらに撮像管内の他の部分か
ら放出された２次電子、あるいは走査軌道を外れた走査
電子が走査領域外にあるインジウムリング９や透光性導
電膜１の光導電膜６により覆われていない部分に入射し
、そこから２次電子１３が放出されてメツシュ電極１２
に入るために、負荷抵抗７に電流が流れて暗電流になる
。第６図は上記第５図に示す構造から透光性導電膜１を
除いた構造の撮像管における信号電流と走査ビーム量と
の関係を示している。同図は横軸に走査′准子ビーム電
流をとり縦軸にターゲット電圧２０Ｖにおける信号電流
をとっている。透光性導電膜１がない場合であるから、
光導電ターゲラ１−を通して流れる電流は検出されず、
第６図に示した信号電流は全てインジウムリング９に電
子が入射して２次電子を放出させることにより生しる電
流で、上記の機構に基づいて流れる電流であることが明
らかである。このような機構にもとづく電流は、透光性
導電膜１が存在する場合も全く同様に検出され、入射光
とは無関係な暗電流となっている。また透光性導電膜が
存在する場合には、インジウムリングだけでなく、透光
性導電膜の光導電膜に覆われていない部分に電子が入射
することによっても、同様の暗電流が生じることは明ら
かである。
内に注入された電子または正孔に起因する暗電流以外に
、透光性導電膜の光導電膜に覆われていない部分、およ
び透光性導電膜から信号電流を取出すための電極部分に
、走査電子ビームまたは２次電子が直接入射し、そこか
らさらに２次電子が放出されることによる暗電流成分が
あること、さらにそのような暗電流成分が走査電子ビー
ム量の変化によって暗電流が増えることの主要原因にな
っていることを発見した。第５図は発明者らが発見した
暗電流発生の機構を示す図で、リング状のインジウム９
を透光性導電膜１からの信号電流の取出し電極として用
いた場合のＨＮ方式撮像管の要部を示している。走査電
子ビーム１０で衝撃されることによって光導電ターゲッ
トから放出された２次電子１１およびメツシュ電極１２
から放出された２次電子、さらに撮像管内の他の部分か
ら放出された２次電子、あるいは走査軌道を外れた走査
電子が走査領域外にあるインジウムリング９や透光性導
電膜１の光導電膜６により覆われていない部分に入射し
、そこから２次電子１３が放出されてメツシュ電極１２
に入るために、負荷抵抗７に電流が流れて暗電流になる
。第６図は上記第５図に示す構造から透光性導電膜１を
除いた構造の撮像管における信号電流と走査ビーム量と
の関係を示している。同図は横軸に走査′准子ビーム電
流をとり縦軸にターゲット電圧２０Ｖにおける信号電流
をとっている。透光性導電膜１がない場合であるから、
光導電ターゲラ１−を通して流れる電流は検出されず、
第６図に示した信号電流は全てインジウムリング９に電
子が入射して２次電子を放出させることにより生しる電
流で、上記の機構に基づいて流れる電流であることが明
らかである。このような機構にもとづく電流は、透光性
導電膜１が存在する場合も全く同様に検出され、入射光
とは無関係な暗電流となっている。また透光性導電膜が
存在する場合には、インジウムリングだけでなく、透光
性導電膜の光導電膜に覆われていない部分に電子が入射
することによっても、同様の暗電流が生じることは明ら
かである。
以上はインジウムリングによって透光性導電膜からの信
号電流を取出す方式の場合について記したが、それ以外
の方法による場合であっても、透光性導電膜およびそれ
から信号を取出すための電極部分や、それらと電気的に
接触している導電体に電子が直接入射しうる場合には、
前記機構に基づいて暗電流が生じることは言うまでもな
い。
号電流を取出す方式の場合について記したが、それ以外
の方法による場合であっても、透光性導電膜およびそれ
から信号を取出すための電極部分や、それらと電気的に
接触している導電体に電子が直接入射しうる場合には、
前記機構に基づいて暗電流が生じることは言うまでもな
い。
本発明による撮像管は、所定の透光性絶縁基板上に、少
なくとも透光性導電膜と光導電膜とを具備し、上記透光
性導電膜を光入射側に配置した光導電ターゲットを有す
る高速度電子ビーム走査形負帯電方式撮像管において、
走査電子あるいは２次電子が直接入射しないように、上
