JPS60257518A - 転写マスク及びその製造方法 - Google Patents
転写マスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS60257518A JPS60257518A JP59112970A JP11297084A JPS60257518A JP S60257518 A JPS60257518 A JP S60257518A JP 59112970 A JP59112970 A JP 59112970A JP 11297084 A JP11297084 A JP 11297084A JP S60257518 A JPS60257518 A JP S60257518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer mask
- pattern
- support
- thin film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置等の微細パターンを転写するための
転写マスクに係り、特に電子線を用いたマスクパターン
の検査を容易に行うに好適な転写マスクとその製造方法
に関する。
転写マスクに係り、特に電子線を用いたマスクパターン
の検査を容易に行うに好適な転写マスクとその製造方法
に関する。
第１図は従来のＸ線マスクの一例を示す断面図である。
同図において、１はＸ、ＩＪを吸収するパターンであり
、通常ＡＷが用いられる。２は支持体と呼ばれるもので
あり、Ｘ線を透過し易い材質を用いかつ１〜１０μｍ程
度の厚さである。具体的には、Ｓｉ 、Ｓｉｎ、 、Ｓ
ｉ、Ｎ４．ＢＮ、Ｂ、 Ｃ，Ｔｉ 、ＡＩ、Ａ４０゜ポ
リイミド、ポリエステルなどの高分子材料、などが用い
られる。又５は基板である。転写されるウェーハと転写
マスクとの位置合わせを光学的に行う場合には、これら
の支持体２は光学的にも透明であることが必要である。
、通常ＡＷが用いられる。２は支持体と呼ばれるもので
あり、Ｘ線を透過し易い材質を用いかつ１〜１０μｍ程
度の厚さである。具体的には、Ｓｉ 、Ｓｉｎ、 、Ｓ
ｉ、Ｎ４．ＢＮ、Ｂ、 Ｃ，Ｔｉ 、ＡＩ、Ａ４０゜ポ
リイミド、ポリエステルなどの高分子材料、などが用い
られる。又５は基板である。転写されるウェーハと転写
マスクとの位置合わせを光学的に行う場合には、これら
の支持体２は光学的にも透明であることが必要である。
しかしながら上記した例の支持体２の中で、光学的に透
明なものは全て電気的に絶縁物である。
明なものは全て電気的に絶縁物である。
支持体２が絶縁物であるということは、転写する上では
何ら問題を発生しないが、転写マスクを検査する上で障
害となる。すなわち、通常この種のパターン１はサブミ
クロン程度の微細なものであり、その上、高さが０．５
〜１μｍと高く、パターンの作成工程が複雑であるため
パターンの欠陥が発生し易い。この欠陥の検査に＆’１
走査走査子電子顕微鏡ＳＥＭ ）が用いられる。即ち電
子線を走査することによってパターン１°がら発生する
２次電子を検出して得られた像を観察してパターン１の
欠陥の有無を判定する。とこ、ｆ ろが支持体２が絶縁
物であると、電子線走査時に帯電現象が起り、いわゆる
チャージアップによりパターン１の鮮明な像が得られな
くなる。
何ら問題を発生しないが、転写マスクを検査する上で障
害となる。すなわち、通常この種のパターン１はサブミ
クロン程度の微細なものであり、その上、高さが０．５
〜１μｍと高く、パターンの作成工程が複雑であるため
パターンの欠陥が発生し易い。この欠陥の検査に＆’１
走査走査子電子顕微鏡ＳＥＭ ）が用いられる。即ち電
子線を走査することによってパターン１°がら発生する
２次電子を検出して得られた像を観察してパターン１の
欠陥の有無を判定する。とこ、ｆ ろが支持体２が絶縁
物であると、電子線走査時に帯電現象が起り、いわゆる
チャージアップによりパターン１の鮮明な像が得られな
くなる。
電子線の加速電圧を下げることによっである程度上記チ
ャージアップの現象は低減できるが、拡大倍率を上げら
れず、正確な検査が困難となる。
ャージアップの現象は低減できるが、拡大倍率を上げら
れず、正確な検査が困難となる。
そこで、上記の問題点をなくシ、パターン１の欠陥の有
無を正確に判断するため、パターン表面に導電性薄膜を
設ける方法が提案されている。特開昭５６−６６０５７
におい℃は、例として炭素を含有させた塩化ビニール膜
を設ける方法が提案されているが、この膜は光学的透過
性が悪（、位置合わせな光学的に行う方法においては不
