JPS6028183B2 - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
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- JPS6028183B2 JPS6028183B2 JP55168462A JP16846280A JPS6028183B2 JP S6028183 B2 JPS6028183 B2 JP S6028183B2 JP 55168462 A JP55168462 A JP 55168462A JP 16846280 A JP16846280 A JP 16846280A JP S6028183 B2 JPS6028183 B2 JP S6028183B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/401—Compensating positionally unequal response of the pick-up or reproducing head
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Image Input (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アレイ状に並べられたフオトダィオードやＭ
ＯＳキャパシタ等の光電変換素子群と、これらの光電変
換素子群から並列入力される信号電荷を出力側へ転送す
るＣＣＤ（ＣＨＡＲＧＥＣＯＵＰＬＥＤＤＥＶＩＣＥ）
からなるアナログシフトレジスタとを有してなるＣＣＤ
イメージセンサを用いた画像読取装置に関する。
ＯＳキャパシタ等の光電変換素子群と、これらの光電変
換素子群から並列入力される信号電荷を出力側へ転送す
るＣＣＤ（ＣＨＡＲＧＥＣＯＵＰＬＥＤＤＥＶＩＣＥ）
からなるアナログシフトレジスタとを有してなるＣＣＤ
イメージセンサを用いた画像読取装置に関する。
一般に、ＣＣＤイメージセンサは、構造上ビット数の多
いものが製作できるという利点があるため、高解像度を
要求されるファクシミリ送信機等の画像読取装置によく
用いられている。
いものが製作できるという利点があるため、高解像度を
要求されるファクシミリ送信機等の画像読取装置によく
用いられている。
しかし、従来のＣＣＤイメージセンサを用いた画像謙取
装置では、イメージセンサとその出力の増幅部とを直流
結合した場合、温度に比例して直流出力レベルが変動す
るというＣＣＤの温度特性により、前記増幅部の出力か
ら得られる画信号の基準レベルも変動し、出力画信号の
ＳノＮ比が悪くなるという欠点があった。
装置では、イメージセンサとその出力の増幅部とを直流
結合した場合、温度に比例して直流出力レベルが変動す
るというＣＣＤの温度特性により、前記増幅部の出力か
ら得られる画信号の基準レベルも変動し、出力画信号の
ＳノＮ比が悪くなるという欠点があった。
したがって、従来のこの種の画像読取装置を備えたファ
クシミリ送信機により原稿を送信した場合、受信側にお
いて受信画の画質が劣化していた。本発明は、前記従来
の欠点を解消するべくなされたもので、ＣＣＤイメージ
センサを用いた画像謙取装置において、ＣＣＤシフトレ
ジスタの温度特性等による影響を除去し、画信号のＳ／
Ｎ比を改善することができる画像論取装置を提供するこ
とを目的とする。
クシミリ送信機により原稿を送信した場合、受信側にお
いて受信画の画質が劣化していた。本発明は、前記従来
の欠点を解消するべくなされたもので、ＣＣＤイメージ
センサを用いた画像謙取装置において、ＣＣＤシフトレ
ジスタの温度特性等による影響を除去し、画信号のＳ／
Ｎ比を改善することができる画像論取装置を提供するこ
とを目的とする。
以下本発明を図面に示す実施例に基いて説明する。
第１図は本発明による画像謙取装置の一実施例を示す要
部構成図、第２図は第１図中のＣＣＤイメージセンサの
主要部を示す構成図、第３図および第４図は第１図およ
び第２図の各部の動作を説明する波形図である。
部構成図、第２図は第１図中のＣＣＤイメージセンサの
主要部を示す構成図、第３図および第４図は第１図およ
