JPS60262421A - 投影露光方法およびその装置 - Google Patents
投影露光方法およびその装置Info
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- JPS60262421A JPS60262421A JP59118315A JP11831584A JPS60262421A JP S60262421 A JPS60262421 A JP S60262421A JP 59118315 A JP59118315 A JP 59118315A JP 11831584 A JP11831584 A JP 11831584A JP S60262421 A JPS60262421 A JP S60262421A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は環境気圧の変動に伴なう投影倍率、焦点位置の
変動を防止して高精度なノくターン投影を可能にした投
影露光方法およびその装置に関するものである。
変動を防止して高精度なノくターン投影を可能にした投
影露光方法およびその装置に関するものである。
一般にＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製造工程では所謂
フォトリソグラフィ技術が利用されており、レチクルや
フォトマスクのパターンを夫々写真技術を用いてフォト
マスク原板や半導体ウェーハ表面に転写している。そし
て、近年では半導体装置の素子パターンの微細化、高集
積化に伴なって転写されるパターンのサイズも益々微小
化される傾向にあり、したがってパターン転写を行なう
光学系にも１：５，１：１０等の縮小型の投影露光装置
が多用されてきている（工業調査会発行電子材料１９８
３年別冊、Ｐ９７〜Ｐ１０４）。
フォトリソグラフィ技術が利用されており、レチクルや
フォトマスクのパターンを夫々写真技術を用いてフォト
マスク原板や半導体ウェーハ表面に転写している。そし
て、近年では半導体装置の素子パターンの微細化、高集
積化に伴なって転写されるパターンのサイズも益々微小
化される傾向にあり、したがってパターン転写を行なう
光学系にも１：５，１：１０等の縮小型の投影露光装置
が多用されてきている（工業調査会発行電子材料１９８
３年別冊、Ｐ９７〜Ｐ１０４）。
ところで、この種の投影露光装置を用いて本発明者が種
々のパターン転写を行なってきたところ。
々のパターン転写を行なってきたところ。
転写されるパターンの縮小倍率が日によって微小に変動
し、かつこれと共に焦点位置も微小に変動することが判
明した。この変動は投影露光装置を設置している作業所
（クリーンルーム）内の温度。
し、かつこれと共に焦点位置も微小に変動することが判
明した。この変動は投影露光装置を設置している作業所
（クリーンルーム）内の温度。
湿度を一定に保っても、また光源の波長の安定化を確保
しても発生することが明らかとなった。
しても発生することが明らかとなった。
このようなことから、本発明者が種々の実験を繰返して
縮小（転写）倍率の変動原因について検討したところ５
次のような一つの結果を得ることができた。即ち、パタ
ーンの縮小率の変動を日毎に測定する一方で、その日の
大気圧を測定しこれらの相関をめたところ、第１図に示
す関係がめられた。図に示すグラフは横軸に大気圧（１
９８４年東京）をとり縦軸に縮小率をとったもので、多
数のデータをプロット（図には一部のデータのみをプロ
ット）することにより略１次式で示される相関、つまり
大気圧（Ｐ）と縮小変動率Ｍは、Ｍ＝Ｋｐ−Ｐ＋Ｃｐで
示される関係式を満足することが判明した。ここで、Ｋ
ｐ、Ｃｐは光学系の特性により定まる定数である。また
、縮小率Ｍは第１図に示すようにパターン寸法１３．５
１１に対する寸法変化量で定義されている。
縮小（転写）倍率の変動原因について検討したところ５
次のような一つの結果を得ることができた。即ち、パタ
ーンの縮小率の変動を日毎に測定する一方で、その日の
大気圧を測定しこれらの相関をめたところ、第１図に示
す関係がめられた。図に示すグラフは横軸に大気圧（１
９８４年東京）をとり縦軸に縮小率をとったもので、多
数のデータをプロット（図には一部のデータのみをプロ
ット）することにより略１次式で示される相関、つまり
大気圧（Ｐ）と縮小変動率Ｍは、Ｍ＝Ｋｐ−Ｐ＋Ｃｐで
示される関係式を満足することが判明した。ここで、Ｋ
ｐ、Ｃｐは光学系の特性により定まる定数である。また
、縮小率Ｍは第１図に示すようにパターン寸法１３．５
１１に対する寸法変化量で定義されている。
このことから、本発明者は縮小変動率と気圧との関係に
ついて更に検討を加え、大気圧の変動に伴なうクリーン
ルーム（チャンバ）内の気圧変動） と縮小率変動およびそのときの焦点位置の変動について
相関をめてみた。この結果、第２図および第３図に夫々
示すようにクリーンルーム内の圧力と縮小率変動との間
にも大気圧と同様の相関が確認でき、また焦点変動も若
干の幅はあるものの略同様の相関の存在が認められた。
ついて更に検討を加え、大気圧の変動に伴なうクリーン
ルーム（チャンバ）内の気圧変動） と縮小率変動およびそのときの焦点位置の変動について
相関をめてみた。この結果、第２図および第３図に夫々
示すようにクリーンルーム内の圧力と縮小率変動との間
にも大気圧と同様の相関が確認でき、また焦点変動も若
干の幅はあるものの略同様の相関の存在が認められた。
なお、クリーンルームは大気圧よりも若干（略１ｍｂ）
高圧に保つことにより大気中の塵埃がクリーンルーム内
に侵入することを防止している。
高圧に保つことにより大気中の塵埃がクリーンルーム内
に侵入することを防止している。
本発明の目的は、本発明者による前述の検討結果に基づ
いて、大気圧ないし投影露光装置の環境気圧の変動にか
かわらず転写パターンの縮小率等投影倍率の変動を防止
し、かつこれと共に焦点位置の変動を防止し、これによ
り転写パターンの寸法精度および合せ精度を向上して高
精度なパターン転写を可能にした投影露光方法およびそ
の装置を提供することにある。
いて、大気圧ないし投影露光装置の環境気圧の変動にか
かわらず転写パターンの縮小率等投影倍率の変動を防止
し、かつこれと共に焦点位置の変動を防止し、これによ
り転写パターンの寸法精度および合せ精度を向上して高
精度なパターン転写を可能にした投影露光方法およびそ
の装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、大気圧の変動に共なって変動される投影露光
装置の環境気圧を検出し、この気圧の変動に対応して投
影光学系の実質的な光学特性を一定圧制御することによ
り、投影倍率の変動および ・焦点変動を防止して高精
度なパターン転写を可能にするものである。
装置の環境気圧を検出し、この気圧の変動に対応して投
影光学系の実質的な光学特性を一定圧制御することによ
り、投影倍率の変動および ・焦点変動を防止して高精
度なパターン転写を可能にするものである。
光学特性を一定に制御する方法としては、投影光学系の
一部を気圧の変動に応じて光軸方向に移動制御する方法
、或いは投影光学系の内部をガス雰囲気としこのガス組
成を制御する方法等がある。
一部を気圧の変動に応じて光軸方向に移動制御する方法
、或いは投影光学系の内部をガス雰囲気としこのガス組
成を制御する方法等がある。
更に具体的には投影露光装置の環境気圧を検出する圧力
計と、投影光学系の一部を光軸方向に移動させる光路長
