JPS60263490A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60263490A JPS60263490A JP59119054A JP11905484A JPS60263490A JP S60263490 A JPS60263490 A JP S60263490A JP 59119054 A JP59119054 A JP 59119054A JP 11905484 A JP11905484 A JP 11905484A JP S60263490 A JPS60263490 A JP S60263490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- cavity
- layer
- type
- laser equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1021—Coupled cavities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信用光源等に用いられる縦モードを安定化
した半導体レーザ装置に関するものである。
した半導体レーザ装置に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、半導体レーザは光通信用光源、コンパクトディス
ク用光源等に広く用いられるようになった。この際、半
導体レーザが装着されているシステムは、モジュール内
で、半導体レーザの端面に戻り光が入射すると、キャビ
ティ内の状態が乱れ、光出力、縦モード、雑音特性に変
化を及ぼす。
ク用光源等に広く用いられるようになった。この際、半
導体レーザが装着されているシステムは、モジュール内
で、半導体レーザの端面に戻り光が入射すると、キャビ
ティ内の状態が乱れ、光出力、縦モード、雑音特性に変
化を及ぼす。
以下に図面を参照しながら、上述したような従来の半導
体レーザ装置について説明する。
体レーザ装置について説明する。
第１図は従来の半導体レーザ装置の断面を示している。
１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型Ｇａ、Ａ＋！□−ｘＡ
ｓ層、３はＧａ、Ａｆ！、−、Ａｓ活性層、４はｐ型Ｇ
ａｘ４１１−ｘ−Ａｓ層、５はｐ型ＧａＡｓ層、６，７
はオーミック電極、８は等例外部ミラーである。
ｓ層、３はＧａ、Ａｆ！、−、Ａｓ活性層、４はｐ型Ｇ
ａｘ４１１−ｘ−Ａｓ層、５はｐ型ＧａＡｓ層、６，７
はオーミック電極、８は等例外部ミラーである。
以上のように構成された系において半導体レーザを動作
させると出射ビームは外部ミラー８で反射し、半導体レ
ーザの活性層に出射光の一部が戻ってくることになり、
この結果縦モードが乱れたり、雑音レベルが増加するこ
とになる。
させると出射ビームは外部ミラー８で反射し、半導体レ
ーザの活性層に出射光の一部が戻ってくることになり、
この結果縦モードが乱れたり、雑音レベルが増加するこ
とになる。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み、戻り光に対する影響を少なく
することのできる半導体レーザを提供するものである。
することのできる半導体レーザを提供するものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために本発明の半導体レーザは複合
キャビティを有し、キャビティ境界の反射率を一部変化
させて構成されている。この構成によって、戻り光に対
しても縦モードの変化が小さく安定なレーザ動作を行う
こととなる。
キャビティを有し、キャビティ境界の反射率を一部変化
させて構成されている。この構成によって、戻り光に対
しても縦モードの変化が小さく安定なレーザ動作を行う
こととなる。
（実施例の説明）
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第２図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
断面を示す。第２図において１はｎ型ＧａＡｓ基板、２
はｎ型ＧａＸＡｌ２□−ＸＡｓ層、３はＧａ、Ａｌｌ、
−、Ａｓ層、４はｐ型ＧａＸ−Ａ（１１−ｘ−Ａｓ層、
５はＰ型ＧａＡｓ層、６，７はオーミック電極、９ 、
１０．１１は光の反射が起こる部分である。
断面を示す。第２図において１はｎ型ＧａＡｓ基板、２
はｎ型ＧａＸＡｌ２□−ＸＡｓ層、３はＧａ、Ａｌｌ、
−、Ａｓ層、４はｐ型ＧａＸ−Ａ（１１−ｘ−Ａｓ層、
５はＰ型ＧａＡｓ層、６，７はオーミック電極、９ 、
１０．１１は光の反射が起こる部分である。
以上のように構成された半導体レーザについて、その動
作を説明する。
作を説明する。
電極６，７間に順バイアスを行ない、レーザを動作させ
るとマルチキャビティの干渉効果により、縦モードが選
択され、安定な単一モード発振を行なう。キャビティミ
ラーの前方に外部ミラー８を１ 配置すれば、出射光の
一部が戻ってくることになる。しかし、本発明のレーザ
においては複合キャビティにより縦モードの安定化が図
られている。
るとマルチキャビティの干渉効果により、縦モードが選
択され、安定な単一モード発振を行なう。キャビティミ
ラーの前方に外部ミラー８を１ 配置すれば、出射光の
一部が戻ってくることになる。しかし、本発明のレーザ
においては複合キャビティにより縦モードの安定化が図
られている。
その上、戻り光が入射するキャビティとそのうしろに位
置するキャビティとの間の反射部の反射率を他の反射部
より高くし、戻り光が後方へ伝播するのを抑制し、その
影響を減少させることにより縦モードの変化を防止する
ことができる。
置するキャビティとの間の反射部の反射率を他の反射部
より高くし、戻り光が後方へ伝播するのを抑制し、その
影響を減少させることにより縦モードの変化を防止する
ことができる。
以上のように本実施例によれば複合キャビティ構造およ
びキャビティ間の反射率のうちで少なくとも一部分の反
射率を変化させた構造を具備することにより戻り光に対
する縦モードの変化や雑音の発生を防止することができ
る。
びキャビティ間の反射率のうちで少なくとも一部分の反
射率を変化させた構造を具備することにより戻り光に対
する縦モードの変化や雑音の発生を防止することができ
る。
なお本実施例はＧａＡｓ −ＧａＡｌＡｓ系で構成した