び第２図の各部の動作を説明する波形図である。
１はＣＣＤイメージセンサであり、フオトダイオード群
２と、ＦＥＴを用いた電荷転送素子群３ａ，３ｂと、ア
ナログシフトレジスタ４ａ，４ｂと、ゲート回路５と、
リセット回路６とから構成されている。
２と、ＦＥＴを用いた電荷転送素子群３ａ，３ｂと、ア
ナログシフトレジスタ４ａ，４ｂと、ゲート回路５と、
リセット回路６とから構成されている。
前記フオトダィオード群２の各フオトダィオードの一端
（第２図ではアノード側）は接地されている。
（第２図ではアノード側）は接地されている。
また、フオトダィオード群２の奇数番目のフオトダィオ
ードの池端（カソード側）は電荷転送素子群３ａの入力
側に接地され、フオトダィオード群２の偶数番目のフオ
トダィオードの池端は電荷転送素子群３ｂの入力側にそ
れぞれ接続されている。前記電荷転送素子群３ａ，３ｂ
の出力側は、それぞれシフトレジスタ４ａ，４ｂの入力
側に接続されている。前記シフトレジスタ４ａ，４ｂの
出力は、これらの出力を直列信号に変換するゲート回路
５に入力され、このゲート回路５の出力はリセット回路
６に入力される。
ードの池端（カソード側）は電荷転送素子群３ａの入力
側に接地され、フオトダィオード群２の偶数番目のフオ
トダィオードの池端は電荷転送素子群３ｂの入力側にそ
れぞれ接続されている。前記電荷転送素子群３ａ，３ｂ
の出力側は、それぞれシフトレジスタ４ａ，４ｂの入力
側に接続されている。前記シフトレジスタ４ａ，４ｂの
出力は、これらの出力を直列信号に変換するゲート回路
５に入力され、このゲート回路５の出力はリセット回路
６に入力される。
本実施例においては、一例としてイメージセンサ１の読
取ビット数を２０４８とし、かつこれらの謙取ビット（
図中、Ｐはで示す）の前後にダミービットＤＡをそれぞ
れ４個ずつ、計８個設けることとしているので、フオト
ダイオード群２のフオトダィオードの総数は２０６針固
である。
取ビット数を２０４８とし、かつこれらの謙取ビット（
図中、Ｐはで示す）の前後にダミービットＤＡをそれぞ
れ４個ずつ、計８個設けることとしているので、フオト
ダイオード群２のフオトダィオードの総数は２０６針固
である。
また、電荷転送素子群３ａ，３ｂのＦＥＴの数は、それ
ぞれフオトダィオード群２のフオトダィオードの総数の
半数、すなわち１０２８個である。また、シフトレジス
タ４ａ，４ｂにおいては、ダミービットＤＡの前後に、
電荷転転送素子群３ａ，３ｂに直接接続されないダミー
ビットＤＢがさらにそれぞれ４個ずつ、計８個設けられ
ているので、同シフトレジスタ４ａ，４ｂのビット数は
それぞれ１０３針固である。
ぞれフオトダィオード群２のフオトダィオードの総数の
半数、すなわち１０２８個である。また、シフトレジス
タ４ａ，４ｂにおいては、ダミービットＤＡの前後に、
電荷転転送素子群３ａ，３ｂに直接接続されないダミー
ビットＤＢがさらにそれぞれ４個ずつ、計８個設けられ
ているので、同シフトレジスタ４ａ，４ｂのビット数は
それぞれ１０３針固である。
なお、７ａ，はシフトレジスタ４ａ，４ｂの出力端子で
ある。８はセンサ駆動回路であり、ゲートパルス信号ｃ
、互いに反転したシフトパルス信号ｄ，ｅ、およびリセ
ットパルス信号ｆをイメージセンサ１へ出力する。ここ
で、前記ゲートパルス信号ｃはゲートパルス入力端子９
を介して電荷転送素子群３ａ，３ｂに入力され、シフト
パルス信号ｄはシフトパルス入力端子１０ａをを介して
シフトレジスタ４Ａａに入力され、シフトパルス信号ｅ
はシフトパルス入力端子１０ｂを介してシフトレジスタ
４ｂに入力され、リセットパルス信号ｆはリセット回路
６に入力される。１１はイメージセンサ１の出力を増幅
する初段増幅部であり、演算増幅器１２と、抵抗１３，
１４，１５とから構成されている。
ある。８はセンサ駆動回路であり、ゲートパルス信号ｃ
、互いに反転したシフトパルス信号ｄ，ｅ、およびリセ
ットパルス信号ｆをイメージセンサ１へ出力する。ここ
で、前記ゲートパルス信号ｃはゲートパルス入力端子９
を介して電荷転送素子群３ａ，３ｂに入力され、シフト
パルス信号ｄはシフトパルス入力端子１０ａをを介して
シフトレジスタ４Ａａに入力され、シフトパルス信号ｅ