設定部と、この光路長設定部を圧力計の検出値に基づい
て制御する制御部とを備えるものである。また、光路長
設定部としては投影光学系内に所要のガスを供給するガ
ス供給系を構成し、前記制御部はこのガス供給系を制御
して投影光学系内のガス組成を変化制御し得るように構
成するものである。
計と、投影光学系の一部を光軸方向に移動させる光路長
設定部と、この光路長設定部を圧力計の検出値に基づい
て制御する制御部とを備えるものである。また、光路長
設定部としては投影光学系内に所要のガスを供給するガ
ス供給系を構成し、前記制御部はこのガス供給系を制御
して投影光学系内のガス組成を変化制御し得るように構
成するものである。
〔実施例１〕
第４図および第５図は本発明の一実施例の投影露光装置
を示す。図において、１は投影露光装置の露光機本体で
あり、内部には光源２．コンデンサレンズ３を有する照
明光学系４と、この照明光学系４により照明されるレチ
クル５等の転写パターン、およびこれを投影結像するレ
ンズ群６を有する投影光学系７を備えている。また、詳
細は省略するが、投影像のフォーカス（焦点）設定やア
ライメント（平面位置）設定を行なうための光学系８も
内装される。前記投影光学系７は第５図に拡大して示す
ように鏡筒９の上端にレチクル支持枠１０を取着し、ま
た下端よりの位置をフレーム１１に嵌合している。前記
レチクル支持枠１０は第６図の平面構造のように２点Ｐ
、、Ｐ２において弾性リング板１２に取着され、かつこ
の弾性リング板１２を介して２点Ｐｓ、Ｐ４において前
記鏡筒９に取着されでおり、これにより弾性リング板１
２０弾性変形によってレチクル支持枠１０は鏡筒９に対
して光軸方向に微小移動できる。そして、周囲３点Ｐａ
、Ｐａ 、Ｐｙにおいてレチクル支持枠１０と、鏡筒
９に一体的に螺合させた調整ねじ１３との間にボール１
４．１５を介して圧電素子１６を元軸方向に介在させて
いる。この圧電素子１６には所要の電極を設けてリード
線１７を接続し、このリード線１７を通して通電を行な
うことにより、通電量に応じて光軸方向に伸縮変形され
る。
を示す。図において、１は投影露光装置の露光機本体で
あり、内部には光源２．コンデンサレンズ３を有する照
明光学系４と、この照明光学系４により照明されるレチ
クル５等の転写パターン、およびこれを投影結像するレ
ンズ群６を有する投影光学系７を備えている。また、詳
細は省略するが、投影像のフォーカス（焦点）設定やア
ライメント（平面位置）設定を行なうための光学系８も
内装される。前記投影光学系７は第５図に拡大して示す
ように鏡筒９の上端にレチクル支持枠１０を取着し、ま
た下端よりの位置をフレーム１１に嵌合している。前記
レチクル支持枠１０は第６図の平面構造のように２点Ｐ
、、Ｐ２において弾性リング板１２に取着され、かつこ
の弾性リング板１２を介して２点Ｐｓ、Ｐ４において前
記鏡筒９に取着されでおり、これにより弾性リング板１
２０弾性変形によってレチクル支持枠１０は鏡筒９に対
して光軸方向に微小移動できる。そして、周囲３点Ｐａ
、Ｐａ 、Ｐｙにおいてレチクル支持枠１０と、鏡筒
９に一体的に螺合させた調整ねじ１３との間にボール１
４．１５を介して圧電素子１６を元軸方向に介在させて
いる。この圧電素子１６には所要の電極を設けてリード
線１７を接続し、このリード線１７を通して通電を行な
うことにより、通電量に応じて光軸方向に伸縮変形され
る。
また、前記レンズ群６を有する鏡筒９もフレーム１１に
対して光軸方向に移動できるように構成しており、これ
にはフレーム１１側に設けてモータ１８により軸転され
るスクリュシャフト１９と。
対して光軸方向に移動できるように構成しており、これ
にはフレーム１１側に設けてモータ１８により軸転され
るスクリュシャフト１９と。
鏡筒９側に設けてこのスクリュシャフト１９に螺合する
スクリュナツト２０とからなる構体が採用されており、
スクリエシャフ）１９の軸転に伴なってレンズ群６およ
びレチクル支持枠１０は光軸 １方向に移動される。こ
れにより、前記レチクル支持枠１０における構体とこの
レンズ群６における構体とでレチクル５、レンズ群６、
更に後述するウェーハ間の距離、つまり光路長を設定す
る光路長設定部を構成することになる。
スクリュナツト２０とからなる構体が採用されており、
スクリエシャフ）１９の軸転に伴なってレンズ群６およ
びレチクル支持枠１０は光軸 １方向に移動される。こ
れにより、前記レチクル支持枠１０における構体とこの
レンズ群６における構体とでレチクル５、レンズ群６、
更に後述するウェーハ間の距離、つまり光路長を設定す
る光路長設定部を構成することになる。
前記露光機本体１の下方にはＸ、Ｙテーブル２１を配置
し、このＸ、Ｙテーブル２１上には前記レチクル５のパ
ターンを縮小して投影する半導体つ工−ハ２２を搭載し
ている。
し、このＸ、Ｙテーブル２１上には前記レチクル５のパ
ターンを縮小して投影する半導体つ工−ハ２２を搭載し
ている。
一方、露光機本体１およびＸ、Ｙテーブル２１を含む環
境、通常ではクリーンルーム内の気圧を検出する気圧計
２３をその近傍に設置し、かつこの気圧計２３の検出信
号に基づいて前記光路長設定部を制御する制御部２４を
設けている。この制御部２４は投影倍率補正演算回路２
５、倍率ドライバ２６．焦点位置補正演算回路２７．焦
点ドライバ２８を有し、前記気圧計２３による環境気圧
に応じて前記圧電素子１６およびモータ１８への通電量
を変化制御することができる。
境、通常ではクリーンルーム内の気圧を検出する気圧計
２３をその近傍に設置し、かつこの気圧計２３の検出信
号に基づいて前記光路長設定部を制御する制御部２４を
設けている。この制御部２４は投影倍率補正演算回路２
５、倍率ドライバ２６．焦点位置補正演算回路２７．焦
点ドライバ２８を有し、前記気圧計２３による環境気圧
に応じて前記圧電素子１６およびモータ１８への通電量
を変化制御することができる。
以上の構成によれば、光学系８の作用によって通常のフ
ォーカス設定やアライメント設定が行なわれるが、これ
と同時に気圧計２３で環境気圧を検出する。そして、こ
の気圧が予定された気圧よりも低いと、空気の密度が小
さくなるためレンズ群６における実質的な焦点距離が小
さくなり、実質的な投影パターン像の投影倍率が小さく
なり、また焦点位置が小さくなる状態となる。このため
。
ォーカス設定やアライメント設定が行なわれるが、これ
と同時に気圧計２３で環境気圧を検出する。そして、こ
の気圧が予定された気圧よりも低いと、空気の密度が小
さくなるためレンズ群６における実質的な焦点距離が小
さくなり、実質的な投影パターン像の投影倍率が小さく
なり、また焦点位置が小さくなる状態となる。このため
。
投影倍率補正演算回路２５では、第１図および第２図に
示したような相関に基づいて、レンズ群６とレチクル５
との距離を減少させて同一の倍率が得られるような補正
寸法を算出し、これに基づいて倍率ドライバ２６を作動
させる。倍率ドライバ２６の作用によって圧電素子１６
＆Ｃは所要のｔ流が通電されこれに応じて素子１６は短
縮（又は伸長）する。素子１６の短縮に伴なってレチク
ル支持枠１０は鏡筒９に対して下方へ移動され、これに
よりレチクル５とレンズ群６との距離、つまり気圧変化
に対する実質的な投影倍率を一定に保つことができる。
示したような相関に基づいて、レンズ群６とレチクル５
との距離を減少させて同一の倍率が得られるような補正
寸法を算出し、これに基づいて倍率ドライバ２６を作動
