JPS60257521A - パタン形成用露光装置 - Google Patents
パタン形成用露光装置Info
- Publication number
- JPS60257521A JPS60257521A JP59113147A JP11314784A JPS60257521A JP S60257521 A JPS60257521 A JP S60257521A JP 59113147 A JP59113147 A JP 59113147A JP 11314784 A JP11314784 A JP 11314784A JP S60257521 A JPS60257521 A JP S60257521A
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- JP
- Japan
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- wafer
- light
- exposed
- exposure
- substrate
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、集積回路用の基板上にレジストパターンの潜
像を形成するバタン形成用露光装置に関するもので、特
に２強力な遠紫外光源であるエキシマレーザを用いるこ
とにより、高精度かつ高速度のバタン形成を可能とする
ことを図ったものである。
像を形成するバタン形成用露光装置に関するもので、特
に２強力な遠紫外光源であるエキシマレーザを用いるこ
とにより、高精度かつ高速度のバタン形成を可能とする
ことを図ったものである。
集積回路の製作に使用されるホトリソグラフィ技術にお
ける露光用光源のうち、最も多用されているものは紫外
線である。紫外線を用いた露光方式で実現できる実用的
最小バタン寸法は１．５ｕＴｎ程度であるが、集積回路
の高密度化、大規模化にともない、今後より一層微細な
バタンか要求される。
ける露光用光源のうち、最も多用されているものは紫外
線である。紫外線を用いた露光方式で実現できる実用的
最小バタン寸法は１．５ｕＴｎ程度であるが、集積回路
の高密度化、大規模化にともない、今後より一層微細な
バタンか要求される。
紫外線露光での最小バタン寸法を制限している要因のひ
とつは紫外線の波長（３５０〜４５０ｎｍ）であるため
、更に微細なバタンを得るためには短波長化が望まれる
。そのため、遠紫外露光法と呼ばれる２００〜３００ｎ
ｍの波長を利用する方式が開発されている。光源には重
水素ランプやＨｇ−Ｘｅランプが光源として用いられる
が２強度・が不十分なため。
とつは紫外線の波長（３５０〜４５０ｎｍ）であるため
、更に微細なバタンを得るためには短波長化が望まれる
。そのため、遠紫外露光法と呼ばれる２００〜３００ｎ
ｍの波長を利用する方式が開発されている。光源には重
水素ランプやＨｇ−Ｘｅランプが光源として用いられる
が２強度・が不十分なため。
１回の露光に数分以上を要し、大量にかつ高速度で集積
回路を生産できないという欠点があった。
回路を生産できないという欠点があった。
ところで、紫外線を用いた露光方式には、コンタクト露
光方式、プロキシミティ露光方式、１対１投影露光方式
、縮小投影露光方式がある。このうち、２声以下のバタ
ンを有する集積回路の生産には縮小投影露光方式が適す
るが、その弱点は処理能力にある。例えば、超ＬＳＩと
呼ばれるような集積回路の生産に使用すると、４インチ
径ウェハでせいぜい４０枚／時程度の処理能力しか達成
できない。処理能力を向上できない最大の原因はステッ
プアンドレピート方式とも呼ばれる。この方式のウェハ
移動方式にある。即ち、レチクルを固定し、ウェハを所
定位置に正確に静止させ、シャッタを開いて露光してか
らシャッタを閉じ２次にウェハを所定位置まで移動させ
静止後シャッタの開閉を行なうという動作を繰り返す方
式に原因がある。各動作に要する時間は使用条件によっ
て異なってくるが２本格的な超ＬＳＩといわれる２５６
にビットランダムアクセスＭＯＳメモリの場合を想定す
れば、移動と静止に０．８〜１秒、露光即ちシャッタの
開から閉までが０．２秒と考えられ、移ｆ ａｈｅｔｈ
＋。−６，Ｍ７、ヵ。’Ｊ ＩＰＪ＊ ’ｉｔ ａ ｈ
６゜３れは、正確に位置を制御しながら移動と静止を
繰り返すという、この方法に本質的な問題であり。
光方式、プロキシミティ露光方式、１対１投影露光方式