はシフトパルス入力端子１０ｂを介してシフトレジスタ
４ｂに入力され、リセットパルス信号ｆはリセット回路
６に入力される。１１はイメージセンサ１の出力を増幅
する初段増幅部であり、演算増幅器１２と、抵抗１３，
１４，１５とから構成されている。
演算増幅器１２は反転入力端子を抵抗１３を介してリセ
ット回路６の出力端子に接続され、反転入力端子と出力
端子との間に抵抗１４を設けられ、非反転入力端子と抵
抗１５を介して接地されている。なお、抵抗１３の抵抗
値と抵抗１５の抵抗値とはほぼ等しくされ、抵抗１４の
抵抗値は抵抗１３の抵抗値の１０〜２針音程度とされて
いる。１６は画信号処理回路であり、初段増幅器１ １
の出力信号ｈを入力され、必要に応じて背景を考慮した
増幅や２値化を行って出力端子１７へ出力する。
ット回路６の出力端子に接続され、反転入力端子と出力
端子との間に抵抗１４を設けられ、非反転入力端子と抵
抗１５を介して接地されている。なお、抵抗１３の抵抗
値と抵抗１５の抵抗値とはほぼ等しくされ、抵抗１４の
抵抗値は抵抗１３の抵抗値の１０〜２針音程度とされて
いる。１６は画信号処理回路であり、初段増幅器１ １
の出力信号ｈを入力され、必要に応じて背景を考慮した
増幅や２値化を行って出力端子１７へ出力する。
１８は電圧保持回路であり、抵抗１９とコンデンサ２０
とからなる積分回路により構成されている。
とからなる積分回路により構成されている。
ここで抵抗１９の抵抗値は小さく、逆にコンデンサ２０
の容量は大きくされているので、この電圧保持回路の入
力信号に対する応答速度は卓し、。２１は初段増幅部１
１の出力側と電圧保持回路１８の入力側との間に介在さ
れたアナログスイッチであり、カウン夕２２、フリツプ
フロツブ２３およびアンド回路２４によって作られるス
イッチング信号ｉにより制御される。
の容量は大きくされているので、この電圧保持回路の入
力信号に対する応答速度は卓し、。２１は初段増幅部１
１の出力側と電圧保持回路１８の入力側との間に介在さ
れたアナログスイッチであり、カウン夕２２、フリツプ
フロツブ２３およびアンド回路２４によって作られるス
イッチング信号ｉにより制御される。
カウンタ２２はセンサ駆動回路８からゲートパルス信号
ｃおよびリセットパルス信号ｉを入力され、フリップフ
ロツプ２３はセンサ駆動回路８からシフトパルス信号ｅ
およびリセットパルス信号ｆを入力される。アンド回路
２４はカウンタ２２の出力信号ｉおよびフリップフロツ
プ２３の出力信号ｋを入力され、その出力信号として前
記スイッチング信号ｉを出力する。２５は反転回路であ
り、演算増幅器２６と、抵抗２７，２８，２９とから構
成されている。
ｃおよびリセットパルス信号ｉを入力され、フリップフ
ロツプ２３はセンサ駆動回路８からシフトパルス信号ｅ
およびリセットパルス信号ｆを入力される。アンド回路
２４はカウンタ２２の出力信号ｉおよびフリップフロツ
プ２３の出力信号ｋを入力され、その出力信号として前
記スイッチング信号ｉを出力する。２５は反転回路であ
り、演算増幅器２６と、抵抗２７，２８，２９とから構
成されている。
演算増幅器２６は、電圧保持回路１４の出力を抵抗２７
を介して反転入力端子に接続され、反転入力端子と出力
端子との間に抵抗２８を設けられ、非反転入力端子を抵
抗２９を介して接地されている。ここで、抵抗２７の抵
抗値は抵抗１９の抵抗値の約１併音程度であり、抵抗２
８の抵抗値と等しく、かつ抵抗２９の抵抗値の２倍であ
る。前記演算増幅器２６の出力端子は抵抗３０を介して
演算増幅器１２の非反転入力端子に接続されている。
を介して反転入力端子に接続され、反転入力端子と出力
端子との間に抵抗２８を設けられ、非反転入力端子を抵
抗２９を介して接地されている。ここで、抵抗２７の抵
抗値は抵抗１９の抵抗値の約１併音程度であり、抵抗２
８の抵抗値と等しく、かつ抵抗２９の抵抗値の２倍であ
る。前記演算増幅器２６の出力端子は抵抗３０を介して
演算増幅器１２の非反転入力端子に接続されている。
次に、この画像読取装置の動作を第３図および第４図の
波形図を用いて説明する。
波形図を用いて説明する。
被読取画像からの光情報がフオトダィオード群２に入射
されると、このフオトダイオード群２の各フオトダイオ