適当である。
無を正確に判断するため、パターン表面に導電性薄膜を
設ける方法が提案されている。特開昭５６−６６０５７
におい℃は、例として炭素を含有させた塩化ビニール膜
を設ける方法が提案されているが、この膜は光学的透過
性が悪（、位置合わせな光学的に行う方法においては不
適当である。
光学的に透明であり、かつ電気伝導性の良い金属として
は、ＩルＳｒＬ、Ｔ［ｉ、Ｔｌαなどの酸化物が知られ
ている。これらの金属を用い、蒸着、またはスパッタリ
ングなどの手法でマスク表面にパターン１を形成すると
、パターン１のアスペクト比（パターンの高さと幅の比
）が１以上であるため、パターン１と支持体２の接する
部分への付着が十分でなく、ＳＥＭで観察する場合に、
部分的にチャージアップが発生し、期待される効果が得
られない。次にこれらの金属の有機化合物を溶剤に溶か
し、スピンナにより塗布した後、空気中で加熱し、酸化
物を形成する方法も考えられる。しかし、このときの加
熱温度が５００℃以下では十分な酸化が進まず、導電性
が生じない。高温で処理すると、支持体２の変形が起り
易く、転写マスクとして使用できな（なる。その上スピ
ンナ塗布では、パターン１とパターン１０間に厚＜、パ
ターン１上には薄くシか付着せず、その上溶剤が蒸発す
るにともない、パターン１間にメニスカス状に成分が残
るため光学的歪が発生し、正確な位置合わせが不可能に
なる。
は、ＩルＳｒＬ、Ｔ［ｉ、Ｔｌαなどの酸化物が知られ
ている。これらの金属を用い、蒸着、またはスパッタリ
ングなどの手法でマスク表面にパターン１を形成すると
、パターン１のアスペクト比（パターンの高さと幅の比
）が１以上であるため、パターン１と支持体２の接する
部分への付着が十分でなく、ＳＥＭで観察する場合に、
部分的にチャージアップが発生し、期待される効果が得
られない。次にこれらの金属の有機化合物を溶剤に溶か
し、スピンナにより塗布した後、空気中で加熱し、酸化
物を形成する方法も考えられる。しかし、このときの加
熱温度が５００℃以下では十分な酸化が進まず、導電性
が生じない。高温で処理すると、支持体２の変形が起り
易く、転写マスクとして使用できな（なる。その上スピ
ンナ塗布では、パターン１とパターン１０間に厚＜、パ
ターン１上には薄くシか付着せず、その上溶剤が蒸発す
るにともない、パターン１間にメニスカス状に成分が残
るため光学的歪が発生し、正確な位置合わせが不可能に
なる。
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みなされたも
ので、電子線照射によるマスク上のパターンの観察を容
易に行なうことが可能な転写マスクとその製造方法を提
供することを目的としている。
ので、電子線照射によるマスク上のパターンの観察を容
易に行なうことが可能な転写マスクとその製造方法を提
供することを目的としている。
前記した様に、有機金属化合物溶液のスピンナ塗布法で
は、光学的歪が残り、正確な位置合わせが困難となる。
は、光学的歪が残り、正確な位置合わせが困難となる。
そこでアスペクト比の大きなパターンの凹凸を各部均一
に被覆する方法を種々検討した結果、有機金属化合物の
ガスをプラズマ中に導入し、基板上に堆積させるいわゆ
るプラズマ重合膜が良いことがわかった。ここで用いる
金属元素としては、その酸化物の電気抵抗が低いもので
あれば良い。例えば■ル、Ｓ３゜Ｔｉ、Ｔａなどがある
。また、金属の有機化合物としては室温での蒸気圧が高
いものが扱い易い。
に被覆する方法を種々検討した結果、有機金属化合物の
ガスをプラズマ中に導入し、基板上に堆積させるいわゆ
るプラズマ重合膜が良いことがわかった。ここで用いる
金属元素としては、その酸化物の電気抵抗が低いもので
あれば良い。例えば■ル、Ｓ３゜Ｔｉ、Ｔａなどがある
。また、金属の有機化合物としては室温での蒸気圧が高
いものが扱い易い。
蒸気圧の低いものは材料を加温することにより真空中に
ガスとして導入し易（なる。分子中に酸素原子のある化
合物の場合には、プラズマ処理により透明な導電性の薄
膜が形成されるが、酸素原子がないと、金属の析出が起
り、透明性が悪くなる。この場合には金属の有機化合物
ガスと一諸に酸素ガスを導入し、プラズマ処理すること
により、酸化物が生成し、透明な導電性の薄膜が形成さ
れる。分子中に酸素原子のある化合物についても酸素ガ
スを導入することにより、低抵抗で良質な薄膜が形成さ
れる。
ガスとして導入し易（なる。分子中に酸素原子のある化
合物の場合には、プラズマ処理により透明な導電性の薄