させる。倍率ドライバ２６の作用によって圧電素子１６
＆Ｃは所要のｔ流が通電されこれに応じて素子１６は短
縮（又は伸長）する。素子１６の短縮に伴なってレチク
ル支持枠１０は鏡筒９に対して下方へ移動され、これに
よりレチクル５とレンズ群６との距離、つまり気圧変化
に対する実質的な投影倍率を一定に保つことができる。
支圧、これと同時に焦点位置補正演算回路２７が気圧に
基づいて焦点位置の補正量を算出し、焦点ドライバ２８
を作動させてモータ１８を駆動すればレンズ群６は軸方
向に移動され、前述の動作と共に焦点位置を実質的に一
定のものとする。気圧が予定圧よりも高い場合にはレチ
クル５やレンズ群６は前述と逆方向に移動され、この場
合にも実質的に倍率と焦点位置を一定のものとする。
基づいて焦点位置の補正量を算出し、焦点ドライバ２８
を作動させてモータ１８を駆動すればレンズ群６は軸方
向に移動され、前述の動作と共に焦点位置を実質的に一
定のものとする。気圧が予定圧よりも高い場合にはレチ
クル５やレンズ群６は前述と逆方向に移動され、この場
合にも実質的に倍率と焦点位置を一定のものとする。
この結果、大気圧はもとよりクリーンルーム等の投影露
光装置の環境気圧の変化にもかかわらず投影光学系にお
けるレチクル５．レンズ群６．ウェーハ２２間の実質的
な倍率と焦点位置を常に一定に保持することができるの
で、投影倍率の変動を防いで倍率の安定化を図り、高精
度なパターン転写を達成することができる。投影倍率の
安定化と共に焦点位置を最適位置に設定して良好な投影
パターンが得られることは言うまでもない。
光装置の環境気圧の変化にもかかわらず投影光学系にお
けるレチクル５．レンズ群６．ウェーハ２２間の実質的
な倍率と焦点位置を常に一定に保持することができるの
で、投影倍率の変動を防いで倍率の安定化を図り、高精
度なパターン転写を達成することができる。投影倍率の
安定化と共に焦点位置を最適位置に設定して良好な投影
パターンが得られることは言うまでもない。
〔実施例２〕
第７図および第８図は本発明の他の実施例を示す。図中
、第４図における前記実施例と同一部分には同一符号を
付している。本例では、レチクル５のレチクル支持枠１
０を鏡筒９に固着し、代りに鏡筒９はその下端をＸ、Ｙ
テーブル２１上のつ工−ハ２２表面に近接し得るように
延設している。
、第４図における前記実施例と同一部分には同一符号を
付している。本例では、レチクル５のレチクル支持枠１
０を鏡筒９に固着し、代りに鏡筒９はその下端をＸ、Ｙ
テーブル２１上のつ工−ハ２２表面に近接し得るように
延設している。
そして、レチクル５とレンズ群６の間の鏡筒９位置にガ
ス導入口３０とガス排出口３１を開設し、レンズ群６下
方のレンズ筒１１にはガス導入口３２を開設し、これら
各ガス導入口３０．３２にはガス供給管３３を連通状態
に設けている。なおレンズ群６間の鏡筒内にも同じガス
が供給されるようになっている。更に、このガス供給管
３３には、本例ではＮ！ガス源３４と０２ガス源３５を
接続し、かつ各ガス源３４．３５との間にはガス流量コ
ントロールバルブ３６．３７を介装してガス供給管３３
に供給させるガス流量を調節できるようにしている。な
お、前記ガス源３４．３５からガス導入口３０．３２な
いし排出口３１に到るガス供給系は、投影光学系７内の
ガス組成を管理することにより実質的な光路長を設定す
る光路長設定部として構成されている。
ス導入口３０とガス排出口３１を開設し、レンズ群６下
方のレンズ筒１１にはガス導入口３２を開設し、これら
各ガス導入口３０．３２にはガス供給管３３を連通状態
に設けている。なおレンズ群６間の鏡筒内にも同じガス
が供給されるようになっている。更に、このガス供給管
３３には、本例ではＮ！ガス源３４と０２ガス源３５を
接続し、かつ各ガス源３４．３５との間にはガス流量コ
ントロールバルブ３６．３７を介装してガス供給管３３
に供給させるガス流量を調節できるようにしている。な
お、前記ガス源３４．３５からガス導入口３０．３２な
いし排出口３１に到るガス供給系は、投影光学系７内の
ガス組成を管理することにより実質的な光路長を設定す
る光路長設定部として構成されている。
一方、前記露光機本体１の近傍には環境気圧を）
検出するための気圧計２３を設置すると共Ｋ、この検出
気圧に基づいて前記ガス流量コントロールパルプ３６．
３７を制御する制御部３８を設けている。この制御部３
８内には演算回路３９を設けており、気圧の変動に伴な
う空気密度の増減を算出し、これに基づいてガス流量コ
ントロールパルプ３６．３７の夫々のバルブ開度を調整
するようになっている。
気圧に基づいて前記ガス流量コントロールパルプ３６．
３７を制御する制御部３８を設けている。この制御部３
８内には演算回路３９を設けており、気圧の変動に伴な
う空気密度の増減を算出し、これに基づいてガス流量コ
ントロールパルプ３６．３７の夫々のバルブ開度を調整
するようになっている。
したがって、この構成によればガス源３４．３５からの
Ｎ２ガス、０２ガスは常にガス供給管３３およびガス導
入口３０．３２を通して鏡筒９内に導入され、ガス排気
口３１やウェーハ２２と鏡筒９との隙間から外部に排出
される。これにより、鏡筒９内、つまり投影光学系７内
は常にＮ、ガスと０□ガスの混合ガス雰囲気とされかつ
その圧力は環境気圧と同一あるいは環境気圧よりわずか
に陽圧に保されている。そして、例えばＮａランプの５
８９．３ ｎｍ波長の光の屈折率は真空を１とすると空
気が１．０００２９２． Ｎ２ ガスが１．０００２９
７゜０２ガスが１．０００２７２であることから、これ
らガスを適宜の割合で混合させることによりガス雰囲気
の屈折率を制御できる。
Ｎ２ガス、０２ガスは常にガス供給管３３およびガス導
入口３０．３２を通して鏡筒９内に導入され、ガス排気
口３１やウェーハ２２と鏡筒９との隙間から外部に排出
される。これにより、鏡筒９内、つまり投影光学系７内
は常にＮ、ガスと０□ガスの混合ガス雰囲気とされかつ
その圧力は環境気圧と同一あるいは環境気圧よりわずか
に陽圧に保されている。そして、例えばＮａランプの５
８９．３ ｎｍ波長の光の屈折率は真空を１とすると空
気が１．０００２９２． Ｎ２ ガスが１．０００２９
７゜０２ガスが１．０００２７２であることから、これ
らガスを適宜の割合で混合させることによりガス雰囲気
の屈折率を制御できる。
したがって、環境気圧が変化して空気密度が変動される
状態になると、Ｎ２ガス、０．ガスの密度（空気に対す
る値）も変動され、投影光学系７内のガス密度も変化さ
れ、その屈折率が変化されて投影倍率が変動されること
になる。しかしながら、気圧の変化を気圧計２３が検出
し、その演算回路３９における演算結果に基づいてガス
流量コントロールパルプ３６．３７の開度を夫々調節す
ることにより、Ｎｔガスと０２ガスの混合比が変化され
、最終的にその組成、換言すれば屈折率を最初に設定し
た屈折率に保持することになる。この結果、環境気圧の
変動に拘らず投影光学系７内のレンズとガスとの屈折率
を一定に保ち、実質的な投影倍率の一定化を達成するこ
とになる。
状態になると、Ｎ２ガス、０．ガスの密度（空気に対す
る値）も変動され、投影光学系７内のガス密度も変化さ
れ、その屈折率が変化されて投影倍率が変動されること
になる。しかしながら、気圧の変化を気圧計２３が検出
し、その演算回路３９における演算結果に基づいてガス
流量コントロールパルプ３６．３７の開度を夫々調節す
ることにより、Ｎｔガスと０２ガスの混合比が変化され