、縮小投影露光方式がある。このうち、２声以下のバタ
ンを有する集積回路の生産には縮小投影露光方式が適す
るが、その弱点は処理能力にある。例えば、超ＬＳＩと
呼ばれるような集積回路の生産に使用すると、４インチ
径ウェハでせいぜい４０枚／時程度の処理能力しか達成
できない。処理能力を向上できない最大の原因はステッ
プアンドレピート方式とも呼ばれる。この方式のウェハ
移動方式にある。即ち、レチクルを固定し、ウェハを所
定位置に正確に静止させ、シャッタを開いて露光してか
らシャッタを閉じ２次にウェハを所定位置まで移動させ
静止後シャッタの開閉を行なうという動作を繰り返す方
式に原因がある。各動作に要する時間は使用条件によっ
て異なってくるが２本格的な超ＬＳＩといわれる２５６
にビットランダムアクセスＭＯＳメモリの場合を想定す
れば、移動と静止に０．８〜１秒、露光即ちシャッタの
開から閉までが０．２秒と考えられ、移ｆ ａｈｅｔｈ
＋。−６，Ｍ７、ヵ。’Ｊ ＩＰＪ＊ ’ｉｔ ａ ｈ
６゜３れは、正確に位置を制御しながら移動と静止を
繰り返すという、この方法に本質的な問題であり。
これを桁違いに高速化することは極めて困難である。
本発明の目的は、従来技術での上記した問題を解決し、
微細パタンを高速に形成することができ。
微細パタンを高速に形成することができ。
これにより、集積回路の生産性を向上することを可能と
するバタン形成用露光装置を提供することにある。
するバタン形成用露光装置を提供することにある。
本発明の特徴は、上記目的を達成するために。
光源として少なくともエキシマレーザを備え、この光源
からの光をマスクを通過させた後被露光基板に照射させ
る光束を形成する光学系と、上記光束と上記被露光基板
との相対的位置関係を連続的に変化させる手段と、上記
相対的位置関係が予め設定された位置関係に達した時点
で上記光源を発光させる制御系とを備えた構成とするこ
とにある。
からの光をマスクを通過させた後被露光基板に照射させ
る光束を形成する光学系と、上記光束と上記被露光基板
との相対的位置関係を連続的に変化させる手段と、上記
相対的位置関係が予め設定された位置関係に達した時点
で上記光源を発光させる制御系とを備えた構成とするこ
とにある。
１゛
〔発明の実施例〕
以下８図面により本発明の詳細な説明する。
第１′図は本発明による屈折光学系縮小投影方式の露光
装置の構成図である。１はエキシマレーザを発生する光
源、２はレーザ光束の成形と露光量制御の機能をもつ光
学系、３はレチクル、４はレチクルを通過してきた光束
を収束、結像させる光学系、５はレーザ光束、６はノボ
ラック系ポジ形ホトレジスト膜、７はウェハ、８はウェ
ハ７を保持し移動させるステージである。エキシマレー
ザはＫｒＦガスを用い発振波長は２４９’ｎｍ、パルス
出力は７００ｍＪ、パルス巾１５ｎｓｅｃである。ホト
レジスト膜６の感度は約５０ｍＪ／ｃＪである。光学系
２および４により、レーザ光束５はホトレジスト膜６上
では１０ｍｍ角に収束され、１回のパルスでレジストを
感光させるに十分な強度をもつ。
装置の構成図である。１はエキシマレーザを発生する光
源、２はレーザ光束の成形と露光量制御の機能をもつ光
学系、３はレチクル、４はレチクルを通過してきた光束
を収束、結像させる光学系、５はレーザ光束、６はノボ
ラック系ポジ形ホトレジスト膜、７はウェハ、８はウェ
ハ７を保持し移動させるステージである。エキシマレー
ザはＫｒＦガスを用い発振波長は２４９’ｎｍ、パルス
出力は７００ｍＪ、パルス巾１５ｎｓｅｃである。ホト
レジスト膜６の感度は約５０ｍＪ／ｃＪである。光学系
２および４により、レーザ光束５はホトレジスト膜６上
では１０ｍｍ角に収束され、１回のパルスでレジストを
感光させるに十分な強度をもつ。
第２図は、第１図の露光装置における露光動作を詳しく
説明するための図であり、５はレーザ光。
説明するための図であり、５はレーザ光。
束、６はホトレジスト、７はウェハ、９及び１０は既に
露光されたチップ、１１は露光中のチップ、１２及び１
３は露光予定のチップの位置である。ウェハ７はステー
ジ上に保持されたまま、第２図の状態ではＸ方向に１０
０ｍｍ ／ ｓｅｃの速さで連続移動している。チップ
９及び１０を露光し、ウェハ７と光束５の位置関係が第
２図の如くなった時に１図示されていない位置検出信号
処理部からのトリガによって、エキシマレーザを発光さ
せ、ホトレジスト膜６を感光させる。この場合１位置検