膜が形成されるが、酸素原子がないと、金属の析出が起
り、透明性が悪くなる。この場合には金属の有機化合物
ガスと一諸に酸素ガスを導入し、プラズマ処理すること
により、酸化物が生成し、透明な導電性の薄膜が形成さ
れる。分子中に酸素原子のある化合物についても酸素ガ
スを導入することにより、低抵抗で良質な薄膜が形成さ
れる。
金属の有機化合物として本発明に適するものとしては以
下のものが挙げられる。Ｉｙｃ（ＣＨｓ ）ｍ 。
下のものが挙げられる。Ｉｙｃ（ＣＨｓ ）ｍ 。
ＩｒＬ（Ｃ２ＨＩｌ）ｓ 、 Ｉｎ（ＯＣＯＣＨ，）ｓ
、５ｒＬ（ＣＨ３）４，５ｙｓ（Ｃ，Ｈ５）。
、５ｒＬ（ＣＨ３）４，５ｙｓ（Ｃ，Ｈ５）。
５ｔｉ（ＣＨ，）ｓ Ｃ４Ｈ，、（ＣＨ，）ｓ ５ｒＬ
−５Ｗ（ＣＨ，）ｓ 、Ｔｚ（ＱＣ。
−５Ｗ（ＣＨ，）ｓ 、Ｔｚ（ＱＣ。
Ｈａ ）ｓ’ 、Ｔｉ （０−ＣＨ（ＣＩ−（ｓ ）！
）４ 、Ｔｉ （０−Ｃ４Ｈａ ）４等である。
）４ 、Ｔｉ （０−Ｃ４Ｈａ ）４等である。
以下添付の図面に示す実施例により、更に詳細に本発明
について説明する。
について説明する。
実施例１
通常の方法により作成した第１図に示すマスクと同等の
構造をもったＸ線マスク（支持体：ポリイミド）をプラ
ズマ発生装置内のアース電極上に設置し、反応室を１×
１０ＴＯｒｒに排気したのち、金属の有機化合物として
テトラメチルスズを用い、テトラメチルスズと酸素の混
合ガス（混合比１：１０）を導入し、真空度を５Ｘ１０
ＴＯｒｒとした。この状態で、もう一方の電極に１５．
５６ＭＨｚ 、 ２００Ｗノ高周波電力を１０分間印加
した。こうして、第２図に示す様にプラズマ重合膜であ
る薄膜４を形成した。このＸ線マスクのとなりに設置し
たガラス板を見ると、無色透明な板層が約４０ｍｍ付着
しており、表面のシート抵抗は１０６Ωであった。Ｘ線
マスクをそのままＳＥＭにより観察したところ、全面積
にわたってチャージアップは起らず、鮮明な像が得られ
た。次にアライナに設置し、マスクを通してウェーハ上
のアライメントパターンを観察したところ光学的な歪、
光量の大きな減少もな（、十分な信号強度が得られた。
構造をもったＸ線マスク（支持体：ポリイミド）をプラ
ズマ発生装置内のアース電極上に設置し、反応室を１×
１０ＴＯｒｒに排気したのち、金属の有機化合物として
テトラメチルスズを用い、テトラメチルスズと酸素の混
合ガス（混合比１：１０）を導入し、真空度を５Ｘ１０
ＴＯｒｒとした。この状態で、もう一方の電極に１５．
５６ＭＨｚ 、 ２００Ｗノ高周波電力を１０分間印加
した。こうして、第２図に示す様にプラズマ重合膜であ
る薄膜４を形成した。このＸ線マスクのとなりに設置し
たガラス板を見ると、無色透明な板層が約４０ｍｍ付着
しており、表面のシート抵抗は１０６Ωであった。Ｘ線
マスクをそのままＳＥＭにより観察したところ、全面積
にわたってチャージアップは起らず、鮮明な像が得られ
た。次にアライナに設置し、マスクを通してウェーハ上
のアライメントパターンを観察したところ光学的な歪、
光量の大きな減少もな（、十分な信号強度が得られた。
実施例２
実施例１と同様に、通常の方法で作成したＸ線マスクを
プラズマ発生装置内のアース電極上に設置し、反応室を
Ｉ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒに排気したのち、金属の有機
化合物としてペンタエトキシタンタルを用い、真空度を
２ Ｘ １０ Ｔｏｒｒに調節した。この状態でもう一
方の電極に１５ 、５６ＭＨｚ２００Ｗの高周波電力を
５０分間印加した。形成された薄膜４の膜厚は約５ａｍ
ｍ、シート抵抗は１０’Ωであった。実施例１にくらべ
て、やや光透過率が悪いが、ＳＥＭ観察、アライメント
信号処理とも良好であった。
プラズマ発生装置内のアース電極上に設置し、反応室を
Ｉ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒに排気したのち、金属の有機
化合物としてペンタエトキシタンタルを用い、真空度を
２ Ｘ １０ Ｔｏｒｒに調節した。この状態でもう一
方の電極に１５ 、５６ＭＨｚ２００Ｗの高周波電力を
５０分間印加した。形成された薄膜４の膜厚は約５ａｍ
ｍ、シート抵抗は１０’Ωであった。実施例１にくらべ
て、やや光透過率が悪いが、ＳＥＭ観察、アライメント
信号処理とも良好であった。
実施例５
実施例１と同様に、通常の方法で作成したＸ線マスクを
プラズマ発生装置内のアース電極に設置し、反応室をＩ
Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに排気したのち、金属の有機化