、最終的にその組成、換言すれば屈折率を最初に設定し
た屈折率に保持することになる。この結果、環境気圧の
変動に拘らず投影光学系７内のレンズとガスとの屈折率
を一定に保ち、実質的な投影倍率の一定化を達成するこ
とになる。
なお、ガス組成による屈折率を一定に保つことにより、
投影倍率と共に焦点位置をも一定に保つことができる。
投影倍率と共に焦点位置をも一定に保つことができる。
また、環境気圧や焦点位置等は表示パネル等圧リアルタ
イムで表示することができる。
イムで表示することができる。
〔実施例３〕
第９図は本発明の他の実施例を示す。
図中第４図における実施例と同一部分には同一符号を付
している。本例では、レンズ群６のうちレチクルに接近
している移動レンズ３９が移動レンズ支持体４０に保持
されている。鏡筒９と移動レンズ支持体４００間に圧電
素子１６を光軸方向に介在させている。この圧電素子１
６には所要の電極を設けてリード線を接続し、このリー
ド線を通して通電を行なうことにより、通！ｉｔに応じ
て光軸方向に伸縮変形される。
している。本例では、レンズ群６のうちレチクルに接近
している移動レンズ３９が移動レンズ支持体４０に保持
されている。鏡筒９と移動レンズ支持体４００間に圧電
素子１６を光軸方向に介在させている。この圧電素子１
６には所要の電極を設けてリード線を接続し、このリー
ド線を通して通電を行なうことにより、通！ｉｔに応じ
て光軸方向に伸縮変形される。
一般に光束がパターン面に対して垂直に入射するテレセ
ンドリンクの投影光学系においては、レチクルの上下に
より倍率の補正を行なうことが困難となる。このような
テレセントリックな投影光学系においては、レチクルに
接近したレンズがありこのレンズを光軸方向に移動する
ことにより、縮小率を変化させることが可能である。気
圧による縮小率変動は、気圧計２３で気圧を検出し、気
圧に応じて移動レンズ３９を光軸方向に移動することに
より、一定とすることができる。
ンドリンクの投影光学系においては、レチクルの上下に
より倍率の補正を行なうことが困難となる。このような
テレセントリックな投影光学系においては、レチクルに
接近したレンズがありこのレンズを光軸方向に移動する
ことにより、縮小率を変化させることが可能である。気
圧による縮小率変動は、気圧計２３で気圧を検出し、気
圧に応じて移動レンズ３９を光軸方向に移動することに
より、一定とすることができる。
（１）投影露光装置の環境気圧の変動を検出し、との検
出値に応じて投影露光系の実質的な屈折率が変動されな
いように安定に保持制御しているので。
出値に応じて投影露光系の実質的な屈折率が変動されな
いように安定に保持制御しているので。
従来の環境気圧の変動に伴なう投影倍率の変動および焦
点位置の変動を防止してこれらを安定に制御でき、これ
により高精度のパターン転写を可能にする。
点位置の変動を防止してこれらを安定に制御でき、これ
により高精度のパターン転写を可能にする。
（２）環境気圧を検出する圧力検出部と、投影露光系に
おける実質的な光路長の設定部と、圧力検出部の検出値
に基づいて光路長設定部における屈折率を一定に制御す
る制御部とで構成しているので。
おける実質的な光路長の設定部と、圧力検出部の検出値
に基づいて光路長設定部における屈折率を一定に制御す
る制御部とで構成しているので。
環境気圧による実質的屈折率の制御をリアルタイムで行
なうことができ、投影倍率の安定化を高い精度で制御で
きる。
なうことができ、投影倍率の安定化を高い精度で制御で
きる。
（３）光路長設定部はレンズ、レチクル、ウェーハ間の
距離を環境気圧の変動に応じて変化させて実質的に一定
に設定しているので、高速、高精度の ）倍率制御が可
能とされ、更にレチクルの支持角度の調節を容易に行な
うことができるので台形歪の調整も可能である。
距離を環境気圧の変動に応じて変化させて実質的に一定
に設定しているので、高速、高精度の ）倍率制御が可
能とされ、更にレチクルの支持角度の調節を容易に行な
うことができるので台形歪の調整も可能である。
（４）光路長設定部は投影光学系内に供給するガスの屈
折率を気圧の変動に拘らず一定に保つように構成してい
るので、倍率の制御を安定に行ない得るのはもとより、
既存の投影露光装置に容易にかつ低コストで適用するこ
とができる。
折率を気圧の変動に拘らず一定に保つように構成してい
るので、倍率の制御を安定に行ない得るのはもとより、
既存の投影露光装置に容易にかつ低コストで適用するこ
とができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨な逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば圧力検出部は
大気圧を検出してもよく、この大気圧と、予めめられた
投影露光装置の環境（クリーンルーム）との圧力差から
環境気圧を検出してもよい。または、直接大気圧で制御
するようにしてもよい。
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨な逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば圧力検出部は
大気圧を検出してもよく、この大気圧と、予めめられた
投影露光装置の環境（クリーンルーム）との圧力差から
環境気圧を検出してもよい。または、直接大気圧で制御
するようにしてもよい。
一方、光路長を一定に保つ設定部としては、投影光学系
における温度又は湿度を制御することにより鏡筒の熱膨
張による光路長変化、光学系内の水蒸気によるレンズ焦
点距離の変化を行なわせ。
における温度又は湿度を制御することにより鏡筒の熱膨
張による光路長変化、光学系内の水蒸気によるレンズ焦
点距離の変化を行なわせ。
結果として実質的光路長の一定化を達成する方法。
構成も考えられる。なお、投影露光装置の環境気圧の一
定化も理論的には可能であるが、実際上は極めてコスト
高となり実用的でない。
定化も理論的には可能であるが、実際上は極めてコスト
高となり実用的でない。
なお、実施例１の圧電素子に代えて機械的な伸縮機構を
利用することができ、また実施例２ＯＮ２ガス、０．ガ
ス以外に他のガスおよび他のガスとの組合せも例えば０
２ 、フレオン等も可能である。
利用することができ、また実施例２ＯＮ２ガス、０．ガ
ス以外に他のガスおよび他のガスとの組合せも例えば０
２ 、フレオン等も可能である。
さらに実施例２のガス供給を投影光学系７の一部に行な
うことにより、投影倍率の補正を行なうことができる。
うことにより、投影倍率の補正を行なうことができる。
これと実施例１の焦点位置補正を組合せてもよい。更に
、環境温度、湿度の変化によっても倍率が変化されるこ
ともあるので、温度。
、環境温度、湿度の変化によっても倍率が変化されるこ
ともあるので、温度。
湿度を検出し、これによって光学特性を制御するように
してもよい。
してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のフォト
リソグラフィ技術に使用する縮小型の投影露光技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、等倍型の露光技術はもとより、半導体製造技
術以外の分野における投影露光技術に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置のフォト