ード‘こ前記光情報を光電変換した電荷が蓄積される。
されると、このフオトダイオード群２の各フオトダイオ
ード‘こ前記光情報を光電変換した電荷が蓄積される。
前記各フオトダイオード‘こ蓄積された電荷は、センサ
駆動回路８からゲートパルス信号ｃがゲートパルス入力
端子９を通して電荷転送素子群３ａ，３ｂの各ＦＥＴに
印加されると、これらのＦＥＴを介してシフトレジスタ
４ａ，４ｂの対応するビットに転送される。これにより
、奇数番目のフオトダィオードの信号電荷はシフトレジ
スタ４ａの各ビットに、偶数番目のフオトダィオードの
信号電荷はシフトレジスタ４ｂの各ビットにそれぞれ転
送されることになる。次に、センサ駆動回路８からシフ
トパルス信号ｄ，ｅがシフトレジスタ４ａ，４ｂのシフ
トパルス入力端子１０ａ，１０ｂに入力されると、シフ
トレジスタ４ａ，４ｂは前記転送されて来た信号電荷を
それぞれ第２図において矢線Ｙａ，Ｙｂ方向に順次シフ
トする。
駆動回路８からゲートパルス信号ｃがゲートパルス入力
端子９を通して電荷転送素子群３ａ，３ｂの各ＦＥＴに
印加されると、これらのＦＥＴを介してシフトレジスタ
４ａ，４ｂの対応するビットに転送される。これにより
、奇数番目のフオトダィオードの信号電荷はシフトレジ
スタ４ａの各ビットに、偶数番目のフオトダィオードの
信号電荷はシフトレジスタ４ｂの各ビットにそれぞれ転
送されることになる。次に、センサ駆動回路８からシフ
トパルス信号ｄ，ｅがシフトレジスタ４ａ，４ｂのシフ
トパルス入力端子１０ａ，１０ｂに入力されると、シフ
トレジスタ４ａ，４ｂは前記転送されて来た信号電荷を
それぞれ第２図において矢線Ｙａ，Ｙｂ方向に順次シフ
トする。
そして、このシフトされた信号電荷は出力端子７ａ，７
ｂから順次ゲート回路５へ出力されて行く。ここで、シ
フトパルス信号ｄとｅとは相互に反転した信号であるた
め、シフトレジスタ４ａ，４ｂからの信号電荷の出力は
、交互に行われる。
ｂから順次ゲート回路５へ出力されて行く。ここで、シ
フトパルス信号ｄとｅとは相互に反転した信号であるた
め、シフトレジスタ４ａ，４ｂからの信号電荷の出力は
、交互に行われる。
したがって、両シフトレジスタ４ａ，４ｂから並列に出
力された信号電荷は、ゲート回路５により直列な信号に
変換され、リセット回路６へ入力される。そして、リセ
ット回路６は、センサ駆動回路８から供給されるリセッ
トパルス信号ｆにより、入力された信号を１ビット毎に
リセットすることにより、出力信号ｇに変換し、この信
号ｇを初段増幅部１１へ出力する。以上のイメージセン
サ１の動作は、従来の画像論取装置における場合と同様
であり、イメージセンサーの出力信号ｇは、理想的には
第３図ｇのようになる。
力された信号電荷は、ゲート回路５により直列な信号に
変換され、リセット回路６へ入力される。そして、リセ
ット回路６は、センサ駆動回路８から供給されるリセッ
トパルス信号ｆにより、入力された信号を１ビット毎に
リセットすることにより、出力信号ｇに変換し、この信
号ｇを初段増幅部１１へ出力する。以上のイメージセン
サ１の動作は、従来の画像論取装置における場合と同様
であり、イメージセンサーの出力信号ｇは、理想的には
第３図ｇのようになる。
すなわち理想的には、イメージセンサーの出力信号ｇの
うちのダミービットＤＢ部分には信号成分は生じない。
しかし実際には、前記ＣＣＤの温度特性により温度が上
昇すると、信号ｇの直流レベルが変動するため、同信号
ｇは第４図ｇのようになる。
うちのダミービットＤＢ部分には信号成分は生じない。
しかし実際には、前記ＣＣＤの温度特性により温度が上
昇すると、信号ｇの直流レベルが変動するため、同信号
ｇは第４図ｇのようになる。
次に、前記信号ｇは初段増幅器１１により反転増幅され
る。ここでこの反転増幅は、演算増幅器１２の非反転入
力端子への印加電圧ｙｏを基準にして行われるが、従来
は前記基準電圧Ｖｏは一定値に固定されていた。したが
って従来は、ＣＣＤの温度特性により信号ｇの直流レベ
ルが変動すると、初段増幅部１１の出力信号ｈの直流レ
ベルも変動し、第４図ｈ′のようになり、読敬ビット部
分にノイズ成分が生じ、前記のように画信号のＳ／Ｎ比