出信号処理部の内部およびそのトリガを受けて発光する
までの時間遅れを予め見込んで信号処理を行なえる構成
としである。さて、エキシマレーザのパルス巾は１５ｎ
ｓｅｃであり、この間ホトレジスト膜６を支持するウェ
ハ７は１００ｍｎ／ｓｅｃで移動している。従って。
露光されたチップ、１１は露光中のチップ、１２及び１
３は露光予定のチップの位置である。ウェハ７はステー
ジ上に保持されたまま、第２図の状態ではＸ方向に１０
０ｍｍ ／ ｓｅｃの速さで連続移動している。チップ
９及び１０を露光し、ウェハ７と光束５の位置関係が第
２図の如くなった時に１図示されていない位置検出信号
処理部からのトリガによって、エキシマレーザを発光さ
せ、ホトレジスト膜６を感光させる。この場合１位置検
出信号処理部の内部およびそのトリガを受けて発光する
までの時間遅れを予め見込んで信号処理を行なえる構成
としである。さて、エキシマレーザのパルス巾は１５ｎ
ｓｅｃであり、この間ホトレジスト膜６を支持するウェ
ハ７は１００ｍｎ／ｓｅｃで移動している。従って。
パルス光が出ている時間にウェハが移動する距離は僅か
０ 、００１５ ＡＭであり、集積回路に使用されるバ
タン幅に比較すると無視できる大きさである。チップ１
１の露光の後、引き続きチップ１２．１３を順次露光す
る。以上の例では、ウェハをＸ方向に連続移動させたが
、Ｙ方向との移動を組み合わせることによりウェハ全面
にチップパタンを露光することができる。第３図はウェ
ハの移動経路の例を表わしている。この図のように移動
させた場合、４インチ径つェハ全面に１０＋ｎｍ角チッ
プを露光するのに要する時間は約６秒である。ウェハの
装着、脱着の時間を考慮に入れても１本露光装置の処理
量は数１００枚／時を達成できる。
０ 、００１５ ＡＭであり、集積回路に使用されるバ
タン幅に比較すると無視できる大きさである。チップ１
１の露光の後、引き続きチップ１２．１３を順次露光す
る。以上の例では、ウェハをＸ方向に連続移動させたが
、Ｙ方向との移動を組み合わせることによりウェハ全面
にチップパタンを露光することができる。第３図はウェ
ハの移動経路の例を表わしている。この図のように移動
させた場合、４インチ径つェハ全面に１０＋ｎｍ角チッ
プを露光するのに要する時間は約６秒である。ウェハの
装着、脱着の時間を考慮に入れても１本露光装置の処理
量は数１００枚／時を達成できる。
ところで、上記実施例によれば、ウェハとレチクルの相
対的移動速度Ｖは次式で表わされる。
対的移動速度Ｖは次式で表わされる。
ｖ （ｎ＋ｎ＋／５ｅｃ） ＝ ｄ （ｍｍ） Ｘ ｆ
（Ｈｚ）ここにｄは繰返し露光距離ピッチ、ｆはエキ
シマレーザの発振周波数である。本実施例のエキシマレ
ーザの最大発振周波数は１５〇七であるから。
（Ｈｚ）ここにｄは繰返し露光距離ピッチ、ｆはエキ
シマレーザの発振周波数である。本実施例のエキシマレ
ーザの最大発振周波数は１５〇七であるから。
ｄ ＝１０ｍｎとすると相対移動速度の最大値はｖ ＝
１５００ｍｍ／ ｓｅｅとなる。この場合でも、 １
５ｎｓｅｃの１パルス中でのウェハの移動距離は０．０
２２５ＩＭｌと僅小であり、かつ４インチウェハ全面露
光に要する時間は０．４秒となり、従来例の２００倍以
上の処理能方向上が可能となる。
１５００ｍｍ／ ｓｅｅとなる。この場合でも、 １
５ｎｓｅｃの１パルス中でのウェハの移動距離は０．０
２２５ＩＭｌと僅小であり、かつ４インチウェハ全面露
光に要する時間は０．４秒となり、従来例の２００倍以
上の処理能方向上が可能となる。
第４図は」二記実施例における光学系２および５の説明
図である。１４はレーザ光束、１５はレーザ光強度調節
用フィルタ、１６はレーザ光束拡大用レンズ、１７は拡
大された光束を平行光にするためのレンズ、１８はレチ
クル、１９はレチクルを通して来た光束をウェハ２０面
上に収束、結像させるレンズである。本実施例は光学系
の基本要素を図示しており、これ以外の変形は公知の技
術をもって数多く考えられる。
図である。１４はレーザ光束、１５はレーザ光強度調節
用フィルタ、１６はレーザ光束拡大用レンズ、１７は拡
大された光束を平行光にするためのレンズ、１８はレチ
クル、１９はレチクルを通して来た光束をウェハ２０面
上に収束、結像させるレンズである。本実施例は光学系
の基本要素を図示しており、これ以外の変形は公知の技
術をもって数多く考えられる。