リソグラフィ技術に使用する縮小型の投影露光技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、等倍型の露光技術はもとより、半導体製造技
術以外の分野における投影露光技術に適用できる。
第１図ないし第３図は気圧と投影倍率、焦点位置の相関
を説明するグラフ、 第４図は本発明の実施例１の全体構成図。 第５図は要部の拡大図。 第６図は要部の平面図、 第７図は実施例２の全体構成図、 第８図は要部の拡大図。 第９図は実施例３の全体構成図である。 １・・・露光機本体、２・・・光源、４・・・照明光学
系、５・・・レチクル、６・・・レンズ群、７・・・投
影光学系。 ９・・・鏡筒、１０・・・レチクル支持枠、１１・・・
フレーム、１２・・・弾性リング板、１６・・・圧電素
子、１８・・・モータ、１９・・・スクリュシャフト％
２０・・・スクリュナツト、２１・・・Ｘ、Ｙテーブル
、２２・・・半導体ウェーハ、２３・・気圧計、２４・
・・制御部、３０・・・ガス導入口、３１・・・ガス排
出口、３２・・・ガス導入口、３４・・・Ｎ、ガス源、
３５・・・ＣＯ□ガス源、３６．３７・・・ガスｉ量−
＝ントロールバルフ、３８・・・制御部。 １１６− スｅ ｒ７ Ａ Ｄ７ ゛へ ゛ １ 宜冊衝き ζ 、 し、 第 ７ 図 １１８− 第 ８ 図
を説明するグラフ、 第４図は本発明の実施例１の全体構成図。 第５図は要部の拡大図。 第６図は要部の平面図、 第７図は実施例２の全体構成図、 第８図は要部の拡大図。 第９図は実施例３の全体構成図である。 １・・・露光機本体、２・・・光源、４・・・照明光学
系、５・・・レチクル、６・・・レンズ群、７・・・投
影光学系。 ９・・・鏡筒、１０・・・レチクル支持枠、１１・・・
フレーム、１２・・・弾性リング板、１６・・・圧電素
子、１８・・・モータ、１９・・・スクリュシャフト％
２０・・・スクリュナツト、２１・・・Ｘ、Ｙテーブル
、２２・・・半導体ウェーハ、２３・・気圧計、２４・
・・制御部、３０・・・ガス導入口、３１・・・ガス排
出口、３２・・・ガス導入口、３４・・・Ｎ、ガス源、
３５・・・ＣＯ□ガス源、３６．３７・・・ガスｉ量−
＝ントロールバルフ、３８・・・制御部。 １１６− スｅ ｒ７ Ａ Ｄ７ ゛へ ゛ １ 宜冊衝き ζ 、 し、 第 ７ 図 １１８− 第 ８ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、投影露光装置の環境気圧の変動を検出し、この気圧
変動に応じて投影露光装置の投影光学系の屈折率および
光軸位置を制御して投影パターン像の投影倍率と焦点位
置を所要の値に制御することを特徴とする投影露光方法
。 ２、投影光学系内の一部または全体の気体の組成を環境
気圧の変動に応じて変化制御してなる特許請求の範囲第
１項記載の投影露光方法。 ３、環境気圧として大気圧を検出してなる特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の投影露光方法。 ４、投影露光装置の環境気圧を検出する圧力検出部と、
投影露光装置内に設けた投影光学系内における気体の屈
折率を変化させこれにより光学系の相対的屈折率を変化
させてその光路長を変化させる光路長設定部と、前記圧
力検出部の気圧信号に基づいて前記光路長設定部を制御
し、投影パターン像の投影倍率と焦点位置を所定の値に
設定する制御部とを備えることを特徴とする投影露光装
置。 ５、光路長設定部は投影光学系内の一部または全体を所
要の気体雰囲気に保持するガス供給系として構成し、制
御部により投影光学系内のガス組成を変化制御し得るよ
う構成してなる特許請求の範囲第４項記載の投影露光装
置。 ６、ガス供給系の複数種類のガス混合割合を変化させる
ことによりガスの屈折率を変化させてなる特許請求の範
囲第５項記載の投影露光装置。 ７、 圧力検出部は大気圧を検出する気圧計である特許
請求の範囲第４項ないし第６項いずれかに記載の投影露
光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118315A JP2516194B2 (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 投影露光方法 |
| US06/742,786 US4699505A (en) | 1984-06-11 | 1985-06-10 | Exposure method and exposure apparatus |
| US07/288,971 US4974018A (en) | 1984-06-11 | 1988-12-23 | Exposure method and exposure apparatus |
| US07/577,632 US5025284A (en) | 1984-06-11 | 1990-09-05 | Exposure method and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118315A JP2516194B2 (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 投影露光方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5295865A Division JP2625076B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 投影露光方法およびその装置 |
| JP6160887A Division JP2555274B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262421A true JPS60262421A (ja) | 1985-12-25 |
| JP2516194B2 JP2516194B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=14733632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118315A Expired - Lifetime JP2516194B2 (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 投影露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US4699505A (ja) |
| JP (1) | JP2516194B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135450A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Sumitomo G C Ee Kk | 投影露光方法及びその装置 |
| JPS6167036A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | ゼネラルシグナルジャパン株式会社 | 投影露光装置における投影倍率の補償方法及びその装置 |
