JPS6027226U - 半導体を使用したガス燃焼用セラミックプレート - Google Patents

半導体を使用したガス燃焼用セラミックプレート

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JPS6027226U
JPS6027226U JP11979883U JP11979883U JPS6027226U JP S6027226 U JPS6027226 U JP S6027226U JP 11979883 U JP11979883 U JP 11979883U JP 11979883 U JP11979883 U JP 11979883U JP S6027226 U JPS6027226 U JP S6027226U
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JP
Japan
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semiconductor
ceramic plate
gas combustion
coated
sintered
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JP11979883U
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赤塚　耕次
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図：平面図。イはセラミックプレート、口は斜線の
部分半導体塗布の部分、へ〜二は第２図の切断の部分。 第２図：第１図のへ〜二の切断の部分、イは半導体塗布
焼結の部分。第３図：横側面。第４図：全面に含浸又は
塗布した焼結したもの。 補正　昭５９．　１．２４ 実用新案登録請求の範囲、図面の簡単な説明を次のよう
に補正する。 Ｏ実用新案登録請求の範囲 セラミックプレート素地に半導体を含浸又は表面に塗布
して焼結する。 図面の簡単な説明 第１図：平面図、部分塗布。イ・・・セラミックプレー
ト素地、口・・・針線の部分半導体塗布の部分、ハ・・
・・・・二・・・第２図の切断断面個所を表す、ホ・・
・ガス燃焼孔。第２図：断面図、第１囚人・・・・・・
二の部分。イ・・・セラミックプレート素地、口・・・
半導体塗布の部分、口・・・ガス燃焼孔。第３図：横側
面図。 イ・・・セラミックプレート素地、口・・・半導体塗布
の部分、ハ・・・ガス燃焼孔。第４図：全面斜線の部分
に半導体を塗布又は含浸して焼結したもの。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. セラミックプレート素地に、半導体（特殊金属）を含浸
    、又は表面に塗布して焼結する。
JP11979883U 1983-08-02 1983-08-02 半導体を使用したガス燃焼用セラミックプレート Pending JPS6027226U (ja)

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JPS6027226U true JPS6027226U (ja) 1985-02-23

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JP11979883U Pending JPS6027226U (ja) 1983-08-02 1983-08-02 半導体を使用したガス燃焼用セラミックプレート

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5525773A (en) * 1978-08-14 1980-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Infrared radiant burner

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5525773A (en) * 1978-08-14 1980-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Infrared radiant burner

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