記透光性導電膜およびそれから信号を取出すための電極
部分を遮蔽したことにより、暗電流を大幅に減少させ、
しかも走査電子ビーム量を変えても暗電流が変化しない
ようにしたものである。
なくとも透光性導電膜と光導電膜とを具備し、上記透光
性導電膜を光入射側に配置した光導電ターゲットを有す
る高速度電子ビーム走査形負帯電方式撮像管において、
走査電子あるいは２次電子が直接入射しないように、上
記透光性導電膜およびそれから信号を取出すための電極
部分を遮蔽したことにより、暗電流を大幅に減少させ、
しかも走査電子ビーム量を変えても暗電流が変化しない
ようにしたものである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による撮像管における第１の実施例の光
導電ターゲットおよびその周辺部を示す断面図である。
導電ターゲットおよびその周辺部を示す断面図である。
上記第１の実施例は透光性導電膜１からの信号を、上記
透光性導電膜１と接触している真空シール用インジウム
リング９を介してターゲットリング１４から取出せるよ
うになっている。
透光性導電膜１と接触している真空シール用インジウム
リング９を介してターゲットリング１４から取出せるよ
うになっている。
セラミックスよりなる絶縁性遮蔽リング１５をメツシュ
電極１２と光導電ターゲットとの間に設けることによっ
て、透光性導電膜１およびインジウムリング９に電子が
直接入射しないようになっている。
電極１２と光導電ターゲットとの間に設けることによっ
て、透光性導電膜１およびインジウムリング９に電子が
直接入射しないようになっている。
本実施例における光導電ターゲットは透光性ガラス基板
５上に酸化錫よりなる透光性導電膜ｌ、５１０２よりな
る電子注入阻止層１６を形成し、つぎに高周波スパッタ
装置においてターゲットに高純度Ｓｉを使用し、それと
相対して上記基板を設置する。上記スパッタ装置内をＩ
Ｘ １０−”ｒｏｒｒ以下の高真空に排気したのち、
アルゴンおよび水素の混合ガスを導入して上記装置内を
５ｘｌｏ−’〜５×ＩＱ−３Ｔｏｒｒの圧力にする。混
合ガス中の水素の濃度は３０〜６５％とする。」１記基
板温度を１５０〜３００°Ｃに設定したのち反応性スパ
ッタを行い、透光性導電膜１および電子注入阻止層１６
が形成された−１−起居板上に膜厚的０．５−４ｔのａ
−８ｊ：Ｈ膜６を堆積して光導電膜を形成する。つぎに
別の高周波スパッタ装置でターゲットに高純度Ｍｇ○を
使用し、それと相対してａ−８ｉニド■膜６を堆積した
Ｌ起居板を設置する。スパッタ装置内をＩ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒ以下の高真空にしアルゴンを導入して５Ｘ
１０−４〜５ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒの圧力にし、基板
温度を５０−１５０℃に設定しスパッタを行う。このよ
うにしてＭｇＯからなる層を約５〜３０ｎｍの厚さまで
ａ−８ｉ：Ｉ−１膜６の上に堆積し、これを２次電子放
出層１７とする。
５上に酸化錫よりなる透光性導電膜ｌ、５１０２よりな
る電子注入阻止層１６を形成し、つぎに高周波スパッタ
装置においてターゲットに高純度Ｓｉを使用し、それと
相対して上記基板を設置する。上記スパッタ装置内をＩ
Ｘ １０−”ｒｏｒｒ以下の高真空に排気したのち、
アルゴンおよび水素の混合ガスを導入して上記装置内を
５ｘｌｏ−’〜５×ＩＱ−３Ｔｏｒｒの圧力にする。混
合ガス中の水素の濃度は３０〜６５％とする。」１記基
板温度を１５０〜３００°Ｃに設定したのち反応性スパ
ッタを行い、透光性導電膜１および電子注入阻止層１６
が形成された−１−起居板上に膜厚的０．５−４ｔのａ
−８ｊ：Ｈ膜６を堆積して光導電膜を形成する。つぎに
別の高周波スパッタ装置でターゲットに高純度Ｍｇ○を
使用し、それと相対してａ−８ｉニド■膜６を堆積した
Ｌ起居板を設置する。スパッタ装置内をＩ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒ以下の高真空にしアルゴンを導入して５Ｘ
１０−４〜５ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒの圧力にし、基板