| JPS6313331A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS6356917A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JP2011014745A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN110928144A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 株式会社斯库林集团 | 描画装置和描画方法 |
| CN119778366A (zh) * | 2025-03-10 | 2025-04-08 | 西南交通大学 | 一种基于压电主动传感的螺栓及其混凝土损伤监测方法 |
Families Citing this family (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2516194B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| JPS6232613A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| JPH0712012B2 (ja) * | 1985-12-11 | 1995-02-08 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH0782981B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
| JPH0821531B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1996-03-04 | 株式会社ニコン | 投影光学装置 |
| US4825247A (en) * | 1987-02-16 | 1989-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| US5095190A (en) * | 1987-03-03 | 1992-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US5105075A (en) * | 1988-09-19 | 1992-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| JPH0335542U (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-08 | ||
| JPH03139634A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-13 | Brother Ind Ltd | 画像形成装置 |
| US4989031A (en) * | 1990-01-29 | 1991-01-29 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP2864060B2 (ja) * | 1991-09-04 | 1999-03-03 | キヤノン株式会社 | 縮小投影型露光装置及び方法 |
| JPH0636993A (ja) * | 1992-05-21 | 1994-02-10 | Canon Inc | 露光装置及び半導体素子の製造方法 |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP3493682B2 (ja) * | 1993-04-14 | 2004-02-03 | 株式会社ニコン | 鏡筒支持装置及び露光装置 |
| US5696623A (en) * | 1993-08-05 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | UV exposure with elongated service lifetime |
| JP3500619B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2004-02-23 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JP3185908B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2001-07-11 | ノーリツ鋼機株式会社 | 写真焼付装置 |
| JPH0817719A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
| JP3445045B2 (ja) * | 1994-12-29 | 2003-09-08 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3402850B2 (ja) * | 1995-05-09 | 2003-05-06 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US5877843A (en) * | 1995-09-12 | 1999-03-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP4011643B2 (ja) * | 1996-01-05 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
| KR970067591A (ko) * | 1996-03-04 | 1997-10-13 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
| KR100542414B1 (ko) * | 1996-03-27 | 2006-05-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및공조장치 |
| JPH1012515A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH1054932A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Nikon Corp | 投影光学装置及びそれを装着した投影露光装置 |
| JPH10133150A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Canon Inc | 回折光学装置及びこれを用いた露光装置 |
| JP2907159B2 (ja) * | 1996-11-12 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 縮小投影露光装置及び露光方法 |
| US6714278B2 (en) | 1996-11-25 | 2004-03-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JPH10270333A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP3352354B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JPH10340850A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置 |