が悪化していた。しかし、この画像読取装置では、初段
増幅部１１の出力信号ｈのうちのダミービット部分ＤＢ
の電圧レベル（第４図ｈ′中の破線Ａで示される）に応
じて前記電圧Ｖｏを制御することにより、ＣＣＤさらに
は演算増幅器１２の温度特性の影響による画信号のＳ／
Ｎ比の劣化を補償することができる。
る。ここでこの反転増幅は、演算増幅器１２の非反転入
力端子への印加電圧ｙｏを基準にして行われるが、従来
は前記基準電圧Ｖｏは一定値に固定されていた。したが
って従来は、ＣＣＤの温度特性により信号ｇの直流レベ
ルが変動すると、初段増幅部１１の出力信号ｈの直流レ
ベルも変動し、第４図ｈ′のようになり、読敬ビット部
分にノイズ成分が生じ、前記のように画信号のＳ／Ｎ比
が悪化していた。しかし、この画像読取装置では、初段
増幅部１１の出力信号ｈのうちのダミービット部分ＤＢ
の電圧レベル（第４図ｈ′中の破線Ａで示される）に応
じて前記電圧Ｖｏを制御することにより、ＣＣＤさらに
は演算増幅器１２の温度特性の影響による画信号のＳ／
Ｎ比の劣化を補償することができる。
以下、これについてさらに説明する。第３図に示すよう
に、カウンタ２２の出力信号ｊは、ゲートパルス信号ｃ
の立ち下がりで“１”となり、その後リセットパルス信
号ｆを９個計数すると“０”となる。
に、カウンタ２２の出力信号ｊは、ゲートパルス信号ｃ
の立ち下がりで“１”となり、その後リセットパルス信
号ｆを９個計数すると“０”となる。
またフリツプフロツプ２３の出力信号ｋ（図示せず）は
、シフトパルス信号ｅの立ち上がりおよび立ち下がりで
“１”となり、リセットパルス信号ｆの立ち上がりで“
０”となる。したがって、アンド回路２４により信号ｊ
とｋとのアンドを取ることによって作られたスイッチン
グ信号ｉは、イメージセンサ１からダミービットＤＢ部
分の信号が出力される際には“１”となり、他の場合に
は“０”となる。
、シフトパルス信号ｅの立ち上がりおよび立ち下がりで
“１”となり、リセットパルス信号ｆの立ち上がりで“
０”となる。したがって、アンド回路２４により信号ｊ
とｋとのアンドを取ることによって作られたスイッチン
グ信号ｉは、イメージセンサ１からダミービットＤＢ部
分の信号が出力される際には“１”となり、他の場合に
は“０”となる。
ここで、アナログスイッチ２１は‘‘１”のときに閉じ
、‘‘０”のときに開くようになっているので、初段増
幅器１ １の出力信号ｈのうちダミービットＤＢ部分の
信号のみがアナログスイッチ２１を通過し、同信号ｈの
他の部分はアナログスイッチ２１を通過することはでき
ない。
、‘‘０”のときに開くようになっているので、初段増
幅器１ １の出力信号ｈのうちダミービットＤＢ部分の
信号のみがアナログスイッチ２１を通過し、同信号ｈの
他の部分はアナログスイッチ２１を通過することはでき
ない。
したがってアナログスイッチ２１の出力信号１は第４図
１のようになる。次に、前記信号１は電圧保持回路２５
で積分される。
１のようになる。次に、前記信号１は電圧保持回路２５
で積分される。
この電圧保持回路１８の出力信号ｍは、第４図ｍのよう
に一度、一定の電圧レベルＢまでコンデンサ２０が充電
されると、その後はその電圧レベルＢを保持するように
なる。次に、反転回路２５は、前記信号ｍを反転し、信
号ｎとする。
に一度、一定の電圧レベルＢまでコンデンサ２０が充電
されると、その後はその電圧レベルＢを保持するように
なる。次に、反転回路２５は、前記信号ｍを反転し、信
号ｎとする。
そして、この信号ｎは抵抗３０と１５とにより適当に分
割されて、演算増幅器１２の非反転入力端子に入力され
る。したがって、演算増幅器１２の非反転入力端子に印
加される基準電圧Ｖｏは、第４図ｎにおいて破線で示さ
れるレベルＢ′に降下する。
割されて、演算増幅器１２の非反転入力端子に入力され
る。したがって、演算増幅器１２の非反転入力端子に印
加される基準電圧Ｖｏは、第４図ｎにおいて破線で示さ
れるレベルＢ′に降下する。
このため、第４図ｇでは前記電圧Ｖｏは降下し、第４図
ｈ′では上昇する。そして、このような帰還制御が数ラ
インに渡って行われると、コンデンサ２０の充電電圧は
定常状態となり、初段増幅部１１の出力信号ｈは第４図