合物としてトリメチルインジウムを用い、トリメチルイ
ンジウムと酸素の混合ガス（混合比１：１０）を導入し
、真空度を５ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒに調節した。この
状態でもう一方の電極に１５．５６ＭＨ！ 、５００Ｗ
の高周波電力を１０分間印加した。形成された薄膜４の
膜厚は、約４０ｍｍ、シート抵抗は１０５Ωであった。
プラズマ発生装置内のアース電極に設置し、反応室をＩ
Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに排気したのち、金属の有機化
合物としてトリメチルインジウムを用い、トリメチルイ
ンジウムと酸素の混合ガス（混合比１：１０）を導入し
、真空度を５ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒに調節した。この
状態でもう一方の電極に１５．５６ＭＨ！ 、５００Ｗ
の高周波電力を１０分間印加した。形成された薄膜４の
膜厚は、約４０ｍｍ、シート抵抗は１０５Ωであった。
実施例１，２と同様に、ＳＢＭ観察、アライメント信号
処理とも良好であった。
処理とも良好であった。
実施例４
実施例１と同様に、通常の方法で作成したＸ線マスクを
プラズマ発生装置内のアース電極に設置し、反応室をＩ
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒに排気したのち、金属の有機化
合物としてテトライソプロポキシチタンを用い、テトラ
インプロポキシチタンと酸素とＡｒの混合ガス（混合比
１ ： １０ ：１０）を導入し、真空度をｌＸ１０Ｔ
Ｏｒｒに調節しもこの状態でもう一方の電極に１５ 、
５６ＭＨｚ 、 ２００Ｗの高周波電力を６０分間印加
した。形成された薄膜４の膜厚は、５０ｍｍ、シート抵
抗は１０６Ωであった。実施例１．２．５と同様に、Ｓ
ＥＭ観察、アライメント信号処理とも良好であった。
プラズマ発生装置内のアース電極に設置し、反応室をＩ
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒに排気したのち、金属の有機化
合物としてテトライソプロポキシチタンを用い、テトラ
インプロポキシチタンと酸素とＡｒの混合ガス（混合比
１ ： １０ ：１０）を導入し、真空度をｌＸ１０Ｔ
Ｏｒｒに調節しもこの状態でもう一方の電極に１５ 、
５６ＭＨｚ 、 ２００Ｗの高周波電力を６０分間印加
した。形成された薄膜４の膜厚は、５０ｍｍ、シート抵
抗は１０６Ωであった。実施例１．２．５と同様に、Ｓ
ＥＭ観察、アライメント信号処理とも良好であった。
以上の説明から明らかな様に、本発明によれば、通常の
方法で作成した転写マスクに透明で導電性を有する薄膜
を形成したマスク構造が提供される。そして、この透明
で導電性を有する薄膜の形成に際して、熱処理が不要で
あるため転写マスク上のパターンに変形等が生じること
がない。従って、マスクの支持体に電気的絶縁物を用い
ても、電子線によるパターンの観察を容易に行なうこと
ができ、かつ光学的アライメントも可能になる効果があ
る。
方法で作成した転写マスクに透明で導電性を有する薄膜
を形成したマスク構造が提供される。そして、この透明
で導電性を有する薄膜の形成に際して、熱処理が不要で
あるため転写マスク上のパターンに変形等が生じること
がない。従って、マスクの支持体に電気的絶縁物を用い
ても、電子線によるパターンの観察を容易に行なうこと
ができ、かつ光学的アライメントも可能になる効果があ
る。
第１図は従来の転写マスクの構造を示す断面図、第２図
は本発明の転写マスクの一実施例を示す断面図である。 １・・・パターン ２・・・支持体 ３・・・基板 ４・・・薄膜 第１図 第 ２ 図 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和 ５９年特許願第 １１２９７０ 号発明の名称 転写マスク及びその製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ＋５１０１株式会肚 日 立 製 作所代 理
人 補正 の 対象 明細書の発明の詳細な説明の欄１、
明細書第８頁、第６行目のｒ４０ｎＪを、「４０１ｍＪ
に訂正する。 ｔ、 明細書第９頁、第２行目の「５０ＨＪを、「５０
４ｍ」に訂正する。 ３、 明細書第９頁、第１６行目のｒ”Ｊ ｋ、ｒｒＬ
Ｊに訂正する。 ４、 明細書第１０頁、第９行目のｒ５０■璽」全、「