| EP0997761A4 (en) | 1997-06-10 | 2000-09-13 | Nippon Kogaku Kk | OPTICAL DEVICE, ITS CLEANING METHOD, PROJECTION ALIGNING DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| AU8885198A (en) * | 1997-08-26 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Aligner, exposure method, method of pressure adjustment of projection optical system, and method of assembling aligner |
| JP3278407B2 (ja) | 1998-02-12 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO1999050892A1 (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Optical device and exposure system equipped with optical device |
| TW405160B (en) | 1998-05-15 | 2000-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Light-exposure method, light-exposure apparatus and the manufacture method thereof |
| WO2000016381A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and its manufacturing method, and device producing method |
| EP1229573A4 (en) * | 1999-07-16 | 2006-11-08 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD AND SYSTEM |
| JP2001118783A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| DE19963587B4 (de) * | 1999-12-29 | 2007-10-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektions-Belichtungsanlage |
| DE10000193B4 (de) | 2000-01-05 | 2007-05-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System |
| JP2001274054A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場 |
| US6614504B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-09-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| DE10119861A1 (de) | 2000-05-04 | 2001-11-08 | Zeiss Carl | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie |
| US7203007B2 (en) * | 2000-05-04 | 2007-04-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure machine comprising a projection lens |
| US6747729B2 (en) * | 2000-07-14 | 2004-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby and gas composition |
| JP4666747B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US20020085185A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-07-04 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and system of varying optical imaging performance in the presence of refractive index variations |
| JP2002260999A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-09-13 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss | 対物レンズの少なくとも１つの内部空間を気体洗浄するシステム |
| DE10136387A1 (de) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Zeiss Carl | Objektiv, insbesondere Objektiv für die Halbleiter-Lithographie |
| TWI244119B (en) * | 2001-11-07 | 2005-11-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7046361B1 (en) * | 2002-04-04 | 2006-05-16 | Nanometrics Incorporated | Positioning two elements using an alignment target with a designed offset |
| DE10219514A1 (de) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
| DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
| JP2004281697A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Canon Inc | 露光装置及び収差補正方法 |
| US7265917B2 (en) | 2003-12-23 | 2007-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Replacement apparatus for an optical element |
| JP2006024715A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Toshiba Corp | リソグラフィー装置およびパターン形成方法 |
| DE102008000967B4 (de) * | 2008-04-03 | 2015-04-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