第５図には別の実施例を示す。本実施例はプロキシミテ
ィ露光法を例示している。ウェハ２４上に形成したホト
レジスト膜２３上に、マスク２２を通過した光束２１を
照射して露光する。マスク２ｚとホトレジスト膜２３の
間隔は数〜数１０庫であり、レーザ光束２１とウェハ２
４およびホトレジスト膜２３との相対的位置関係を連続
的に変化させつつパルス光により露光する。マスク２２
のパタンは等倍でホトレジスト膜２３上に転写される。
ィ露光法を例示している。ウェハ２４上に形成したホト
レジスト膜２３上に、マスク２２を通過した光束２１を
照射して露光する。マスク２ｚとホトレジスト膜２３の
間隔は数〜数１０庫であり、レーザ光束２１とウェハ２
４およびホトレジスト膜２３との相対的位置関係を連続
的に変化させつつパルス光により露光する。マスク２２
のパタンは等倍でホトレジスト膜２３上に転写される。
前述の実施例同様。
高速露光を実現できる。
第６図には反射光学系を用いた縮小投影露光装置の実施
例を示す。２８はエキシマレーザとレーザ光束を拡大成
形する機能と光量調節機能をもつ光源光学系、２９はレ
ーザ光束、３０はレチクル、３１は反射光学縮小系、３
２はホトレジスト膜をその表面に形成したウェハ、３３
は反射縮小されたレーザ光束である。ウェハ３２はレー
ザ光束３３に対して連続移動しており、相互の位置関係
が所定の位置関係になった時にエキシマレーザをパルス
的に発光させ、レチクル３０の縮小像をウェハ３２表面
に結像させる。
例を示す。２８はエキシマレーザとレーザ光束を拡大成
形する機能と光量調節機能をもつ光源光学系、２９はレ
ーザ光束、３０はレチクル、３１は反射光学縮小系、３
２はホトレジスト膜をその表面に形成したウェハ、３３
は反射縮小されたレーザ光束である。ウェハ３２はレー
ザ光束３３に対して連続移動しており、相互の位置関係
が所定の位置関係になった時にエキシマレーザをパルス
的に発光させ、レチクル３０の縮小像をウェハ３２表面
に結像させる。
第７図は第６図中の反射光学系３１を説明する図である
。３４および３５は反射鏡である。平行なレーザ光束２
９に成形されたエキシマレーザの光束はレチクル３０を
通過後２反射鏡３４および３５により縮小されウェハ３
２表面に結像する。
。３４および３５は反射鏡である。平行なレーザ光束２
９に成形されたエキシマレーザの光束はレチクル３０を
通過後２反射鏡３４および３５により縮小されウェハ３
２表面に結像する。
第６図および第７図の実施例においても、第１〜５図の
実施例同様、従来例に比べ極めて高速に。
実施例同様、従来例に比べ極めて高速に。
かつ高精度のパタンを形成できる。
以上の実施例では、ＫｒＦエキシマレーザを用いたが、
ＸｅＣＪ ＸｅＦ、ＡｒＦ、Ｆ２．ＫｒＣＱなどのエキ
シマレーザを用いることもできる。また。
ＸｅＣＪ ＸｅＦ、ＡｒＦ、Ｆ２．ＫｒＣＱなどのエキ
シマレーザを用いることもできる。また。
エキシマレーザ単独ではなくエキシマレーザにラマンシ
フタを組み合わせたものを光源とすることもできる。ま
た、エキシマレーザによって励起される色素レーザを光
源とすることもできる。さらに、感光性樹脂としては上
記実施例に限定されることなく、広く公知の材料を用い
ることができる。
フタを組み合わせたものを光源とすることもできる。ま
た、エキシマレーザによって励起される色素レーザを光
源とすることもできる。さらに、感光性樹脂としては上
記実施例に限定されることなく、広く公知の材料を用い
ることができる。
また、被露光基板としてはウェハだけでなく、ホトマス
ク基板等を広く使用できる。その他、光学系としては上
記実施例に限らず、公知のレンズ。
ク基板等を広く使用できる。その他、光学系としては上
記実施例に限らず、公知のレンズ。
反射鏡、フィルタ等を使用して差し支えない。
また２本実施例では、被露光基板と光束との相対的位置
関係を連続的に変化させるために、被露光基板を移動せ
しめたが、光束の方を移動させても良く、また光束と被
露光基板の両者を移動させても良い。
関係を連続的に変化させるために、被露光基板を移動せ
しめたが、光束の方を移動させても良く、また光束と被
露光基板の両者を移動させても良い。
以上説明したように２本発明によれば９強力な遠紫外光
源であるエキシマレーザを用い、ウェハ等の被露光基板
とマスクもしくはレチクルを通過した光束とを相対的に
連続移動させつつ、短時間パルス光で露光を行なう構成
であるため、極めて高速に微細パタンを形成でき、集積