４０飾ｍ」に訂正する。 以上
は本発明の転写マスクの一実施例を示す断面図である。 １・・・パターン ２・・・支持体 ３・・・基板 ４・・・薄膜 第１図 第 ２ 図 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和 ５９年特許願第 １１２９７０ 号発明の名称 転写マスク及びその製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ＋５１０１株式会肚 日 立 製 作所代 理
人 補正 の 対象 明細書の発明の詳細な説明の欄１、
明細書第８頁、第６行目のｒ４０ｎＪを、「４０１ｍＪ
に訂正する。 ｔ、 明細書第９頁、第２行目の「５０ＨＪを、「５０
４ｍ」に訂正する。 ３、 明細書第９頁、第１６行目のｒ”Ｊ ｋ、ｒｒＬ
Ｊに訂正する。 ４、 明細書第１０頁、第９行目のｒ５０■璽」全、「
４０飾ｍ」に訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 少なくとも一部が光学的に透明である支持体表面
に放射線吸収用のパターンを形成した転写マスクにおい
て、上記支持体表面とパターンを被覆する様に光学的に
透明でかつ導電性を有する薄膜を設けたことを特徴とす
る転写マスク。 ２、 上記薄膜は、玩、！３７１．Ｔｉ、Ｔα、又はこ
れらの組合せからなる金属の酸化物を成分としているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の転写マスク
。 ６、 少なくとも一部が光学的に透明である支持体表面
に放射線吸収用のパターンを形成した転写マスクを有機
金属化合物ガスを含むプラズマ中に置き、上記支持体表
面とパターンを被覆する様に光学的に透明でかつ導電性
を有する薄線を形成することを特徴とする転写マスクの
製造方法。 ４、 上記プラズマ中に酸素ガスを導入することを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載の転写マスクの製造方
法。 ５、 上記有機金属化合物は、■ル、Ｓ、ｎ、’ｆｉ、
Ｔα又はこれらの組合せからなる成分を含んでいること
を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の転写マスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112970A JPS60257518A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 転写マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112970A JPS60257518A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 転写マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257518A true JPS60257518A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14600109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59112970A Pending JPS60257518A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 転写マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257518A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185224U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-29 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59112970A patent/JPS60257518A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185224U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-29 |
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