が、ＩｎＰ系をはじめその他の化合物半導体で構成する
ことも可能である。また、ｐ型基板も使用できる。
が、ＩｎＰ系をはじめその他の化合物半導体で構成する
ことも可能である。また、ｐ型基板も使用できる。
レーザ構造としては埋め込みレーザをはじめ、すべての
ストライプレーザを用いることができる。
ストライプレーザを用いることができる。
両キャビティミラー内に反射部を設ける方法として、エ
ツチングにより表面より深さを制御した形成法をはじめ
、キャビティのストライプ幅を変化させる方法や、へき
開による方法等すべての方法が使用できる。端面の反射
率もコーティング等に＝３− よって変化させることができる。また、３つ以上のキャ
ビティを有するレーザも構成可能であり、グレーティン
グを有するキャビティも加えることができる。
ツチングにより表面より深さを制御した形成法をはじめ
、キャビティのストライプ幅を変化させる方法や、へき
開による方法等すべての方法が使用できる。端面の反射
率もコーティング等に＝３− よって変化させることができる。また、３つ以上のキャ
ビティを有するレーザも構成可能であり、グレーティン
グを有するキャビティも加えることができる。
（発明の効果）
以上のように、本発明は、複合キャビティの反射部の反
射率が異なることにより戻り光に対する影響を少なくす
ることができ、その実用的効果は大なるものがある。
射率が異なることにより戻り光に対する影響を少なくす
ることができ、その実用的効果は大なるものがある。
第１図は従来のレーザの断面図、およびその前方に反射
物が置かれた状態を示す図、第２図は本発明の一実施例
の断面図およびその前方に反射物が置かれた状態を示す
図である。 １ − ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２ − ｎ型ＧａｘＡＮ
、−、Ａｓ層、 ３−Ｇａ、Ａｇ３−、Ａｓ活性層、
４−Ｐ型Ｇａｘ−ＡＮ、−ｘ−Ａｓ層、 ５−Ｐ型Ｇａ
Ａｓ層、 ６゜７・・・オーミック電極、 ８ ・・・
外部ミラー。 ４−
物が置かれた状態を示す図、第２図は本発明の一実施例
の断面図およびその前方に反射物が置かれた状態を示す
図である。 １ − ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２ − ｎ型ＧａｘＡＮ
、−、Ａｓ層、 ３−Ｇａ、Ａｇ３−、Ａｓ活性層、
４−Ｐ型Ｇａｘ−ＡＮ、−ｘ−Ａｓ層、 ５−Ｐ型Ｇａ
Ａｓ層、 ６゜７・・・オーミック電極、 ８ ・・・
外部ミラー。 ４−
Claims (1)
- 一方向に３つ以上のキャビティが配置されて複合キャビ
ティ構造を有し、反射部の少なくとも一つの反射率が他
の反射部の反射率と異なることを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119054A JPS60263490A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119054A JPS60263490A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263490A true JPS60263490A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14751764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119054A Pending JPS60263490A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263490A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997037406A1 (de) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | HEINRICH-HERTZ-INSTITUT FüR NACHRICHTENTECHNIK BERLIN GMBH | Gütegesteuerter halbleiterlaser |
| WO2002031863A3 (en) * | 2000-10-11 | 2003-10-23 | Nat Univ Ireland | A single frequency laser |
| WO2005006507A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-20 | Eblana Photonics Limited | Semiconductor laser and method of manufacture |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59119054A patent/JPS60263490A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997037406A1 (de) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | HEINRICH-HERTZ-INSTITUT FüR NACHRICHTENTECHNIK BERLIN GMBH | Gütegesteuerter halbleiterlaser |
| WO2002031863A3 (en) * | 2000-10-11 | 2003-10-23 | Nat Univ Ireland | A single frequency laser |
| WO2005006507A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-20 | Eblana Photonics Limited | Semiconductor laser and method of manufacture |
| US7672348B2 (en) | 2003-07-11 | 2010-03-02 | Eblana Photonics Limited | Semiconductor laser and method of manufacture |
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