温度を５０−１５０℃に設定しスパッタを行う。このよ
うにしてＭｇＯからなる層を約５〜３０ｎｍの厚さまで
ａ−８ｉ：Ｉ−１膜６の上に堆積し、これを２次電子放
出層１７とする。
上記のようにして作られた光導電ターゲットを前記遮蔽
リング１５を設置した電子銃と結合させ、管内咎真空排
気ののち封止しＩ−■Ｎ方式の光導室形撮像管を得た。
リング１５を設置した電子銃と結合させ、管内咎真空排
気ののち封止しＩ−■Ｎ方式の光導室形撮像管を得た。
第２図は」−記第１の実施例で得られた撮像管の暗電流
１８と遮蔽リング１５がない場合の撮像管における暗電
流１９との電子ビーム量依存性を比較したものである。
１８と遮蔽リング１５がない場合の撮像管における暗電
流１９との電子ビーム量依存性を比較したものである。
図の横軸は走査電子ビーム量１（、縦軸は暗電流の対数
表示である。曲線１８と曲線ｉ９との比較から、本発明
による撮像管では、暗電流か大幅に低減し、走査型Ｔビ
ーム量を増しても暗電流の増加がなくなるという効果は
明らかである。
表示である。曲線１８と曲線ｉ９との比較から、本発明
による撮像管では、暗電流か大幅に低減し、走査型Ｔビ
ーム量を増しても暗電流の増加がなくなるという効果は
明らかである。
第３図は本発明による撮像管における第２の実施例の光
導電ターゲットを示す断面図である。第３図の第２の実
施例は、透光性導電膜１からの信号の取出しをガラス基
板５を貫通する金属性ピン電極２０によって行い、上記
ピン電極２０および透光性導電膜１を誘電体２１で蔽う
ことにより、ピン電極２０および透光性導電膜１に電子
が直接入射することがないような構造にしたものである
。すなオ）ち、ガラス井板５上にＳｎ○、を主成分とす
る透光性導電膜１を一形成し、その一端に円形状のＣｒ
層２２とＡｕ層２３とをそれぞれ真空蒸着により市ねて
形成し、これらＣｒ、Ａｕ層２２．２３のほぼ中央にガ
ラス基板５まて貫通ずる穴をあける。つぎに■二記円板
−ＬＣｒ、Ａｕ層２２．２３を除いた部分に電子注入μ
封止層１６、ａ−８ｉ：Ｈ光導電膜６および２次組ｆ・
放出層１７を上記第１の実施例と同様の方法て堆積する
。ａ−５ｉ：）ｉ光導電膜６は多結晶Ｓ」を板を用いて
Ａｒ＋○、、カス中で反応１′１スパツタ法により形成
するか、Ｓ −ｉ ）■、ガス中のタロー放電ＣＶ Ｉ
−、）法によっても形成することかてき、光電変換曇′
がよい材料である。その後信号取出し用のピン電＋函２
ａを上記穴に挿入し、ＣｒＪｆｉ２２およびＡｕ層ｚ；
３とにはんだ付けし、その上部に５ｉｎ２のような誘電
体層２１を堆積してピン電極２０の上部ならびにその周
辺の導電部分を完全にカバーする。上記のようにして得
られた撮像管を第４図に述べた方法でＨＮ動作させたと
ころ、透光性導電膜の一部や信号取出しのための電極部
分が遮蔽されていない従来の撮像管に較べて暗電流が大
幅に減少し、しかも走査ビーム量を増しても暗電流が増
さないという顕著な効果が見られた。
導電ターゲットを示す断面図である。第３図の第２の実
施例は、透光性導電膜１からの信号の取出しをガラス基
板５を貫通する金属性ピン電極２０によって行い、上記
ピン電極２０および透光性導電膜１を誘電体２１で蔽う
ことにより、ピン電極２０および透光性導電膜１に電子
が直接入射することがないような構造にしたものである
。すなオ）ち、ガラス井板５上にＳｎ○、を主成分とす
る透光性導電膜１を一形成し、その一端に円形状のＣｒ
層２２とＡｕ層２３とをそれぞれ真空蒸着により市ねて
形成し、これらＣｒ、Ａｕ層２２．２３のほぼ中央にガ
ラス基板５まて貫通ずる穴をあける。つぎに■二記円板
−ＬＣｒ、Ａｕ層２２．２３を除いた部分に電子注入μ
封止層１６、ａ−８ｉ：Ｈ光導電膜６および２次組ｆ・
放出層１７を上記第１の実施例と同様の方法て堆積する
。ａ−５ｉ：）ｉ光導電膜６は多結晶Ｓ」を板を用いて
Ａｒ＋○、、カス中で反応１′１スパツタ法により形成
するか、Ｓ −ｉ ）■、ガス中のタロー放電ＣＶ Ｉ
−、）法によっても形成することかてき、光電変換曇′
がよい材料である。その後信号取出し用のピン電＋函２
ａを上記穴に挿入し、ＣｒＪｆｉ２２およびＡｕ層ｚ；
３とにはんだ付けし、その上部に５ｉｎ２のような誘電
体層２１を堆積してピン電極２０の上部ならびにその周