回路基板の生産性を大幅に向上できる利点がある。
源であるエキシマレーザを用い、ウェハ等の被露光基板
とマスクもしくはレチクルを通過した光束とを相対的に
連続移動させつつ、短時間パルス光で露光を行なう構成
であるため、極めて高速に微細パタンを形成でき、集積
回路基板の生産性を大幅に向上できる利点がある。
第１図は本発明実施例装置の構成図、第２図はその動作
説明用の露光順序の説明図、第３図は第１図におけるウ
ェハ移動の説明図、第４図は第１図中の屈折光学系を示
す図、第５図は本発明の他の実施例の構成図、第６図は
本発明のさらに他の実施例の構成図、第７図は第６図中
の一部詳細説明図である。 〈符号の説明〉 １・・・エキシマレーザ光源 ２．４・・・光学系 ３，１８．３０・・・レチクル５
、１４．２１．．２９．３３・・・レーザ光束６．２
３・・・ホトレジスト膜 ７、２０．．２４．３２・・・ウェハ ８・・・ステージ ９〜１３・・・チップ１５・・・フ
ィルタ １６．１７．１９・・・レンズｆ ２２’・・
・マスク ３４．３５・・・反射鏡２８・・・光源光学
系 ３１・・・反射光学縮小系特許出願人 日本電信電
話公社 ｉｌ 図 °コミ用７ ｔ３図 １’４図 １’５図 牙６図 ０ ！７図
説明用の露光順序の説明図、第３図は第１図におけるウ
ェハ移動の説明図、第４図は第１図中の屈折光学系を示
す図、第５図は本発明の他の実施例の構成図、第６図は
本発明のさらに他の実施例の構成図、第７図は第６図中
の一部詳細説明図である。 〈符号の説明〉 １・・・エキシマレーザ光源 ２．４・・・光学系 ３，１８．３０・・・レチクル５
、１４．２１．．２９．３３・・・レーザ光束６．２
３・・・ホトレジスト膜 ７、２０．．２４．３２・・・ウェハ ８・・・ステージ ９〜１３・・・チップ１５・・・フ
ィルタ １６．１７．１９・・・レンズｆ ２２’・・
・マスク ３４．３５・・・反射鏡２８・・・光源光学
系 ３１・・・反射光学縮小系特許出願人 日本電信電
話公社 ｉｌ 図 °コミ用７ ｔ３図 １’４図 １’５図 牙６図 ０ ！７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にレジストパターンの潜像を形成するのに用いる
露光装置において、光源として少なくともエキシマレー
ザを備え、この光源からの光をマスクを通過させた後被
露光基板に照射させる光束を形成する光学系と、上記光
束と上記被露光基板との相対的位置関係を連続的に変化
させる手段と。 上記相対的位置関係が予め設定された位置関係に達した
時点で上記光源を発光させる制御系とを備えたことを特
徴とするバタン形成用露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113147A JPS60257521A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | パタン形成用露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113147A JPS60257521A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | パタン形成用露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257521A true JPS60257521A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14604755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113147A Pending JPS60257521A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | パタン形成用露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257521A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61502507A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-10-30 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | ディ−プ紫外線リソグラフィ− |