ｈのようになる。
ｈ′では上昇する。そして、このような帰還制御が数ラ
インに渡って行われると、コンデンサ２０の充電電圧は
定常状態となり、初段増幅部１１の出力信号ｈは第４図
ｈのようになる。
同図から明らかなように、前記定常状態となると、基準
電圧Ｖｏより上方には、ＣＣＤや演算増幅器１２の温度
特性に起因するノイズは含まれなくなる。したがって、
初段増幅部１１の出力信号ｈのＳ／Ｎ比が改善される。
また、前記初段増幅部１１の出力信号ｈは、画信号処理
回路１６に入力されるが、この画信号処理回路１ ６で
は、信号ｈのうち基準電圧Ｖｏより上方の信号のみを取
り出して信号処理を行うため、この信号処理が容易にな
るとともに、ノイズ成分の少ない信号が出力様子１７か
ら出力されることになる。なお、前記実施例では電圧保
持回路１８の出力信号ｍを反転回路２５により反転して
演算増幅器１２の非反転入力端子に入力しているが、前
記信号ｍを反転しないでイメージセンサ１の出力信号ｇ
に加えてもよいことは言うまでもない。
電圧Ｖｏより上方には、ＣＣＤや演算増幅器１２の温度
特性に起因するノイズは含まれなくなる。したがって、
初段増幅部１１の出力信号ｈのＳ／Ｎ比が改善される。
また、前記初段増幅部１１の出力信号ｈは、画信号処理
回路１６に入力されるが、この画信号処理回路１ ６で
は、信号ｈのうち基準電圧Ｖｏより上方の信号のみを取
り出して信号処理を行うため、この信号処理が容易にな
るとともに、ノイズ成分の少ない信号が出力様子１７か
ら出力されることになる。なお、前記実施例では電圧保
持回路１８の出力信号ｍを反転回路２５により反転して
演算増幅器１２の非反転入力端子に入力しているが、前
記信号ｍを反転しないでイメージセンサ１の出力信号ｇ
に加えてもよいことは言うまでもない。
以上のように本発明によう画像論取装置は、ＣＣＤから
なるアナログシフトレジスタに、光電変換素子群から信
号電荷を並列入力されないダミービットを設け、イメー
ジセンサの出力信号のうちの前記ダミービットに対応す
るビットの信号のレベルに基いて、イメージセンサの出
力信号を増幅する増幅部の基準レベルを制御することに
より、ＣＣＤおよび前記増幅部の温度特性による影響を
補償し、前記増幅部から出力される画信号のＳ／Ｎ比を
改善することができるという優れた効果を得られるもの
である。
なるアナログシフトレジスタに、光電変換素子群から信
号電荷を並列入力されないダミービットを設け、イメー
ジセンサの出力信号のうちの前記ダミービットに対応す
るビットの信号のレベルに基いて、イメージセンサの出
力信号を増幅する増幅部の基準レベルを制御することに
より、ＣＣＤおよび前記増幅部の温度特性による影響を
補償し、前記増幅部から出力される画信号のＳ／Ｎ比を
改善することができるという優れた効果を得られるもの
である。
第１図は本発明の画像読取装置の一実施例を示す要部構
成図、第２図は本実施例におけるＣＣＤイメージセンサ
の主要部を示す構成図、第３図および第４図は本実施例
の動作を説明する波形図である。 １……イメージセンサ、２……光電変換素子群、４ａ，
４ｂ……アナログシフトレジスタ、１１・・・・・・切
段増幅部、１８・・・・・・電圧保持回路、２１……ア
ナログスイッチ、２２……カウンタ、２３……フリツプ
フロツプ、２４…・・・アンド回路。 図船 図 Ｎ 舵 図 の 船 第４図
成図、第２図は本実施例におけるＣＣＤイメージセンサ
の主要部を示す構成図、第３図および第４図は本実施例
の動作を説明する波形図である。 １……イメージセンサ、２……光電変換素子群、４ａ，
４ｂ……アナログシフトレジスタ、１１・・・・・・切
段増幅部、１８・・・・・・電圧保持回路、２１……ア
ナログスイッチ、２２……カウンタ、２３……フリツプ
フロツプ、２４…・・・アンド回路。 図船 図 Ｎ 舵 図 の 船 第４図
Claims (1)
- １ 光電変換素子群と、前記光電変換素子群から並列入
力される信号電荷を出力側に転送するシフトレジスタと
を有してなるイメージセンサを用いた画像読取装置にお
いて、前記シフトレジスタに設けられ、前記光電変換素
子群から信号電荷を並列入力されないダミービツトと、