辺の導電部分を完全にカバーする。上記のようにして得
られた撮像管を第４図に述べた方法でＨＮ動作させたと
ころ、透光性導電膜の一部や信号取出しのための電極部
分が遮蔽されていない従来の撮像管に較べて暗電流が大
幅に減少し、しかも走査ビーム量を増しても暗電流が増
さないという顕著な効果が見られた。
上記第１の実施例および第２の実施例ではいずれもメツ
シュ電極１２がある場合を示したが、メツシュ電極がな
い場合にも全く同様な効果か得られることは実験的に確
認された。また上記実施例では光導電ターゲツトの材料
がａ−３ｉ：Ｈ膜の場合について述へたが、上記材料以
外の材料を用いたＨ Ｎ方式撮像管でも適用できること
はいうまでもない。また第２の実施例では透光性導電膜
１およびピン電極２０を他の誘電体ＷＩ（ＳｉＯ２）で
カバーする方法について述べたが、電子注入阻止層、光
導電膜、または２次電子放出層で覆っても同様な効果が
得られる。
シュ電極１２がある場合を示したが、メツシュ電極がな
い場合にも全く同様な効果か得られることは実験的に確
認された。また上記実施例では光導電ターゲツトの材料
がａ−３ｉ：Ｈ膜の場合について述へたが、上記材料以
外の材料を用いたＨ Ｎ方式撮像管でも適用できること
はいうまでもない。また第２の実施例では透光性導電膜
１およびピン電極２０を他の誘電体ＷＩ（ＳｉＯ２）で
カバーする方法について述べたが、電子注入阻止層、光
導電膜、または２次電子放出層で覆っても同様な効果が
得られる。
〔発明の効果〕
上記のように本発明による撮像管は、所定の透光性絶縁
基板上に、少なくとも透光性導電膜と光導電膜とを具備
し、上記透光性導電膜を光入射側に配置した光導電ター
ゲットを有する高速度電子ビーム走査形負帯電方式撮像
管において、走査電子あるいは２次電子が直接入射しな
いように、上記透光性導電膜およびそれから信号を取出
すための電極部分を遮蔽したことにより、走査電子ビー
ムにより光導電ターゲットおよびメツシュ電極から放出
された２次電子、撮像管内の他の部分から放出された２
次電子、あるいは走査軌道を外れた走査電子が走査領域
外にあるインジウムリングや透光性導電膜が光導電膜に
覆われていない部分に入射して２次電子を放出すること
がなくなり、暗電流を大幅に減少させ、かつ走査電子ビ
ーム量を増しても暗電流が増加しないという効果が得ら
れ、したがってＳ／Ｎ比がよく、色再現性がよい撮像管
を得ることができる。
基板上に、少なくとも透光性導電膜と光導電膜とを具備
し、上記透光性導電膜を光入射側に配置した光導電ター
ゲットを有する高速度電子ビーム走査形負帯電方式撮像
管において、走査電子あるいは２次電子が直接入射しな
いように、上記透光性導電膜およびそれから信号を取出
すための電極部分を遮蔽したことにより、走査電子ビー
ムにより光導電ターゲットおよびメツシュ電極から放出
された２次電子、撮像管内の他の部分から放出された２
次電子、あるいは走査軌道を外れた走査電子が走査領域
外にあるインジウムリングや透光性導電膜が光導電膜に
覆われていない部分に入射して２次電子を放出すること
がなくなり、暗電流を大幅に減少させ、かつ走査電子ビ
ーム量を増しても暗電流が増加しないという効果が得ら
れ、したがってＳ／Ｎ比がよく、色再現性がよい撮像管
を得ることができる。
第１図は本発明による撮像管における第１の実施例の光
導電ターゲットおよびその周辺部を示す断面図、第２図
は上記第１の実施例に示す撮像管における暗電流と遮蔽
リングがない撮像管しこおける暗電流との電子ビーム量
依存性を比較した図、第３図は本発明による撮像管にお
ける第２の実施例の光導電ターゲットを示す断面図、第
４図はＨＮ方式の動作原理の説明図、第５図は暗電流発
生の機構を示す図、第６図は上記第５図の構造から透光
性導電膜を除いた撮像管の走査電子ビーム量と信号電流
密度との関係を示す図である。 １・・透光性導電膜 ５ 透光性絶縁基板６ ・光導電
膜 １２・メツシュ電極 １５・遮蔽リング ２０ ピン電極 、２１・誘電体層 代理人弁理士 中 村 純之助 十 １ 図 走１ビーム量休Ａ） 矛５図 走査ビーを電夕友しＡ） 第１頁の続き ０発 明 者 平 井 忠 明 国分寺市東凡央研究所
内
導電ターゲットおよびその周辺部を示す断面図、第２図