| WO2006003863A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Integrated Solutions Co., Ltd. | 露光装置 |
| WO2007069480A1 (ja) * | 2005-12-17 | 2007-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | 露光装置および露光方法 |
| US8451426B2 (en) | 2006-06-07 | 2013-05-28 | V Technology Co., Ltd. | Exposure method and exposure apparatus |
| US10605975B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-03-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Light distributor, a system comprising a light distributor and at least one LED luminaire and a method for producing a light distributor |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59113147A patent/JPS60257521A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61502507A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-10-30 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | ディ−プ紫外線リソグラフィ− |
| WO2006003863A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Integrated Solutions Co., Ltd. | 露光装置 |
| KR101149089B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2012-05-25 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치 |
| WO2007069480A1 (ja) * | 2005-12-17 | 2007-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | 露光装置および露光方法 |
| US8451426B2 (en) | 2006-06-07 | 2013-05-28 | V Technology Co., Ltd. | Exposure method and exposure apparatus |
| US10605975B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-03-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Light distributor, a system comprising a light distributor and at least one LED luminaire and a method for producing a light distributor |
| EP3204689B1 (de) * | 2014-10-06 | 2022-03-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Lichtverteiler, ein system umfassend einen lichtverteiler und zumindest eine led-leuchte sowie ein verfahren zur herstellung eines lichtverteilers |
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