前記イメージセンサに直流結合され、同センサの出力信
号を増幅する増幅部と、電圧保持手段と、前記増幅部の
出力側と前記電圧保持手段の入力側との間に介在された
スイツチ手段と、前記増幅部から前記ダミービツトに対
応するビツトの出力信号が出力される場合のみ前記スイ
ツチ手段を閉じさせる制御手段とを有してなり、前記増
幅部の基準レベルを前記電圧保持手段の出力電圧に基い
て制御することを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55168462A JPS6028183B2 (ja) | 1980-11-28 | 1980-11-28 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55168462A JPS6028183B2 (ja) | 1980-11-28 | 1980-11-28 | 画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5792971A JPS5792971A (en) | 1982-06-09 |
| JPS6028183B2 true JPS6028183B2 (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=15868553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55168462A Expired JPS6028183B2 (ja) | 1980-11-28 | 1980-11-28 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028183B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6061382U (ja) * | 1983-10-04 | 1985-04-27 | ト−ヨ−サッシビル建材株式会社 | 内はずしサツシ |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5945761A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-14 | Ricoh Co Ltd | 画情報読取装置 |
| JP2725508B2 (ja) * | 1991-12-30 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 多素子光センサ装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53113487A (en) * | 1977-03-15 | 1978-10-03 | Teii Deii Kei Fueachiyairudo K | Method of deleting dark current of charge transfer element |
| JPS53134484A (en) * | 1977-04-27 | 1978-11-24 | Omron Tateisi Electronics Co | Article detector or tester of image pick-up type |
| JPS6031294B2 (ja) * | 1977-10-07 | 1985-07-22 | 株式会社リコー | ビディオ信号安定化装置 |
-
1980
- 1980-11-28 JP JP55168462A patent/JPS6028183B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6061382U (ja) * | 1983-10-04 | 1985-04-27 | ト−ヨ−サッシビル建材株式会社 | 内はずしサツシ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5792971A (en) | 1982-06-09 |
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