は上記第１の実施例に示す撮像管における暗電流と遮蔽
リングがない撮像管しこおける暗電流との電子ビーム量
依存性を比較した図、第３図は本発明による撮像管にお
ける第２の実施例の光導電ターゲットを示す断面図、第
４図はＨＮ方式の動作原理の説明図、第５図は暗電流発
生の機構を示す図、第６図は上記第５図の構造から透光
性導電膜を除いた撮像管の走査電子ビーム量と信号電流
密度との関係を示す図である。 １・・透光性導電膜 ５ 透光性絶縁基板６ ・光導電
膜 １２・メツシュ電極 １５・遮蔽リング ２０ ピン電極 、２１・誘電体層 代理人弁理士 中 村 純之助 十 １ 図 走１ビーム量休Ａ） 矛５図 走査ビーを電夕友しＡ） 第１頁の続き ０発 明 者 平 井 忠 明 国分寺市東凡央研究所
内
Claims (4)
- （１）所定の透光性絶縁基板上に、少なくとも透光性導
電膜と光導電膜とを具備し、上記透光性導電膜を光入射
側に配置した光導電ターゲットを有する高速度電子ビー
ム走査形負帯電方式撮像管において、走査電子あるいは
２次電子が直接入射しないように、上記透光性導電膜お
よびそれから（ｌｊ号を取出すための電極部分を遮蔽し
たことを特徴とする撮像管。 - （２）上記電極部分の遮蔽は、光導電ターゲットとメツ
シュ電極の間に設けた絶縁性遮蔽リングであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の撮像管。 - （３）上記電極部分の遮蔽は、ピン電極およびビン電極
と接触している露出した導電部分を誘電体層で覆ったこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の撮像管。 - （４）上記光導電膜は水素を含有した非晶質シリコンか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項
のいずれかに記載した撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10168684A JPS60246545A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10168684A JPS60246545A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 撮像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246545A true JPS60246545A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14307219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10168684A Pending JPS60246545A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246545A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027776A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電管 |
| JP2009123423A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像デバイス |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP10168684A patent/JPS60246545A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008027776A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電管 |
| JP2009123423A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像デバイス |
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