| JP5448724B2 (ja) | 2009-10-29 | 2014-03-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
| NL2009899A (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-24 | Asml Netherlands Bv | A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4890538A (ja) * | 1972-12-29 | 1973-11-26 | ||
| JPS58202449A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS5994032A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| JPS6028613A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| JPS6079357A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| JPS60159748A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1193297A (en) * | 1966-07-01 | 1970-05-28 | Telefunken Patent | Device for the Fine Adjustment of Photomasks with respect to Semiconductor Elements |
| US3539256A (en) * | 1967-10-18 | 1970-11-10 | Texas Instruments Inc | Step and repeat camera with computer controlled film table |
| US3563648A (en) * | 1967-10-18 | 1971-02-16 | Texas Instruments Inc | Step and repeat camera with computer controlled film table |
| US3744902A (en) * | 1968-10-23 | 1973-07-10 | Siemens Ag | Device for producing a photo-varnish mask |
| US3704657A (en) * | 1971-05-05 | 1972-12-05 | Computervision Corp | Adaptive optical focusing system |
| FR2330030A1 (fr) * | 1975-10-31 | 1977-05-27 | Thomson Csf | Nouvel appareil photorepeteur de masques de haute precision |
| JPS57151936A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Fuji Xerox Co Ltd | Compensation device for back focus of copying machine for film |
| CA1171555A (en) * | 1981-05-15 | 1984-07-24 | Ronald S. Hershel | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
| JP2516194B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59118315A patent/JP2516194B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-06-10 US US06/742,786 patent/US4699505A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-23 US US07/288,971 patent/US4974018A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-05 US US07/577,632 patent/US5025284A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4890538A (ja) * | 1972-12-29 | 1973-11-26 | ||
| JPS58202449A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS5994032A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| JPS6028613A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| JPS6079357A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| JPS60159748A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135450A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Sumitomo G C Ee Kk | 投影露光方法及びその装置 |
| JPS6167036A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | ゼネラルシグナルジャパン株式会社 | 投影露光装置における投影倍率の補償方法及びその装置 |
| JPS6313331A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JPS6356917A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JP2011014745A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Canon Inc | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN110928144A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 株式会社斯库林集团 | 描画装置和描画方法 |
| CN119778366A (zh) * | 2025-03-10 | 2025-04-08 | 西南交通大学 | 一种基于压电主动传感的螺栓及其混凝土损伤监测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4974018A (en) | 1990-11-27 |
| JP2516194B2 (ja) | 1996-07-10 |
| US5025284A (en) | 1991-06-18 |
| US4699505A (en) | 1987-10-13 |
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